一种防止高压烧焊垫的测试方法与流程

本发明涉及一种芯片测试方法，特别是涉及一种防止高压烧焊垫的测试方法。

背景技术：

在嵌入式flash芯片的测试中，需要对flash芯片上的电荷泵(pump)电压进行调整(trimming)，使所有被测芯片的pump电压能够保持在规格范围内。如图1所示，图1显示为现有技术中的对芯片上电荷泵电压测试的示意图。被测芯片01和测试机05连接，所述被测芯片01上具有电荷泵03以及焊垫02，所述电荷泵03与焊垫02之间由一开关04连接，所述焊垫02与所述测试机05通过电压表06连接。

电荷泵(pump)电压一般比较高，在8v至12v之间，在调整(trimming)时需要把电荷泵(pump)通过测试芯片01内部开关04连接到测试的焊垫02(pad)上，启动电荷泵03(pump)后，电荷泵03(pump)的电压会输出到测试的焊垫02(pad)上，之后用测试机量测焊垫02(pad)上的电压。

因为电荷泵(pump)电压高，所以在电荷泵(pump)电压输出时会有比较大的电压过冲(overshoot)，可能会达到14v至15v左右，如图2所示，图2显示为现有技术中焊垫上的测试电压曲线示意图。而测试pad有一定耐压能力，一旦pad上的电压超过最高耐压值，则pad会永久损坏，无法测试，造成良率损失。

因此，需要提出一种芯片测试的方法以解决上述问题。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种防止高压烧焊垫的测试方法，用于解决现有技术中由于测试焊垫有一定耐压能力，而焊垫上的测试电压超过最高耐压值使得焊垫会永久损坏，造成良率下降的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种防止高压烧焊垫的测试方法，提供被测芯片和测试机，所述被测芯片上具有电荷泵以及焊垫，所述电荷泵与焊垫之间由一开关连接，所述焊垫与所述测试机连接，所述方法至少包括以下步骤：步骤一、在所述焊垫上施加第一电压，之后打开所述开关；步骤二、启动所述电荷泵，使其输出第二电压；步骤三、将所述第一电压加高至第三电压，所述第三电压小于所述第二电压；步骤四、切断所述焊垫上的第三电压，使得所述焊垫上的电压由第三电压上升为第二电压；步骤五、用所述测试机测试所述焊垫上的电荷泵输出的第二电压。

优选地，所述被测芯片上的开关由一开关电路控制。

优选地，步骤二中所述电荷泵输出的第二电压为一高电压。

优选地，步骤二中所述电荷泵输出的第二电压为8v至12v。

优选地，步骤二中所述电荷泵输出的第二电压为12v。

优选地，步骤一中所述焊垫上施加的第一电压为低电压。

优选地，步骤一中所述焊垫上施加的第一电压为5v。

优选地，步骤三中将所述第一电压加高至第三电压的方式为：以阶梯爬升的方式将所述第一电压加高至第三电压。

优选地，所述第三电压为11v。

优选地，所述测试机内部设有电压源。

优选地，步骤一中对所述焊垫上施加第一电压的方式是通过测试机内部的电压源与所述焊垫连接，对所述焊垫施加电压。

优选地，所述测试机内部设有电压表，所述焊垫与所述电压表连接。

优选地，所述测试机内设有高精度量测模块用于执行步骤五中对所述焊垫上电荷泵输出的第二电压的测试。

优选地，步骤五中对所述电荷泵输出的第二电压的测试数据通过所述电压表显示。

优选地，所述测试芯片为嵌入式flash芯片。

如上所述，本发明的防止高压烧焊垫的测试方法，具有以下有益效果：在焊垫上事先施加电压，再将该电压缓慢上升用以减少电荷泵高压启动输出时产生的电压过冲，来避免测试焊垫被高压过冲损坏的风险，提高良率。

附图说明

图1显示为现有技术中的对芯片上电荷泵电压测试的示意图；

图2显示为现有技术中焊垫上的测试电压曲线示意图；

图3a显示为本发明中的焊垫施加电压的示意图；

图3b显示为本发明中的对电荷泵电压测试的示意图；

图4显示为本发明中焊垫上的电压曲线示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图3a至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

本实施例提供一种防止高压烧焊垫的测试方法，如图3a所示，图3a显示为本发明中的焊垫施加电压的示意图。

首先提供被测芯片01和测试机05，所述被测芯片在本实施例中优选为嵌入式flash芯片。所述被测芯片01与所述测试机05连接。

如图3a所示，所述被测芯片01上具有电荷泵03以及焊垫02，所述电荷泵03与焊垫02之间由一开关04连接，所述焊垫02与所述测试机05连接，本实施例优选地，所述被测芯片01上的开关04由一开关电路控制，启动所述开关电路，所述开关04被打开，所述电荷泵03的输出电压被传输至所述焊垫02，由于所述焊垫02与所述测试机05连接，本实施例优选地，所述测试机05内部设有电压表06，所述焊垫02通过与所述电压表06连接。所述测试机05内设有高精度量测模块用于执行所述焊垫02上电荷泵03输出电压的测试。而对所述电荷泵03输出的电压的测试数据通过所述电压表06显示出来。

实施例一

本实施例中所述防止高压烧焊垫的测试方法包括以下步骤：

步骤一、在所述焊垫02上施加第一电压，之后打开所述开关04；由于所述焊垫在测试之前为零电压，如果直接接收所述电荷泵03的输出电压，而该输出电压一般为高电压，由于焊垫02具有一定的耐压能力，高电压会对其造成电压过冲，使其受到永久损坏而无法再利用，使得测试芯片的良率降低。因此，在所述电荷泵没有开启输出电压之前，先对所述焊垫施加一定的电压，本实施例中，施加的所述第一电压为低电压。该低电压小于所述电荷泵输出的电压。优选地，所述焊垫上施加的第一电压为5v。优选地，所述测试机内部设有电压源07。本实施例中，对所述焊垫上施加第一电压的方式是通过测试机05内部的电压源07与所述焊垫02连接，对所述焊垫02施加电压。在对所述焊垫02施加一定的低电压，并且低于所述电荷泵输出的电压之后，接着打开所述开关04，本实施例中，所述开关04通过所述测试芯片内部的开关电路对其进行控制。

步骤二、启动所述电荷泵，使其输出第二电压；由于所述电荷泵03通过所述开关04与所述焊垫02连接，打开所述开关04，并且启动所述电荷泵03，所述电荷泵03与所述焊垫02之间形成通路，所述电荷泵03输出所述第二电压，本实施例中优选地，所述电荷泵03输出的所述第二电压为一高电压。并且进一步地，该高电压的取值范围为8v至12v。本实施例优选地，所述电荷泵03输出的所述第二电压为12v。由于焊垫02上有5v的测试机施加电压，并且测试机施加电压能力远高于电荷泵，这时焊垫上保持5v电压。

步骤三、将所述第一电压加高至第三电压，所述第三电压小于所述第二电压；本实施例中将所述第一电压加高至第三电压的方式是以阶梯爬升的方式将所述第一电压加高至第三电压。如图4所示，图4显示为本发明中焊垫上的电压曲线示意图。本实施例优选地，所述第三电压为11v，也就是说，本实施例中将所述第一电压由5v以阶梯爬升的方式加高至11v。并且，本发明中，所述第三电压小于所述第二电压，也就是说，所述第二电压的值大于11v。

步骤四、切断所述焊垫上的第三电压，使得所述焊垫上的电压由第三电压上升为第二电压；也就是说当停止对所述焊垫02上的第三电压的施加后，由于所述电荷泵03一直是开启的状态，其输出的所述第二电压为12v，因此，此时所述焊垫02上只施加有所述电荷泵输出的12v的第二电压，并且所述焊垫02上的电压会从原来具有的第三电压11v上升至12v。

如图4所示，由于所述焊垫上的电压从11v上升至12v的上升幅度较小，由图4可以看出，电压过冲的幅度小于13v。而如图2所示，在没有对所述焊垫施加第一电压至电三电压的情况下，其电压过冲可以达到13v以上，甚至达到15v。在对所述焊垫施加第一电压至电三电压的情况下，所以电压过冲的现象会减小，从而不会超过所述焊垫的耐压能力，减小损坏的风险。

步骤五、用所述测试机测试所述焊垫上的电荷泵输出的第二电压。该步骤中，所述焊垫02上的电压已经由11v上升至12v，为所述电荷泵的输出电压，因此，该步骤对所述焊垫上的电压进行测试，也就是对所述电荷泵的输出电压进行测试。本实施例中优选地，所述测试机内部设有电压表，所述焊垫与所述电压表连接。对所述电荷泵输出的第二电压的测试数据通过所述电压表显示。如图3b所示，图3b显示为本发明中的对电荷泵电压测试的示意图。而本实施例优选地，所述测试机05内设有高精度量测模块用于执行所述焊垫02上电荷泵03输出电压的测试。而对所述电荷泵03输出的电压的测试数据通过所述电压表06显示出来。

该步骤中所述测试机对所述电荷泵的输出电压进行测试，是用于对所述flash芯片上的电荷泵pump电压的调整，使所有被测芯片的pump电压能够保持在规格范围之内。因此，本实施例中，对所述电荷泵的输出电压进行测试的过程中包含对电荷泵pump电压调整的过程。调整中电荷泵的输出电压实时显示在所述测试机的电压表06上。

实施例二

本实施例提供一种防止高压烧焊垫的测试方法，如图3a所示，图3a显示为本发明中的焊垫施加电压的示意图。

首先提供被测芯片01和测试机05，所述被测芯片在本实施例中优选为嵌入式flash芯片。所述被测芯片01与所述测试机05连接。

如图3a所示，所述被测芯片01上具有电荷泵03以及焊垫02，所述电荷泵03与焊垫02之间由一开关04连接，所述焊垫02与所述测试机05连接，本实施例优选地，所述被测芯片01上的开关04由一开关电路控制，启动所述开关电路，所述开关04被打开，所述电荷泵03的输出电压被传输至所述焊垫02，由于所述焊垫02与所述测试机05连接，本实施例优选地，所述测试机05内部设有电压表06，所述焊垫02通过与所述电压表06连接。所述测试机05内设有高精度量测模块用于执行所述焊垫02上电荷泵03输出电压的测试。而对所述电荷泵03输出的电压的测试数据通过所述电压表06显示出来。

本实施例中所述防止高压烧焊垫的测试方法包括以下步骤：

步骤一、在所述焊垫02上施加第一电压，之后打开所述开关04；由于所述焊垫在测试之前为零电压，如果直接接收所述电荷泵03的输出电压，而该输出电压一般为高电压，由于焊垫02具有一定的耐压能力，高电压会对其造成电压过冲，使其受到永久损坏而无法再利用，使得测试芯片的良率降低。因此，在所述电荷泵没有开启输出电压之前，先对所述焊垫施加一定的电压，本实施例中，施加的所述第一电压为低电压。该低电压小于所述电荷泵输出的电压。优选地，所述焊垫上施加的第一电压为3v。优选地，所述测试机内部设有电压源07。本实施例中，对所述焊垫上施加第一电压的方式是通过测试机05内部的电压源07与所述焊垫02连接，对所述焊垫02施加电压。在对所述焊垫02施加一定的低电压，并且低于所述电荷泵输出的电压之后，接着打开所述开关04，本实施例中，所述开关04通过所述测试芯片内部的开关电路对其进行控制。

步骤二、启动所述电荷泵，使其输出第二电压；由于所述电荷泵03通过所述开关04与所述焊垫02连接，打开所述开关04，并且启动所述电荷泵03，所述电荷泵03与所述焊垫02之间形成通路，所述电荷泵03输出所述第二电压，本实施例中优选地，所述电荷泵03输出的所述第二电压为一高电压。并且进一步地，该高电压的取值范围为8v至12v。本实施例优选地，所述电荷泵03输出的所述第二电压为10v。由于焊垫02上有3v的测试机施加电压，并且测试机施加电压能力远高于电荷泵，这时焊垫上保持3v电压。

步骤三、将所述第一电压加高至第三电压，所述第三电压小于所述第二电压；本实施例中将所述第一电压加高至第三电压的方式是以阶梯爬升的方式将所述第一电压加高至第三电压。本实施例优选地，所述第三电压为9v，也就是说，本实施例中将所述第一电压由3v以阶梯爬升的方式加高至9v。并且，本发明中，所述第三电压小于所述第二电压，也就是说，所述第二电压的值大于9v。

步骤四、切断所述焊垫上的第三电压，使得所述焊垫上的电压由第三电压上升为第二电压；也就是说当停止对所述焊垫02上的第三电压的施加后，由于所述电荷泵03一直是开启的状态，其输出的所述第二电压为10v，因此，此时所述焊垫02上只施加有所述电荷泵输出的10v的第二电压，并且所述焊垫02上的电压会从原来具有的第三电压9v上升至10v。由于所述焊垫上的电压从9v上升至10v的上升幅度较小，电压过冲的幅度小于13v。而如图2所示，在没有对所述焊垫施加第一电压至电三电压的情况下，其电压过冲可以达到13v以上，甚至达到15v。在对所述焊垫施加第一电压至电三电压的情况下，所以电压过冲的现象会减小，从而不会超过所述焊垫的耐压能力，减小损坏的风险。

步骤五、用所述测试机测试所述焊垫上的电荷泵输出的第二电压。该步骤中，所述焊垫02上的电压已经由9v上升至10v，为所述电荷泵的输出电压，因此，该步骤对所述焊垫上的电压进行测试，也就是对所述电荷泵的输出电压进行测试。本实施例中优选地，所述测试机内部设有电压表，所述焊垫与所述电压表连接。对所述电荷泵输出的第二电压的测试数据通过所述电压表显示。如图3b所示，图3b显示为本发明中的对电荷泵电压测试的示意图。而本实施例优选地，所述测试机05内设有高精度量测模块用于执行所述焊垫02上电荷泵03输出电压的测试。而对所述电荷泵03输出的电压的测试数据通过所述电压表06显示出来。

该步骤中所述测试机对所述电荷泵的输出电压进行测试，是用于对所述flash芯片上的电荷泵pump电压的调整，使所有被测芯片的pump电压能够保持在规格范围之内。因此，本实施例中，对所述电荷泵的输出电压进行测试的过程中包含对电荷泵pump电压调整的过程。调整中电荷泵的输出电压实时显示在所述测试机的电压表06上。

综上所述，本发明在焊垫上事先施加电压，再将该电压缓慢上升用以减少电荷泵高压启动输出时产生的电压过冲，来避免测试焊垫被高压过冲损坏的风险，提高芯片的良率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。