闪存的读电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质与流程

本申请涉及计算机技术领域，尤其涉及一种闪存的读电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术：

固态硬盘使用闪存会因为使用状况及程度的不同，而需要使用不同的电压才能读的回来。由于读电压存在多个，现有技术确定读电压时，直接通过对范围了的所有读电压进行检测，导致检测效率低下。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本申请提供了一种闪存的读电压的确定方法、装置、计算机设备和存储介质。

第一方面，本申请提供了一种闪存的读电压确定方法，包括：

获取当前读电压和对应的当前错误率；

获取上一读电压和对应的上一错误率；

计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压；

获取下一读电压对应的下一错误率；

当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

第二方面，本申请提供了一种闪存的读电压确定装置，包括：

当前数据获取模块，用于获取当前读电压和对应的当前错误率；

上一数据获取模块，用于获取上一读电压和对应的上一错误率；

下一读电压计算模块，用于计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压；

下一错误率获取模块，用于获取下一读电压对应的下一错误率；

目标读电压确定模块，用于当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：

获取当前读电压和对应的当前错误率；

获取上一读电压和对应的上一错误率；

计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压；

获取下一读电压对应的下一错误率；

当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

获取当前读电压和对应的当前错误率；

获取上一读电压和对应的上一错误率；

计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压；

获取下一读电压对应的下一错误率；

当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

上述内存的读电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质，所述方法包括：获取当前读电压和对应的当前错误率；获取上一读电压和对应的上一错误率，计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，获取下一读电压对应的下一错误率，当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。对比相邻的三个读电压的错误率，通过最低错误率来确定目标读电压，快速确定目标读电压。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中内存的读电压确定方法的应用环境图；

图2为一个实施例中内存的读电压确定方法的流程示意图；

图3为一个实施例中内存的读电压确定装置的结构框图；

图4为一个实施例中计算机设备的内部结构图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

图1为一个实施例中内存的读电压确定方法的应用环境图。参照图1，该内存的读电压确定方法应用于内存的读电压确定系统。该内存的读电压确定系统包括终端110和服务器120。终端110和服务器120通过网络连接。终端或服务器获取当前读电压和对应的当前错误率；获取上一读电压和对应的上一错误率，计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，获取下一读电压对应的下一错误率，当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压

终端110具体可以是台式终端或移动终端，移动终端具体可以手机、平板电脑、笔记本电脑等中的至少一种。服务器120可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。

如图2所示，在一个实施例中，提供了一种内存的读电压确定方法。本实施例主要以该方法应用于上述图1中的终端110(或服务器120)来举例说明。参照图2，该内存的读电压确定方法具体包括如下步骤：

步骤s201，获取当前读电压和对应的当前错误率。

步骤s202，获取上一读电压和对应的上一错误率。

步骤s203，计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压。

步骤s204，获取下一读电压对应的下一错误率。

步骤s205，当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

具体地，当前读电压是指正准备用于读取闪存数据的电压。读电压是指读取闪存中存储中的数据所采用的电压。采用当前读电压读取闪存中的数据，在对读取的数据进行验证得到当前读电压对应的当前错误率。上一读电压是指当前读电压之前的用于读取闪存中数据的电压，同一可知上一错误率为上一读电压读取闪存中的数据，在对读取的数据进行验证得到上一读电压对应的错误率。计算当前错误率与上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，根据差值判断错误率是否增加，若增加，则从上一读电压到当前读电压的调整方向错误，需要延反方向调整，反之若减少，则从上一读电压到当前读电压的调整方向正确，继续延该方向进行调整。

在一个实施例中，当上一读电压为调整前的目标读电压，判断上一错误率是否大于或等于预设错误率阈值，当上一错误率大于或等于预设错误率阈值时，按照预设调整方式确定当前读电压，进入获取当前读电压和对应的当前错误率。

具体地，预设错误率阈值是用于判断闪存是否还能正常存储数据的错误率临界值，当上一错误率大于或等于预设错误阈值时，表示该闪存已经损耗过度，表示闪存已经超过容错范围需要及时进行调整，按照预设调整方式确定当前读电压，进入获取当前读电压的步骤。预设调整方式为自定义的调整方式，如加大电压或减少电压值都是可行的操作，加大或减少多少电压值也可以自定义，根据自定义的预设调整方式，计算得到当前读电压。设定目标读电压对应的临界错误率阈值，通过理解错误率阈值来确定是否执行电压的调整，当超过临界值时，进行调整，能够确保闪存读取的数据的有效性。

在一个实施例中，当上一读电压为调整前的目标读电压时，判断上一读电压对应的上一错误率是否大于或等于第一错误率阈值，当大于或等于第一错误率阈值，表示闪存不可用，直接弃用该闪存，当上一读电压对应的上一错误率小于第一错误率阈值，且大于预设错误率阈值时，进入按照预设调整方式确定当前读电压的步骤。

具体地，第一错误率阈值是用于判断闪存是否可用的临界值，当大于或等于该临界值，表示闪存不可用，可以直接弃用该闪存，反之，则进入按照预设调整方式确定当前读电压的步骤。若小于第一错误率阈值，且大于用于判断是否需要进行电压调整的临界值时，则进入电压调整的步骤。

在一个实施例中，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，包括：当当前错误率和上一错误率的差值大于第一预设值时，根据差值计算得到目标调整电压，当当前读电压大于上一读电压时，将当前读电压的基础上减去目标调整电压，得到下一读电压，当当前读电压小于上一读电压时，将当前读电压的基础上加上目标调整电压，得到下一读电压。

具体地，第一预设值为预先设置的临界值，如第一预设值设置为0，当当前错误率和上一错误率的差值大于0，表示错误率增加，根据差值计算目标调整电压，目标调整电压是指在当前电压基础上需要调整的电压值，该电压值根据错误的变化情况确定，若错误率增加，则表示电压的调整存在问题，可以延反方向调整，当当前读电压大于上一读电压时，在当前读电压的基础上减去目标调整电压，得到下一读电压。当前读电压大于上一读电压，表示从上一读电压和当前读电压增加的电压值过大，或者是方向反了，则可以减少增加的电压值，或者使得下一读电压小于上一读电压。如当前电压14v对应的错误率为40％，上一电压为8v对应的错误率为20％，错误率差值为20％，根据错误率差值确定的目标调整电压为3v或12v，则下一读电压为11v或2v。同理，当当前读电压小于上一读电压时，将当前读电压的基础上加上目标调整电压，得到下一读电压。

在一个实施例中，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，包括：当当前错误率和上一错误率的差值小于第一预设值时，根据差值计算得到目标调整电压，当当前读电压大于上一读电压时，将当前读电压的基础上加上目标调整电压，得到下一读电压，当当前读电压小于上一读电压时，将当前读电压的基础上减去目标调整电压，得到下一读电压。

具体地，当当前错误率和上一错误率的差值小于第一预设值时，表示错误率降低，则从上一读电压调整到当前读电压的调整方向正确，故可以继续延该调整方向调整，根据差值计算得到目标调整电压，当当前读电压大于上一读电压时，则下一读电压大于当前读电压，即在当前读电压的基础上加上目标调整电压，得到下一读电压。同理当当前读电压小于上一读电压时，则下一读电压小于当前读电压，在当前读电压的基础上减去目标调整电压，得到下一读电压。

在一个实施例中，根据标准绝对值与标准调整电压之间的对应关系，查找与差值的绝对值对应的目标调整电压。

具体地，确定当前错误率与上一错误率的绝对值对应的目标调整电压，不同的绝对值对应不同的目标调整电压。标准绝对值与标准调整电压之间的对应关系为预先自定义的对应关系，各个标准调整电压对应的标准绝对值区间可以根据需求自定义。通过定义的标准绝对值与标准调整电压之间的对应关系，查找对应的目标调整电压，加快数据处理效率，且不同的绝对值区间对应不同的目标调整电压，能够根据实际情况的变化确定调整电压，使得调整更为方便和准确。

在一个实施例中，错误率绝对值越大对应的目标调整电压值越大。如设置错误率绝对值为0-5％时，对应的标准调整电压为1v，绝对值为5％-10％时为2v。

在一个实施例中，根据当前读电压和上一读电压的差值和错误率绝对值确定目标调整电压。根据错误率绝对值确定加权因子，根据当前读电压和上一读电压的差值确定调整电压，对加权因子和调整电压进行加权得到目标调整电压。

在一个实施例中，除当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率之外：将当前读电压作为上一读电压，将下一读电压作为当前读电压，进入计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，直至当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

具体地，当当前错误、上一错误率和下一错误率中的三个错误率中，当前错误率不是为最小错误率时，则继续调整读电压，得到新的读电压，判断新的下一读电压对应的错误率是否为当前读电压、下一读电压和新的下一读电压分别对应的错误率中的最小错误率，当不是最小错误率时，继续计算下一个新的读电压，不断重复计算下一个读电压、错误率比较的过程，直到当前错误率为相邻的三个读电压中对应的错误率中最小的错误率时，将做小错误率的当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。如将电压a、b和c分别作为上一电压、当前电压和下一电压，除电压b对应的错误率不是电压a、b和c中对应的错误率中，最小的错误率时，则把电压b和电压c分别作为上一电压、当前电压。

在一个实施例中，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压之后，还包括：保存目标读电压与闪存之间的对应关系，当再次使用闪存时，根据闪存与目标读电压之间的对应关系，直接获取目标读电压作为闪存的读电压。

具体地，在确定了目标读电压之后，保存闪存与目标读电压之间的关系，当接收到读取该闪存的数据时，获取该闪存对应的目标读电压，采用目标读电压读取该闪存中的数据。保存闪存与目标读电压之间的关系，便于后续取用，提高数据的读取效率和准确度。

上述内存的读电压确定方法，包括：获取当前读电压和对应的当前错误率；获取上一读电压和对应的上一错误率，计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，获取下一读电压对应的下一错误率，当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。对比相邻的三个读电压的错误率，通过最低错误率来确定目标读电压，快速确定目标读电压。

在一个具体的实施例中，内存的读电压确定方法，包括：

当固态硬盘开始使用时，对每一颗闪存分别进行校正。移动读电压并回读数据，并比较错误率。找出错误率最低的读电压，并将此电压设定为此闪存的目标读电压。若错误率到达控制器所设计临界点时，进行重新校正，直至闪存寿命终止。

具体地，利用闪存提供的指令直接对电压做加减然后回读闪存中的写入的数据。根据控制器译码的结果确定各个读电压对应的错误率。可以设定一个译码错误率的值，当译码错误率超过此值就重新校正。

使用原始读电压读回资料，确定的资料的读取错误率为20％；在原始读电压基础上加1，得到的资料的读取错误率为30％；在原始读电压基础上减少2，得到的资料的读取错误率为15％，在原始读电压基上减少3，得到的资料的读取错误率为10％；在原始读电压基上减少4，到的资料的读取错误率为15％。由于在原始读电压的情况减去3得到的读电压对应的错误识别最低，故目标读电压为原始电压减去3。

图2为一个实施例中内存的读电压确定方法的流程示意图。应该理解的是，虽然图2的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图2中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在一个实施例中，如图3所示，提供了一种内存的读电压确定装置200，包括：

当前数据获取模块201，用于获取当前读电压和对应的当前错误率。

上一数据获取模块202，用于获取上一读电压和对应的上一错误率。

下一读电压计算模块203，用于计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压。

下一错误率获取模块204，用于获取下一读电压对应的下一错误率。

目标读电压确定模块205，用于当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

在一个实施例中，目标读电压确定模块205，用于除当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率之外：将当前读电压作为上一读电压，将下一读电压作为当前读电压，进入计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，直至当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

在一个实施例中，内存的读电压确定装置，还包括：

上一读电压判断模块，用于当上一读电压为调整前的目标读电压，判断上一错误率阈值是否大于或等于预设错误率阈值。

当前数据获取模块还用于当上一错误率大于或等于预设错误率阈值时，按照预设调整方式确定当前读电压，进入获取当前读电压和对应的当前错误率。

在一个实施例中，下一读电压计算模块，包括：

调整电压计算单元，用于当当前错误率和上一错误率的差值大于第一预设值时，根据差值计算得到目标调整电压。

下一读电压计算单元，用于当当前读电压大于上一读电压时，将当前读电压的基础上减去目标调整电压，得到下一读电压，当当前读电压小于上一读电压时，将当前读电压的基础上加上目标调整电压，得到下一读电压。

在一个实施例中，下一读电压计算模块，包括：

调整电压计算单元还用于当当前错误率和上一错误率的差值小于第一预设值时，根据差值计算得到目标调整电压；

下一读电压计算单元还用于当当前读电压大于上一读电压时，将当前读电压的基础上加上目标调整电压，得到下一读电压，当当前读电压小于上一读电压时，将当前读电压的基础上减去目标调整电压，得到下一读电压。

在一个实施例中，调整电压计算单元还用于根据标准调整电压与标准绝对值的关系，确定与差值的绝对值对应的目标调整电压。

在一个实施例中，内存的读电压确定装置，还包括：

数据存储模块，用于保存目标读电压与闪存之间的对应关系，当再次使用闪存时，根据闪存与目标读电压之间的对应关系，直接获取目标读电压作为闪存的读电压。

图4示出了一个实施例中计算机设备的内部结构图。该计算机设备具体可以是图1中的终端110(或服务器120)。如图4所示，该计算机设备包括该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、输入装置和显示屏。其中，存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该计算机设备的非易失性存储介质存储有操作系统，还可存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，可使得处理器实现内存的读电压确定方法。该内存储器中也可储存有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，可使得处理器执行内存的读电压确定方法。计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。

本领域技术人员可以理解，图4中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，本申请提供的内存的读电压确定装置可以实现为一种计算机程序的形式，计算机程序可在如图4所示的计算机设备上运行。计算机设备的存储器中可存储组成该内存的读电压确定装置的各个程序模块，比如，图3所示的当前数据获取模块201、上一数据获取模块202、下一读电压计算模块203、下一错误率获取模块204和目标读电压确定模块205。各个程序模块构成的计算机程序使得处理器执行本说明书中描述的本申请各个实施例的内存的读电压确定方法中的步骤。

例如，图4所示的计算机设备可以通过如图3所示的内存的读电压确定装置中的当前数据获取模块201执行获取当前读电压和对应的当前错误率。计算机设备可通过上一数据获取模块202执行获取上一读电压和对应的上一错误率。计算机设备可通过下一读电压计算模块203执行计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压。计算机设备可通过下一错误率获取模块204执行获取下一读电压对应的下一错误率。计算机设备可通过目标读电压确定模块205执行当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现以下步骤：获取当前读电压和对应的当前错误率，获取上一读电压和对应的上一错误率，计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，获取下一读电压对应的下一错误率，当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：除当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率之外：将当前读电压作为上一读电压，将下一读电压作为当前读电压，进入计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，直至当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：当上一读电压为调整前的目标读电压，判断上一错误率是否大于或等于预设错误率阈值，当上一错误率大于或等于预设错误率阈值时，按照预设调整方式确定当前读电压，进入获取当前读电压和对应的当前错误率。

在一个实施例中，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，包括：当当前错误率和上一错误率的差值大于第一预设值时，根据差值计算得到目标调整电压，当当前读电压大于上一读电压时，将当前读电压的基础上减去目标调整电压，得到下一读电压，当当前读电压小于上一读电压时，将当前读电压的基础上加上目标调整电压，得到下一读电压；

在一个实施例中，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，包括：当当前错误率和上一错误率的差值小于第一预设值时，根据差值计算得到目标调整电压，当当前读电压大于上一读电压时，将当前读电压的基础上加上目标调整电压，得到下一读电压，当当前读电压小于上一读电压时，将当前读电压的基础上减去目标调整电压，得到下一读电压。

在一个实施例中，根据差值确定目标调整电压，包括根据标准绝对值与标准调整电压之间的对应关系，查找与差值的绝对值对应的目标调整电压。

在一个实施例中，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压之后，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：保存目标读电压与闪存之间的对应关系，当再次使用闪存时，根据闪存与目标读电压之间的对应关系，直接获取目标读电压作为闪存的读电压。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：获取当前读电压和对应的当前错误率，获取上一读电压和对应的上一错误率，计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，获取下一读电压对应的下一错误率，当当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：除当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率之外：将当前读电压作为上一读电压，将下一读电压作为当前读电压，进入计算当前错误率和上一错误率的差值，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，直至当前错误率小于上一错误率，且小于下一错误率时，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：当上一读电压为调整前的目标读电压，判断上一错误率是否大于或等于预设错误率阈值，当上一错误率大于或等于预设错误率阈值时，按照预设调整方式确定当前读电压，进入获取当前读电压和对应的当前错误率。

在一个实施例中，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，包括：当当前错误率和上一错误率的差值大于第一预设值时，根据差值计算得到目标调整电压，当当前读电压大于上一读电压时，将当前读电压的基础上减去目标调整电压，得到下一读电压，当当前读电压小于上一读电压时，将当前读电压的基础上加上目标调整电压，得到下一读电压；

在一个实施例中，根据差值、当前读电压和上一读电压计算下一读电压，包括：当当前错误率和上一错误率的差值小于第一预设值时，根据差值计算得到目标调整电压，当当前读电压大于上一读电压时，将当前读电压的基础上加上目标调整电压，得到下一读电压，当当前读电压小于上一读电压时，将当前读电压的基础上减去目标调整电压，得到下一读电压。

在一个实施例中，根据差值确定目标调整电压，包括根据标准绝对值与标准调整电压之间的对应关系，查找与差值的绝对值对应的目标调整电压。

在一个实施例中，将当前错误率对应的当前读电压作为目标读电压之后，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：保存目标读电压与闪存之间的对应关系，当再次使用闪存时，根据闪存与目标读电压之间的对应关系，直接获取目标读电压作为闪存的读电压。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。