技术特征：
技术总结
本发明公开了一种存储器余量测试电路，包括：存储器，用于存储信息并实现可控读写；控制模块，用于在余量测试控制使能信号FT_Margin1_enable的控制下将控制信号Din的转换为m个分组控制信号并分别连接至所述存储器的高压隔离模块，以通过控制所述高压隔离模块的各高压隔离管开启或者关闭,将选中的n个存储单元分为n/m组，本发明可保证读1的余量测试的时候选择电压SL不会太高而影响良率。
技术研发人员：黄明永
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2019.04.30
技术公布日：2019.08.06