技术特征：
1.一种使用借助于先算信息轮换的数据保护的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，所述非挥发性存储器写入方法是可应用于一记忆装置的一存储器控制器，所述记忆装置包括所述存储器控制器以及一非挥发性存储器，所述非挥发性存储器包括至少一非挥发性存储器组件，所述非挥发性存储器写入方法包括：利用所述存储器控制器自一主装置接收一写入指令以及对应于所述写入指令的数据；利用所述存储器控制器的一编码电路取得对应于所述写入指令的所述数据中的至少一部分数据以作为一错误更正码组块的复数个通信信息，以通过先算信息轮换型编码依据所述复数个通信信息产生所述错误更正码组块的复数个同位码，其中所述复数个同位码分别对应于所述复数个通信信息以分别保护所述复数个通信信息，以及针对所述复数个通信信息中的任一通信信息，所述先算信息轮换型编码包括：在所述通信信息的至少一部分被发送至所述编码电路后，开始对所述通信信息进行编码以依据所述通信信息以及一同位检查矩阵中的一第一部分矩阵的一转置矩阵来计算一局部同位码，其中所述第一部分矩阵是所述同位检查矩阵的一第一子矩阵；在所述局部同位码的至少一部分被产生后，从所述编码电路中的一存储电路加载所述同位检查矩阵中的一第二部分矩阵的一逆矩阵的一局部矩阵，其中所述第二部分矩阵是所述同位检查矩阵的一第二子矩阵，以及所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵是被存储作为所述存储电路中的先算信息；将所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵应用至所述局部同位码以产生对应于所述通信信息的一同位码的一第一子同位码，以及输出所述同位码的所述第一子同位码以作为所述同位码的一起始部分；进行针对所述先算信息的轮换控制以加载所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的至少一轮换后版本；以及将所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的所述至少一轮换后版本应用至所述局部同位码以产生对应于所述通信信息的所述同位码的至少一后续子同位码，以及输出所述同位码的所述至少一后续子同位码以作为所述同位码的至少一后续部分；以及利用所述存储器控制器将包括所述复数个通信信息以及所述复数个同位码的所述错误更正码组块写入所述非挥发性存储器。2.如权利要求1所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，所述编码电路具备所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的局部存储。3.如权利要求2所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，还包括：利用所述存储器控制器进行所述轮换控制来复原所述第二部分矩阵的所述逆矩阵，以依据复原自所述轮换控制的所述逆矩阵进行编码，其中所述编码包括对所述通信信息进行编码以产生所述同位码。4.如权利要求1所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，还包括：利用所述存储器控制器仅存储所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的一部分，而非存储所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的全部，以供对所述通信信息进行编码以产生所述同位码。5.如权利要求4所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，还包括：利用所述存储器控制器进行所述轮换控制来复原所述第二部分矩阵的所述逆矩阵，以依据复原自所述轮换控制的所述逆矩阵进行编码，其中所述编码包括对所述通信信息进行
编码以产生所述同位码。6.如权利要求1所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，所述第二部分矩阵的一阶层式准循环结构容许所述编码电路具有所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的局部存储，而不需要存储所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的全部。7.如权利要求6所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，基于所述阶层式准循环结构，所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的所述至少一轮换后版本是等同于所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的一准循环形式中的至少一剩余的局部矩阵。8.如权利要求6所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，针对所述阶层式准循环结构，所述第二部分矩阵是被配置以包括多层准循环矩阵，且所述多层准循环矩阵的每一层是准循环。9.如权利要求6所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，基于所述阶层式准循环结构，所述编码电路中的针对所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的每编码器存储率是小于1；以及所述每编码器存储率是等于在所述编码电路中的所述存储电路中用来存储所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的存储空间的大小对用来存储整个所述逆矩阵的存储空间的大小的比值。10.如权利要求9所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，所述同位码包括数量为z的多个子同位码，所述多个子同位码包括所述第一子同位码以及所述至少一后续子同位码，而z代表大于1的正整数，以及所述至少一后续子同位码包括(z-1)个子同位码；以及所述每编码器存储率是等于(1/z)。11.如权利要求1所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，所述同位码包括数量为z的多个子同位码，所述多个子同位码包括所述第一子同位码以及所述至少一后续子同位码，而z代表大于1的正整数，以及所述至少一后续子同位码包括(z-1)个子同位码；以及所述编码电路中的针对所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的每编码器存储率是等于(1/z)。12.如权利要求11所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的所述至少一轮换后版本是等同于所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的至少一剩余的局部矩阵；以及所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的所述至少一轮换后版本包括所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的(z-1)个轮换后版本，以及所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述至少一剩余的局部矩阵包括所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的(z-1)个剩余的局部矩阵。13.如权利要求12所述的非挥发性存储器写入方法，其特征在于，还包括：进行所述轮换控制以产生所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的所述(z-1)个轮换后版本，以供被用来作为所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述(z-1)个剩余的局部矩阵，以复原所述第二部分矩阵的所述逆矩阵。14.一种记忆装置，其特征在于，包括：一非挥发性存储器，用来存储信息，其中所述非挥发性存储器包括至少一非挥发性存储器组件；以及一存储器控制器，耦接至所述非挥发性存储器，用来控制所述记忆装置的运作，其中所述存储器控制器包括：一处理电路，用来依据来自一主装置的复数个主装置指令来控制所述存储器控制器，
以容许所述主装置通过所述存储器控制器存取所述非挥发性存储器；以及一控制逻辑电路，耦接至所述处理电路，用来控制所述非挥发性存储器，其中所述控制逻辑电路包括：一编码电路，用来借助于先算信息轮换进行编码以供于存取所述非挥发性存储器的期间的数据保护；其中：所述存储器控制器自所述主装置接收一写入指令以及对应于所述写入指令的数据；所述编码电路取得对应于所述写入指令的所述数据中的至少一部分数据以作为一错误更正码组块的复数个通信信息，以通过先算信息轮换型编码依据所述复数个通信信息产生所述错误更正码组块的复数个同位码，其中所述复数个同位码分别对应于所述复数个通信信息以分别保护所述复数个通信信息，以及针对所述复数个通信信息中的任一通信信息，所述先算信息轮换型编码的运作包括：在所述通信信息的至少一部分被发送至所述编码电路后，开始对所述通信信息进行编码以依据所述通信信息以及一同位检查矩阵中的一第一部分矩阵的一转置矩阵来计算一局部同位码，其中所述第一部分矩阵是所述同位检查矩阵的一第一子矩阵；在所述局部同位码的至少一部分被产生后，从所述编码电路中的一存储电路加载所述同位检查矩阵中的一第二部分矩阵的一逆矩阵的一局部矩阵，其中所述第二部分矩阵是所述同位检查矩阵的一第二子矩阵，以及所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵是被存储作为所述存储电路中的先算信息；将所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵应用至所述局部同位码以产生对应于所述通信信息的一同位码的一第一子同位码，以及输出所述同位码的所述第一子同位码以作为所述同位码的一起始部分；进行针对所述先算信息的轮换控制以加载所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的至少一轮换后版本；以及将所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的所述至少一轮换后版本应用至所述局部同位码以产生对应于所述通信信息的所述同位码的至少一后续子同位码，以及输出所述同位码的所述至少一后续子同位码以作为所述同位码的至少一后续部分；以及所述存储器控制器将包括所述复数个通信信息以及所述复数个同位码的所述错误更正码组块写入所述非挥发性存储器。15.如权利要求14所述的记忆装置，其特征在于，所述编码电路具备所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的局部存储。16.如权利要求15所述的记忆装置，其特征在于，所述存储器控制器进行所述轮换控制来复原所述第二部分矩阵的所述逆矩阵，以依据复原自所述轮换控制的所述逆矩阵来进行编码，其中所述编码包括对所述通信信息进行编码以产生所述同位码。17.如权利要求14所述的记忆装置，其特征在于，所述存储器控制器仅存储所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的一部分，而非存储所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的全部，以供对所述通信信息进行编码来产生所述同位码。18.如权利要求17所述的记忆装置，其特征在于，所述存储器控制器进行所述轮换控制来复原所述第二部分矩阵的所述逆矩阵，以依据复原自所述轮换控制的所述逆矩阵来进行
编码，其中所述编码包括对所述通信信息进行编码以产生所述同位码。19.一种记忆装置的存储器控制器，其特征在于，所述记忆装置包括所述存储器控制器以及一非挥发性存储器，所述非挥发性存储器包括至少一非挥发性存储器组件，所述存储器控制器包括：一处理电路，用来依据来自一主装置的复数个主装置指令来控制所述存储器控制器，以容许所述主装置通过所述存储器控制器存取所述非挥发性存储器；以及一控制逻辑电路，耦接至所述处理电路，用来控制所述非挥发性存储器，其中所述控制逻辑电路包括：一编码电路，用来借助于先算信息轮换进行编码以供于存取所述非挥发性存储器的期间的数据保护；其中：所述存储器控制器自所述主装置接收一写入指令以及对应于所述写入指令的数据；所述编码电路取得对应于所述写入指令的所述数据中的至少一部分数据以作为一错误更正码组块的复数个通信信息，以通过先算信息轮换型编码依据所述复数个通信信息产生所述错误更正码组块的复数个同位码，其中所述复数个同位码分别对应于所述复数个通信信息以分别保护所述复数个通信信息，以及针对所述复数个通信信息中的任一通信信息，所述先算信息轮换型编码的运作包括：在所述通信信息的至少一部分被发送至所述编码电路后，开始对所述通信信息进行编码以依据所述通信信息以及一同位检查矩阵中的一第一部分矩阵的一转置矩阵来计算一局部同位码，其中所述第一部分矩阵是所述同位检查矩阵的一第一子矩阵；在所述局部同位码的至少一部分被产生后，从所述编码电路中的一存储电路加载所述同位检查矩阵中的一第二部分矩阵的一逆矩阵的一局部矩阵，其中所述第二部分矩阵是所述同位检查矩阵的一第二子矩阵，以及所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵是被存储作为所述存储电路中的先算信息；将所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵应用至所述局部同位码以产生对应于所述通信信息的一同位码的一第一子同位码，以及输出所述同位码的所述第一子同位码以作为所述同位码的一起始部分；进行针对所述先算信息的轮换控制以加载所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的至少一轮换后版本；以及将所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的所述至少一轮换后版本应用至所述局部同位码以产生对应于所述通信信息的所述同位码的至少一后续子同位码，以及输出所述同位码的所述至少一后续子同位码以作为所述同位码的至少一后续部分；以及所述存储器控制器将包括所述复数个通信信息以及所述复数个同位码的所述错误更正码组块写入所述非挥发性存储器。20.一种记忆装置的存储器控制器的编码电路，其特征在于，所述记忆装置包括所述存储器控制器以及一非挥发性存储器，所述存储器控制器包括所述编码电路，所述非挥发性存储器包括至少一非挥发性存储器组件，所述编码电路包括：一桶式移位器，用以进行局部同位码计算，其中所述存储器控制器从一主装置接收一写入指令以及对应于所述写入指令的数据，以及所述编码电路取得对应于所述写入指令的
所述数据中的至少一部分数据以作为一错误更正码组块的复数个通信信息，以通过先算信息轮换型编码依据所述复数个通信信息产生所述错误更正码组块的复数个同位码，其中所述复数个同位码分别对应于所述复数个通信信息以分别保护所述复数个通信信息，以及在所述复数个通信信息中的任一通信信息的至少一部分被发送至所述编码电路后，所述桶式移位器依据所述通信信息以及一同位检查矩阵中的一第一部分矩阵的一转置矩阵来计算一局部同位码，其中所述第一部分矩阵是所述同位检查矩阵的一第一子矩阵；以及一乘法电路，耦接至所述桶式移位器，用以进行乘法操作以产生对应于所述通信信息的一同位码，其中所述乘法电路包括：一循环卷积控制单元，包括：一存储电路，用以存储先算信息；以及一轮换控制电路，耦接至所述存储电路，所述轮换控制电路用以控制所述编码电路借助于先算信息轮换来进行编码以供于存取所述非挥发性存储器的期间的数据保护；复数个循环卷积电路，耦接至所述循环卷积控制单元，用以进行循环卷积操作，其中在所述局部同位码的至少一部分被产生后，所述轮换控制电路从所述存储电路加载所述同位检查矩阵中的一第二部分矩阵的一逆矩阵的一局部矩阵，以容许所述复数个循环卷积电路将所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵应用至所述局部同位码以产生对应于所述通信信息的所述同位码的一第一子同位码，以及进行针对所述先算信息的轮换控制以加载所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的至少一轮换后版本，以容许所述复数个循环卷积电路将所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵的所述至少一轮换后版本应用至所述局部同位码以产生对应于所述通信信息的所述同位码的至少一后续子同位码，其中所述第二部分矩阵是所述同位检查矩阵的一第二子矩阵，以及所述第二部分矩阵的所述逆矩阵的所述局部矩阵是被存储作为所述存储电路中的所述先算信息；以及一组合电路，耦接至所述复数个循环卷积电路，所述组合电路用以输出所述同位码的所述第一子同位码以作为所述同位码的一起始部分，以及输出所述同位码的所述至少一后续子同位码以作为所述同位码的至少一后续部分；其中所述存储器控制器将包括所述复数个通信信息以及所述复数个同位码的所述错误更正码组块写入所述非挥发性存储器。