1.一种磁记录头，其包括：
第一写磁头，其包括：
第一主极；以及
第一后屏蔽件，其安置成邻近于所述第一主极；
第二写磁头，其安置成邻近于所述第一写磁头且包括：
第二主极；
第二后屏蔽件，其安置成邻近于所述第二主极；以及
一个或多个侧屏蔽件，其围绕所述第二主极的两个或更多个表面；
一个或多个读磁头，其中所述一个或多个读磁头中的第一读磁头与所述第二写磁头的所述第二主极对齐；以及
温度悬浮量控制元件，其与所述第二写磁头的所述第二主极和所述第一读磁头对齐。
2.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第一写磁头的所述第一主极在从所述第一主极的后边缘到所述第一主极的前边缘的方向上具有小于所述第二写磁头的所述第二主极的高度。
3.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第一写磁头的写入宽度宽于所述第二写磁头的写入宽度。
4.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述温度悬浮量控制元件安置在所述第二主极和所述第一读磁头之间。
5.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第一写磁头和所述第二写磁头竖直堆叠且以堆叠形式安置。
6.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述第一写磁头安置成在并排形式中在跨磁道方向上邻近于所述第二写磁头。
7.根据权利要求1所述的磁记录头，其中所述一个或多个读磁头中的第二读磁头在朝向所述第一主极的方向上从所述第二主极偏移。
8.一种数据存储装置，其包括根据权利要求1所述的磁记录头。
9.一种磁记录头，其包括：
第一写磁头，其包括：
第一主极；以及
第一后屏蔽件，其安置成邻近于所述第一主极；以及
第二写磁头，其安置成邻近于所述第一写磁头且包括：
第二后屏蔽件；
第二主极，其包括第一表面、第二表面和第三表面，其中所述第二主极的所述第一表面为弯曲u形，并且其中所述第二主极的所述第一表面安置成邻近于所述第二后屏蔽件；
后间隙，其安置在所述第二主极的所述第一表面和所述第二后屏蔽件之间；以及
一个或多个侧屏蔽件，其围绕所述第二主极的所述第二和第三表面。
10.根据权利要求9所述的磁记录头，其进一步包括一个或多个读磁头，其中所述一个或多个读磁头中的第一读磁头与所述第二写磁头的所述第二主极对齐。
11.根据权利要求9所述的磁记录头，其中所述第一写磁头的所述第一主极在从所述第一主极的后边缘到所述第一主极的前边缘的方向上具有小于所述第二写磁头的所述第二主极的高度，并且其中所述第一主极在跨磁道方向上具有大于所述第二主极的宽度。
12.根据权利要求9所述的磁记录头，其进一步包括温度悬浮量控制元件，其中所述温度悬浮量控制元件与所述第二写磁头的所述第二主极对齐。
13.根据权利要求9所述的磁记录头，其中所述第一主极包括第一表面、第二表面和第三表面，其中所述第一主极的所述第一表面安置成邻近于所述第一后屏蔽件，并且其中所述第一主极的所述第一表面为弯曲u形。
14.一种数据存储装置，其包括根据权利要求9所述的磁记录头。
15.根据权利要求14所述的数据存储装置，其中所述第一写磁头的写入宽度宽于所述第二写磁头的写入宽度，并且所述数据存储装置进一步包括控制器，所述控制器配置成：
使所述第一写磁头首先写入介质的一个或多个偶数磁道或一个或多个奇数磁道，且
使所述第二写磁头随后写入所述介质中未被所述第一写磁头写入的磁道。
16.根据权利要求14所述的数据存储装置，其中所述介质中被所述第二写磁头写入的所述磁道的写入修整被所述第一写磁头写入的所述磁道的边缘。
17.一种磁记录头，其包括：
第一写磁头，其包括：
第一主极；
第一后屏蔽件，其安置成邻近于所述第一主极；以及
第一种子层，其围绕所述第一主极的两个或更多个侧面，所述第一种子层具有第一厚度；以及
第二写磁头，其安置成邻近于所述第一写磁头且包括：
第二主极；
第二后屏蔽件，其安置成邻近于所述第二主极；
第二种子层，其围绕所述第二主极的两个或更多个侧面，所述第二种子层具有小于所述第一种子层的所述第一厚度的第二厚度；以及
一个或多个侧屏蔽件，其围绕所述第二主极的两个或更多个表面。
18.根据权利要求17所述的磁记录头，其中所述第一和第二种子层包括钌，并且其中所述第一写磁头的第一后间隙具有与所述第二写磁头的第二后间隙不同的宽度。
19.根据权利要求17所述的磁记录头，其中所述第一主极在从所述第一主极的后边缘到所述第一主极的前边缘的方向上具有小于所述第二主极的高度。
20.一种数据存储装置，其包括根据权利要求17所述的磁记录头。
21.根据权利要求20所述的数据存储装置，其中所述第一写磁头的写入宽度宽于所述第二写磁头的写入宽度。
22.根据权利要求21所述的数据存储装置，其进一步包括控制器，所述控制器配置成：
使所述第一写磁头首先写入介质的一个或多个偶数磁道或一个或多个奇数磁道，且
使所述第二写磁头随后写入所述介质中未被所述第一写磁头写入的磁道。
23.根据权利要求22所述的数据存储装置，其中所述介质中被所述第二写磁头写入的所述磁道的写入修整被所述第一写磁头写入的所述磁道的边缘。