技术特征：
1.一种操作存储器器件的方法，包括：检测存储器器件的温度；基于检测到的所述存储器器件的所述温度确定目标写入脉冲宽度；以及使用目标写入脉冲宽度将数据写入所述存储器器件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器器件是以下之中的一个：铁电随机存取存储器(fram)、磁随机存取存储器(mram)、电阻式随机存取存储器(rram)和相变存储器(pcm)。3.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所检测到的所述存储器器件的所述温度来确定目标写入脉冲宽度包括：读取温度相关表；在所述温度相关表中识别所述存储器器件的所述温度；以及识别与所述存储器器件的所述温度相关的所述目标写入脉冲宽度。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器器件包括存储器单元阵列，并且所述存储器器件的温度是所述存储器单元阵列的温度。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述温度相关表是在初始测试过程中生成的。6.根据权利要求3所述的方法，还包括：将所述温度相关表存储在所述存储器器件的存储体中。7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述温度相关表包括与多个应用相对应的多个温度相关表。8.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述目标写入脉冲宽度将数据写入所述存储器器件包括：生成具有所述目标写入脉冲宽度的写入脉冲；以及使用所述写入脉冲将所述数据写入到所述存储器器件。9.一种操作存储器器件的方法，包括：检测存储器器件的写入错误率；将检测到的所述写入错误率与阈值写入错误率进行比较；如果检测到的所述写入错误率高于所述阈值写入错误率，则增加写入脉冲宽度；以及如果检测到的所述写入错误率不高于所述阈值写入错误率，则减小所述写入脉冲宽度。10.一种存储器器件，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；温度传感器，被配置为检测所述存储器单元阵列的温度；写入电路，被配置为将数据写入到所述多个存储器单元中；以及控制器，耦合到所述温度传感器和所述写入电路，其中，所述控制器被配置为基于检测到的所述存储器单元阵列的所述温度来确定所述写入电路使用的目标写入脉冲宽度。
技术总结
一种存储器器件，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；温度传感器，被配置为检测存储器单元阵列的温度；写入电路，被配置为将数据写入到多个存储器单元中；控制器，耦合到温度传感器和写入电路，其中，控制器被配置为基于检测到的存储器器件的温度来确定写入电路使用的目标写入脉冲宽度。本发明的实施例还提供了操作存储器器件的方法。提供了操作存储器器件的方法。提供了操作存储器器件的方法。
技术研发人员：野口纮希 池育德 王奕
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.08.10
技术公布日：2022/4/22