存储器器件及其操作方法与流程

1.本发明的实施例涉及存储器器件及其操作方法。


背景技术：

2.存储器器件用于在半导体器件和系统中存储信息。非易失性存储器器件即使在断电后也能够保留数据。非易失性存储器器件的示例包括闪存、铁电随机存取存储器(fram)、磁随机存取存储器(mram)、电阻式随机存取存储器(rram)和相变存储器(pcm)。mram、rram、fram和pcm有时被称为新兴存储器器件。


技术实现要素：

3.根据本发明实施例的一个方面，提供了一种操作存储器器件的方法，包括：检测存储器器件的温度；基于检测到的存储器器件的温度确定目标写入脉冲宽度；以及使用目标写入脉冲宽度将数据写入存储器器件。
4.根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种操作存储器器件的方法，包括：检测存储器器件的写入错误率；将检测到的写入错误率与阈值写入错误率进行比较；如果检测到的写入错误率高于阈值写入错误率，则增加写入脉冲宽度；以及如果检测到的写入错误率不高于阈值写入错误率，则减小写入脉冲宽度。
5.根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种存储器器件，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；温度传感器，被配置为检测存储器单元阵列的温度；写入电路，被配置为将数据写入到多个存储器单元中；以及控制器，耦合到温度传感器和写入电路，其中，控制器被配置为基于检测到的存储器器件的温度来确定写入电路使用的目标写入脉冲宽度。
附图说明
6.当结合附图进行阅读取时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。另外，附图是说明性的，作为本发明的实施例的示例，而无意于进行限制。
7.图1是示出根据一些实施例的并入了写入脉冲修整的示例性存储器器件的框图。
8.图2是示出根据一些实施例的写入脉冲修整的方法的流程图。
9.图3a是示出根据一些实施例的在图2的方法中使用的示例温度相关表的图。
10.图3b是示出根据一些实施例的在图2的方法中使用的另一示例温度相关表的图。
11.图3c是示出根据一些实施例的生成温度相关表的方法的流程图。
12.图4是示出根据一些实施例的写入脉冲修整的另一种方法的流程图。
具体实施方式
13.以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本发明。当然，这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
14.此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在
…
下方”、“在
…
下面”、“下部”、“在
…
上面”、“上部”等的间隔关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，间隔关系术语旨在包括器件在使用或操作工艺中的不同方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其它方位)，并且在本文中使用的间隔关系描述符可以同样地作相应地解释。
15.用于新兴存储器器件的制造工艺仍不成熟。诸如铁电随机存取存储器(fram)、磁性随机存取存储器(mram)、电阻式随机存取存储器(rram)和相变存储器(pcm)等新兴存储器器件的写入错误率(wer)与温度有关。具体地，在写入操作期间编程的难度受新兴存储器器件的温度影响。当温度相对较高时，将数据编程到新兴存储器器件的存储器单元中相对容易，因此需要相对较少的写入脉冲(即，较低的写入脉冲宽度)；当温度相对较低时，将数据编程到新兴存储器器件的存储器单元中相对困难，因此需要相对更多的写入脉冲(即，较高的写入脉冲宽度)。存储器器件的示例正常温度范围在25℃至85℃之间。但是，有时存储器器件可能会在极端温度条件下运行，例如最低-25℃或最高125℃。在一示例中，在125℃下所需的写入脉冲的数量大约是在-50℃下所需的写入脉冲的6倍。因此，固定的写入脉冲不能在所有条件下都适合所有写入操作。换句话说，当设置了固定的编程条件时，它可能仅适合于或优化为在指定温度下进行写入操作，并且当实际温度偏离指定温度时，写入错误率可能会增加。
16.根据本公开的一些方面，基于存储器单元阵列的温度或存储器器件的写入错误率来调整存储器器件的写入脉冲宽度(即，写入脉冲修整)。该调整使存储器器件在适当的条件下工作以降低写入错误率。具体地，基于存储器的温度以及温度相关表来调整存储器的写入脉冲宽度。可替代地，基于存储器器件的写入错误率来调整写入脉冲宽度。
17.图1是说明根据一些实施例的并入写入脉冲修整的实例性存储器器件100的框图。在所示的示例中，示例性存储器器件100包括：存储器单元阵列102、控制器106、电压生成电路116、行解码器118、字线控制电路120、列解码器122、位线控制电路124、读取电路126、写入电路130、输入/输出(i/o)电路132、可选的温度传感器134和可选地错误监视器136。在一个示例中，存储器器件100包括温度传感器134。在另一个示例中，存储器器件100包括错误监控器136。在又一个示例中，存储器器件100包括温度传感器134和错误监控器136。
18.存储器单元阵列102包括以行和列布置的多个存储器单元104。存储器单元104是新兴的存储器单元，诸如mram单元、rram单元、fram单元和pcm单元，但是也可以采用其他类型的存储器单元。
19.控制器106尤其包括控制电路108、命令地址锁存电路110、脉冲发生器电路112和
存储体114。命令地址锁存电路110临时保持命令和地址，命令和地址由存储器器件100接收作为输入。命令地址锁存电路110将地址发送到行解码器118和列解码器122。
20.行解码器118解码包括在地址中的行地址，并将该行地址发送给字线控制电路120。基于解码的行地址字线控制电路120选择存储器单元阵列102的字线(对应于特定的行)102。具体地，访问该特定行中的存储器单元104。
21.另一方面，列解码器120解码包括在地址中的列地址，并将该列地址发送给位线控制电路124。基于解码的列地址位线控制电路124选择存储器单元阵列102的位线(对应于特定的列)。具体地，该特定列中的特定行中的存储器单元104(所有存储器单元104中)被访问，并且可以向该特定行和特定列中的存储器单元104写入数据或从其读取数据。
22.在写入操作期间，写入电路130提供各种电压和电流，用于将数据写入基于解码的行地址和解码的列地址选择的存储器单元104。通过脉冲生成器电路112生成写入操作所需的写入脉冲(即，写入脉冲宽度)。在图1示出的示例中，脉冲生成器电路112位于控制器106中，尽管脉冲生成器电路112可以是控制器106外部的单独组件。除其他以外，写入电路130包括未示出的写入驱动器。
23.在读取操作期间，读取电路126提供各种电压和电流用于从基于解码的行地址和解码的列地址选择的存储器单元104读取数据。除其他以外，读取电路126包括未示出的读取驱动器和感测放大器128。感测放大器128感测两条互补位线(即，bl和blb)的电压之间的相对较小的差，并将差在读取出放大器128的输出处放大。
24.i/o电路132耦合到写入电路130和读取电路126两者。在写入操作期间，i/o电路132临时保持要写入的数据并且发送要写入的数据以写入写入电路130。另一方面，在读取操作期间，i/o暂时保持由读取电路126读取的数据。
25.通过使用存储器器件100外部的电源电压，电压生成电路116生成用于存储器器件100的操作的各种电压。由电压生成电路116生成的各种电压可以被施加到存储器器件199的组件，诸如控制器110、行解码器118、字线控制电路120、列解码器122、位线控制电路124、读取电路126、写入电路130、i/o电路132、以及可选的温度传感器134和/或错误监视器136。
26.控制电路108从命令地址锁存电路110接收命令。响应于该命令，控制电路108控制存储器器件100的组件的操作，诸如控制器110、行解码器118、字线控制电路120、列解码器122、位线控制电路124、读取电路126、写入电路130、i/o电路132、脉冲发生器电路112、存储体114、命令地址锁存器电路110、存储器电压生成电路116以及可选的温度传感器134和/或误差监视器136。
27.温度传感器134测量存储器单元阵列102的温度。在一个示例中，温度传感器134是模拟温度传感器，其生成与温度传感器134的绝对温度成正比的输出电流，并且具有-55℃至150℃的宽温度范围。在另一个示例中，温度传感器134是数字温度，其将由板载温度传感器生成的电压与内部基准电压进行比较，并由模数转换器(adc)数字化。应当注意，也可以采用其他类型的温度传感器。温度传感器134可以是如图1所示的单独的组件。温度传感器134也可以被嵌入控制器106中。
28.错误监视器136监视存储器器件100的写入错误率(wer)。写入错误率是每单位时间的写入位错误的数量。在一定的时间间隔内，写入位错误越多，写入错误率越高。在写入操作期间，在第一次写入操作后一些位未按预期方式写入，这些位称为未完成位。由于未完
成位，因此需要第二次写入操作。如果在第二次写入操作之后仍有任何未完成位，则需要第三次写入操作。这个过程一直进行到没有未完成位为止。错误监视器136耦合到i/o电路132，以监视存储器器件100的写入错误率。
29.尽管也可以采用其他方法，但是错误监控器136可以采用各种写入错误率检测方法，例如纠错码(ecc)。ecc方案用于检测和纠正存储在存储器中的位错误。ecc通过生成ecc校验位(例如冗余位或奇偶校验位)对数据进行编码，这些校验位与数据一起存储在存储器器件中。数据位和校验(例如，奇偶校验)位一起形成码字。例如，为64位数据生成8个奇偶校验位的ecc通常可以检测到两位错误并纠正64位数据中的一位错误，称为ded/sec码，表示双错误检测(ded)和单错误纠正(sec)。在另一示例中，可以采用ded/dec方案，其意味着双错误检测(ded)和双错误校正(dec)。在又一个示例中，可以采用sed/sec方案，其意味着单错误检测(sed)和单错误校正(sec)。在一个实施例中，错误监视器136可以是利用ecc方案的ecc电路。ecc电路可以检测错误并在存储器器件运行期间纠正错误。具体地，ecc电路尤其可以包括ecc编码器和ecc解码器。ecc编码器配置为生成奇偶校验位并形成码字，而ecc解码器配置为解码该码字并提供纠正后的数据。因此，ecc电路可以通过利用ecc电路的错误检测功能来确定写入错误率。
30.除其他之外，存储体114尤其存储温度相关表和/或阈值写入错误率，这将在下面参考图2和图4进行详细描述。在一示例中，存储体114是只读取存储器(rom)。在另一示例中，存储体114是随机存取存储器(ram)。应当注意，也可以采用其他类型的存储。
31.图2是示出根据一些实施例的写入脉冲修整的方法的流程图。图3a是示出根据一些实施例的在图2的方法中使用的示例温度相关表的图。图3b是示出根据一些实施例的在图2的方法中使用的另一示例温度相关表的图。图3c是示出根据一些实施例的生成温度相关表的方法的流程图。通常，基于存储器单元阵列102的温度来调整存储器器件100的写入脉冲宽度，以使得在合适的条件下执行写入操作以减小写入错误率。
32.如图2所示，方法开始于步骤202，其中温度传感器134检测存储器单元阵列102的温度。由于温度传感器134耦合至控制器106，所以控制器可以基于存储器阵列102的温度来做出决定。在步骤204处，基于所检测到的存储器器件的温度来确定目标写入脉冲宽度，如下面参考图3a-图3c所解释的。通常，目标写入脉冲宽度是通过参照如图3a或图3b所示的温度相关表来确定的，图3a或图3b用作查找表。存储器器件的各种温度对应于各种目标写入脉冲宽度。
33.在图3a所示的示例中，示例温度相关表302a用作查找表。温度相关表302a根据存储器单元阵列102的温度304提供目标写入脉冲宽度306。具体地，当温度为125℃时，目标写入脉冲宽度为1倍(1个单位)。温度为105℃时，目标写入脉冲宽度为1.2倍；当温度为85℃时，目标写入脉冲宽度为1.5倍；当温度为60℃时，目标写入脉冲宽度为2倍；当温度为45℃时，目标写入脉冲宽度为2.2倍；当温度为25℃时，目标写入脉冲宽度为2.7倍；温度为0℃时，目标写入脉冲宽度为3.5倍；当温度为-25℃时，目标写入脉冲宽度为5倍。换句话说，温度304越低，则目标写入脉冲宽度306变得越大。
34.在图3b所示的示例中，另一个示例温度相关表302b用作另一个查找表。温度相关表302b还根据存储器单元阵列102的温度304提供目标写入脉冲宽度306。具体地，当温度为125℃时，目标写入脉冲宽度为1倍(一个单位)；当温度为105℃时，目标写入脉冲宽度为1倍
(一个单位)；当温度为85℃时，目标写入脉冲宽度为2倍；当温度为60℃时，目标写入脉冲宽度为2倍；当温度为45℃时，目标写入脉冲宽度为3倍；当温度为25℃时，目标写入脉冲宽度为3倍；当温度为0℃时，目标写入脉冲宽度为5倍；当温度为-25℃时，目标写入脉冲宽度为5倍。换句话说，温度304越低，则目标写入脉冲宽度306变得越大。与温度相关表302a不同，温度相关表302b具有较低的分辨率。例如，对于25℃和45℃，基于温度相关表302b，目标写入脉冲宽度是3倍。应当注意，可以根据需要使用具有比温度相关表302a和203b更高的分辨率或更低的分辨率的温度相关表。
35.图3c是示出根据一些实施例的生成温度相关表的方法300的流程图。通常，在存储器器件出厂之前的初始测试过程中，生成温度相关表(例如，分别在图3a或图3b中示出的温度相关表302a或302b)。方法300开始于步骤332，其中提供了存储器器件(例如，图1所示的存储器器件100)和测试系统。在一个实施例中，测试系统是存储器测试器，其用于在装运之前的初始测试过程期间测试存储器器件。存储器测试器可以测试存储器器件是否正常运行。为了测试存储器器件，存储器测试器可以将各种信号发送到存储器器件并且可以控制存储器器件的操作。各种信号可以包括例如地址信号、数据、命令信号和时钟信号。在一些示例中，为了将数据存储在存储器器件中或读取存储在存储器器件中的数据，存储器测试器可以发送命令信号、地址信号和数据。在一些示例中，存储器测试器可以在存储器器件的特定地址处存储写入数据，并且可以从存储有写入的数据的地址读取数据。存储器测试器然后可以比较写入数据和读取数据以确定写入操作是否失败。基于结果，存储器测试器可以计算存储器器件的写入错误率。
36.然后，方法300进行到步骤334。在步骤334处，存储器测试器扫描存储器器件的温度、写入脉冲宽度和电压。这样，提供了条件的各种组合(例如，在温度t1处，在电压v1处，以及具有写入脉冲宽度wpw1)。然后，方法300进行到步骤336。在步骤336处，计算在不同条件下的写入错误率。可以通过对写入位错误进行计数并将写入位错误除以单位时间来计算写入错误率。然后，方法300进行到步骤338。在步骤338处，基于在不同条件下计算的写入错误率来生成温度相关表。具体地，在特定温度ti处，确定可以实现可接受的写入错误率(例如，低于阈值写入错误率)的最小写入脉冲宽度wpwi。换句话说，在特定温度ti处，如果写入脉冲宽度小于最小写入脉冲宽度wpwi，则写入错误率将高于阈值写入错误率。这样，最小写入脉冲宽度wpwi是对应于特定温度ti的目标写入脉冲宽度306。由于存储器测试器会扫描存储器的温度，因此会生成覆盖温度范围(例如-25℃至125℃)的温度相关表。然后，方法300进行到步骤340。在步骤340处，将温度相关表存储在存储器器件的存储体(例如，图1中所示的存储体114)中。这样，可以在存储器器件出厂后参考温度相关表。
37.温度相关表302a和/或温度相关表302b存储在控制器106的存储体114中。应当注意，温度相关表302a和/或温度相关表302b是示例，可以使用其他温度相关表。可以将不同的温度相关表用于不同的应用，诸如移动电话、智能手表、平板电脑和数码相机。如上所述，不同的应用可能具有不同的可接受的写入错误率。这样，由于可接受的写入错误率不同，因此可以采用不同的温度相关表。在一示例中，可以在存储器器件出厂后进行配置温度相关表。存储器器件的制造商提供了在初始测试过程中生成的温度相关表，这些温度相关表与不同的应用相对应。在装运后，用户可以根据需要为特定应用配置/选择一个合适的温度相关表。
38.返回到图2，在步骤206处使用目标写入脉冲宽度将数据写入存储器器件。控制器106的脉冲发生器电路112生成具有目标写入脉冲宽度306的写入脉冲，其继而又被写入电路130在写入操作中使用。然后，在一个示例中，在一定间隔之后，该方法再次循环回到步骤202以检测温度304。在一个示例中，间隔是可配置的。在一些应用中(例如，当用于工业应用中时)，该间隔相对短，使得可以相对更频繁地调整写入脉冲宽度。另一方面(例如，当用在诸如移动电话、智能手表的消费电子产品中时)，该间隔相对较长，使得可以相对不频繁地调整写入脉冲宽度。用户可以灵活地配置存储器器件出厂后的时间间隔。这样，基于存储器单元阵列102的温度304以及温度相关表302a或302b来调整写入脉冲宽度。调整使得存储器器件100在适当的条件下操作以减小写入错误率。
39.图4是示出根据一些实施例的写入脉冲修整的另一种方法的流程图。通常，基于存储器器件100的写入错误率来动态地调整存储器器件100的写入脉冲宽度，从而在适当的条件下执行写入操作以减小写入错误率。
40.如图4所示，该方法开始于步骤402，其中由错误监视器136检测存储器器件100的写入错误率。由于错误监视器136耦合到控制器106，所以控制器可以基于写入错误率做出决定。在步骤404处，控制器106将检测到的写入错误率与阈值写入错误率进行比较。阈值写入错误率存储在控制器106的存储体114中。在一个示例中，阈值写入错误率与在第二写入操作中写入的数据位的数量相关联。在写入操作期间，一些位在第一次写入操作后未按预期方式写入，这些位称为未完成位。由于未完成位，因此需要第二次写入操作。如果在第二次写入操作之后仍有任何未完成位，则需要第三次写入操作。这个过程一直进行到没有未完成位为止。因此，在第二写入操作中写入的数据位的数量可以用作写入错误率的基准。换句话说，如果写入错误数量大于在第二写入操作中写入的数据位的数量，则写入错误数通常被认为是相对较高的。其他阈值写入错误率可以用于不同的应用，诸如移动电话、智能手表、平板电脑和数码相机。在一示例中，阈值写入错误率可以是可配置的。取决于步骤404的结果，方法前进到步骤406或步骤408。
41.当控制器106确定写入错误率高于阈值写入错误率时，在步骤406处增加写入脉冲宽度。当控制器106确定写入错误率不高于阈值写入错误时在该速率下，写入脉冲宽度在步骤408处减小。写入脉冲宽度由控制器106的脉冲发生器电路112增大或减小。在一个示例中，写入脉冲宽度按与写入错误率和阈值写入错误率之间的差成比例的量增大或减小。换句话说，写入错误率与阈值写入错误率的差越大，增加量或减少量越大。具体地，控制器106确定写入错误率和阈值写入错误率之间的差。然后，脉冲发生器电路112基于由控制器106确定的偏差来增大或减小写入脉冲宽度。确定的差越大，增大步长或减小步长越大。这样，当写入错误率与阈值写入错误率的偏差较大时，写入脉冲宽度的增大步长或减小步长相对较大(即，类似于粗调)。随着写入错误率的偏差变小，写入脉冲宽度的增大步长或减小步长变得相对较小(即，像微调一样)。这样，写入脉冲宽度调整相对较快，同时避免了由于增大步长或减小步长而同时进行的过度调整。在另一示例中，写入脉冲宽度增加或减少固定量。换句话说，固定量是预定的。可以基于诸如移动电话、智能手表、平板电脑和数码相机的不同应用来配置固定量。具体地，脉冲生成器电路112不管写入错误率和阈值写入错误率之间的差如何都增大或减小写入脉冲宽度。预定的增大步长或减小步长可以实现相关电路的简化。
42.在步骤406或步骤408之后，在一个示例中，在一定间隔之后，该方法再次循环回到步骤402，以再次检测存储器器件100的写入错误率。在一示例中，间隔是可配置的。在一些应用中(例如，当用于工业应用中时)，该间隔相对短，使得可以相对更频繁地调整写入脉冲宽度。另一方面(例如，当用在诸如移动电话、智能手表的消费电子产品中时)，该间隔相对较长，使得可以相对不频繁地调整写入脉冲宽度。用户可以灵活地配置存储器器件出厂后的时间间隔。这样，基于存储器器件100的写入错误率来调整写入脉冲宽度。该调整使得存储器器件100在适当的条件下操作以减小写入错误率。
43.应该注意的是，图2的方法和图4的方法可以组合。换句话说，存储器器件100可以采用图2的方法和图4的方法。在这种情况下，存储器器件100包括温度传感器134和错误监视器136。
44.根据一些公开的实施例，提供了一种方法。该方法包括：检测存储器器件的温度；基于检测到的存储器器件的温度确定目标写入脉冲宽度；以及使用目标写入脉冲宽度将数据写入存储器器件。
45.在上述方法中，存储器器件是以下之中的一个：铁电随机存取存储器(fram)、磁随机存取存储器(mram)、电阻式随机存取存储器(rram)和相变存储器(pcm)。
46.在上述方法中，基于所检测到的存储器器件的温度来确定目标写入脉冲宽度包括：读取温度相关表；在温度相关表中识别存储器器件的温度；以及识别与存储器器件的温度相关的目标写入脉冲宽度。
47.在上述方法中，存储器器件包括存储器单元阵列，并且存储器器件的温度是存储器单元阵列的温度。
48.在上述方法中，温度相关表是在初始测试过程中生成的。
49.在上述方法中，还包括：将单元温度相关表存储在存储器器件的存储中。
50.在上述方法中，温度相关表包括与多个应用相对应的多个温度相关表。
51.在上述方法中，使用目标写入脉冲宽度将数据写入存储器器件包括：生成具有目标写入脉冲宽度的写入脉冲；以及使用写入脉冲将数据写入到存储器器件。
52.根据进一步公开的实施例，一种方法包括：检测存储器器件的写入错误率；将检测到的写入错误率与阈值写入错误率进行比较；如果检测到的写入错误率高于阈值写入错误率，则增加写入脉冲宽度；以及如果检测到的写入错误率不高于阈值写入错误率，则减小写入脉冲宽度。
53.在上述方法中，存储器器件是以下之中的一个：铁电随机存取存储器(fram)、磁随机存取存储器(mram)、电阻式随机存取存储器(rram)和相变存储器(pcm)。
54.在上述方法中，写入脉冲宽度增加或减小预定量。
55.在上述方法中，还包括：将阈值写入错误率存储在存储器器件的存储中。
56.在上述方法中，增加写入脉冲宽度包括：生成具有增加的写入脉冲宽度的第一写入脉冲；以及使用第一写入脉冲将数据写入存储器器件。
57.在上述方法中，减小写入脉冲宽度包括：生成具有减小的写入脉冲宽度的第二写入脉冲；以及使用第二写入脉冲将数据写入存储器器件。
58.根据进一步公开的实施例，提供了一种存储器器件。存储器器件包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；温度传感器，被配置为检测存储器单元阵列的温度；写入电路，
被配置为将数据写入到多个存储器单元中；以及控制器，耦合到温度传感器和写入电路，其中，控制器被配置为基于检测到的存储器器件的温度来确定写入电路使用的目标写入脉冲宽度。
59.在上述存储器器件中，存储器器件是以下之中的一个：铁电随机存取存储器(fram)、磁随机存取存储器(mram)、电阻式随机存取存储器(rram)和相变存储器(pcm)。
60.在上述存储器器件中，还包括：错误监控器，耦合至控制器，被配置为检测存储器器件的写入错误率；以及其中，控制器还被配置为：将检测到的写入错误率与阈值写入错误率进行比较；如果检测到的写入错误率高于阈值写入错误率，则增加目标写入脉冲宽度；和如果检测到的写入错误率不高于阈值写入错误率，则减小目标写入脉冲宽度。
61.在上述存储器器件中，还包括：存储温度相关表的存储体，其中，基于检测到的存储器器件的温度通过使用温度相关表来确定写入电路使用的目标写入脉冲宽度。
62.在上述存储器器件中，温度相关表包括与多个应用相对应的多个温度相关表。
63.在上述存储器器件中，还包括：脉冲生成器电路，耦合至写入电路，被配置为生成具有写入电路写入电路所使用的写入电路目标写入脉冲宽度的写入脉冲。
64.上述概述了几个实施例的特征，以便本领域技术人员可以更好地理解本公开的各个方面。本领域技术人员应当理解，他们可以容易地使用本公开作为设计或修改用于实现本文所介绍的实施例的相同目的和/或实现其相同优点的其它过程和结构的基础。本领域技术人员还应当认识到，此类等效结构不背离本发明的精神和范围，并且它们可以在不背离本发明的精神和范围的情况下在本发明中进行各种改变、替换以及改变。