对存储器单元执行刷新操作的制作方法

1.本公开大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及对存储器单元执行刷新操作。


背景技术：

2.存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路系统及/或外部可卸除装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据且可包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)等等。非易失性存储器可通过在未被供电时保留经存储数据而提供持久数据且可包含nand快闪存储器、nor快闪存储器、只读存储器(rom)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(pcram)、电阻式随机存取存储器(rram)、磁性随机存取存储器(mram)及可编程导电存储器等等。
3.存储器装置可用作用于需要高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的广泛范围的电子应用的易失性及非易失性存储器。非易失性存储器可用于例如个人计算机、便携式记忆棒、固态驱动器(ssd)、数码相机、蜂窝电话、例如mp3播放器的便携式音乐播放器及电影播放器以及其它电子装置中。
4.电阻可变存储器装置可包含可基于存储元件(例如，具有可变电阻的存储器元件)的电阻状态来存储数据的电阻可变存储器单元。因而，电阻可变存储器单元可经编程以通过改变存储器元件的电阻电平而存储对应于目标数据状态的数据。可通过将电场或能量源，例如正或负电脉冲(例如，正或负电压或电流脉冲)施加到电阻可变存储器单元(例如，到所述单元的存储器元件)达特定持续时间而将所述单元编程到目标数据状态(例如，对应于特定电阻状态)。可通过响应于经施加询问电压感测通过电阻可变存储器单元的电流而确定所述单元的状态。基于所述单元的电阻电平而变动的经感测电流可指示所述单元的状态。
5.各种存储器阵列可经组织成交叉点架构，其中存储器单元(例如，电阻可变单元)经定位在用以存取所述单元的第一与第二信号线的相交点处(例如，在字线与位线的相交点处)。一些电阻可变存储器单元可包括与存储元件(例如，相变材料、金属氧化物材料及/或可编程到不同电阻电平的某种其它材料)串联的选择元件(例如，二极管、晶体管或其它切换装置)。一些电阻可变存储器单元(其可被称为自选存储器单元)可包括可用作存储器单元的选择元件及存储元件两者的单一材料。


技术实现要素：

6.一方面，本技术案提供一种用于对存储器单元执行刷新操作的设备，其包括：存储器，所述存储器具有存储器单元群组及其数据状态指示是否刷新所述存储器单元群组的一或多个额外存储器单元；及电路系统，其经配置以：将第一电压脉冲施加到所述存储器单元群组以感测所述群组的所述存储器单元的数据状态；在将所述第一电压脉冲施加到所述存
储器单元群组的同时，将具有比所述第一电压脉冲更大的量值的第二电压脉冲施加到所述一或多个额外存储器单元以感测所述一或多个额外存储器单元的数据状态；及基于所述一或多个额外存储器单元的所述经感测数据状态来确定是否对所述存储器单元群组执行刷新操作。
7.另一方面，本技术案提供一种用于对存储器单元执行刷新操作的方法，其包括：通过将第一电压脉冲施加到存储器单元群组而感测所述存储器单元群组的存储器单元的相应数据状态；在将所述第一电压脉冲施加到所述存储器单元群组的同时，通过将具有比所述第一电压脉冲更大的量值的第二电压脉冲施加到一或多个额外存储器单元而感测所述一或多个额外存储器单元的数据状态；及响应于所述一或多个额外存储器单元的所述经感测数据状态与所述一或多个额外存储器单元先前编程到的特定数据状态不同而对所述存储器单元群组执行刷新操作。
8.又一方面，本技术案提供一种用于对存储器单元执行刷新操作的设备，其包括：存储器，所述存储器具有存储器单元群组及其数据状态指示是否刷新所述存储器单元群组的一或多个额外存储器单元；及电路系统，其经配置以：接收用以感测所述群组的所述存储器单元的相应数据状态的命令；在接收到所述命令后，将第一电压脉冲施加到所述存储器单元群组以感测所述群组的所述存储器单元的所述相应数据状态；在接收到所述命令后，施加具有大于所述第一电压脉冲的量值的第二电压脉冲以感测所述一或多个额外存储器单元的数据状态；及响应于所述一或多个额外存储器单元的所述经感测数据状态与预定数据状态不同而对所述存储器单元群组执行刷新操作。
9.又一方面，本技术案提供一种用于对存储器单元执行刷新操作的方法，其包括：接收用以感测存储器的存储器单元群组的相应数据状态的命令；通过在接收到所述命令后将第一电压脉冲施加到所述存储器单元群组而感测所述群组的所述存储器单元的所述相应数据状态；通过在接收到所述命令后将具有大于所述第一电压脉冲的量值的量值的第二电压脉冲施加到先前编程到第一数据状态、处于特定极性的一或多个额外存储器单元而感测所述一或多个额外存储器单元的数据状态，其中所述一或多个额外存储器单元的数据状态指示是否刷新所述存储器单元群组；及响应于所述一或多个额外存储器单元的所述经感测数据状态处于第二数据状态，对所述群组的具有第一数据状态、处于所述特定极性的那些存储器单元执行刷新操作。
附图说明
10.图1是根据本公开的实施例的存储器阵列的实例的三维视图。
11.图2a说明根据本公开的实施例的与存储器单元的各种状态相关联的阈值电压分布。
12.图2b是根据本公开的实施例的对应于图2a的存储器状态的电流对电压曲线的实例。
13.图2c是根据本公开的实施例的对应于图2a的另一存储器状态的电流对电压曲线的实例。
14.图3是根据本公开的实施例的实例设备的框图说明。
15.图4说明根据本公开的实施例的存储器单元可能随时间的推移而经历的读取干扰
的概念实例。
16.图5说明根据本公开的实施例的增大用于感测备用存储器单元的数据状态的电压脉冲的量值的概念实例。
17.图6说明根据本公开的实施例的其数据状态指示是否刷新其它存储器单元的实例存储器单元。
具体实施方式
18.本公开包含用于对存储器单元执行刷新操作的设备、方法及系统。实施例包含：存储器，所述存储器具有存储器单元群组及其数据状态指示是否刷新所述存储器单元群组的一或多个额外存储器单元；及电路系统，其经配置以：将第一电压脉冲施加到所述存储器单元群组以感测所述群组的所述存储器单元的数据状态；在将所述第一电压脉冲施加到所述存储器单元群组的同时，将具有比所述第一电压脉冲更大的量值的第二电压脉冲施加到所述一或多个额外存储器单元以感测所述一或多个额外存储器单元的数据状态；及基于所述一或多个额外存储器单元的所述经感测数据状态来确定是否对所述存储器单元群组执行刷新操作。
19.在感测电阻可变存储器单元，例如自选存储器单元期间，可将电压施加到所述存储器单元，且可基于响应于经施加电压而流过所述单元的电流量来确定所述单元的数据状态。然而，在此感测操作期间，与被感测的存储器单元一起耦合到同一信号线的其它(例如，未选定)存储器单元可能会受到施加到被感测的选定存储器单元的电压的不良影响。对未选定存储器单元的这种不良影响可被称为读取干扰。已受读取干扰显著影响的存储器单元可被感测为处于与所述单元实际上被编程到的状态不同的数据状态，因为例如读取干扰可能已致使存储器单元的阈值电压减小。由于读取干扰所致的此错误数据感测可能会降低存储器的性能及/或寿命且在具有增大的存储器单元密度的存储器中可能更严重。因此，在对存储器单元的读取干扰引起那些受影响单元的错误感测之前刷新所述单元可能是有益的。
20.在一些先前方法中，可利用编程/读取周期计数器以确定何时可能需要刷新存储器单元以避免读取干扰。然而，此类方法可能并不总是提供何时需要刷新存储器单元的准确指示。此外，此类方法可能增加存储器的成本及/或复杂性。
21.然而，本公开的实施例可例如在不利用编程/读取周期计数器的情况下在存储器单元受读取干扰显著影响之前确定是否刷新所述单元。例如，本公开的实施例可使用具有与和其它存储器单元(例如，非备用存储器单元)的感测相关联的量值不同(例如，更高)的量值的感测电压脉冲来操作额外存储器单元(例如，备用存储器单元)，这将在非备用存储器单元失效之前确定性地使备用存储器单元失效(例如，致使备用存储器单元被感测为处于与它们被编程到的状态不同的数据状态)。因而，备用存储器单元失效可为用以刷新非备用存储器单元(例如，以便在非备用存储器单元失效之前刷新非备用存储器单元)的确定性指示符。如本文中所使用，其数据状态指示是否刷新(若干)其它存储器单元的存储器单元可被称为备用存储器单元。
22.如本文中所使用，“一”、“一个”或“数个”可指某物中的一或多者，且“多个”可指两个或更多个此类事物。例如，一存储器装置可指一或多个存储器装置，且多个存储器装置可指两个或更多个存储器装置。另外，如本文中特别关于附图中的参考数字所使用，标志符“n”及“m”指示如此指定的数个特定特征可被包含在本公开的数个实施例中。
23.本文中的图遵循编号惯例，其中首位或前几位数字对应于附图编号且其余数字识别附图中的元件或组件。不同图之间的类似元件或组件可通过使用类似数字来识别。
24.图1是根据本公开的实施例的存储器阵列100(例如，交叉点存储器阵列)的实例的三维视图。存储器阵列100可包含：多个第一信号线(例如，第一存取线)，其可被称为字线110-0到110-n；及彼此交叉(例如，在不同平面中相交)的多个第二信号线(例如，第二存取线)，其可被称为位线120-0到120-m。例如，字线110-0到110-n中的每一者可与位线120-0到120-m交叉。存储器单元125可在位线与字线之间(例如，在每一位线/字线交叉点)。
25.例如，存储器单元125可为电阻可变存储器单元。存储器单元125可包含可编程到不同数据状态的材料。在一些实例中，存储器单元125中的每一者可包含在顶部电极(例如，顶板)与底部电极(例如，底板)之间、可用作选择元件(例如，切换材料)及存储元件的单一材料，使得每一存储器单元125可充当选择器装置及存储器元件两者。此存储器单元在本文中可被称为自选存储器单元。例如，每一存储器单元可包含硫属化物材料，所述硫族化物材料可由各种掺杂或非掺杂材料形成，可为或可并非为相变材料，及/或在读取及/或写入所述存储器单元期间可或可不经历相变。硫属化物材料可为包含元素s、se及te中的至少一者的材料或合金。硫属化物材料可包含s、se、te、ge、as、al、sb、au、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、铋(bi)、钯(pd)、钴(co)、氧(o)、银(ag)、镍(ni)、铂(pt)的合金。实例硫属化物材料及合金可包含但不限于ge-te、in-se、sb-te、ga-sb、in-sb、as-te、al-te、ge-sb-te、te-ge-as、in-sb-te、te-sn-se、ge-se-ga、bi-se-sb、ga-se-te、sn-sb-te、in-sb-ge、te-ge-sb-s、te-ge-sn-o、te-ge-sn-au、pd-te-ge-sn、in-se-ti-co、ge-sb-te-pd、ge-sb-te-co、sb-te-bi-se、ag-in-sb-te、ge-sb-se-te、ge-sn-sb-te、ge-te-sn-ni、ge-te-sn-pd或ge-te-sn-pt。实例硫属化物材料还可包含基于sag的玻璃非相变材料，例如seasge。如本文中所使用，用连字符连接的化学成分符号指示包含在特定化合物或合金中的元素且意在表示涉及所指示元素的所有化学计量。例如，ge-te可包含gextey，其中x及y可为任何正整数。
26.在各个实施例中，存储器单元125的阈值电压可响应于跨其施加的电压差的量值超过其阈值电压而骤回。此类存储器单元可被称为骤回存储器单元。例如，存储器单元125可响应于经施加电压差超过阈值电压而从非导电(例如，高阻抗)状态改变(例如，骤回)到导电(例如，低阻抗)状态。例如，存储器单元骤回可指存储器单元响应于跨存储器单元施加的电压差大于存储器单元的阈值电压而从高阻抗状态转变到较低阻抗状态。例如，存储器单元骤回的阈值电压可被称为骤回事件。
27.存储器阵列100的架构可被称为交叉点架构，其中存储器单元如图1中所说明经形成在字线与位线之间的拓扑交叉点处。与其它存储器架构相比，此交叉点架构可以更低生产成本提供相对高密度的数据存储。例如，与其它架构相比，交叉点架构可具有带有减小的面积及因此增大的存储器单元密度的存储器单元。
28.然而，本公开的实施例不限于图1中所说明的实例存储器阵列架构。例如，本公开的实施例可包含具有多个垂直定向(例如，垂直)存取线及多个水平定向(例如，水平)存取线的三维存储器阵列。垂直存取线可为布置成柱状架构的位线，而水平存取线可为布置在通过电介质材料而彼此分开(例如，绝缘)的多个导电平面或层面中的字线。此存储器阵列的相应存储器单元的硫属化物材料可经定位在相应垂直位线与水平字线的交叉点处。
29.此外，在一些架构(未展示)中，多个第一存取线可经形成在平行于衬底的平行平面或层级上。多个第一存取线可经配置以包含多个孔以允许与第一存取线的平面正交地形成的多个第二存取线，使得多个第二存取线中的每一者穿透垂直对准的一组孔(例如，第二存取线相对于第一存取线的平面及水平衬底垂直安置)。包含存储元件的存储器单元(例如，包含硫属化物材料的自选存储器单元)可经形成在第一存取线与第二存取线的交叉点(例如，所述垂直对准的一组孔中的第一存取线与第二存取线之间的空间)处。以与如上文所描述类似的方式，可通过选择相应存取线及施加电压或电流脉冲来操作(例如，读取及/或编程)存储器单元(例如，包含硫属化物材料的自选存储器单元)。
30.图2a说明根据本公开的实施例的与例如图1中所说明的存储器单元125的存储器单元的各种状态相关联的阈值分布。例如，如图2a中所展示，存储器单元可被编程到两种可能数据状态中的一者(例如，状态0或状态1)。即，图2a说明与存储器单元可被编程到的两种可能数据状态相关联的阈值电压分布。
31.在图2a中，电压vcell可对应于施加到(例如，跨)存储器单元的电压差，例如位线电压(vbl)与字线电压(vwl)之间的差(例如，vcell＝vbl
–
vwl)。阈值电压分布(例如，范围)201-1、201-2、202-1及202-2可表示编程到特定状态的存储器单元的阈值电压的统计变动。图2a中所说明的分布对应于结合图2b及2c进一步描述的电流对电压曲线，图2b及2c说明与经指派数据状态相关联的骤回非对称性。
32.在一些实例中，处于特定状态的存储器单元125的阈值电压的量值对于不同极性可为非对称的，如图2a、2b及2c中所展示。例如，编程到复位状态(例如，状态0)或置位状态(例如，状态1)的存储器单元125的阈值电压在一个极性中所具有的量值与在相反极性中所具有的量值可不同。例如，在图2a中所说明的实例中，第一数据状态(例如，状态0)与其针对正极性的量值大于针对负极性的量值的第一非对称阈值电压分布(例如，阈值电压分布202-1及202-2)相关联，且第二数据状态(例如，状态1)与其针对负极性的量值大于针对正极性的量值的第二非对称阈值电压分布(例如，阈值电压分布201-1及201-2)相关联。在此实例中，针对一个经施加电压极性的足以致使存储器单元125骤回的经施加电压量值可不同于(例如，高于或低于)针对另一经施加电压极性的所述经施加电压量值。
33.图2a说明可用以确定存储器单元的状态(例如，以作为读取操作的部分而区分状态)的分界电压vdm1及vdm2。在这个实例中，vdm1是用以区分处于状态1(例如，处于阈值电压分布201-2)的单元与处于状态0(例如，阈值电压分布202-2)的单元的正电压。类似地，vdm2是用以区分处于状态0(例如，阈值电压分布202-1)的单元与处于状态1(例如，阈值电压分布201-1)的单元的负电压。在图2a-2c的实例中，处于正状态0的存储器单元125不会响应于施加vdm1而骤回；处于正状态1的存储器单元125响应于施加vdm1而骤回；处于负状态0的存储器单元125响应于施加vdm2而骤回；且处于负状态1的存储器单元125不会响应于施加vdm2而骤回。
34.实施例不限于图2a中所展示的实例。例如，状态0及状态1的指定可互换(例如，分布201-1及201-2可被指定为状态0，而分布202-1及202-2可被指定为状态1)。
35.图2b及2c是根据本公开的实施例的对应于图2a的存储器状态的电流对电压曲线的实例。因而，在这个实例中，图2b及2c中的曲线对应于其中状态0被指定为处于特定极性(在这个实例中是正极性方向)的较高阈值电压状态，且其中状态1被指定为处于相反极性
(在这个例中是负极性方向)的较高阈值电压状态的单元。如上所述，状态指定可互换使得状态1可对应于正极性方向上的较高阈值电压状态，而状态0对应于负方向上的较高阈值电压状态。
36.图2b及2c说明如本文中所描述的存储器单元骤回。vcell可表示跨存储器单元的经施加电压。例如，vcell可为施加到对应于所述单元的顶部电极的电压减去施加到对应于所述单元的底部电极的电压(例如，经由相应字线及位线)。如图2b中所展示，响应于经施加正极性电压(vcell)，编程到状态0(例如，阈值电压分布202-2)的存储器单元处于非导电状态直到vcell达到电压vtst02，此时所述单元转变到导电(例如，较低电阻)状态。这种转变可被称为骤回事件，其在跨所述单元(处于特定极性)施加的电压超过所述单元的阈值电压时发生。因此，电压vtst02可被称为骤回电压。在图2b中，电压vtst01对应于编程到状态0(例如，阈值电压分布202-1)的单元的骤回电压。即，如图2b中所展示，当vcell在负极性方向上超过vtst01时，存储器单元转变(例如，切换)到导电状态。
37.类似地，如图2c中所展示，响应于经施加负极性电压(vcell)，编程到状态1(例如，阈值电压分布201-1)的存储器单元处于非导电状态直到vcell达到电压vtst11，此时所述单元骤回到导电(例如，较低电阻)状态。在图2c中，电压vtst12对应于编程到状态1(例如，阈值电压分布201-2)的单元的骤回电压。即，如图2c中所展示，当vcell在正极性方向上超过vtst12时，存储器单元从高阻抗非导电状态骤回到较低阻抗导电状态。
38.在各种例子中，骤回事件可导致存储器单元切换状态。例如，如果将超过vtst02的vcell施加到状态0单元，那么由此导致的骤回事件可将所述单元的阈值电压降低到低于vdm1的电平，这将导致所述单元被读取为状态1(例如，阈值电压分布201-2)。类似地，如果将超过vtst11的vcell施加到状态1单元，那么由此导致的骤回事件可将所述单元的阈值电压降低到低于vdm2的电平，这将导致所述单元被读取为状态0(例如，阈值电压分布201-2)。因而，在数个实施例中，骤回事件可用以将单元写入到相反状态(例如，从状态0到状态1且反之亦然)。
39.随着重复感测选定存储器单元125，相邻单元(例如，与所述选定单元一起耦合到同一存取线的未选定存储器单元)的骤回电压(例如，vtst01、vtst02、vtst11及vtst12)的量值可能由于读取干扰而减小。这种减小可能致使受影响存储器单元被感测为处于与所述单元实际上编程到的状态不同的数据状态。本文中将(例如，结合图4)进一步描述此读取干扰的概念实例。因此，那些受影响存储器单元需要在错误地感测它们的数据状态之前被刷新。将导致存储器单元的骤回事件的vcell可用于刷新受影响存储器单元的数据状态。例如，可通过施加超过vtst11的vcell而刷新实际上编程到复位状态(但其阈值电压已减小到足以被感测为置位状态)的受影响存储器单元。类似地，可通过施加超过vtst02的vcell而刷新实际上编程到置位状态(但其阈值电压已减小到足以被感测为复位状态)的存储器单元。
40.图3是根据本公开的实施例的例如电子存储器系统300的实例设备的框图说明。存储器系统300可包含例如存储器装置302及控制器304的设备，所述控制器例如存储器控制器(例如，主机控制器)。控制器304可包含例如处理器。例如，控制器304可耦合到主机，且可从主机接收命令信号(或命令)、地址信号(或地址)及数据信号(或数据)并可将数据输出到主机。
41.存储器装置302包含存储器单元的存储器阵列306。例如，存储器阵列306可包含本文中所公开的存储器单元的存储器阵列中的一或多者，例如交叉点阵列。存储器装置302可包含地址电路系统308以锁存经由i/o连接310通过i/o电路系统312提供的地址信号。地址信号可由行解码器314及列解码器316接收及解码以存取存储器阵列306。例如，行解码器314及/或列解码器316可包含驱动器。
42.存储器装置302可通过使用在一些实例中可为读取/锁存电路系统320的感测/缓冲电路系统来感测存储器阵列列中的电压及/或电流变化而感测(例如，读取)存储器阵列306中的数据。锁存电路系统320可读取及锁存来自存储器阵列306的数据。感测电路系统305可包含耦合到存储器阵列306的存储器单元的数个感测放大器，所述感测电路系统可与读取/锁存电路系统320结合操作以感测(例如，读取)来自目标存储器单元的存储器状态，如本文中将进一步描述。可包含i/o电路系统312以用于通过i/o连接310与控制器304进行双向数据通信。可包含写入电路系统322以将数据写入到存储器阵列306。
43.控制电路系统324可解码通过控制连接326从控制器304提供的信号。这些信号可包含用以控制对存储器阵列306的操作(包含数据读取及数据写入操作)的芯片信号、写入启用信号及地址锁存信号。
44.例如，控制电路系统324可被包含在控制器304中。控制器304可单独或组合地包含其它电路系统、固件、软件等。控制器304可为外部控制器(例如，在与存储器阵列306分开的裸片中，无论是整体还是部分地)或内部控制器(例如，与存储器阵列306一起包含在同一裸片中)。例如，内部控制器可能是状态机或存储器定序器。
45.在一些实例中，控制器304可经配置以使用具有不同量值的电压脉冲来操作存储器阵列306的存储器单元。例如，控制器304可通过施加(当感测阵列306的备用存储器单元的数据状态时)具有比施加到非备用存储器单元的电压脉冲更大的量值的电压脉冲以感测那些单元的数据状态而操作所述备用存储器单元，这可能导致备用存储器单元在非备用存储器单元之前失效。因此，备用存储器单元的失效可用作是否刷新非备用存储器单元的指示。即，可基于备用存储器单元的经感测数据状态(例如，基于备用存储器单元的经感测数据状态是否是错误的)来作出是否对非备用存储器单元执行刷新操作的确定。例如，如果备用存储器单元的经感测数据状态与预定数据状态(例如，备用存储器单元实际上编程到的数据状态)不同，那么控制器304可对非备用存储器单元执行刷新操作，这可能在非备用存储器单元的感测失败之前重新调整非备用存储器单元的阈值电压。用以感测备用存储器单元及非备用存储器单元的电压脉冲可具有相同极性，尽管实施例不限于此。此外，例如，控制器可响应于一或多个备用存储器单元的经感测数据状态与特定数据状态(例如，预定数据状态)没有不同而防止对非备用存储器单元执行刷新操作。
46.在一些实例中，备用存储器单元可耦合到额外电容器，例如升压电容器(图3中未展示)，所述额外电容器可用以增大(例如，放大)用于感测备用存储器单元的电压脉冲的量值。例如，升压电容器可将量值从结合图5中所说明的vdm 542的量值增大到结合图5中所说明的vdm,spare 544的量值。
47.图4说明根据本公开的实施例的存储器单元可能随时间的推移而经历的读取干扰的概念实例。尽管实施例不限于此，但图4中所说明的阈值电压分布432可为例如先前结合图2a所描述的阈值电压分布202-2(例如，状态0)。
1、
…
、652-m(例如，统称为存储器单元652)的实例存储器单元654-1、
…
、654-n(例如，统称为存储器单元654)。存储器单元652及/或654可为例如先前结合图1所描述的存储器单元125。
54.各自具有存储器单元652-1、
…
、652-m(例如，统称为存储器单元652)的存储器单元656-1、
…
、656-n(例如，统称为656)的每一群组可被称为分区。每一分区可与其数据状态指示是否刷新相应分区的存储器单元的额外(例如，备用)存储器单元相关联。例如，分区656-1可与额外存储器单元654-1(其数据状态指示是否刷新分区656-1的存储器单元652)相关联且分区656-n可与额外存储器单元654-n(其数据状态指示是否刷新分区656-n的存储器单元652)相关联。尽管单个额外存储器单元被说明为与图6中的每一分区相关联，但实施例不限于可与每一分区相关联的特定数量的额外存储器单元。例如，每一分区(例如，分区656-1、
…
、656-n)可与多于一个(例如，三个)额外存储器单元相关联。此外，分区656可与不同数量的额外存储器单元相关联。例如，与一个分区相关联的额外存储器单元的数量可与和不同分区相关联的额外存储器单元的数量不同。尽管实施例不限于此，但备用存储器单元的数量可小于与备用存储器单元的数量相关联的非备用存储器单元的数量的1％。例如，非备用存储器单元与备用存储器单元的比率可大于100:1。
55.每一分区656的存储器单元652可经分布在(例如，分别经定位在)不同存储器片块上。此外，备用存储器单元可经定位在与其中定位有非备用存储器单元的那些片块不同的片块中。可同时存取不同片块中的存储器单元。换句话说，可同时存取每一分区656的非备用存储器单元652以及其相关联的备用存储器单元652。
56.如本文中所描述，控制器(例如，结合图3所说明的控制器304)可将具有不同量值的电压脉冲分别施加到存储器单元652及654。例如，控制器304可将第一电压脉冲施加到存储器单元652(以感测存储器单元652的数据状态)，且在将第一电压脉冲施加到存储器单元652的同时，将具有比第一电压脉冲更大的量值的第二电压脉冲施加到存储器单元654以感测存储器单元654的数据状态。控制器可例如在接收到用以感测存储器单元652的数据状态的命令(例如，来自主机)后将所述电压脉冲施加到存储器单元652及654。
57.在非限制性实例中，存储器(例如，结合图3所说明的存储器阵列306)可具有存储器单元(例如，非备用存储器单元652)群组及其数据状态指示是否刷新存储器单元群组的一或多个额外存储器单元(例如，备用存储器单元654)。控制器(例如，结合图3所说明的控制器304)可接收用以感测所述群组的存储器单元的相应数据状态的命令。在接收到所述命令后，控制器可将第一电压脉冲施加到存储器单元群组以感测所述群组的存储器单元的相应数据状态且施加具有大于第一电压脉冲的量值的第二电压脉冲以感测一或多个额外存储器单元的数据状态。控制器可响应于一或多个额外存储器单元的经感测数据状态与预定数据状态不同而对存储器单元群组执行刷新操作。
58.继续非限制性实例，可通过将第三电压脉冲施加到存储器单元652中的其数据状态被感测为处于预定数据状态的那些存储器单元而执行刷新操作。第三电压脉冲可具有大于第二电压脉冲的量值及与第一电压脉冲或第二电压脉冲相反的极性。
59.在另一非限制性实例中，控制器(例如，结合图3所说明的控制器304)可接收用以感测存储器的存储器单元群组的相应数据状态的命令。在接收到所述命令后，控制器可通过将第一电压脉冲施加到存储器单元群组而感测所述群组的存储器单元的相应数据状态
且通过将具有大于第一电压脉冲的量值的量值的第二电压脉冲施加到一或多个额外(例如，备用的)存储器单元而感测先前编程到第一数据状态(例如，复位状态)、处于特定极性的一或多个额外存储器单元的数据状态。如本文中所描述，一或多个额外存储器单元的数据状态可指示是否刷新存储器单元群组。响应于一或多个额外存储器单元的经感测数据状态处于第二数据状态(例如，置位状态)，控制器可对所述群组的具有第一数据状态、处于特定极性的那些存储器单元执行刷新操作。
60.在实例中，可基于其经感测数据状态与预定数据状态(例如，复位状态)不同的备用存储器单元的数量来确定是否执行刷新操作。例如，可响应于其经感测数据状态与预定数据状态不同的备用存储器单元的数量达到或超过阈值数量而对非备用存储器单元执行刷新操作。尽管实施例不限于此，但阈值数量可为备用存储器单元的全部数量的20-30％。例如，如果与非备用存储器单元的分区相关联的备用存储器单元包含100个备用存储器单元，那么当确定100个备用存储器单元中的至少20-30个已失效时，可刷新非备用存储器单元。
61.尽管本文中已说明及描述特定实施例，但所属领域的一般技术人员将明白，经计算以实现相同结果的布置可替换所展示的特定实施例。本公开意在涵盖本公开的数个实施例的调适或变动。应理解，以上描述是以说明性方式且非限制性方式进行。在审阅以上描述后，以上实施例的组合及本文中未具体地描述的其它实施例对于所属领域的一般技术人员来说将是显而易见的。本公开的数个实施例的范围包含其中使用以上结构及方法的其它应用。因此，本公开的数个实施例的范围应参考所附权利要求书及此权利要求书被赋予的等效物的全范围来确定。
62.在前述具体实施方式中，出于简化本公开的目的而将一些特征分组在单个实施例中。本公开方法不应被解释为反映本公开的所公开实施例必须使用比每一权利要求中明确地陈述的特征更多的特征的意图。相反，如所附权利要求书所反映，发明主题在于少于单个所公开实施例的所有特征。因此，所附权利要求书由此并入到具体实施方式中，其中每一权利要求独立作为单独实施例。