用于磁记录每单位数据具有三个或更多个状态的数据的方法和设备与流程

用于磁记录每单位数据具有三个或更多个状态的数据的方法和设备


技术实现要素：

1.本公开涉及一种用于磁记录具有三个或更多个数据状态的数据的方法和设备。在一个实施例中，将两个或更多个不同记录电流施加到记录磁头的写线圈。所述两个或更多个电流中的第一电流是正电流，并且所述两个或更多个电流中的第二电流是负电流。响应于所述两个或更多个不同记录电流的所述施加，将数据流记录到移动连续磁记录介质的区，使得每个区具有三个或更多个磁状态。经由磁读转换器从所述连续磁记录介质读取所述三个或更多个磁状态以恢复所述数据流。
2.在另一实施例中，将二进制数据流转换为每单位数据具有三个或更多个状态的数据流。经由两个或更多个不同记录电流将所述数据流记录到移动连续磁记录介质的区，使得每个区具有三个或更多个磁状态。所述磁状态中的每一个对应于每单位数据的所述三个或更多个状态中的一个。可以经由磁读转换器从所述连续磁记录介质读取所述三个或更多个磁状态以恢复所述数据流。接着将恢复的数据流转换为二进制输出流。鉴于以下详细讨论和附图，可理解各种实施例的这些和其它特征以及方面。
附图说明
3.下文的讨论参考了以下附图，其中相同的附图标记可用于标识多个附图中的相似/相同部件。
4.图1是根据实例实施例的滑块组件的透视图；
5.图2是示意性表示根据实例实施例的数据存储装置的图；
6.图3和4是示出根据实例实施例的数据存储信号的图表；
7.图5和6是示出根据实例实施例的记录介质的性能的磁滞回线图；
8.图7、8和9是示出根据实例实施例的记录信号特征的图表；
9.图10是示出根据实例实施例的数据存储装置中的实验读信号的图表；
10.图11-14是根据实例实施例的记录信号电路的图；
11.图15是根据实例实施例的设备的框图；以及
12.图16和17是根据实例实施例的方法的流程图。
具体实施方式
13.本公开大体上涉及利用例如磁盘等磁存储介质的数据存储装置。例如，硬盘驱动器(hdd)单元包含一个或多个磁盘，所述磁盘使用附接到位于磁盘中磁道上方的磁臂端部的读/写磁头写入和读取。为了记录数据，读/写磁头使用磁线圈产生磁场，所述磁场经由写磁极引导到磁盘表面。为了读取数据，读/写磁头经由例如保持在移动磁盘附近的磁阻堆叠等传感器感测磁场的变化。磁盘驱动器通常具有多个磁头，每个磁盘表面一个磁头。
14.仅使用写线圈和写磁极来记录数据的磁盘驱动器有时被称为常规磁记录(cmr)驱动器。现代cmr驱动器通常采用垂直磁记录(pmr)，其中磁场垂直于磁盘表面对准。与磁场平
行于磁盘表面的方案相比，这允许更高的磁录密度(ad)。一些驱动器可以采用不同的磁道写入格式来提高ad，例如叠瓦式磁记录(smr)和交错式磁记录(imr)，其中在写入期间相邻磁道彼此层合。用于提高ad的其它技术包含热辅助磁记录(hamr)和微波辅助磁记录(mamr)。这些技术使用额外部件(例如，用于hamr的激光器和用于mamr的自旋扭矩振荡器)来影响所记录热点的大小，使得与cmr驱动器相比，可以将更小的位写入磁盘。
15.无论使用何种技术将数据记录到磁盘，都期望提高ad，使得单个磁盘可以存储越来越大量的数据，同时降低每单位数据的成本。上文所描述的先进记录技术(例如，smr、imr、hamr、mamr)尝试通过减小存储单位数据的面积来提高ad，例如存储在具有负磁取向或正磁取向的区中的零或一的单个位值。在本文描述的实施例中，数据存储装置通过增加可存储于给定区中的数据量来提高ad，例如，每记录区具有超过两个状态。存储单个单位数据的区在二进制记录中被称为位，并且在本公开中，位被扩展使得其可以存储超过两个状态。每区/位可存储n＞2个状态的装置比二进制存储装置每单位面积可多存储n/2倍。
16.现参考图1，透视图示出根据实例实施例的读/写磁头100。读/写磁头100可用于磁数据存储装置，例如硬盘驱动器。读/写磁头100在本文中也可以可互换地称为滑块、写磁头、读磁头、记录磁头等。读/写磁头100具有滑块主体102，所述滑块主体在后边缘104处具有保持在例如磁盘等磁记录介质(未示出)的表面附近的读/写转换器。
17.所示读/写磁头100可以是cmr磁头，或可以被配置为hamr或mamr装置。在后一种情况下，磁头包含在记录期间辅助读/写转换器108的附加部件。这些部件整体由框106指示，并且可以包含hamr实施方案中的激光二极管和波导，或mamr装置的自旋扭矩振荡器。
18.读/写磁头100的写入器被配置成将超过两个不同状态写入到记录介质，这在本文中被称为多电平记录或多电平写入。两个或更多个状态是离散的，因为状态的数目是预定义的，且状态的物理特性处于已知水平或值。读/写磁头100的读取器被配置成向后读取两个或更多个状态，这在本文中被称为多电平读取。多电平读取和记录由将在下文进一步详细论述的处理电路120启用。注意，在一些实施例中，读/写磁头100可以基本上类似于二进制读/写磁头。在其它实施例中，读/写磁头可具有改进多电平读取和写入性能的特定特征，例如对超过两个磁状态/电平敏感的特别调谐的读转换器。然而，读/写磁头100的那些特定的多电平特征超出本公开的范围。
19.在图2中，示意图示意性地表示根据实例实施例的数据存储装置的方面。写电路200将两个或更多个不同记录电流206、207施加到记录磁头204的写磁极202。两个或更多个电流中的第一电流206是正电流，并且两个或更多个电流中的第二电流207是负电流。注意，此处还示出了第三电流208，其是零或近零电流。
20.出于本公开的目的，零或近零电流是具有施加到记录介质的零或中性场的预期效应的电流，但可存在经由电路200施加的少量电流以克服电偏置、磁滞等。如下文将更详细地描述的，一些实施例可以仅使用两个非零电流，并且其它实施例可以使用超过两个非零电流。类似地，一些实施例可以不使用零或近零电流。电流中的至少一个(例如，电流206)将处于或接近最大正值，并且电流中的另一个(例如，电流207)将处于或接近最大负值。最大负电流和最大正电流的量值可以相同或不同。
21.用写磁极将数据210记录到移动连续磁记录介质214的区211、212，使得每个区211、212具有对应于两个或更多个记录电流206、207的超过三个或更多个磁状态。在此实例
中，状态由数据的三元值210a-c(0、1、2)指示，但可使用数据210的其它表示(例如，-1、0、1)。读转换器216经由磁读转换器216从连续磁记录介质214读取三个或更多个磁状态210a-c以恢复数据，如由读电路218指示，所述读电路提取数据信号220，所述数据信号由控制器222处理以恢复所存储的数据。
22.从物理角度来看，多电平磁记录中的一个挑战是如何定义磁记录介质中单个区的不同磁化水平。下文描述了用于实现这一点的几种可能方案，所述方案各自适用于pmr、mamr和hamr的一些组合。
23.在一个实施例中，磁记录介质的磁化仅由围绕写磁极的线圈中的电信号控制，例如pmr。可以通过施加最大正电流或最大负电流来定义两个电平。最大电流限值可基于热、电迁移或对磁写入器的其它损坏或通过用于驱动磁写入器的前置放大器的限值来定义。与中间状态相关联的其它电平可以由这两个限值之间的中间电流值定义，包含零或近零电流。
24.非限制性实例是定义三个可能状态：一个状态由-60ma写入器电流定义，另一个状态由+60ma写入器电流定义，且第三状态通过不向写入器施加电流(0ma，或小偏置电流，例如《3ma正或负)来定义。在图3中，类似方案由信号电平206-208表示。另一个非限制性实例将是分别使用-60ma、-20ma、+20ma和+60ma写入器电流来定义四个可能状态。使用此方案示出图3中的信号300。又一个非限制性实例将是使用-60ma、-30ma、0ma、+30ma和+60ma写入器电流来定义五个可能状态。使用此方案示出图4中的信号400。
25.注意，尽管前述实例包含对应于待编码的不同状态的相等间隔的写入器电流，但取决于写磁极、线圈、读取器、介质堆叠等的详细特性，相等间隔的电平可能无法提供最佳snr。例如，对于具有图5中所示的磁滞回线的磁记录介质，四电平记录方案可以使用分别为-60ma、-15ma、+15ma和+60ma的磁写入器电流来记录四个电平，从而获得更好的结果。
26.有几种可能的方式能产生到磁写入器的多个电平的电流。可以在前置放大器中实施多电平模拟写入器驱动器。替代地，产生两电平(数字)信号的若干不同驱动器的输出可通过附加电路组合。还应注意，用于二进制磁记录，具有相对方形磁滞回线与低矫顽力的磁记录极可能是最佳的。对于多电平磁记录此实施例，可使用窄的倾斜的磁滞回线，如图6所示。
27.在第二实施例中，具有第一实施例的特征的设备在磁写入器信号中并入附加特征。可以对多电平记录中的一些或所有电平组合之间的转换施加过冲脉冲，例如pmr和hamr中用于改进常规二进制数据的转换质量的脉冲。欠冲脉冲可另外用于控制写磁极的磁状态。例如，在三电平记录的情况下，可以使用欠冲脉冲来确保在记录零电平标记时写磁极被去磁。在图7中，图表示出了记录波形中的过冲脉冲(例如，700、701)和欠冲脉冲(例如，702、703)的一些实例。
28.第三实施例利用将零或近零信号可靠地记录到记录介质的特征。例如，在针对记录二进制数据而优化的写磁极设计中(但在某种程度上，对于任何写磁极)，可能很难一致地将磁极去磁到正确的电平，例如对于当记录奇数个电平时记录零状态的情况。此实施例通过使用频率高于数据速率的ac磁写信号来记录中间电平解决了此困难。
29.在一个非限制性实例中，以对应于两个电流电平的三个状态记录信息。图8的图表中示出了此实例中使用的磁写入器信号的示例性波形。对于两个状态(1和-1)，使用例如
±
60ma的恒定磁写电流(可能也有过冲和/或欠冲脉冲)。对于第三状态，即中间电平(0)，写入器信号是振幅为60ma的正弦波或方波。应注意，为了避免会降低位误差率的不必要的转换移位，可以选择用于定义零状态的ac擦除信号的频率，使得零电平标记开始处的ac擦除信号的极性与先前写入的标记的极性匹配，并且类似地，零水平标记结束时的ac擦除信号的极性与下一个要写入的标记的极性匹配。
30.注意，ac擦除信号的使用不需要限于具有奇数个电平的记录方案的零状态(例如，零磁场)。在图9所示的另一实例中，使用四电平方案，其中使用dc
±
60ma写入器电流(可能也有过冲和/或欠冲脉冲)定义两个状态(-1.5、1.5)，并且使用叠加在dc
±
20ma写入器电流上的振幅10ma的ac正弦波或方波定义两个中间状态(-0.5、0.5)。
31.在图10中，图表示出使用不同方案记录在hamr介质上的三状态图案的实验读回信号。记录道1000中表示的数据使用如图7所示的过冲/欠冲方案记录，记录道1002中表示的数据使用如图8所示的高频擦除方案记录。注意，记录道1000、1002是任意波形样本，并不表示相同的记录数据。注意，与记录道1000相比，经由记录道1002中的高频ac擦除更好地定义零状态，例如对于前者在区1004和1006中，对于后者在区1008和1010中。
32.上文描述的实施例允许记录装置使用多个(大于两个)电平的磁写入器电流来记录磁记录介质中的磁场的多个状态。在pmr中，由于中间状态的重写特性可能不如用任一极性的最大写入器电流定义的状态那样好，因此可以通过第一交流电(ac)擦除要写入的磁道来提高记录信号的质量。例如，可以使用两个道次记录，其中同一磁头(或不同磁头，例如在多执行器驱动器中)在记录道次之前首先擦除磁道。在其它实施例中，位于相同一磁头或同一磁头折片组件上的第二写线圈可以位于引导记录磁头在写入磁道时擦除磁道的位置。这可以代替例如图8中所示的其中擦除信号包含在记录信号中的实施例使用。
33.在mamr和hamr中，能量辅助机构可足以在写入之前或写入期间移除先前记录的数据，而无需专用ac擦除。通常，这是由于热源(hamr)或微波源(mamr)中和处于零电流或近零电流状态的记录介质的磁状态。
34.可以调谐介质本身，以便更好地支持每位多个电平。对于不同的记录技术，有许多可能的实例。在pmr中，可以使用具有不同矫顽力的多个磁层，使得具有低矫顽力的层由一些或所有电平的写电流记录，而具有高矫顽力的电平仅由大振幅写电流记录。在mamr中，可以对介质进行调谐，使得在结合微波辅助的情况下，m-h磁滞回线的斜率较浅，从而可以在一次写入中记录多个电平，并将多电平信号施加到写入器。介质可包含多个未耦合的独立层，这些层可以在不同写入期间单独寻址。在hamr中，可以使用具有相似居里温度但具有不同的矫顽力的多个磁层，使得在使用单一恒定激光功率的单次写入中，可以使用施加到磁写入器的多电平信号记录多个电平。
35.可使用例如巨磁阻(gmr)或隧道磁阻(tmr)读取器等读取器，以类似于读取硬盘驱动器中记录的常规二进制数据的方式从介质读取多电平数据。图10中的记录道1000示出了使用-55ma、0ma和+55ma的磁写电流从hamr磁盘上记录的三电平数据产生的实验读回信号，用于定义三个状态。注意，在这种情况下，“0”电平可能未得到明确定义，这可能是因为即使在磁写电流设置为零时，磁极仍存在残余磁场，并且这可以通过在记录零场状态期间施加小电流来调谐。
36.也可以调整读取器的磁特性以读取多电平数据。例如，向读取器提供对外部场较
浅的电响应可能是有利的，这将在与介质中记录的不同磁化水平相关联的读信号中的电压电平之间提供更大的分离。还可以开发新的方法来解码来自读回信号的所记录的数据。一种方法是使用阈值检测器，其中对于每介质区段的n个电平，有n-1个电平被定义为在读回信号中分离这些电平的阈值，并且通过将给定点的读回电压与这组阈值进行比较来解码信息。
37.更强大的解码技术对于多电平数据可能表现更好，例如来自部分响应最大似然(prml)、低密度奇偶校验(ldpc)、里德-所罗门码、维特比算法等的那些适用的解码技术。注意，由于普通用户数据最初可以是二进制格式，因此在写入之前和读取之后都可以使用额外处理，以将二进制用户数据转换为正确的多电平格式以供写入，然后在读取之后返回到二进制格式。
38.可以在前置放大器中实施模拟写入器驱动器。替代地，产生两电平(数字)信号的若干不同驱动器的输出可通过附加电路组合。在图11中，框图示出根据实例实施例的产生多电平写入器波形以及激光信号的电路。在此实例中，由来自任意波形发生器(awg)1100的标记输出产生两个写入器数据流1102、1103。
39.写入数据流1102、1103被传递到两个单独的前置放大器集成电路(ic)1104、1105，其将信号输出到记录磁头的接口1106。一个前置放大器1104使用相同的极性连接到记录磁头的写入器线圈，而另一个前置放大器1105用相反极性连接。此连接方案可以使用驱动器中的现有前置放大器形成所需的写入器波形。还可任选地从awg的模拟输出产生激光信号1108以用于hamr记录。信号1108经由激光区段1110被放大，所述激光区段将信号输出到记录磁头接口1106的激光垫。注意，在此图和后续图中，自旋扭矩振荡器的驱动器区段可以代替所示的激光区段，使得除了hamr之外，这些电路还可以用于mamr存储装置。
40.在图12中，框图示出根据另一实例实施例的产生多电平写入器波形以及激光信号的电路。在此实例中，例如，将两个写入器数据流1202、1203从编码器电路提供到前置放大器1200。写入数据流1202、1203被传递到两个单独的前置放大器区段1204、1205，其将信号输出到记录磁头的接口1206。区段1204、1205可以是单个电路封装的一部分，也可以是单独的电路芯片/封装。一个前置放大器区段1204使用相同的极性连接到记录磁头的写入器线圈，而另一个前置放大器区段1205用相反极性连接。此连接方案可以使用驱动器中的现有前置放大器形成所需的写入器波形。前置放大器1200还可包含用于hamr记录的激光放大器1210，所述激光放大器将信号输出到记录磁头接口1206的激光垫。
41.在图13中，框图示出根据另一实例实施例的产生多电平写入器波形以及激光信号的电路。在此实例中，将单个写入器数据流1302提供给前置放大器1300的写入器区段1304。写入器区段1304产生多电平写入器波形(例如，三个或更多个离散的模拟或数字电平)，其经由记录磁头的接口1306输入到写线圈。在此实例中，数据流1302可以是多电平的，但前置放大器1300可以进一步调节多电平输出波形，例如，添加过冲和欠冲、添加某些值的擦除信号等。前置放大器1300还可包含将信号输出到记录磁头接口1306的激光垫的激光区段1310。
42.在图14中，框图示出根据实例实施例的在没有激光器的情况下产生多电平写入器波形的电路。在此实例中，将单个写入器数据流1402提供给前置放大器1400的写入器区段1404。写入器区段1404产生多电平写入器波形，其经由记录磁头的接口1406输入到写线圈。
在此实例中，数据流1402可以是多电平的，但前置放大器1400可以进一步调节多电平输出波形，例如，添加过冲和欠冲、添加某些值的擦除信号等。在此实例中，前置放大器1400不包含激光区段，因此可与pmr数据存储一起使用。在这种布置中，可使用高频ac擦除产生如上所述的零状态。
43.在图15中，框图示出了根据实例实施例的数据存储装置1500。装置1500的控制逻辑电路1502包含系统控制器1504，其处理来自主机装置1506的读写命令和相关联数据，所述主机装置经由主机接口1505耦合。主机装置1506可以包含可通信耦合以存储数据并从数据存储装置检索数据的任何电子装置，例如计算机、存储控制器卡等。系统控制器1504耦合到读/写通道1508，所述读/写通道从磁盘1510的表面进行读取和写入。磁盘1510是连续磁记录介质，例如不使用例如在图案化介质中的制造图案或结构。
44.读/写通道1508通常在由控制器1504处理的数字信号与在读操作期间通过一个或多个读/写磁头1512传导的模拟信号之间转换数据。为了促进读操作，读/写通道1508可包含模拟和数字电路，例如前置放大器、滤波器、解码器、数模转换器、定时校正单元等。读/写通道1508还将从磁盘1510上的伺服楔形件1514读取的伺服数据提供到伺服控制器1516。伺服控制器1516使用这些信号将音圈马达控制信号1517提供到vcm 1518。vcm 1518响应于音圈马达控制信号1517而旋转磁臂1520，读/写磁头1512安装在所述磁臂上。
45.伺服楔形件1514内的数据用于检测读/写磁头1512相对于磁盘1510的位置。伺服控制器1516使用伺服数据将读/写磁头1512移动到寻址磁道1522，并响应于读/写命令在磁盘1510上阻塞(寻道模式)。当向磁盘1510写入数据和/或从所述磁盘读取数据时，还使用伺服数据保持读/写磁头1512与磁道1522对齐(磁道跟随模式)。
46.读/写通道1508是多电平记录状态通道，其将两个或更多个不同记录电流施加到磁头1512的写线圈以将数据记录到磁盘1510的区/位，使得每个区/位具有三个或更多个磁状态。记录电流包含负电流、正电流，并且可以包含正电流与负电流之间的一个或多个电流以包含零或近零电流。磁头1512还包含读转换器，并且读/写通道1508有助于从磁盘1510读取三个或更多个磁状态以恢复记录的数据。
47.由于主机数据通常是二进制的，所以数据存储装置1500包含在数据控制器1504和主机1506使用的二进制编码格式之间转换的多电平编码器/解码器1507。通常，编码器/解码器1507将在二进制数据流与多电平数据流之间转换，多电平数据流以每单位(例如，位)数据的三个或更多个状态存储数据。注意，伺服控制器1516还可以利用伺服楔形件1514的多电平记录和读取，因此，伺服数据也可以通过多电平记录部件1507、1508进行处理。
48.在图16中，流程图示出了根据实例实施例的方法。所述方法涉及1600将两个或更多个不同记录电流施加到记录磁头的写线圈。所述两个或更多个电流中的第一电流是正电流，并且所述两个或更多个电流中的第二电流是负电流。响应于所述两个或更多个不同记录电流，1601将数据流记录到移动连续磁记录介质的区，使得每个区具有三个或更多个磁状态。1602经由磁读转换器从连续磁记录介质读取三个或更多个磁状态以恢复数据流。
49.在图17中，流程图示出了根据实例实施例的方法。所述方法涉及1700将二进制数据流转换为每单位数据具有三个或更多个状态的数据流。1701经由两个或更多个不同记录电流将数据流记录到移动连续磁记录介质的区，使得每个区具有三个或更多个磁状态。所述磁状态中的每一个对应于每单位数据的所述三个或更多个状态中的一个。1702经由磁读
转换器从连续磁记录介质读取三个或更多个磁状态以恢复数据流。1703接着将恢复的数据流转换为二进制输出流。
50.上述各种实施例可使用交互以提供特定结果的电路、固件和/或软件模块来实施。本领域的技术人员可以使用本领域周知的知识，在模块化级别或作为整体轻松实现此类描述的功能。例如，本文所示的流程图和控制图可用于创建计算机可读指令/代码以供处理器执行。此类指令可存储在非暂态计算机可读介质上并且传输到处理器以用于执行，如本领域已知的。上文所示的结构和程序仅仅是可用于提供上文所描述的功能的实施例的代表性实例。
51.除非另外指明，否则在说明书和权利要求书中使用的表示特征尺寸、数量和物理特性的所有数字应当理解为在所有情况下均由术语“约”修饰。因此，除非有相反的指示，否则在前述说明书和所附权利要求书中列出的数值参数均为近似值，这些近似值可以根据本领域技术人员利用本文所公开的教导内容寻求获得的期望特性而变化。端点使用的数字范围包含所述范围内的所有数值(例如，1至5包含1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5)以及所述范围内的任何范围。
52.出于说明和描述的目的，本文已经呈现了实例实施例的前述描述。本文并不旨在穷举或将实施例限制为所公开的精确形式。鉴于以上教导内容，本文可能会发生许多修改和变化。可以单独或以任何组合方式应用所公开实施例的任何或所有特征，这仅仅是为了说明，而不是为了限制。本文旨在说明本发明的范围不受该详细描述的限制，而是由随附于本文的权利要求确定。
53.进一步的示例：
54.示例1.一种方法，其包括：将两个或更多个不同记录电流施加到记录磁头的写线圈，所述两个或更多个电流中的第一电流是正电流且所述两个或更多个电流中的第二电流是负电流；响应于所述两个或更多个不同记录电流的所述施加，将数据流记录到移动连续磁记录介质的区，使得每个区具有三个或更多个磁状态；以及经由磁读转换器从所述连续磁记录介质读取所述三个或更多个磁状态以恢复所述数据流。
55.示例2.根据示例1所述的方法，其中所述两个或更多个电流包括负电流、正电流以及零或近零电流。
56.示例3.根据示例2所述的方法，所述数据流的所述记录由热源或微波源辅助，所述热源或微波源中和对应于所述零或近零电流的磁状态。
57.示例4.根据示例1所述的方法，其中所述两个或更多个不同记录电流包括范围从最大正电流到最大负电流的三个或更多个电流，并且其中所述三个或更多个电流在所述范围内不相等地间隔开以考虑所述连续磁记录介质的磁滞。
58.示例5.根据示例1所述的方法，其中所述三个或更多个磁状态包括：正最大场，其对应于正最大电流；负最大场，其对应于负最大电流；以及中间场，其在所述正最大场与所述负最大场之间。
59.示例6.根据示例5所述的方法，其中所述中间场经由具有高于数据频率的擦除频率的交流擦除电流来设置。
60.示例7.根据示例1所述的方法，其中所述两个或更多个电流通过组合来自两个或更多个前置放大器电路的两个或更多个两电平数字信号而产生。
61.示例8.根据示例1所述的方法，其进一步包括接收二进制数据且将所述二进制数据转换为所述数据流，所述数据流每单位数据具有三个或更多个状态，所述三个或更多个状态各自对应于所述三个或更多个磁状态中的一个。
62.示例9.一种数据存储装置，其包括：与记录磁头的接口电路，所述记录磁头具有写线圈和磁读转换器；以及控制器，其耦合到所述接口电路且被配置成：将两个或更多个不同记录电流施加到所述写线圈以将数据记录到移动连续磁记录介质的区，使得每个区具有三个或更多个磁状态，所述两个或更多个电流中的第一电流是正电流且所述两个或更多个电流中的第二电流是负电流；以及经由所述磁读转换器从所述连续磁记录介质读取所述三个或更多个磁状态以恢复所述数据。
63.示例10.根据示例9所述的数据存储装置，其中所述两个或更多个电流包括负电流、正电流以及零或近零电流。
64.示例11.根据示例10所述的数据存储装置，所述记录磁头包括辅助记录到所述记录介质的热源或微波源，所述控制器进一步被配置成经由所述热源或微波源中和对应于所述零或近零电流的磁状态。
65.示例12.根据示例9所述的数据存储装置，其中所述两个或更多个不同记录电流包括范围从最大正电流到最大负电流的三个或更多个电流，并且其中所述三个或更多个电流在所述范围内不相等地间隔开以考虑所述连续磁记录介质的磁滞。
66.示例13.根据示例9所述的数据存储装置，其中所述三个或更多个磁状态包括：正最大场，其对应于正最大电流；负最大场，其对应于负最大电流；以及中间场，其在所述正最大场与所述负最大场之间。
67.示例14.根据示例13所述的数据存储装置，其中所述中间场经由具有高于所述数据的频率的擦除频率的交流擦除电流来设置。
68.示例15.根据示例9所述的数据存储装置，其进一步包括输出两电平数字信号的两个或更多个前置放大器电路，所述数字信号被组合以产生所述两个或更多个电流。
69.示例16.根据示例9所述的数据存储装置，其中所述控制器进一步被配置成接收二进制数据并将所述二进制数据转换为每单位数据具有三个或更多个状态的流，所述每单位数据的所述三个或更多个状态各自对应于所述三个或更多个磁状态中的一个。
70.示例17.一种方法，其包括：将二进制数据流转换为每单位数据具有三个或更多个状态的数据流；经由两个或更多个不同记录电流将所述数据流记录到移动连续磁记录介质的区，使得每个区具有三个或更多个磁状态，所述磁状态中的每一个对应于每单位数据的所述三个或更多个状态中的一个；经由磁读转换器从所述连续磁记录介质读取所述三个或更多个磁状态以恢复所述数据流；以及将恢复的数据流转换为二进制输出流。
71.示例18.根据示例17所述的方法，其中所述两个或更多个不同记录电流包括范围从最大正电流到最大负电流的三个或更多个电流，并且其中所述三个或更多个电流在所述范围内不相等地间隔开以考虑所述连续磁记录介质的磁滞。
72.示例19.根据示例17所述的方法，其中所述三个或更多个磁状态包括：正最大场，其对应于正最大电流；负最大场，其对应于负最大电流；以及中间场，其在所述正最大场与所述负最大场之间。
73.示例20.根据示例19所述的方法，其中所述中间场经由具有高于数据频率的擦除
频率的交流擦除电流来设置。