一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法与流程

本发明属于读写方法，特别涉及一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法。

背景技术：

1、在一些嵌入式产品中，经常需要频繁对运行参数或配置参数进行存储与读取，但通常flash的读写次数仅为10万次，这对于产品运行寿命来说是一个很大的瓶颈；

2、传统的嵌入式产品中，对参数存储时，一般不同的参数是定义不同的基地址，在该地址进行存取操作，在存储时需要对该flash块进行擦除后再写入，但一般的flash寿命仅为10万次，假如每分钟需要对该参数进行读写，那么单块的flash可工作的时间为100000/(60*24)＝69天；

3、一般的读写均衡算法为，对每一块的读写次数进行存储，达到一定次数时(例如设置为9万次)，切换到下一块，如图2所示。但该传统方式的弊端在于，不同颗粒间的寿命可能不一致，因而导致该数据的丢失；当该存储值小于块的大小时，浪费存储空间；写入过程如果因外因断电，也会造成数据丢失，因此急需研发一种磨损均衡、能够大幅度的提高使用寿命、断电保存的应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法。

技术实现思路

1、(一)要解决的技术问题

2、为了克服上述传统方式的存在着不同颗粒间的寿命可能不一致，因而导致该数据的丢失；当该存储值小于块的大小时，浪费存储空间；写入过程如果因外因断电，也会造成数据丢失的缺陷，本发明提供一种磨损均衡、能够大幅度的提高使用寿命、断电保存的应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法。

3、(二)技术方案

4、本发明通过如下技术方案实现：本发明提出了一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法，所述读写方法具体步骤如下：

5、1)开始，从存储地址开始读取5个字节数，前后加上特定的帧头($)、帧尾(*)以及异或校验；

6、2)判断5字节是否全为oxff；

7、若不是全为oxff，包括以下步骤：

8、重新读地址一次，判断地址是否超出设置值，若是超出设置值，擦除该块数据，接着更新参数，判断地址a往后储存是否不超过设置的地址范围，若是超过，在地址a处写入新参数，直至结束，若不是超过，擦除该块数据，在起始地址写入，直至结束；若不是超出设置值，返回步骤1)重新开始；

9、若是全为oxff，包括以下步骤：

10、直接获取第一个oxff的地址a，判断地址a是否不为块起始地址；若是地址a为块起始地址，往后读取一组数据，即往后退存储参数的个数，直接判断是匹配帧结构以及校验，如果不匹配，便往下继续遍历，即读取地址继续往后，在判断地址a是否超出设置值，若不是超出设置，返回，重复上述往后读取一组数据，及其后续步骤；若是超出设置，擦除该块数据，接着更新参数，重复上述判断地址a往后储存是否不超过设置的地址范围及其后续步骤；

11、若是地址a不是块起始地址，直接更新参数，重复上述判断地址a往后储存是否不超过设置的地址范围及其后续步骤；

12、其中，设置值为系统设置的存储单元地址。

13、(三)有益效果

14、本发明相对于现有技术，具有以下有益效果：

15、本发明达到能够最大化的使用flash的块单元，仅在整个块写满后才擦除，达到磨损均衡的效果；即使在写入过程中外部断电，也仅仅丢失当前一次的写入结果，之前的结果仍然保留，达到断电保存的效果；且在系统设置的存储单元大小一定时，能够大幅度的提高使用寿命。

技术特征：

1.一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法，其特征在于：所述读写方法具体步骤如下：

技术总结
本发明属于读写方法技术领域，特别涉及一种应用于flash磨损均衡与掉电保存的读写方法，所述读写方法包括有将需要存储的数据，前后加上特定的帧头($)、帧尾(*)以及异或校验，在存储时，先遍历系统设置存储单元，找到值全为0xff的起始地址，从该地址开始写入，如果该地址超过系统设置的存储单元地址，那么擦除整个块，再从头写入等。本发明达到能够最大化的使用flash的块单元，仅在整个块写满后才擦除，达到磨损均衡的效果；即使在写入过程中外部断电，也仅仅丢失当前一次的写入结果，之前的结果仍然保留，达到断电保存的效果；且在系统设置的存储单元大小一定时，能够大幅度的提高使用寿命。

技术研发人员：张勇鹏,杨华炜,林仁杰
受保护的技术使用者：福建福大北斗通信科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13