数据读取方法、存储器以及设备与流程

1.本技术涉及计算机技术领域，尤其涉及一种数据读取方法、存储器以及设备。


背景技术：

2.相变存储器(phase-change memory，pcm)是一种利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的存储器，这种材料可以称作相变材料。由于相变材料的特性，在数据写入后读取电压将随时间发生漂移，此种情况下，通过相对稳定的读取电压对pcm进行数据读取，导致所读取的数据的准确性较低，进而使数据读取操作的失败率较高。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种数据读取方法、存储器以及设备，以期实现对pcm中存储的数据的准确读取。
4.第一方面，本技术实施例提供一种数据读取方法，该方法包括：根据对该存储区间的m次数据读取分别采用的读取电压，确定第一读取电压，该存储区间包括至少一个存储单元，所述m次数据读取为对所述存储区间的前i-1次数据读取中的部分或者全部，m小于i，m和i均为正整数；根据该第一读取电压，对该存储区间进行第i次数据读取。
5.第二方面，本技术实施例提供一种存储器，包括：处理模块，用于根据对该存储区间的m次数据读取分别采用的读取电压，确定第一读取电压，该存储区间包括至少一个存储单元，所述m次数据读取为对所述存储区间的前i-1次数据读取中的部分或者全部，m小于i，m和i均为正整数；存储模块，用于根据该第一读取电压，对该存储区间进行第i次数据读取。
6.第三方面，本技术实施例提供一种电子设备，包括：存储器，该存储器包括执行第一方面的方法的模块。
7.第四方面，本技术实施例提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当处理器执行该计算机执行指令时，实现如第一方面提供的方法。
8.第五方面，本技术实施例提供一种计算机程序产品，包括计算机指令，该计算机指令被处理器执行时实现第一方面提供的方法。
9.在本技术实施例中，基于对存储区间第i次数据读取之前的m次数据读取分别采用的读取电压，确定第i次数据读取的读取电压，实现对第i次数据读取的读取电压的预测，避免在每次数据读取时总是采用固定的读取电压，导致数据读取失败，提高了数据读取的准确性。
附图说明
10.图1为本技术实施例提供的一种存储器的框架示意图；
11.图2为本技术实施例提供的一种应用场景示意图；
12.图3为本技术实施例提供的一种数据读取方法的流程示意图；
13.图4为本技术实施例提供的另一种数据读取方法的流程示意图。
具体实施方式
14.图1为本技术实施例提供的一种存储器100的框架示意图。如图1所示，存储器100可以包括：处理模块110、存储模块120和输入输出模块130。处理模块110、存储模块120和输入输出模块130之间可以互相连接。
15.存储模块120可以包括电控制单元121、多个存储单元(cell)(122-1至122-n)和读取单元123。其中，多个存储单元(122-1至122-n)可以形成存储阵列，存储单元(如122-1至122-n中的任意一个)或者称作存储器单元，可以是存储信息的电子电路，可以用于存储二进制信息的一个或者多个位(bit)，且具有与所存储的位相关的各种逻辑状态。逻辑状态可以由二进制值(如“0”和“1”)或这些值的组合表示。
16.如图1所示，存储单元(如122-1)中可以包括上电极1221、相变材料1222、电阻1223和下电极1224。在存储单元(如122-1)通过上电极1221和下电极1224提供写入脉冲信号，电阻1223在写入脉冲信号的作用下存在温度变化，从而改变与其一端接触的相变材料的温度。
17.上述写入脉冲信号可以包括重置(reset)脉冲和置位(set)脉冲。在reset脉冲作用下，电阻1223温度升高，使相变材料温度升高至其熔点，在reset脉冲的下降时间内电阻1223温度下降淬火形成非晶态，当相变材料处于非晶态时，该相变材料的状态可以称为reset状态，存储单元中对应位上的逻辑状态为“0”；在set脉冲作用下，电阻1223温度升高，使相变材料的温度上升至高于结晶温度且低于熔点温度，使相变材料形成晶态，此时相变材料的状态可以称为set状态，存储单元中对应位上的逻辑状态为“1”。
18.基于此，对存储单元(如122-1)施加读取电压后，读取单元123可以通过检测存储单元中相变材料的阻值(或者说相变材料两端的电压)，确定对应位上的逻辑状态，进而实现对存储单元的数据读取。
19.需要说明的是，下文中的存储区间可以包括至少一个上述存储单元，每个存储区间内的存储单元上可以施加相同的读取电压。示例性的，存储器可以是一或多个裸片的封装，每个裸片包含一或多个平面，每个平面可以包含一组物理块，每个物理块可以包含一组连续或不连续的存储器页，物理块可以为存储器的最小可擦除单元，存储器页可以为存储器的最小可写入单元。每一存储器页可以包含一组存储器单元。接续上述示例，存储区间可以是存储器中的一个或多个裸片，一个或多个平面，一个或多个物理块，一个或多个存储器页，或者一个存储器页中的一行存储器单元、一列存储器单元等等，本技术对此不做限定。存储单元还可以是单元区间(row)。
20.还应理解，多个存储单元(122-1至122-n)可以均为结构相同的存储单元，或者为至少部分结构相同的存储单元，或者结构均不同的存储单元本申对此不做限定。一般来说，同一存储区间内的存储单元结构相同，例如存储区间12中的存储单元(122-1至122-m)均为结构相同的存储单元，例如，均与存储单元122-1具有相同的结构。
21.参见图1，电控制单元121可以实现为一种电子电路，并与多个存储单元(122-1至122-n)电连接，用于为各存储单元提供电压以驱动读取一个或多个存储单元的数据或者向
一个或者多个存储单元写入数据。
22.参见图1，输入输出模块130可以用于接收外部器件的数据读取指令或数据写入指令，以根据数据读取指令对存储单元进行数据读取，根据数据写入指令对存储单元进行数据写入；输入输出模块130还可以向外部器件发送读取的数据。
23.参见图1，处理模块110可以在接收到数据读取指令后，控制存储器中的部件进行数据读取，例如向电控制单元121发送数据读取的控制指令，以使电控制单元121提供电压驱动读取存储区间内的数据；处理模块110还可以在接收到数据写入指令后，控制存储器中的部件进行数据写入，例如向电控制单元121发送数据写入的控制指令，以使电控制单元121提供写入脉冲信号，向存储区间内写入数据。
24.由于相变材料的阻值与温度相关，因此，温度不同时，相变材料的阻值不同，而在写入脉冲信号的作用下进行数据写入后，相变材料的温度随时间变化而变化，例如在写入脉冲信号作用下相变材料温度升高使得相变材料形成晶态或者非晶态后，逐渐降温，相应的，相变材料的阻值随着温度的降低而降低，这种变化也称作阻值漂移，相应的，阻值的降低使得相变材料两端的电压值降低，因此这种变化也称作电压漂移。此种情况下，通过对存储单元施加固定的读取电压时，相变材料的电压漂移会导致读取的信息翻转(如将逻辑状态“0”读取为逻辑状态“1”，或者将逻辑状态“1”读取为逻辑状态“0”)，进而使得读取的数据的准确性较低。
25.为了提高数据读取的准确性，本技术提供一种读取电压的控制方案，基于对存储区间第i次数据读取之前的m次数据读取所采用的读取电压，确定第i次数据读取的读取电压，实现对第i次数据读取的读取电压的预测，避免在每次数据读取时总是采用固定的读取电压，导致数据读取失败，提高了数据读取的准确性。
26.为了实现本技术的读取电压的控制方案，图1中的处理模块110可以用于确定驱动各存储区间的第一读取电压，并向所连接的存储区间输出对应的第一读取电压，以实现对存储区间中的数据的准确读取。
27.处理模块110可以实现为存储器100中处理芯片，通过运行存储的程序，执行本技术实施例中的数据读取方法，以对存储器100进行数据读取。
28.本技术实施例还提供一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括：计算机程序代码，当该计算机程序代码在计算机上运行时，使得该处理模块110执行上述方法实施例中的数据读取方法以对存储器100进行数据读取。
29.应理解，该计算机程序代码可以保存于上述存储器100，或者其他存储器中，或者存储于存储器100中的不具备相变材料的存储单元。
30.当然，本技术并不限定确定第一读取电压的处理模块部署于存储器，例如处理模块可以独立于存储器100进行部署，或者说，第一读取电压可以由存储器100之外的处理器确定。
31.图2为本技术实施例提供的一种应用场景示意图。如图2所示，电子设备10中部署有上述存储器100。可选的，电子设备10中还部署有处理器200。
32.处理器200和存储器100之间可以通过内部连接通路互相通信，传递控制和/或数据信号。例如，处理器200可以向存储器100发送数据读取指令或者数据写入指令；又例如，处理器200可以接收存储器100发送的数据读取结果或者数据写入结果。
33.该处理器200还可以部署有图1中的处理模块110，用于确定存储器100中各存储区间的第一读取电压。处理器200可以通过运行存储的程序，执行本技术实施例中的数据读取方法，以对存储器100进行数据读取。
34.本技术实施例还提供一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括：计算机程序代码，当该计算机程序代码在计算机上运行时，使得该处理器200执行上述方法实施例中的数据读取方法以对存储器100进行数据读取。
35.应理解，该计算机程序代码可以保存于存储器100，或者其他存储器中，或者存储于存储器100中的不具备相变材料的存储单元。本技术对存储计算机程序代码的存储器不作限定，可以包括但不限于易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(read-only memory，rom)、可编程只读存储器(programmable rom，prom)、可擦除可编程只读存储器(erasable prom，eprom)、电可擦除可编程只读存储器(electrically eprom，eeprom)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(random access memory，ram)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的ram可用，例如静态随机存取存储器(static ram，sram)、动态随机存取存储器(dynamic ram，dram)、同步动态随机存取存储器(synchronous dram，sdram)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(double data rate sdram，ddr sdram)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced sdram，esdram)、同步连接动态随机存取存储器(synchlink dram，sldram)和直接内存总线随机存取存储器(direct rambus ram，dr ram)。应注意，本文描述的系统和方法的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
36.应理解，上述处理器可以是一个或多个芯片。例如，该处理器可以是现场可编程门阵列(field programmable gate array，fpga)，可以是专用集成芯片(application specific integrated circuit，asic)，还可以是系统芯片(system on chip，soc)，还可以是处理器(central processor unit，cpu)，还可以是网络处理器(network processor，np)，还可以是数字信号处理电路(digital signal processor，dsp)，还可以是微控制器(micro controller unit，mcu)，还可以是可编程控制器(programmable logic device，pld)或其他集成芯片。
37.该电子设备10可以实现为任意终端设备，例如普通计算机pc、手机(mobile phone)、平板电脑(pad)、智能可穿戴设备、带无线收发功能的电脑、虚拟现实(virtual reality，vr)终端设备、增强现实(augmented reality，ar)终端设备、工业控制(industrial control)中的无线终端、无人驾驶(self driving)中的无线终端、远程手术(remote medical surgery)中的无线终端、智能电网(smart grid)中的无线终端、运输安全(transportation safety)中的无线终端、智慧城市(smart city)中的无线终端、智慧家庭(smart home)中的无线终端等。
38.电子设备10还可以实现为普通服务器、服务器集群，或者云端服务器、服务器集群。
39.本技术中的模块或单元的划分仅为一种示例而非限制性的说明，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或模块可以结合或者可以集成到另一个系统。
40.需要说明的是，本技术实施例中的存储器(如图1或图2中的存储器100)可以是包
括具有相变材料的存储单元(如图1中的122-1)的存储器，或者可以是任意存在电压漂移特性的存储器，本技术对此不做限定。
41.下面结合附图对本技术实施例提供的数据读取方法做详细说明。
42.下文为便于理解，本技术实施例以存储器(如图1和图2中的100)中的处理模块和存储模块为执行主体为例详细说明本技术实施例所提供的方法。本技术实施例提供的数据读取方法的执行主体还可以是电子设备(如图2中的电子设备10)。
43.图3为本技术实施例提供的一种数据读取方法的流程示意图。如图3所示，该方法300包括：
44.s310，根据对存储区间的m次数据读取分别采用的读取电压，确定第一读取电压，该存储区间包括至少一个存储单元，所述m次数据读取为对所述存储区间的前i-1次数据读取中的部分或者全部，m小于i，m和i均为正整数；
45.s320，根据第一读取电压，对存储区间进行第i次数据读取。
46.需要说明的是，处理模块可以响应于接收到的数据读取指令，执行上述s310的确定第一读取电压的过程；或者处理模块可以在第i-1次数据读取之后执行上述s310的确定第一读取电压的过程，存储模块可以响应于接收到的数据读取指令，执行上述第i次数据读取。
47.数据读取指令可以是处理器200生成的。例如，在用户通过电子设备进行人机交互时，需要对存储器中的数据进行读取，电子设备10中的处理器200可以生成数据读取指令，该数据读取指令可以包括存储区间的访问地址，处理器200向存储器发送该数据读取指令，存储器中的处理模块根据该数据读取指令实现对对应的存储区间的第i次数据读取。
48.如前所述，上述确定第一读取电压的过程还可以由电子设备中的处理器实现，处理器可以生成数据读取指令，且该数据读取指令中包括第一读取电压，处理器将数据读取指令发送给存储器，以实现对存储区间中的第i次数据读取。
49.应理解，本技术实施例中需要对存储区间的数据读取次数进行累加以及记录，以便于记录每次数据读取所采用的读取电压。在s310执行之前，可以先对读取次数进行初始化，例如可以在存储区间进行数据写入之后对读取次数进行初始化，或者响应于用户的操作对读取数据进行初始化，或者对读取数据进行周期性的初始化，本技术对此不作限定。且依据读取数据初始化的阶段不同，下文中i次数据读取过程中所读取的存储区间中的数据可以相同也可以不同，例如在每次数据写入时执行读取次数的初始化，则i次数据读取过程中存储区间中的数据相同，又例如，在读取次数的初始化之后还执行了多次不同数据的写入，则i次数据读取过程中存储区间中的数据不同。
50.在上述s310中，处理模块可以基于前i-1次数据读取中的m次数据读取时采用的读取电压，对第i次数据读取采用的读取电压(如第一读取电压)进行预测。一般而言，m次数据读取可以是距离第i次数据读取最近的m次，例如m次数据读取可以是第i-m至i-1次数据读取，这样可以提高对第一读取电压预测的准确性。当然本技术并不对此进行限定，也即m次数据读取可以是前i-1次数据读取中的任意m次，例如为了节省存储空间，可以间隔性记录读取电压，如每2次数据读取记录一次读取电压。可选的，m等于7。可选的，m次数据读取所采用的电压可以记录在数据表中，当有新的数据读取操作时，可以将新的读取操作所采用的读取电压更新于该数据表中。数据表可以仅保存最近的m次数据读取所采用的读取电压。
51.在第一种示例性中，处理模块可以根据m次数据读取所采用的读取电压中的第m次数据读取(即m次数据读取中距离第i次数据读取最近的一次)所采用的读取电压，确定第一读取电压。例如将第m次数据读取所采用的读取电压作为第一读取电压，或者将m次数据读取所采用的读取电压与预设电压偏移量之和作为第一读取电压。
52.在第二种示例中，处理模块可以根据m次数据读取所采用的读取电压中采用次数最多的读取电压，确定第一读取电压，例如将采用次数最多的读取电压作为第一读取电压，或者将采用次数最多的读取电压与预设电压偏移量之和作为第一读取电压。
53.在第三种示例中，处理模块可以根据m次数据读取所采用的读取电压进行计算，确定第一读取电压，例如对m次数据读取所采用的读取电压进行均值计算、方差计算等，将计算结果作为第一读取电压，或者将计算结果与预设电压偏移量之和作为第一读取电压。
54.上述预设电压偏移量与存储单元中相变材料的电压漂移参数相关，电压漂移参数指示相变材料随时间变化的电压漂移较大，则预设电压偏移量较大，电压漂移参数指示相变材料随时间变化的电压漂移较小，则预设电压偏移量较小。
55.上述第一种示例，可以节省计算资源，并具有较高的处理效率。第一种示例尤其适用于数据读取频繁的场景，在对存储区间进行数据读取较为频繁时，第i次数据读取与第m次数据读取之间间隔的时间越短，电压漂移量越小，此种情况下，第i次数据读取采用与第m次数据读取相同或者相近(相差预设电压偏移量)的读取电压，成功读取数据的概率更高。
56.上述第二种示例，适用于数据读取的时间规律的场景，例如数据读取的时间距离数据写入(包括因存储器刷新而重新写入)的时间基本处于同一时间区间内，第一数据电压与m次数据读取中采用次数最多的读取电压，成功读取数据的概率更高。
57.上述第三种示例，适用于数据读取的时间缺乏规律或者一些复杂的场景，通过m次数据读取计算得到的均值或者方差等，将更加容易提高第i次数据读取的准确性，或者说提高数据读取的成功率。
58.需要说明的是，pcm介质的阻值累计漂移可能导致信息发生反转，因此需要进行刷新操作。刷新操作是指对存储单元进行重新刷新写入的过程，将存储单元中快要失效的数据重新保存一次，从而维持其存储状态。pcm的刷新操作可以是周期性执行的。
59.在上述s320中，处理模块可以将第一读取电压发送至存储模块，或者处理模块将第一读取电压携带于数据读取的控制信令中，并将该控制信令发送至存储模块，使存储模块可以采用第一读取电压进行第i次数据读取，以读取得到存储区间内存储的数据。例如，存储模块中的电控制单元接收到第一读取电压或者携带第一读取电压的控制信令后，将第一读取电压输出至存储区间中的各存储单元，各存储单元施加该第一读取电压后，读取单元对相变材料的阻值(或者相变材料两端的电压值)进行检测，得到读取结果，进而将读取结果通过输入输出模块输出。
60.本技术实施例基于对存储区间的前i次数据读取过程中m次数据读取所采用的读取电压，对第i次数据读取的第一读取电压进行预测。预测得到的第一读取电压可以更好的避免对存储区间的第i次数据读取过程中，电压漂移对数据读取的准确性的影响，从一个角度来说，可以实现在第i次数据读取过程中得到准确的数据读取结果；从另一个角度来说，在第i次数据读取过程中，通过第一读取电压成功读取数据，避免调整读取电压，提高了数据读取的效率。
61.考虑到读取电压与存储器刷新操作而重新写入数据的时间关系，可以将存储区间(也即存储器)的刷新周期进行时间区间的划分，得到n个时间区间，并基于每个时间区间和存储区间的电压漂移参数确定该时间区间对应的备选读取电压，因n个时间区间覆盖了存储器的刷新周期，因此从n个时间区间分别对应的n个备选读取电压中可以确定出适应于第i次数据读取时的电压漂移量的第一读取电压，提高了确定第一读取电压的处理效率。
62.举例而言，假设存储器的刷新周期为48小时(h)，存储器的刷新周期例如可以划分为3个时间区间可以包括：第1个时间区间(0,1ms]、第2个时间区间(1ms,100ms]、第3个时间区间(100ms,48h]。可以对该存储器的实验数据或者历史使用记录，基于统计学方式得到每个时间区间成功数据读取过程采用读取电压作为该时间区间对应的备选读取电压。该3个备选读取电压中的一个将可以在第i次数据读取中对存储区间中的数据进行准确的读取。
63.下面结合图4对如何基于n个时间区间确定第一读取电压进行示例性的说明。
64.图4为本技术实施例提供的另一种数据读取方法的流程示意图。如图4所示，该方法400包括：
65.s410，确定第一读取电压；
66.s420，根据第一读取电压，对存储区间进行第i次数据读取；
67.s430，对第i次数据读取的结果进行校验；
68.第i次数据读取的结果校验通过，执行如下s440；第i次数据读取结果校验失败，执行如下s450。
69.s440，结束该第i次数据读取过程；
70.s450，从n个备选读取电压中确定一个备选读取电压，并将该一个备选读取电压作为第一读取电压，重复上述s420至s450，直至第i次数据读取的结果校验通过，结束第i次数据读取过程。应理解，在对存储区间的第i次数据读取每次执行过程中，所采用的第一读取电压均不相同，也即每次数据读取结果校验失败后确定的备选读取电压均为n个备选读取电压中的不同备选读取电压。
71.在上述s410中，可以通过以下几种可能的实现方式确定第一读取电压：
72.实现方式一：处理模块可以根据对存储区间的m次数据读取所采用的读取电压，确定第一读取电压。与图3中的s310类似的，处理模块可以基于前述第一种示例至第三种示例中的任意一种示例，确定第一读取电压。此种实施方式一中，不限定第一读取电压属于n个备选读取电压。
73.实现方式二：处理模块可以根据对存储区间的m次数据读取所采用的读取电压，从n个备选读取电压中确定第一读取电压。
74.在上述实现方式二中，m次数据读取所采用的读取电压可以均包括于n个备选读取电压。此种情况下，处理模块可以将m次数据读取中第m次数据读取所采用的读取电压，确定为第一读取电压；或者处理模块可以将m次数据读取中采用次数最多的读取电压，确定为第一读取电压。
75.在上述实现方式二中，m次数据读取所采用的读取电压中的至少部分读取电压未包括于上述n个备选读取电压。此种情况下，处理模块可以根据对存储区间的m次数据读取所采用的读取电压，确定电压预测值，并根据电压预测值，从n个备选读取电压中确定第一读取电压。
76.示例性的，处理模块可以将m次数据读取中第m次数据读取所采用的读取电压，确定为电压预测值；或者，处理模块可以将m次数据读取中采用次数最多的读取电压，确定为电压预测值；或者，处理模块可以根据m次数据读取所采用的读取电压进行计算得到电压预测值，例如计算m次数据读取所采用的读取电压的均值或者方差等，并将计算得到的均值或者方差确定为电压预测值。
77.接续上述示例，处理模块根据确定的电压预测值，可以从n个备选读取电压中将与该电压预测值之差最小的备选读取电压，确定为第一读取电压。
78.实现方式三：第一读取电压可以是预设的默认读取电压。此种情况下，处理器不需要对第i次数据读取所采用的第一读取电压进行预测。该实现方式三可以适用于历史读取次数较低的场景中，例如对存储区间的第1次数据读取至第m次数据读取时，可以采用默认读取电压进行数据读取。
79.该默认读取电压可以是针对具体应用场景的数据读写特征，基于实验或者测试方式确定的最高概率的初始化默认读取电压。可选的，默认的读取电压可以属于n个备选读取电压。
80.上述s420与图3中的s320相同或者相似，此处不再赘述。
81.在上述s430中，存储器中的误差校正码(error correcting code，ecc)模块可以对第i次数据读取的结果进行校验，确定第i次数据读取的结果是否准确。第i次数据读取的结果不存在误差时，校验通过；第i次数据读取的结果存在误差时，校验失败。
82.当上述s430对第i次数据读取的结果检验失败时，处理模块可以将n个备选读取电压中的部分或者全部备选读取电压作为第一读取电压，依次进行第i次数据读取，直至第i次数据读取的结果校验通过时，结束第i次数据读取过程。
83.上述s410确定的第一读取电压不属于n个备选读取电压，例如在上述实现方式一或者上述实现方式三中默认读取电压不属于n个备选读取电压的情况下，s450中，处理模块可以根据n个备选读取电压依次进行第i次数据读取，直至第i次数据读取的结果校验通过。
84.处理模块可以按照备选读取电压与s430中确定的第一读取电压之间的差值由小到大的顺序，依次根据n个备选读取电压进行第i次数据读取。
85.上述s410确定的第一读取电压属于n个备选读取电压，例如在上述实现方式二或者尚书省实现方式三中默认读取电压属于n个备选读取电压的情况下，s450中，处理模块可以根据n个备选读取电压中除s410确定的第一读取电压之外的n-1个备选读取电压依次进行第i次数据读取，直至第i次数据读取的结果校验通过。
86.处理模块可以按照备选读取电压与s430中确定的第一读取电压之间的差值由小到大的顺序，依次根据除s410中确定的第一读取电压之外的n-1个备选读取电压进行第i次数据读取。
87.在一些实施例中，在第i次数据读取的结果校验通过后，存储器可以保存第i次数据读取采用的读取电压。例如，处理模块可以向电控制单元发送数据写入的控制指令，电控制单元可以根据该控制指令将第i次数据读取采用的读取电压写入静态随机存取存储器(static random access memory，sram)，且将第i次数据读取采用的读取电压写入动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)的数据表中，使数据表更新保存包括第i次数据读取在内的最近m次数据读取所采用的读取电压。
88.本技术实施例提供的方法，为最终确定的第一读取电压提供可供选择的n个备选电压，可以在基于预测的第一读取数据进行第i次数据读取，读取失败(也即对第i次数据读取的结果校验失败)时，从n个备选读取电压中选择备选读取电压，并再次进行第i次数据读取，且每个备选读取电压可以适用于刷新周期内的一个时间区间，n个时间区间可以覆盖刷新周期，那么从备选读取电压中一定可以确定出满足第i次数据读取的电压漂移量的备选读取电压，降低了读取电压调整的次数，提高了数据读取效率。
89.需要说明的是，上述实施例中所述的模块或部件可以是被配置成实施以上方法的一个或多个集成电路，例如：一个或多个专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)，或，一个或多个微处理器(digital signal processor，dsp)，或，一个或者多个现场可编程门阵列(field programmable gate array，fpga)等。再如，当以上某个模块通过处理元件调度程序代码的形式实现时，该处理元件可以是通用处理器，例如cpu或其它可以调用程序代码的处理器如控制器。再如，这些模块可以集成在一起，以片上系统(system-on-a-chip，soc)的形式实现。
90.在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本技术实施例的流程或功能。计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(dsl))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，dvd)、或者半导体介质(例如固态硬盘solid state disk(ssd))等。
91.本文中的术语“多个”是指两个或两个以上。本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系；在公式中，字符“/”，表示前后关联对象是一种“相除”的关系。另外，需要理解的是，在本技术的描述中，“第一”、“第二”等词汇，仅用于区分描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，也不能理解为指示或暗示顺序。
92.可以理解的是，在本技术的实施例中涉及的各种数字编号仅为描述方便进行的区分，并不用来限制本技术的实施例的范围。
93.可以理解的是，在本技术的实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术的实施例的实施过程构成任何限定。