存储器装置、其操作方法和包括其的存储装置与流程

本公开的各种实施方式总体上涉及半导体装置，更具体地，涉及一种与编程操作有关的存储器装置和包括该存储器装置的存储装置。

背景技术：

1、存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的半导体装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储控制器。

2、存储器装置可包括非易失性存储器装置。非易失性存储器装置可以是即使当供电中断时也保留所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)和闪存。

3、此外，存储器装置可在编程操作期间从存储控制器接收多个数据比特。这里，由于依次接收多个数据比特，所以编程操作所需的时间可包括接收多个数据比特所需的时间。

技术实现思路

1、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：从存储控制器接收要存储在多个存储器单元中的每一个中的多个数据比特当中的第一数据比特；基于第一数据比特对多个存储器单元执行编程电压施加操作；以及在执行编程电压施加操作时从存储控制器接收多个数据比特当中的第二数据比特。

2、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：从存储控制器接收要存储在多个存储器单元中的每一个中的多个数据比特当中的第一数据比特；在接收到第一数据比特之后，从存储控制器接收要存储在多个存储器单元中的每一个中的多个数据比特当中的第二数据比特；基于第一数据比特和第二数据比特对多个存储器单元执行编程电压施加操作；以及在执行编程电压施加操作时从存储控制器接收多个数据比特当中的第三数据比特。

3、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：多个存储器单元，各个存储器单元被配置为存储多个数据比特；外围电路，其被配置为对多个存储器单元执行多个编程循环；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路从存储控制器接收多个数据比特当中的一个或更多个数据比特，基于一个或更多个数据比特执行多个编程循环当中的第一编程循环，并且在执行第一编程循环时，从存储控制器接收多个数据比特当中的所述一个或更多个数据比特以外的剩余数据比特。

4、本公开的实施方式可提供一种存储装置。该存储装置可包括：存储器装置，其包括多个存储器单元；以及存储控制器，其被配置为向存储器装置发送用于多个存储器单元的编程命令、地址和第一数据比特，并且在存储器装置响应于编程命令将第一数据比特编程到多个存储器单元当中的与所述地址对应的存储器单元时向存储器装置发送第二数据比特。

技术特征：

1.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述编程电压施加操作的步骤包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述编程电压施加操作的步骤还包括以下步骤：

4.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

5.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

6.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的方法，该方法还包括以下步骤：

9.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

10.一种存储器装置，该存储器装置包括：

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述外围电路包括：

12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述外围电路包括：

13.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述外围电路包括：

14.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路基于所述多个数据比特执行所述多个编程循环当中的所述第一编程循环以外的剩余编程循环。

15.一种存储装置，该存储装置包括：

16.根据权利要求15所述的存储装置，其中，所述存储器装置将所述第一数据比特存储到页缓冲器组，并且此后向所述存储控制器发送就绪信号。

17.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述存储控制器从所述存储器装置接收所述就绪信号，并且此后向所述存储器装置发送所述第二数据比特。

18.根据权利要求15所述的存储装置，其中，所述存储器装置接收所述第二数据比特，并且此后将所述第一数据比特和所述第二数据比特编程到与所述地址对应的存储器单元。

技术总结
本申请涉及存储器装置、其操作方法和包括其的存储装置。本文提供了一种用于执行编程操作的存储器装置、操作该存储器装置的方法和具有该存储器装置的存储装置。操作存储器装置的该方法包括以下步骤：从存储控制器接收要存储在多个存储器单元中的每一个中的多个数据比特当中的第一数据比特；基于第一数据比特对多个存储器单元执行编程电压施加操作；以及在执行编程电压施加操作时，从存储控制器接收多个数据比特当中的第二数据比特。

技术研发人员：崔亨进,高贵韩,朴赞植
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/16