存储器装置及操作存储器装置的方法与流程

本公开的各种实施方式涉及电子装置，并且更具体地，涉及与验证处于擦除状态的存储器单元相关的存储器装置及操作存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器系统是在诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据的装置。存储器系统可以包括其中存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置可以是即使当供电中断时也保留所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例可以包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)和闪存。

3、编程操作是增加非易失性存储器装置中包括的存储器单元的阈值电压的操作。相应存储器单元的阈值电压的增加程度可以依据要存储在相应存储器单元中的各条数据而彼此不同。在编程操作期间，当任意一个存储器单元的阈值电压已经增加到与其中要存储的数据相对应的阈值电压时，在增加附加存储器单元的阈值电压时，不改变该一个存储器单元的阈值电压。然而，由于该一个存储器单元的阈值电压在增加附加存储器单元的阈值电压时也受到影响，因此该一个存储器单元中存储的数据的可靠性可以在该一个存储器单元的阈值电压的变化严重时降低。

技术实现思路

1、本公开的实施方式可以提供一种存储器装置。该存储器装置可以包括：存储器单元，其联接到字线；外围电路，其被配置为执行将存储器单元的阈值电压增加到与多个编程状态当中的目标编程状态相对应的阈值电压的编程操作；以及编程操作控制器，其被配置为在编程操作被执行之后，依据向字线施加的编程电压的幅度来确定是否执行识别存储器单元当中将擦除状态作为目标编程状态的擦除单元的阈值电压的擦除状态验证操作。

2、本公开的实施方式可以提供一种操作存储器装置的方法。该方法可以包括：执行将存储器单元的阈值电压增加到与多个编程状态当中的目标编程状态相对应的阈值电压的编程操作；以及依据向联接到存储器单元的字线施加的编程电压的幅度，确定是否执行识别存储器单元当中将擦除状态作为目标编程状态的擦除单元的阈值电压的擦除状态验证操作。

3、本公开的实施方式可以提供一种存储器装置。该存储器装置可以包括：存储器单元，其联接到字线；外围电路，其被配置为执行通过执行多个编程循环将存储器单元的阈值电压增加到与多个编程状态当中的目标编程状态相对应的阈值电压的编程操作；以及编程操作控制器，其被配置为依据多个编程循环已经被执行的次数来确定是否执行识别存储器单元当中将擦除状态作为目标编程状态的擦除单元的阈值电压的擦除状态验证操作。

4、本公开的实施方式可以提供一种操作存储器装置的方法。该方法可以包括：执行通过执行多个编程循环将存储器单元的阈值电压增加到与多个编程状态当中的目标编程状态相对应的阈值电压的编程操作；以及依据已经向联接到存储器单元的字线施加多个编程循环的次数，来确定是否执行识别存储器单元当中将擦除状态作为目标编程状态的擦除单元的阈值电压的擦除状态验证操作。

技术特征：

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器基于将所述编程电压的幅度与所述参考电压的幅度进行比较的结果来确定是否执行所述擦除状态验证操作。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在所述编程电压的幅度大于所述参考电压的幅度时，控制所述外围电路以执行所述擦除状态验证操作。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在针对所述多个编程状态当中具有最高阈值电压的编程状态的验证操作已经通过时，确定是否执行所述擦除状态验证操作。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述擦除状态验证操作是使用比对所述存储器单元的验证操作所使用的验证电压低的擦除状态验证电压来识别所述擦除单元的阈值电压的操作。

8.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器基于所述擦除单元当中阈值电压高于擦除状态验证电压的截止单元的数量来确定所述擦除状态验证操作是否已经通过。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在所述截止单元的数量大于截止单元的参考数量时，确定所述擦除状态验证操作已经失败。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在所述截止单元的数量大于导通单元的数量时，确定所述擦除状态验证操作已经失败，并且

11.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在所述截止单元的数量比导通单元的数量大参考数量时，确定所述擦除状态验证操作已经失败，所述参考数量大于1，并且

12.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在所述擦除状态验证操作已经失败时，控制所述外围电路以对除了所述存储器单元之外的附加存储器单元重新执行所述编程操作。

13.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，基于将所述编程电压的幅度与参考电压的幅度进行比较的结果来确定是否执行所述擦除状态验证操作。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述编程电压的幅度大于所述参考电压的幅度时，执行所述擦除状态验证操作。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，在针对所述多个编程状态中的每一个的验证操作已经通过时，确定是否执行所述擦除状态验证操作。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述擦除状态验证操作是使用擦除状态验证电压来识别所述擦除单元的阈值电压的操作。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，基于所述擦除单元当中阈值电压高于擦除状态验证电压的截止单元的数量来确定所述擦除状态验证操作是否已经通过。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述截止单元的数量大于截止单元的参考数量时，所述擦除状态验证操作失败。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，当所述截止单元的数量小于或等于截止单元的参考数量时，所述擦除状态验证操作通过。

技术总结
本文提供了存储器装置及操作存储器装置的方法。存储器装置包括：存储器单元，其联接到字线；外围电路，其被配置为执行将存储器单元的阈值电压增加到与多个编程状态当中的目标编程状态相对应的阈值电压的编程操作；以及编程操作控制器，其被配置为确定是否执行识别存储器单元当中将擦除状态作为目标编程状态的擦除单元的阈值电压的擦除状态验证操作。

技术研发人员：崔亨进,朴赞植
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/12