应用于DRAM控制器的内存刷新控制方法和装置与流程

本申请涉及存储器，尤其涉及一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法和装置。

背景技术：

1、在dram(dynamic random access memory，动态随机存取存储器)颗粒中，刷新(refresh)起着至关重要的作用。由于dram是依靠电容保存数据，而电容会随着时间的推移而逐渐失去电荷，因此需要定期刷新以重新充电。刷新是指通过读取存储在dram中的每个数据位，并将其重新写入，通过刷新不仅可确保数据的持久性，还能提高存储器的可靠性和访问速度。

2、现有技术会通过dram控制器周期性地向dram发送刷新指令以控制dram定时刷新。但在发送刷新指令后有一段时间是不能对dram进行任何访问的，因此现有的刷新策略会打断对dram的访问，因此会影响dram的工作效率。

技术实现思路

1、本申请提供一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法和装置，能够最大限度避免刷新操作对dram访问的影响，进而提高dram的工作效率。

2、本申请提供一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法，所述方法包括：

3、基于目标dram对应的刷新周期确定常规刷新操作对应的时间节点；

4、基于常规刷新操作对应的时间节点，根据第一刷新策略向目标dram发送刷新指令；

5、在延迟未执行的刷新操作的实时数量达到预设上限值的情况下，基于第二刷新策略向目标dram发送刷新指令。

6、根据本申请提供的一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法，所述方法还包括：

7、在基于第二刷新策略向目标dram发送刷新指令的过程中，若延迟未执行的刷新操作的实时数量低于预设下限值，则根据第一刷新策略向目标dram发送刷新指令。

8、根据本申请提供的一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法，所述根据第一刷新策略向目标dram发送刷新指令，具体包括：

9、步骤s1，判断当前时刻是否为常规刷新操作对应的时间节点，若是，跳转执行步骤s4；否则执行步骤s2；

10、步骤s2，判断当前时刻是否存在延迟未执行的刷新操作，若是，执行步骤s3，否则，跳转执行步骤s1；

11、步骤s3，判断下一常规刷新操作对应的时间节点到来之前目标dram是否处于空闲状态，若是，执行步骤s7；否则，跳转执行步骤s1；

12、步骤s4，判断当前时刻目标dram是否处于空闲状态，若是，执行步骤s5，否则，执行步骤s6；

13、步骤s5，向目标dram发送常规刷新操作对应的刷新指令，并跳转执行步骤s1；

14、步骤s6，不向目标dram发送常规刷新操作对应的刷新指令，并跳转执行步骤s1；

15、步骤s7，向目标dram发送延迟未执行的刷新操作对应的刷新指令，并跳转执行步骤s1。

16、根据本申请提供的一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法，所述基于第二刷新策略向目标dram发送刷新指令，具体包括：

17、中断目标dram的访问过程，并向目标dram发送延迟未执行的刷新操作对应的刷新指令。

18、根据本申请提供的一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法，所述向目标dram发送延迟未执行的刷新操作对应的刷新指令，具体包括：

19、基于当前延迟未执行的刷新操作的数量，确定待发送的刷新指令的目标数量；

20、以目标dram的最小刷新周期为间隔，向目标dram连续发送目标数量的刷新指令。

21、根据本申请提供的一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法，所述延迟未执行的刷新操作的数量是基于实时更新的延迟未执行的刷新操作的计数值确定的。

22、根据本申请提供的一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法，所述计数值在以下情形出现时加1：

23、常规刷新操作对应的时间节点，内存控制器未向目标dram发送刷新指令；

24、所述计数值在以下情形出现时减1：

25、非常规刷新操作对应的时间节点，内存控制器向目标dram发送了一个刷新指令。

26、本申请还提供一种应用于dram控制器的内存刷新控制装置，所述装置包括：

27、刷新节点确定模块，用于基于目标dram对应的刷新周期确定常规刷新操作对应的时间节点；

28、第一刷新控制模块，用于基于常规刷新操作对应的时间节点，根据第一刷新策略向目标dram发送刷新指令；

29、第二刷新控制模块，用于在延迟未执行的刷新操作的实时数量达到预设上限值的情况下，基于第二刷新策略向目标dram发送刷新指令。

30、本申请还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如前所述应用于dram控制器的内存刷新控制方法的步骤。

31、本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如前所述应用于dram控制器的内存刷新控制方法的步骤。

32、本申请提供的应用于dram控制器的内存刷新控制方法和装置，所述方法包括：基于目标dram对应的刷新周期确定常规刷新操作对应的时间节点；基于常规刷新操作对应的时间节点，根据第一刷新策略向目标dram发送刷新指令；在延迟未执行的刷新操作的实时数量达到预设上限值的情况下，基于第二刷新策略向目标dram发送刷新指令，能够最大限度避免刷新操作对dram访问的影响，进而提高dram的工作效率。

技术特征：

1.一种应用于dram控制器的内存刷新控制方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求2所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法，其特征在于，所述根据第一刷新策略向目标dram发送刷新指令，具体包括：

4.根据权利要求3所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法，其特征在于，所述基于第二刷新策略向目标dram发送刷新指令，具体包括：

5.根据权利要求4所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法，其特征在于，所述向目标dram发送延迟未执行的刷新操作对应的刷新指令，具体包括：

6.根据权利要求5所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法，其特征在于，所述延迟未执行的刷新操作的数量是基于实时更新的延迟未执行的刷新操作的计数值确定的。

7.根据权利要求6所述的应用于dram控制器的内存刷新控制方法，其特征在于，所述计数值在以下情形出现时加1：

8.一种应用于dram控制器的内存刷新控制装置，其特征在于，所述装置包括：

9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至7任一项所述应用于dram控制器的内存刷新控制方法的步骤。

10.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述应用于dram控制器的内存刷新控制方法的步骤。

技术总结
本申请提供一种应用于DRAM控制器的内存刷新控制方法和装置，属于存储器技术领域，所述方法包括：基于目标DRAM对应的刷新周期确定常规刷新操作对应的时间节点；基于常规刷新操作对应的时间节点，根据第一刷新策略向目标DRAM发送刷新指令；在延迟未执行的刷新操作的实时数量达到预设上限值的情况下，基于第二刷新策略向目标DRAM发送刷新指令，能够最大限度避免刷新操作对DRAM访问的影响，进而提高DRAM的工作效率。

技术研发人员：杨帆,王晓阳,何亚军
受保护的技术使用者：上海奎芯集成电路设计有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/12