本发明涉及一种半导体器件特性优化方法。
背景技术:
1、非易失性存储器件是计算机必不可少的存储设备,其浮栅结构可以分为多晶硅和氮化物两种。随着器件尺寸的减小,在浮栅结构的存储器写/擦操作过程中,高电压会造成过度擦除和反常漏电流现象,而基于氮化物的sonos(硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅)型非易失性存储器件则由于电荷捕获方式更不容易产生缺陷产品,制造工艺相对简单,生产成本相对较低,逐渐受到业界青睐。
2、但是,sonos型非易失性存储器件也存在部分问题,如其ono层生长过程中可能发生物理或化学反应,会降低sonos型非易失性存储器件数据保持能力。
3、并且,如图1所示,sonos型flash存储器件在编程过程中会存储电荷,其存储的电荷既能存在于深能级,又能存在于潜能级,浅能级中的电荷由于距离导带近,因而容易受到激发,使得氮化物中的电荷数目减小,最终导致sonos型flash存储器件的电荷保持特性变差。
技术实现思路
1、本发明的目的是为了克服现有sonos型非易失性存储器件数据保持能力容易降低变差的问题,提供了一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法。
2、本发明的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法具体步骤如下:
3、步骤一、对sonos型flash存储器件进行高压擦除;
4、步骤二、对sonos型flash存储器件进行编程;
5、步骤三、对sonos型flash存储器件进行软擦除;并判断sonos型flash存储器件编程后的阈值电压是否达到饱和;
6、是则完成处理;
7、否则返回执行步骤二。
8、进一步地,步骤三中对sonos型flash存储器件进行软擦除的具体过程如下:
9、步骤三一、在sonos型flash存储器件的栅极施加低压负电压,在sonos型flash存储器件的漏端、源端和衬底施加低压正电压;
10、步骤三二、对sonos型flash存储器件进行擦除。
11、进一步地,低压为大于0v且小于5v的直流电压。
12、进一步地,步骤三二还包括:
13、在50~150℃温度下,对sonos型flash存储器件进行擦除。
14、进一步地,高压为大于20v且小于10v的直流电压。
15、本发明的有益效果是:
16、本发明的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法,操作简单,可以排除sonos型flash器件中浅能级电荷,减少sonos型flash器件浮栅中潜能级贮存电子数,以提高sonos型flash电荷保持特性。
1.一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法,其特征在于,具体步骤如下:
2.根据权利要求1所述的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法,其特征在于,步骤三中对sonos型flash存储器件进行软擦除的具体过程如下:
3.根据权利要求2所述的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法,其特征在于,低压为大于0v且小于5v的直流电压。
4.根据权利要求3所述的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法,其特征在于,步骤三二还包括:
5.根据权利要求1、2、3或4所述的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法,其特征在于,高压为大于20v且小于10v的直流电压。