专利名称：峰值增强的磁致电阻读传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种磁致电阻(MR)读传感器，并特别地，涉及一种具备峰值锐度提高的高振幅回读信号的磁致电阻读传感器。
磁致电阻(MR)读传感器(也称为“读元件”)使用随磁场而改变电阻的磁致电阻(MR)带或层。通过该MR带的一个感测电流产生一个信号电压，信号电压随MR带的电阻变化按比例地改变。该MR带的有用响应(也称为“回读信号”)是由感测电流和该MR带随磁场变化而产生的电阻变化而产生的信号电压，通常磁场变化来自磁存储媒体如旋转的磁盘或运动的磁带。
通常，该MR带包括一个夹层于底和顶绝缘层G1和G2之间的薄膜层，而底绝缘层G1和顶绝缘层G2本身又夹层于底屏蔽层和顶屏蔽层S1和S2之间。屏蔽层之间的距离被称之为“读间隙”。读间隙越小，MR读传感度的空间分辨率越大，可允许更准确地恢复数字记录信息和提高线性密度。
在一些磁记录系统里，数字信息是以逐次变化的相对位置的形式存储的。通过提高确定回读信号里峰值的相对位置的能力，可以更可靠地译码这些信息。因此，使来自MR读传感器的峰值回读信号尽可能的窄并具有可能高的振幅是重要的。
MR读传感器所带的问题中的一个问题是，MR带会产生自感应噪声，该自感应噪声显现在来自磁媒体的回读信号里。一个MR带通常是用玻莫合金薄膜做成的，玻莫合金是一种镍和铁的合金。它会具有一种多畴磁结构。当把一个磁场施加给玻莫合金MR薄膜时，MR带中的磁畴壁会无规律地移动，产生经典所谓的Barkhausen噪声。为了克服这个噪声问题，先有技术提出为该MR带提供一个纵向偏置磁场。这大大增加该MR带会处于所需单畴状态的可能性。这种纵向偏置磁场可以通过靠近该MR带所安置的永久磁性材料之间所产生的静磁耦合来实现，也可以通过在一个永久磁性材料或者一个反铁磁材料与MR带靠近其有源区域的部分之间所产生的交互耦合来实现。
MR读传感器所带有的另一个问题是，它的信号响应对于外部施加的磁场强度不是线性的。在先有技术中这个问题通过对MR带的横向偏置得以克服。典型的方法是使一个软磁层和MR带静磁耦合，如美国专利3,864,751号中所述。当感测电流流过MR带时，在该MR带周围产生一个磁场，这个磁场被感应到该软膜磁层上。该软膜磁层被磁化，它本身又把一个磁场感应回该MR带中以产生横向偏置。纵向和横向偏置的组合产生一个对MR带的磁化矢量，该矢量和MR带的纵轴或和该MR读传感器的空气轴承表面(ABS)成一定角度。该角度通常选为约45°以使该MR带的动态范围对一个外加磁场为最大。
一个MR读感感器的一种典型运行方式是在一个旋转磁盘的上面的一个气垫上飞行。一个悬浮和伺服系统运转以使该读传感器在上方对准磁盘上的一个磁写入磁道，这样当该磁盘旋转时，一串代表信息的磁场信号被施到该MR带上。因为一个MR磁头的设计一般遵循传统的“宽写和窄读”的原则，该读元件相对该磁道的轻微偏心位置不会响应该元件的响应。
在美国专利4,663,685号中描述一种典型的纵向和横向偏置MR传感器。该传感器，被称之为连续间隔交互偏置(CEB)传感器，利用安置在一对无源部分之间的一个MR带。这些无源部分和作为该MR带的纵向偏置反铁磁层组交互耦合。当旋转磁盘的磁力线侵入时，并且磁盘上的记录磁道如上所述又宽于传感器的中心有源部分，磁场也被传播到该CEB传感器的无源部分里。在该专利之前，还没有认识到来自无源区域下面的磁道的那些部分的这些附加磁场会产生一个超线性串话信号，该信号减小由MR带的有源部分之下的磁道部分所产生的磁场。因此，这种CEB传感器产生一种较宽的和较低振幅的回读信号，这是因为软磁偏置层具有和MR带的有源部分相静磁耦合的端面部分。在来自记录媒体的宽磁道磁场情况下，软磁材料的端面部分对此响应，并且这种响应本身又把磁场感应到该MR带的有源部分。在这个发明之前，没人认识到这些磁场在极性上是和施加到MR带的有源部分的磁场相反的。
另一种先有技术的纵向和横向偏置MR读传感器是接触连接硬偏置(CHB)传感器。在这种传感器里，一个间隔层夹在该MR带和一个软磁层之间，这些层的每个在相对的两端由一对永久磁铁进行纵向偏置。CHB传感器不具有任何会增大或减小MR带的所需信号的渗透层。
本发明提供一种MR读传感器，这种传感器优先提高该传感器所产生的回读信号的峰值。这是通过使MR带具有无源部分来实现的，当该传感器处于静态时这些无源部分是各向异性地可渗透的，当感测电流流过MR带并且在外部磁场被施加到MR传感器之前时，出现静态。因为该MR带的无源部分在静态下是渗透性的，它们可响应来自磁媒体的边缘磁场。当这些无源MR部分响应该磁场时，它们在该MR带的有源部分产生一个超线性的磁信号。结果是该MR带的有源部分的磁信号被经该MR带无源部分传播的磁信号增加。更准确地说，该MR带有源部分里的磁化矢量顺时针地或逆时针地转动，取决于来自记录媒体的磁场的极性。此外，该MR带的有源部分里的磁化矢量被该MR带的无源部分超线性地传播的磁场略微向相同的方向转动，产生该回读信号的峰值的优先增大。为了保持该MR带的无源部分在传感器的静态下的渗透性，使这些无源部分对永久磁性层隔绝是重要的，这些永久性磁性层产生该MR带的纵向偏置。进一步，重要的是软磁层的效应应限制在该MR带的有源部分并使它不传播来自MR传感器无源部份的磁信号。
本发明的一个目的是提供一种可产生改进的回读信号的MR读传感器。
本发明的另一个目的是提供一种具有可提高回读信号峰值振幅的结构的MR读传感器。
本发明的另一个目的是提供一种具有可提高回读信号峰值锐度的结构的MR读传感器。
本发明的进一个目的是提供一种MR读传感器，这种传感器具有渗透性无源MR带部分，后者在存在来自磁记录媒体的磁场情况下增大MR带有源部分的信号响应，并且这种传感器不具有渗透性无源软膜部分，后者会减小MR带有源部分的响应。
在根据本发明的下述描述进行考察后，其它目的和优点将变得明显。
图1是一个使用本改进的MR读传感器的示范性磁媒体驱动机。
图2是一条曲线，表示无横向偏置时的一个MR带的非线性响应。
图3是先有技术CEB MR读传感器的组成部分的示意ABS图，该传感器在美国专利4,663,685号中描述。
图4是一个用作描述目的示意图，表示图3的常规并排在一起的MR层和软磁层，其中一层放在另一层之上，并利用粗箭头表示静态下的磁化矢量和利用细箭头表示在来自在下方旋转的磁盘(图中未示)的北方向的边缘磁场磁通侵入之后的磁化矢量。
图5是先有技术的CHB MR读传感器的传感元件的示意ABS图。
图6是本MR读传感器的传感元件的示意ABS图。
图7是一个用作描述目的的示意图，表示图5实施例的常规并排在一起的MR软磁层和永久磁层，其中一层放在另一层之上，并用粗磁化矢量表示静止状态下的传感器和用较细的磁化矢量表示对来自在下方旋转的磁盘的北方向的边缘磁场磁力线侵入的响应。
图8表示信号—时间曲线，曲线比较本传感器和先有技术的CEB传感器之间的峰值信号输出。
图9表示电压—外加磁场曲线，曲线比较本传感器和先有技术的CEB传感器之间的信号响应。
现参照各附图，附图中的相同标号指示几张图中的同样的或类似的部件，图1中图示一个磁盘驱动机20，它包括一个旋转磁盘22。磁盘22由一个主轴22支持，主轴22由马达26转动，马达26受驱动控制器28控制。包括一个薄膜MR读传感器的一个MR磁头30安装在一个浮动块32上，后者本身是由一个悬架34支持的。一般，磁头30还包括一个写元件，以使信号可以从同一浮动块32中写和读。从磁头30来的信号和到磁头30的信号以及磁头相对磁盘22的运动是由磁头信号和控制器36控制的。当磁盘22旋转时，浮动块32悬浮在一个气垫上(空气轴承)，该气垫是由磁盘22的运动造成的。在磁盘22的运动期间，磁头30相对于磁盘多个载信息的、同心圆磁道中的一个磁道处于传感状态。浮动块32的底平面和磁头30处于一个平面，该平面被称之为一空气轴承平面(ABS)。当磁盘转动时，该ABS和磁盘22的表面的间隔约为0.075μm的量级。驱动机的上述部件安装在外壳38内。
磁头30的MR读传感器包括一个MR层或带，该MR层夹在一对绝缘间隔层G1和G2之间，绝缘间隔层G1和G2本身又夹在一对屏蔽层S1和S2之间。间隔层G1和G2以及屏蔽层S1和S2未被显示，因为它们在先有技术中是公知的，在本文中也不做描述。对MR读传感器完整结构的较详细讨论参见Heim和Gill的共同转让的专利申请，序列号为08/103，487，该专利作为本文的参考文献。本描述中将讨论的元件直接针对MR读传感器的传感元件，这些元件被放在第一和第二间隔层G1和G2之间。这些元件是一个MR带或层，多个永久磁铁层，多个软磁铁层，多个反铁磁层和多个引线层。所有的这些层都是薄膜，它们是通过膜淀积，膜镀和光刻制膜等技术构成的。
如前面所提及的，一个MR读传感器的MR带必须纵向偏置以克服Barkhausen噪音问题，和必须横向偏置以线性化其信号响应。具有这些特点的先有技术的MR读传感器的传感部分显示在图3的40处。这种传感器被称为连续间隔交互偏置(CEB)传感器。该CEB传感器在美国专利4,663,685中描述。该CEB传感器具有一个中心区，中心区位于一对端面区之间，该中心区和端面区沿传感器的宽度方向沿伸。该CEB传感器40包括一个非磁性材料的间隔层，该间隔层直接接触地夹在一个软磁层(SML)和一个MR层或带之间。该间隔层、软磁层和MR层延伸中心区和端面区的宽度，所以这些各个层都具有位于一对端面部分之间的中心部分。一对彼此隔开的反铁磁层(AFL)和该MR带的端面部分交互耦合，它们使这些端面部分变成对来自旋转磁盘的磁力线侵入是不可贯入的，并通常称之为MR带的无源部分。该MR带在无源部分之间的并位于中心区的部分被称为该MR带的有源部分。一对彼此隔开的传导引线和反铁磁层电气上连接以把感测电源施加给该MR带。反铁磁层纵向偏置该MR带的无源部分，无源部分本身又纵向偏置该MR带的有源部分。这一点在图4中得到最好的说明，其将接着被讨论。
在图4中，常规并排的MR层或带和该软磁(SML)被垂直地不正确位置地图示，以便更好地描述其中磁化矢量的静态和非静态状态。图4略去了间隔层，一对反铁磁层和一对引线。在一对反铁磁层里的磁化矢量是水平向左的，其未示在图4中。因为交互耦合是通过该对反铁磁层和该MR带的右无源部分42及左无源部分直接接合的，在该MR带的无源部分里的磁化矢量同样是向左的，如图4中所示。因为该MR带是完整的一条，在没有任何横向偏置的情况下，该MR带的有源部分里的磁化矢量将同样是水平向左的(图中未示)。因为该MR带会因间隔带的存在而静磁耦合到软磁铁层(SML)，由于该MR带的无源部分42和44里的磁化矢量所产生的磁场将使软磁层的右部48和左部50沿逆平行方向磁化，如图中向右的粗磁化矢量所示。
在施加感测电流的情况下，在该MR带的有源部分器46里的磁化矢量将假设为在其处所示的粗磁化矢量。在施加感测电流的情况下该常规水平矢量旋转到它的现在位置上。假定该感测电流自左向右流，根据绕导体的右手原则磁场将是朝上的和在该MR带的背后的，并穿过该软磁层的中心部分，实际上该软磁层对于该MR带处于一种并排的关系。这使得在中心部分52里的磁化矢量指向是垂直朝上的如图4中所示，这在软磁层(SML)和该MR层之间形成一个方向朝下的磁场。这个向下的磁场将把在该MR带的有源部分46里的常规水平的磁化矢量(图中未示)逆时针方向地旋转到当前的位置，这个当前位置在图中是用粗箭头表示的。该箭头和平行于ABS的水平方向所造成的角θ被称为偏置角，该角在建立MR读传感器线性响应上是重要的。该角通常约为45°。如图2所示，无偏置MR带的电阻对于正的或负的外加磁场H非线性地改变。如果施加一个称之为偏置磁场的磁场，则该MR带可运行在B区而不直接运行在点A的左右侧。点B大约处于偏置角为45°的情况下。
图3和图4所示CEB传感器40的问题是，在出现来自磁盘的磁力线侵入下，该软磁层的端面区48和50的响应会减小该MR带的有源部分46的信号。假定存在一个从磁盘输入的北向磁场，该磁场将使软磁层的端面区48和50里的磁化矢量沿逆时针方向旋转到图中所示的细磁化矢量。该北方向磁力线侵入使得MR带的有源部分46里的粗磁化矢量顺时针方向地转到图中所示的细磁化矢量。如前面已提及过的，该软磁层(SML)的端面区48和50是和该MR带静磁耦合的。在该软磁层(SML)的端面区48和50里的细磁化矢量具有方向朝上的垂直分量。这在该软磁层(SML)和该MR带之间造成一个方向朝下的磁场。该磁场的一部分侵入到该MR带的有源部分46，使得其中的磁化矢量逆时针方向旋转到其中的细磁化矢量的位置。另外，有没有来自该软磁层(SML)的端面区48和50的磁场的影响的情况下，该MR带的有源部分46里的细磁化矢量的位置应该比该所示位置更加顺时针方向一些，它应该能提供一个峰值较窄振幅更大的信号。图3和图4的CEBMR读传感器的峰值信号响应由图8申请人绘制的曲线54所示。进而，在图9中，信号电压响应一外加磁场曲线由曲线56所示，在其中可以看出信号随增大的正或负外加磁场而减弱。本发明明显地改进由CEB传感器产生的峰值信号性能。
另一种先有技术的MR读传感器图示在图5的60处。它一般被称为接触连接硬偏置(CHB)传感器。该传感器也具有一个中心区，位于一对端面区之间。它包括一非磁性间隔层，其被夹在一个软磁层(SML)和一个MR层或带之间。所有这些层都位于该传感器的中心区。间隔层、软磁层和MR层的相对端面夹在一对永久磁铁层(PML)之间，这一对永久磁铁层位于该传感器的端面区。一对引线在电气上和永久磁铁层相近，它们也处于该传感器的端面区。永久磁铁层(PML)纵向偏置该MR带，而软磁层(SML)以上面所讨论的方式横向偏置该MR层。图5里的传感器60和图3里的传感器40之间的不同在于，图5里的传感器在其端面区不具有任何或者增加或者减小MR带信号响应的渗透性磁层。这和图3里所示的传感器40是不同的，图3中端面区的软磁层部分产生一个会减小MR带的中心有源部分的信号的磁场。
本发明图示在图6和图7的70处。如上面已提及过的，在其中只有MR读传感器的一个部分被夹在绝缘间隔部分G1和G2(图中未示)之间，而绝缘间隔部分本身又被夹在第一和第二屏蔽层S1和S2(图中未示)之间。如图6中所示，该MR读传感器70具有一个位于一对端面区之间的中心区。该中心区和该对端面区沿着该MR读传感器70的宽度延伸。如图6中所示，一个非磁间隔层直接接触地夹在一个MR层或带和一个软磁层(SML)之间。该间隔层具有一个位于右端部分74和左端部分76之间的中心部分72，该中心部分72位于中心区而两端74和76位于分别的端面区。如图7中所示，该MR带沿该MR传感器的宽度延伸并具有一个位于一对右无源层部分80和左无源层部分82之间的有源层部分78。该有源层部分78位于中心区里而各个无源层80和82位于各自的传感器70的端面区里。如图6和图7中所示，该软磁层(SML)只位于该传感器的中心区。在间隔层的右端部分74和左端部分76的顶部分别安放着右和左永久磁铁层(PML)84和86，永久磁铁层不延伸到该传感器的中心区。
应注意图7的图解是为描述的目的而在垂直方向分解的，实际上软磁层(SML)和永久磁铁层(PML)定在该MR带后面的并由间隔层间隔的。永久磁铁层(PML)84和86被用于纵向偏置该MR带，而软磁层(SML)被用于横向偏置该MR带的有源部分78。在永久磁铁层(PML)里磁化矢量可能是水平向左的。因为永久磁铁层用间隔层和该MR带磁性绝缘，这些永久磁铁层静磁耦合到该MR带，形成一个图7中自左向右越过该MR带的无源部分80和82的磁场。这使得无源部分80和82从左到右地被磁化，如图中粗磁化矢量所示。在传感器的中心区还有另一个磁场，它是由永久磁铁层84和86造成的。这个磁场的方向是自右向左的，从右永久磁铁层84到左永久磁铁层86。这个磁场将从右到左地越过该MR带的有源部分78。但是对于将在下面讨论的横向偏置，其将产生一个磁化矢量(图中未示)，它将逆平行于图示在该MR带的右和左无源部分80和82的磁化矢量。但是，重要的是要注意，该MR带的无源部分80和82可响应来自旋转磁盘的磁场任意转动，因为它们和永久磁铁层(PML)是静磁耦合的而不是交互耦合的。
如上面所提及的，该软磁层(SML)只处于该传感器的中心区。假定一个感测电流以从左到右的方向流过该MR带，利用右手原则，磁场将以朝下的方向通过该软磁层(SML)，造成它的磁化矢量是朝下方向的，如图7中所示。软磁层(SML)的磁化将造成一个以朝上方向穿过该MR带的有源部分的磁场，这个磁场使得常规逆平行磁化矢量(图中未示)向上转一角度到达图中所示的粗磁化矢量。如上面所提及的那样，希望该偏置角θ大约和水平线或该MR带的纵轴成45°。如图6中所示，一对彼此分开的引线可安置在该传感器的端面区，并可与永久磁铁层(PML)电气接触以发送通过该MR带的感测电流。间隔层的材料是非磁性的但可以是导电性的。实现这个目的的适当材料的一个例子是β相的钽(Ta)。
当施加感测电流时，传感器处于静态，磁化矢量如图7中的粗线所示。当存在来自在传感器下方旋转的磁盘的北方向磁力线侵入时，该MR带里的磁化矢量将转到图中所示的细线上。北方向的侵入将使该MR带的右和左无源部分80和82里的磁化矢量逆时针方向地转动。该北方向磁侵入将使该MR带的有源部分78里的磁化矢量顺时针方向地转动，如图中的细箭头所示。在该MR带的无源部分80和82的细箭头磁化矢量将具有方向向上的垂直分量。因为该磁带是一个整体元件，无源区80和82里的各个朝上方向的垂直分量将影响有源区78，使得有源区78里的磁化矢量要比只由有源区78本身而无无源翼区80和82时顺时针方向转动得更多。这意味着该MR带的有源中心部分78要比图3和图5所示的各种先有技术的传感器感测更强和更窄的信号。在图9中表示了本发明和CEB传感器(见图3)的比较结果。如前面所提及的，CEB传感器MR带的电压响应对来自磁盘的外加磁场的曲线由曲线5b表示。本发明的曲线由图9中的曲线90表示。可以看出，随着外加磁场增大(正地或负地)，本发明的曲线90显示信号电压增大，而CEB传感器的曲线5b显示信号电压减小。这种运行上的差别是因为图7中所示的无源部分80和82超线性地增加MR带里的有源部分78的信号响应，但是图3中软磁层(SML)的端面部分48和50减小MR带的有源部分里的信号。在图8里显示另一种比较，图中曲线92表示本发明信号电压中信号脉冲响应对时间的曲线。曲线54表示图3所示的CEB传感器的类似响应，当使用类似的高Mrt磁盘时，本发明比图3所示的先有技术传感器是有高10％的振幅和30％以上的更窄PW50。进一步，曲线92的峰值的二次导数要比曲线54的峰值的二次导数高三倍。
为产生这种所希望的响应要求图6和图7中的永久磁铁层(PML)足够厚，以能够静磁地控制该MR带的两个无源部分80和82。如果tMR和MMR为该M带的厚度和磁化强度，并且tPM和MPM为永久磁铁层的厚度和磁化强度，则至少需要tMR·MMR·cos(θbias)＜tPM·MPM，其中θbias为该MR带的偏置角。来自永久磁铁层的剩余磁场则静磁耦合到该MR带的无源部分80和82以产生相对于有源部分78的无源部分80和82的逆平行补偿。如果永久磁铁层太厚，它会造成软磁层里磁定向的明显改变。这限制最大值为tPM·MPM＜tMR·MMR·{1＋cos(θbias)}把这些要求联立起来，得出cos(θbias)<tPM•MPMtMR•MMR<1+cos(θbias).]]>应该理解，如果感测电流是从右向左的而不是如图6中所示的从左向右的，则软磁层里的磁化矢量将是朝上方向的而不是朝下的，并且MR带里的粗线磁化矢量将是朝下方向的并从它的现在位置大约向左90°。应该理解，这样并不会造成本发明因MR带的无源部分80和82所形成的积极作用的任何不同。进一步，如果永久磁铁层里的磁化矢量是方向向右的而不是向左的，这将使该MR带的无源部分80和82里的粗线磁化矢量是方向向左的而不是方向向右的。这里同样不会造成本发明因MR带的无源部分80和82所形成的有利作用的任何不同。很明显，如果该MR带接受来自磁盘的南方向磁通侵入而不是北方向磁通侵入，可获得相同的好处。
用作MR带的一种合适材料是玻莫合金，它是一种铁和镍的混合物。永久磁铁层可以是钴、铂和铬(Co，Pt和Cr)的组合物，而软磁层可以是镍、铁和X的组合物，其中X来自铑、铬和铌族(Rh，Cr和Nb)。
很明显，根据上述原理，本发明的许多改型和变化是可能的。因此应该理解，在所附权利要求书的范围之内，本发明是可实施的而不是特定描述的。
权利要求
1.一种具有位于一对端面区之间的中心区的磁传感器，该中心区和这对端面区沿该磁传感器的宽度延伸，这种磁传感器特征在于包括一个MR层，其沿该磁传感器的宽度延伸并具有一个位于一对无源层部分之间的有源层部分，该有源层部分位于该磁传感器的中心区，并且各个无源层部分位于该磁传感器的各自的端面区；横向偏置装置，其位于该中心区并和该MR层的有源层部分静磁耦合以对该MR带横向偏置；以及该MR层的各个无源层部分是渗透性的，因此各个无源层部分是可对磁力线起反应的；以及该MR带的无源层部分是该磁传感器的仅有的端面区部分；它们是渗透性的，因此该MR层的两个无源层对磁力线的响应将导致该MR层的有源部分对所述磁通的净增大响应。
2.一种包括权利要求1的磁传感器的媒体驱动机，该驱动机的特征在于包括一个外壳；用于把运动的磁媒体设置在该外壳内部的装置；以及用于在该外壳内部按相对于运动媒体的传感关系支持该磁传感器的装置。
3.如权利要求1所述的一种磁传感器，其特征在于包括一对发送通过该MR带的感测电流的引线，各条引线位于各自的一个端面区内并电气上和各自的该MR带的无源部分连接；以及当该感测电源被发送通过该MR带对该MR带处于静态，当磁通通过该MR带时该MR带处于活动状态。
4.如权利要求3所述的一种磁传感器，其特征在于包括为对该MR层纵向偏置的静磁耦合到该MR带的无源部分的纵向偏置装置。
5.如权利要求4所述的磁传感器，其特征在于包括该纵向偏置装置位于该磁传感器的端面区。
6.如权利要求5所述的磁传感器，其特征在于包括该纵向偏置装置为一对永久磁铁层，各层位于各自的端面区里。
7.如权利要求6所述的磁传感器，其特征在于包括横向偏置装置为一个只位于中心区里的软磁层。
8.如权利要求7所述的磁传感器，其特征在于包括一个间隔层，它位于中心区和端面区并被夹在中间，在一面上和该永久磁铁层及该软磁层直接接触，在相反的另一面和MR层直接接触。
9.如权利要求8所述的磁传感器，其特征在于包括各条引线和各自的永久磁铁层直接接触。
10.一种包括权利要求9所述的磁传感器的媒体驱动机，该驱动机其特征在于包括一个外壳；用于把运动的磁媒体设置在该外壳内部的装置；以及用于在该外壳内部按相对于运动的磁媒体的传感关系支持该磁传感器的装置。
11.如权利要求10所述的媒体驱动机，其特征在于包括间隔层，包括诸如Ta，Al2O3，SiO2非磁性和低传导性材料，各个永久磁铁层包括CoPtCr，和该软磁铁层包括NiFeX，其中X为Rh，Cr和Nb族。
12.一种MR磁头，它具有在一对端面区之间的一个中心区，该中心区和这一对端面区沿该MR磁头的宽度延伸，该MR磁头特征在于包括一个MR层，其沿该MR磁头的宽度延伸并具有在一对无源层部分之间的一个有源层部分，该有源层部分位于中心区而各个无源层部分位于各自的MR磁头的端面区；一对永久磁铁层，各个永久磁铁层位于各自的MR磁头的端面区，以用于对该MR层的纵向偏置；一个软磁层，其位于中心区以用于对该MR层的横向偏置；一个间隔层，其位于中心区和端面区，并且进而处于一面在该MR层而另一面在该软磁层之间；以及只有一对磁渗透性层，这对磁渗透性层的每个磁渗透性层处于一个各自的端面区，所述仅有的一对磁渗性层为所述该MR层的所述一对无源部分，从而至少一个该MR层的无源部分对一个磁场的响应增大该MR层的有源部分对该磁场的响应。
13.如权利要求12所述的MR磁头，其特征在于包括一对用于向该MR层发送感测电流的引线，各条引线位于各自的端面区并电气上和各自的该MR带的无源层部分连接；当该感测电流被发送通过该MR层时该MR层处于静态，而当一个磁场通过该MR层时该MR层处于活动状态；以及当该MR层处于所述静态时所述一对MR层的无源部分是渗透性的。
14.如权利要求13所述的MR磁头，其特征在于包括该间隔层被夹在一面是该软的和渗透性的磁铁层和另一面是该MR层之间，并和该软的和渗透性的磁铁层及该MR层直接接触。
15.一种包括权利要求14所述的MR磁头的媒体驱动机，该媒体驱动机其特征在于包括一个外壳；用于把运动的磁媒体设置在该外壳内部的装置；以及在该外壳内部按相对于运动的磁媒体的传感关系支持该MR磁头的装置。
16.一种具有在一对端面区之间的一个中心区的MR读传感器，该中心区和一对端面区沿该MR读传感器的宽度延伸，该读传感器特征在于基本上包括一个MR层，其沿该MR读传感器的宽度延伸和具有在一对无源层部分之间的一个有源层部分，该有源层部分位于中心区而各个无源层部分位于各自的该MR读传感器的端面区；位于该MR读传感器的端面区里的纵向偏置装置，以纵向偏置该MR读传感器；横向偏置装置，其位于唯一的中心区里并和该MR层的有源层部分静磁耦合，以横向偏置该MR带；一对用于向该MR层发送感测电流的引线，各条引线位于各自的端面区里并电气上和各自的该MR带的无源部分连接；当感测电流被发送通过该MR层时该MR层处于静态，而当一个磁场通过该MR层时该MR层处于活动状态；以及当该MR带处于静态时该MR带的各个无源层部分是渗透性的，以使各无源层部分具有对一个磁场的一种响应，这种响应增大该MR带的有源层部分对所述磁场的响应；以及当该MR层处于静态时在该MR读传感器的端面区里该MR层的无源层部分是该MR读传感器的仅有的渗透性部分。
全文摘要
提供一种具有在一对端面区之间的一个中心区的MR读传感器。该中心区和这对端面区沿该MR读传感器的宽度延伸。一个MR层沿该读传感器的宽度延伸并具有在一对无源层部分之间的一个有源层部分，该有源层部分位于该中心区里而各个无源层部分位于各自的一个端面区里。一个层位于中心区里并和该MR层的有源层部分静磁耦合以对该MR层横向偏置。该MR层的各个无源层部分是渗透性的，所以它可对外部施加的磁场作出反应。
文档编号G11B5/00GK1122497SQ9411373
公开日1996年5月15日 申请日期1994年10月31日 优先权日1994年5月4日
发明者邵英枫, 莫哈曼德·T·克劳比, 道格拉斯·J·沃纳 申请人:国际商业机器公司