专利名称：磁阻效应型磁头的制造方法及所用晶片的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于磁存储器等的磁阻效应型薄膜磁头的制造方法及具有磁阻效应型元件的晶片。
磁阻效应型的薄膜磁头(以下称为MR磁头)，是采用磁阻效应元件(以下称为MR元件)的磁头。由于MR元件利用3电阻随磁场强度而变化的特性，故再生输出不依赖于磁记录媒体的行走速度(周速)，仅由磁信号的磁通量决定，因而即使在低速也能获得足够的再生输出，对磁记录装置的高密度化、小型化有利。
该MR磁头的制造方法如下。首先用薄膜形成技术及光刻技术，在晶片(ウエハ)上制作叠了多层的元件。之后，将晶片切成多个元件排成一列的滑条(スライダ-バ-)。然后，对切断的滑条的衬底进行研磨加工，研磨各元件的露出面(浮上面)，从而得到具有所期望的值的磁阻效应传感器膜的尺寸(以下称MR高度)。这里的MR高度为与形成在晶片上的磁阻效应元件的再生磁道宽度相垂直的磁阻效应传感器膜的尺寸。
MR磁头中的MR高度，是为了获得所期望的电特性的重要因素，所以有必要把握各个实际元件的MR高度。然而，实际元件各自的MR高度，由于记录用的磁头和保护膜等层积于磁阻效应膜上，所以进行光学测量有困难。因此，露出面研磨中，一边测量与实际元件分别配置的加工检测元件的电阻值变化，一边对排有多个实际元件的滑条进行研磨。
日本专利特开平4-360008公开了通过这一方法高精度地控制MR高度的技术。在该方法中，在衬底内设置具有与所期望的加工检测元件的最终电阻相同的电阻的露出面研磨导向件，根据这一电阻值停止实际的露出面研磨，因而可高精度地研磨露出面。
上述现有技术设有考虑到在晶片面内的所有位置实际元件各部分的膜厚和尺寸并不均匀，存在一定程度的偏差，另外，也设有考虑由实际元件的位置产生研磨加工量的偏差，各个实际元件的MR高度具有某种程度的差异，因此，存在MR磁头的制造合格率差的问题。
本发明的第1个目的在于提供一种可正确测量MR元件的露出面研磨加工后的MR高度的晶片。
本发明的第2个目的在于提供一种可以高精度控制MR元件的露出面研磨加工时的MR高度的MR磁头制造方法。
为实现上述第1目的，本发明的晶片配置有磁阻效应元件和1个以上的与该磁阻效应元件的MR高度(形成于晶片上的磁阻效应元件的与再生磁道宽度方向垂直的方向上的磁阻效应传感膜的尺寸)不同的MR高度的其它磁阻效应元件。
该磁阻效应元件构成多个一组朝向同一方向的而且排成一列的元件列，该元件列以多列的形式设于晶片上，而且最好在各元件列设置至少1个上述的其它磁阻效应元件。
磁阻效应型磁头的制造方法将在后面详细说明，该晶片按每一元件列切断，成为滑条，然后对其进行研磨。因此，每一个滑条最好设置1个以上的其它磁阻效应元件。一般这一数目最好在5个以下。
一般情况下，30～250个元件排成1列，晶片上有50～300列的场合较多。1列的元件数少时，将该1列作为1组的元件列切断，形成1个滑条。然而，1列的元件数多时，在大体中央处将其分成2组元件列，将其切断形成2个滑条。在实际的制造方法中，例如，把晶片沿上述列的直角方向切断分成2部分，再切断成一个个的元件列，形成多个滑条。
虽然在上面叙述了其它磁阻效应元件最好在1个以上5个以下，但也可减少这一数目。亦即，将在所期望范围的上述元件列的10～50列左右作为1个区域，每个该区域所设的其它磁阻效应元件至少为1个，最好在1个到5个之间，在研磨由该区域切断获得的滑条时，可根据该区域内的元件的电阻值进行。如前所述，即使在由于晶片面内的位置导致实际元件各部分的膜厚和尺寸产生偏差的场合，也由于某一区域内该偏差集中在狭小的范围，因而即使如上述那样能以高精度控制MR高度。
为达到上述第2个目的，本发明的磁阻效应型磁头的制造方法包括以下步骤准备晶片的步骤。在将磁阻效应元件以及形成于晶片上的磁阻效应元件的在与再生磁道宽度方向垂直的方向的磁阻效应传感膜的尺寸作为MR高度时，至少配置1个具有与上述磁阻效应元件的MR高度不同的MR高度的其他的磁阻效应元件；构成元件列，该元件列中上述的磁阻效应元件以多个为一组、朝同一方向并且排成1列；设置多列上述元件列；
测量上述磁阻效应元件的电阻值与上述其它磁阻效应元件的电阻值的步骤；将晶片的形成有上述元件列的部分切断以形成滑条的步骤；以及将相对于研磨了晶片上的磁阻效应元件的露出面后的磁阻效应感应器膜的露出面沿向里方向的目标尺寸作为MR感应高度时。
根据由上述电阻值确定的MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值，研磨上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面，将其MR高度形成为MR传感高度的步骤。
另外，为达到上述第2个目的，本发明的磁阻效应型磁头的制造方法包括以下步骤准备晶片的步骤将磁阻效应元件以多个为1组且朝向同一方向并且排成1列，配置多列该元件列。
当将形成于晶片的磁阻效应元件的与再生磁道宽度方向垂直的方向上的磁阻效应传感器膜的尺寸作为MR高度时，配置至少2个其它磁阻效应元件，该至少2个其它的磁阻效应元件具有与上述磁阻效应元件的MR高度不同而且相互之间也不同的MR高度；测量上述至少2个其它磁阻效应元件的电阻值的步骤；切断上述晶片的形成有上述元件列的部分，形成滑条的步骤；以及根据由上述电阻值确定的MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值，研磨上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面，将其MR高度形成为MR传感器高度。
这是，如使其它的磁阻效应元件的MR高度大于研磨露出面而得到的上述MR传感器高度，亦即成为产品时的MR高度，由于可通过露出面研磨形成为上述MR传感器高度，故可将其它的磁阻效应元件用作产品。
图1为根据本发明第1实施例得到的滑条的斜视图；图2为MR磁头的局部斜视图；图3为用于说明磁阻效应传感器膜部分的平面图；图4为根据本发明的实施例3得到的滑条的斜视图；图5为根据本发明的实施例4得到的滑条的斜视图。
下面将采用附图对本发明进行详细说明。
<实施例1>
图1为本发明所用滑条(スライダ-バ-)的一个例子的斜视图。图中，A为实际元件，B1、B2、B3为改变了MR高度的用于测定电阻的元件，C为加工检测用元件。不用说，这些元件的配置位置及个数，可以设定为技术上最佳的任意位置和个数。例如，实际元件A的个数设置得更多一些。
图2为由实际元件A构成的本发明的MR磁头的局部斜视图。以该图为基础，将晶片制作过程的概要说明如下。在陶瓷衬底1上有由NiFe等磁性膜形成的下部屏蔽膜(シ-ルド膜)2以及由氧化铝等绝缘膜形成的下部缝隙膜(ギャツプ膜)(未图示)，在其上形成条状的磁阻效应传感器膜3。磁阻效应传感器膜3由使用NiFe等磁性材料的磁阻效应膜、在磁阻效应膜加了偏磁的偏磁膜及用于稳定磁阻效应膜磁畴的磁畴控制膜等多层膜构成。在它们的上面，还形成有起供给电流的作用以便使磁阻效应传感器膜作为传感器而工作的电极导体膜4。
另外，还依次形成有氧化铝等绝缘膜形成的上部缝隙膜(未图示)、NiFe等磁性膜形成的上部屏蔽膜5、写头(ライトヘツド)元件用缝(未图示)。在其上，还形成由上部磁性膜6、线圈7、层间绝缘膜8等构成的写头元件，由于这是一般的感应型薄膜磁头元件，这里不再详述。最后，形成用于联接导线的端子(未图示)以及用于保护元件的保护膜(未图示)，完成晶片的制作过程。
下面说明滑条的制作方法。如上所述，采用薄膜形成技术及光刻技术，在晶片上形成多层叠片制成元件，之后，将晶片切断成多个元件排成一列的滑条。多个磁阻效应元件朝着同一方向，另外，最后形成的露出面(浮上面)(成为产品时的露出面)实际上排成一条直线。图1示出了这一状态。接着，通过对切断成滑条的衬底进行研磨加工，研磨相当于形成于衬底的MR元件的露出面的面(以下简称为露出面研磨)，使各元件的MR高度成为规定的值。
MR高度是为了获得所期望的电特性的重要因素，所以需要把握住实际元件各自的MR高度。然而，如前所述，由于在磁阻效应膜上有多层用于记录的磁头和保护膜等，因而实际元件各自的MR高度用光学的方法很难测定。因此，各个MR磁头的MR高度是通过MR磁头元件电阻值来测定的。这一原理将通过图3来说明。如图3所示，磁阻效应传感器膜3的电阻值R由磁阻效应传感器膜的薄膜电阻r、MR高度H以及用于向磁阻效应传感器膜供给电流的左右电极导体膜4的间隔W来决定。这一关系可用下式来表示R＝r×w/H，亦即，如知道磁阻效应传感器膜3的薄膜电阻r以及左右电极导体膜4的间隔w，则磁阻效应传感器膜的电阻R与MR高度H成反比。因此，如能通过测定MR磁头在研磨加工后的元件电阻值来求出R，则MR磁头的MR高度H可由下式求出H＝r×w/R在MR磁头的结构中，磁阻效应传感器膜3、与之相联的一对电极导体膜4、以及端子引出部串联在一起。因此，MR磁头的元件电阻值由磁效应传感器膜3的电阻、电极导体膜4的电阻、端子引出部的电阻以及它们的各个接触部产生的接触电阻的合计值表示。因此，仅测定MR磁头的电阻，不能求出磁阻效应传感器膜3本身的电阻值，而必须修正电极导体膜4与端子引出部的电阻以及其各自的联接部分产生的接触电阻。因此，在本发明中，于晶片上制作MR磁头元件时，在晶片上同时制作至少一种与实际元件结构相同而仅改变MR高度的元件，通过测定MR高度不同的元件端子间的电阻值，从而得出电阻值与MR高度的关系，根据这一电阻值与MR高度的关系，由露出面研磨后的MR磁头的电阻值，测定MR高度。
如上所述，MR磁头的电阻值由磁阻效应传感器膜3的电阻、电极导体膜4的电阻、端子引出部的电阻以及其各个接触部产生的接触电阻的合计值表示。因此，如MR高度变化时变化的电阻为Rv，MR高度H即使产生变化也没有变化的电阻为Rc，则MR磁头的电阻R可由下式表示H＝a×Rv/H＋Rc式中，a为常数。
这样，如MR高度为H1时的MR磁头电阻为R1，MR高度为H2时的MR磁头电阻为R2，则
R1＝a×Rv/H1＋RcR2＝a×Rv/H2＋Rc整理后得到a×Rv＝(R1－R2)/(1/H1－1/H2)Rc＝(R1H1－R2H2)/(H1－H2)亦即，根据MR高度H不同的至少2个元件的电阻值，则在实际元件的电阻值R与其MR高度H之间存在以下关系R＝(R1－R2)/(1/H1－1/H2)×1/H＋(R1H1＝R2H2)/(H1－H2)将其变形后可由下式表示H＝{(R1－R2)/(1/H1－1/H2)}/{R－(R1H1－R2H2)/(H1－H2)}因此，通过用这一式子测定露出面研磨加工后MR磁头的电阻值R，可求出该MR磁头的MR高度H。由于实际上R及H的测量精度有偏差，所以最好采用3个以上的MR高度不同的元件来求出H与R的关系。另外，如具有至少3个MR高度不同的数据，则可确认实际元件的MR高度H与电阻值R的关系有充分的可靠性。
现返回到图1说明各元件的具体配置。在该图中，设有MR高度H变化了的3种元件B1、B2、B3，作为改变了MR高度H的用于测量电阻的元件，各个MR高度为H1、H2、H3。磁阻效应传感器膜3以外的电阻值在实际制作晶片的过程中在晶面内具有由各种各样的因素形成的分布。例如，由构成磁阻效应传感器膜3的各个薄膜的膜厚分布及电极导体膜4的膜厚分布产生的电阻分布、元件的电极导体膜4的间隔分布及磁阻效应传感器膜3的尺寸分布等。因此，图1所示元件B1、元件B2、元件B3在各个滑条中的配置应使这些面内分布不影响到MR高度的测定精度。在露出面研磨加工之前预先测定元件B1、B2、B3各自的电阻值R，从而以各元件的MR高度H1、H2、H3的倒数进行整理，即可求出MR高度H与元件电阻R的关系。此时，H1＜H2＜H3对于最终研磨露出面后MR磁头的目标MR高度HO，如HZ大体为HO，则由于测量实际元件的MR高度时的电阻值进入元件B1、元件B2、元件B3各元件的电阻值R与MR高度H的测量值的范围中心，因而可提高测量精度。这里，改变了MR高度的元件，可通过优化复制图案的光掩模尺寸，采用光刻技术对磁阻效应膜进行微加工而获得。
例如，露出面研磨后的MR高度的目标值为2.0μm的场合，元件B1的MR高度H1为1.5μm，元件B2的MR高度H2为2.0μm，元件B3的MR高度H3为2.5μm时较好。然而，实际制造元件时，则为例如H1＝1.53μm，H2＝2.02μm，H3＝2.51μm。即使在这一场合，如H2大体为2.0μm，则可提高测量精度，高精度地测定MR高度。
下面将以上结果进行归纳。通过分别测量MR磁头的露出面研磨加工时或研磨加工后的实际元件A的电阻值R，可以高精度地测量它们的MR高度H。另外，由于在各个滑条上配置有电阻测定用的B元件，因而可以使构成磁阻效应传感器膜3的各个薄膜的膜厚分布等不影响MR高度的测量精度，从而使MR磁头的露出面研磨加工后各个实际元件A的MR高度的测量值具有非常高的可靠性。下面，选择所希望电阻的实际元件，切断成各元件，制造MR磁头。
图1中所示的加工检测用元件C如下述那样被利用。例如，在其电阻达到某一值之前快速地研磨滑条，之后，则一边测量上述的电阻值一边研磨。
另外，仅测量加工检测用元件C的电阻而研磨滑条，所获得的元件的MR高度也可由与上述相同的方法高精度地测量。
<实施例2>
在实施例1的电阻测量用元件内，使MR高度比实际元件的目标MR高度HO大的电阻测量用元件B3与晶片上的实际元件A共通，使实际元件A的MR高度H与元件B3的MR高度H3一致。这样，在晶片制作过程中可减少改变了MR高度的电阻测量用元件的种类。亦即，由于可减少改变了MR高度H的元件B的数量，故可增加一根滑条上可制成的实际元件A的数量。
<实施例3>
图4为本发明的其它实施例的滑条的斜视图。该滑条的电阻测量用元件的结构如下。使电阻测量用元件B2的MR高度H2与实际元件A的露出面研磨后的目标MR高度HO大体相同。元件B3的MR高度H3大于MR高度H2，而且元件B4的MR高度H4比该MR高度H3大。
露出面研磨时或研磨后各个元件的MR高度H的测量方法与实施例1相同。这一方式的特征是，电阻测量用元件B1、B2、B3内至少元件B3与元件B4，由于在露出面研磨加工后与实际元件完全不变，故可用作MR磁头的实际元件。因此，配置于滑条的元件内，可用作MR磁头的元件数可多于实施例1。
<实施例4>
图5为本发明其它实施例的滑条的斜视图。该滑条的电阻测量用元件的结构如下。使电阻测量用元件B2的MR高度H2大于实际元件A的露出面研磨后的目标MR高度HO。使元件B3的MR高度H3大于MR高度H2，而且使元件B4的MR高度H4大于该MR高度H3。露出面研磨时或研磨后各个元件的MR高度H测量方法与实施例1相同。
按照本实施例，电阻测量用元件B2、B3、B4，与在露出面研磨加工后由实际元件A制造的MR磁头具有完全相同的形状，故电阻测量用元件都可用作MR磁头，滑条上的元件都可用作MR磁头。
在以上的实施例1～4中，由于在种个滑条上配置有电阻测量用元件B，因此电阻测量用元件B的电阻。可在切成滑条后到露出面研磨加工期间测量电阻值R，以其为依据求出MR高度H与元件电阻值R的关系，由露出面研磨加工后的MR磁头的元件电阻值R，求出MR高度H。
另外，作为别的方法，不用说也可采用这样的方法，即电阻测量用元件的电阻值，在切断成滑条之前于在晶片上完成元件时预先测量好。
另外，电阻测量元件的种类示出了3种，但至少设置2种的MR高度不同的电阻测量元件较好。不用说，也可采用3种以上，例如也可使用5种MR高度不同的电阻测量元件。另外，无论在什么场合，都可用实际元件来实施电阻测量元件的一种。
<实施例5>
在上述实施例1～4中，示出了在各个滑条上必须配置电阻测量用元件的结构的滑条，但在本实例中，并不是在所有滑条上必须配置电阻测量用元件，而是说在晶片上以一定间隔配置的例子。
如上所述，MR磁头的电阻值由磁阻效应传感器膜3的电阻值，电极导体膜4、端子引出部的电阻值及它们各自的接触电阻串联的合计值求得。在晶片过程中，晶片的面内都做成均一的膜厚并形成相同尺寸，这在大批量生产的场合是不可能的，因为各个因素具有一定精度的偏差。然而，例如在125mm的衬底上即使面内的电阻偏差为±5％，在该面内例如离开10mm的两点间的电阻偏差为±0.5％以下。因此，电阻测量用元件B并不是在所有的滑条上都是必要的，通过在晶片上以例如10mm间隔等某一间隔进行配置，可由其电阻值代表其近旁的MR元件的MR高度H与元件电阻值R的相关关系。在这一场合，虽然可在作为滑条之后测量电阻测量用元件B的电阻值，但与之相比，在晶片上完成MR元件时，在晶片上测量元件电阻值则在工序上更为简便。
按照本实施例，在晶片面内用于电阻测量用元件B的元件数，比在所有滑条中配置电阻测量用元件要少，故可增加在晶片面内可制作的实际元件的数量。也就是说，如前所述，在各滑条中分别设置电阻测量用元件B时，一个滑条最好设置1～5个电阻测量元件B，因此，例如将晶片切成400个滑条时，每个晶片需设置400～2000个电阻测量用元件B。按本实施例那样进行时，由于最好每个晶片设置10～200个左右的电阻测量用元件B，故可增加实际元件的数目。
如以上说明，通过采用本发明的晶片，求出MR高度与元件电阻值间的关系，测量露出面研磨时或研磨后实际元件的电阻值，即可高精度地测量实际元件的MR高度。另外，可仅选择能满足所希望的电磁变换特性的磁阻效应元件。
另外，本发明的MR磁头制造方法，由于可正确地测量实际元件的MR高度，故可仅选择满足所期望的电磁变换特性的元件。再者，本发明的MR磁头可以高合格率地制造。
权利要求
1.一种晶片，其特征在于该晶片配置有磁阻效应元件和至少1个其它磁阻效应元件，该至少一个其它磁阻效应元件在形成于晶片上的磁阻效应元件的再生磁道宽度方向的垂直方向的磁阻效应传感器膜的尺寸为MR高度时，具有与上述磁阻效应元件的MR高度不同的MR高度。
2.如权利要求1所述的晶片，其特征在于上述磁阻效应元件构成多个一组的朝向同一方向而且排成一列的元件列，该元件列以多列的形式设于晶片上，而且在上述各元件列设置至少1个上述的其它磁阻效应元件。
3.如权利要求2所述的晶片，其特征在于；在上述各元件列配置1个以上5个以下的上述其它磁阻效应元件。
4.如权利要求1所述的晶片，其特征在于至少配置2个MR高度相互不同的上述其它磁阻效应元件。
5.如权利要求4所述的晶片，其特征在于当晶片上的磁阻效应元件露出面研磨后的相对于磁阻效应传感器膜的露出面向里的方向上的目标尺寸定为MR传感器尺寸时，上述其它磁阻效应元件的至少1个具有大于规定的MR传感器高度的MR高度。
6.如权利要求1所述的晶片，其特征在于上述磁阻效应元件构成以多个为一组的朝向同一方向并且排成一列的元件列，以多列上述元件列为1组构成区域，在上述晶片上设有多个上述区域，上述其它磁阻效应元件在上述各区域至少配置1个。
7.如权利要求6所述的晶片，其特征在于在上述各区域配置1个以上5个以下的上述其它磁阻效应元件。
8.一种磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于它包括以下步骤准备晶片的步骤，即在晶片上配置磁阻效应元件以及至少1个其它磁阻效应元件，当将形成于晶片上的磁阻效应元件的在与再生磁道宽度方向垂直的方向的磁阻效应传感器膜的尺寸作为MR高度时，该至少1个其它磁阻效应元件具有与上述磁阻效应元件的MR高度不同的MR高度；构成元件列，该元件列中上述的磁阻效应元件以多个为1组、朝向同一方向并排成1列；设置多列该元件列；测量上述磁阻效应元件的电阻值与上述其它磁阻效应元件的电阻值的步骤；将晶片的形成有上述元件列的部分切断形成滑条的步骤；以及将相对于研磨上述滑条上的磁阻效应元件的露出面后的磁阻效应传感器膜的露出面向里方向上的目标尺寸作为MR传感器高度时，根据由上述电阻值确定的MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值，研磨上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面，将其MR高度成为上述MR传感器高度的步骤。
9.如权利要求8所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于在上述滑条上配置至少1个上述其它磁阻效应元件。
10.如权利要求9所述的磁阻效应型磁头制造方法，其特征在于，在上述滑条上配置1个以上5个以下的上述其它磁阻效应元件。
11.如权利要求8所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于将上述元件列多列作为1组构成区域，在上述晶片上设置多个上述区域，在上述各区域至少配置1个上述其它磁阻效应元件，上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面的研磨，根据包括上述滑条的区域内的上述磁阻效应元件的电阻值与由上述其它磁阻效应元件的电阻值所确定的上述MR高度是上述MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值来进行。
12.如权利要求11所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于在上述各区域配置1个以上5个以下的上述其它磁阻效应元件。
13.一种磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于它包括以下步骤准备晶片的步骤，即在晶片上列有多个元件列，该元件列的磁阻效应元件以多个为1组、朝向同一方向且排成1列，当将形成于晶片上的磁阻效应传感器膜的尺寸作为MR高度时，配置至少2个其它磁阻效应元件，该至少2个其它磁阻效应元件具有与上述磁阻效应元件的MR高度不同而且相互之间也不同的MR高度；测量上述至少2个其它磁阻效应元件的电阻值的步骤；切断上述晶片的形成有上述元件列的部分形成滑条的步骤；以及将相对晶片上的磁阻效应元件的露出面研磨后的磁阻效应传感膜的露出面向里方向上的目标尺寸作为MR传感器高度时，根据由上述电阻值确定的MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值，研磨上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面，将其MR高度作为MR传感器高度的步骤。
14.如权利要求13所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于在上述滑条上配置至少2个上述其它磁阻效应元件。
15.如权利要求14所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于在上述滑条上配置2个以上5个以下的上述其它磁阻效应元件。
16.如权利要求13所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于以上述元件列的多列为1组构成区域，在上述晶片上设置多个上述区域，在上述各区域配置至少2个上述其它磁阻效应元件，上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面的研磨，根据由包含上述滑条的区域内的上述其他磁阻效应元件的电阻值决定的上述MR高度为上述MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值来进行。
17.如权利要求16所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征于在在上述各区域配置2个以上5个以下的上述其它磁阻效应元件。
全文摘要
磁阻效应型磁头的制造方法，在晶片上将磁阻效应元件和与其MR高度不同的其它磁阻效应元件配置成1列朝向同一方向形成元件列，切断该元件列形成滑条，通过将其研磨而研磨磁阻效应元件的露出面，形成所希望高度的MR高度，此时，测定该磁阻效应元件的电阻值及该其它磁阻效应元件的电阻值，根据由这些电阻值确定的上述MR高度为MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值，研磨上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面，将其MR高度作为MR传感器高度。
文档编号G11B5/39GK1146588SQ9610837
公开日1997年4月2日 申请日期1996年6月20日 优先权日1995年6月21日
发明者加藤笃, 森尻诚, 矶野千博, 高仓昭雄, 小柳広明 申请人:株式会社日立制作所