专利名称:一种微型耐压高散热的mosfet的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种微型耐压高散热的MOSFET，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装，在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。本实用新型的有益效果在于：本实用新型提出在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳,等同增大了散热面积，提高了散热效果，在原来封装体的外部增加了外壳，等同增加了保护外壳，比以前单独的封装体坚固了很多，增加了使用寿命。
【专利说明】—种微型耐压高散热的MOSFET
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体【技术领域】，涉及一种微型耐压高散热的M0SFET。
【背景技术】
[0002]如图1所示，现有的很多MOSFET的第一外延片22，第二外延片23 二者是一体设置的，然后封装体21封装，这样设置的目的是散热，但是实际效果很差，由于第一外延片，第二外延片的散热面积有限，导致散热不畅，另外第一外延片，第二外延片二者是一体设置很容易造成短路。现有的MOSFET对耐压程度也不高，不能承受特殊环境状态下使用。
[0003]所以现有技术有缺陷，需要改进。
实用新型内容
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种微型耐压高散热的M0SFET，能够提高微型耐压提高散热效果的MOSFET。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案:
[0006]一种微型耐压高散热的M0SFET，它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装；
[0007]还包括一壳体,封装于壳体内的电路结构,壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上，在第一外延片的第一段的侧部连接所述外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。
[0008]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，第一外延片与外壳是一体设置。
[0009]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，第二外延片与外壳是一体设置。
[0010]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，第一外延片与外壳形成U字形空间，封装体在U字形空间内。
[0011 ] 所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，外壳设置在第一外延片第一端的左侧。
[0012]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，外壳设置在第一外延片第一端的右侧。
[0013]所述的微型耐压高散热的M0SFET,其中，外壳设置在第一外延片第一端的前端。
[0014]所述的微型耐压高散热的M0SFET,其中，外壳设置在第一外延片第一端的后端。
[0015]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，在封装体内设置处理器模块、加解密模块，存储模块，电源检测模块和输入输出模块，且所述所有模块通过MOSFET内部的总线相互连接，管脚控制模块连接于处理器模块和管脚模块之间。
[0016]本实用新型的有益效果在于:本实用新型提出在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳，等同增大了散热面积，提高了散热效果，在原来封装体的外部增加了外壳，等同增加了保护外壳，比以前单独的封装体坚固了很多，能够形成良好的欧姆接触，减小接触电阻，从而减小导通压降，进而降低通态功耗，使可控硅MOSFET发热量低，可靠性好，使用寿命长。
【附图说明】
[0017]图1为现有MOSFET的结构示意图；
[0018]图2为本实用微型耐压高散热的MOSFET的结构示意图之一；
[0019]图3为本实用微型耐压高散热的MOSFET的结构示意图之二。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施例。
[0021]实施例一
[0022]请参阅图2、图3所示，本实用新型揭示了一种微型耐压高散热的M0SFET，它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装；
[0023]还包括一壳体,封装于壳体内的电路结构,壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上，在第一外延片的第一段的侧部连接所述外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。本实用新型最大的创意就是把第一外延片26，一第二外延片25分离开，避免产生短路现象，把第一外延片26与外壳27 —体设置，第一外延片与外壳是一体设置。第一外延片26在MOSFET内部产生的热量通过第一外延片26直接扩散到外壳上，能够很好散热；第一外延片与外壳形成U字形空间，封装体在U字形空间内。这样外壳就形成一个保护外壳，增加了本MOSFET的坚固性。
[0024]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，第一外延片与外壳是一体设置。
[0025]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，第二外延片与外壳是一体设置。
[0026]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，第一外延片与外壳形成U字形空间，封装体在U字形空间内。
[0027]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，外壳设置在第一外延片第一端的左侧。
[0028]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，外壳设置在第一外延片第一端的右侧。
[0029]所述的微型耐压高散热的M0SFET,其中，外壳设置在第一外延片第一端的前端。
[0030]所述的微型耐压高散热的M0SFET,其中，外壳设置在第一外延片第一端的后端。
[0031]所述的微型耐压高散热的M0SFET，其中，在封装体内设置处理器模块、加解密模块，存储模块，电源检测模块和输入输出模块，且所述所有模块通过MOSFET内部的总线相互连接，管脚控制模块连接于处理器模块和管脚模块之间。
[0032]本实用新型的有益效果在于:本实用新型提出在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳，等同增大了散热面积，提高了散热效果，在原来封装体的外部增加了外壳，等同增加了保护外壳，比以前单独的封装体坚固了很多，能够形成良好的欧姆接触，减小接触电阻，从而减小导通压降，进而降低通态功耗，使可控硅MOSFET发热量低，可靠性好，使用寿命长。
[0033]本实施例中，所述微型耐压高散热的MOSFET的部分侧壁或全部侧壁呈锯齿状。优选地，所述微型耐压高散热的MOSFET的所有侧壁呈锯齿状。
[0034]本实施例中微型耐压高散热的MOSFET的这种侧壁结构也可以增加侧向光源的出光面积，使MOSFET获得更多的出光。
[0035]此外，微型耐压高散热的MOSFET的部分侧壁或全部侧壁还可以呈现其他凹凸不平状，如不规则的凹凸不平状，只要可以增加MOSFET侧面的出光面积即可。
[0036]这里本实用新型的描述和应用是说明性的，并非想将本实用新型的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。
【权利要求】
1.一种微型耐压高散热的MOSFET,其特征在于,它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装； 还包括一壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上，在第一外延片的第一段的侧部连接所述外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。2.根据权利要求1所述的微型耐压高散热的MOSFET,其特征在于:第一外延片与外壳是一体设置。3.根据权利要求1所述的微型耐压高散热的M0SFET，其特征在于:第二外延片与外壳是一体设置。4.根据权利要求1所述的微型耐压高散热的MOSFET,其特征在于:第一外延片与外壳形成U字形空间，封装体在U字形空间内。5.根据权利要求1所述的微型耐压高散热的MOSFET,其特征在于:外壳设置在第一外延片第一端的左侧。6.根据权利要求1所述的微型耐压高散热的MOSFET,其特征在于:外壳设置在第一外延片第一端的右侧。7.根据权利要求1所述的微型耐压高散热的MOSFET,其特征在于:外壳设置在第一外延片第一端的前端。8.根据权利要求1所述的微型耐压高散热的MOSFET,其特征在于:外壳设置在第一外延片弟一端的后端。9.根据权利要求1所述的微型耐压高散热的M0SFET，其特征在于:在封装体内设置处理器模块、加解密模块，存储模块，电源检测模块和输入输出模块，所有模块通过MOSFET内部的总线相互连接，管脚控制模块连接于处理器模块和管脚模块之间。
【文档编号】H01L23-02GK204271079SQ201420586141
【发明者】黄泽军 [申请人]深圳市锐骏半导体有限公司