激光诱导热成像法和采用其的有机发光二极管的制造方法

专利名称：激光诱导热成像法和采用其的有机发光二极管的制造方法
技术领域：
本发明的方面涉及激光诱导热成像的方法和采用激光诱导热成像方法的有机发光二极管的制造方法，更具体地，采用激光诱导热成像方法，当将有机膜层压到受体基板上时，能够利用磁力层压供体(donor)膜和受体(acceptor)基板的激光诱导热成像方法，和采用该成像方法的有机发光二极管的制造方法。
背景技术：
本发明的方面涉及激光诱导热成像装置和激光诱导热成像方法，以及采用该方法的有机发光二极管的制造方法，更具体地，当采用激光诱导热成像方法层压有机膜到受体基板上时，通过在该受体基板中包括第一磁体和在该供体膜中包括第二磁体来产生磁力，可以改进受体基板和供体基板成像层之间的粘附特性的激光诱导热成像装置和激光诱导热成像方法；以及采用该装置和该方法的有机发光二极管的制造方法。
在形成有机发光二极管的有机膜层的方法中，其中有机膜层采用阴影掩模(shadow mask)通过真空沉积形成有机发光材料的沉积方法的缺点在于，由于阴影掩模变形难于形成超精细图案等，并且难于应用于大面积显示器。
为了解决沉积方法中的问题，提出了直接构图有机膜层的喷墨方法。该喷墨工艺是通过从喷墨打印机头排放一排放液来形成有机膜层的方法，该排放液通过溶解或分散溶剂中的发光材料获得。该喷墨工艺在处理上相对简单，但其缺点是产量减少，薄膜厚度不一致，并且难于应用于大面积显示器。
同时，提出了采用激光诱导热成像技术形成有机膜的方法。该激光诱导热成像方法是一种方法，其中，成像层紧密粘附到受体基板上，然后通过扫描激光而被转移到供体膜上，该供体膜包括基板、光热转换层和成像层，其将通过该基板的激光在该光热转换层中转换成热，以延伸该光热转换层，并且延伸邻近的成像层。该激光诱导热成像方法是具有固有优点的工艺，如高分辨率图案形成、薄膜厚度一致性、层压多层的能力和扩展到大尺寸玻璃母板的能力。
当实施传统的激光诱导热成像方法时，该方法优选地在真空状态下实施，以便在形成发光装置时，其中转移发光层的室内能与其它沉积工艺一致，因此该方法通常在真空状态下实施，但根据传统方法在真空状态下实施激光热转移时，则其缺点在于由于在该供体膜和该受体基板之间通常施加的耦合力减小，因此该成像层的转移性能差。因此，在激光诱导热成像方法中，层压供体膜和受体基板的方法非常重要，因此，已经有尝试解决这样的问题。
下文中，将参照附图详细描述根据传统技术的激光诱导热成像方法和热转移成像装置。
图1展示了根据传统技术的热转移成像装置的局部截面图。
参照图1，该热转移成像装置100包括设置在室110内的基板台120和设置在该室110上部的激光发射设备130。
在该基板台120上，受体基板140引入室110中，并且供体膜150顺序设置在用于在该基板台120中分别设置受体基板140和供体膜150的第一锚定凹槽121和第二锚定凹槽123中。第一锚定凹槽121沿着受体基板140的周边方向形成，并且第二锚定凹槽123沿着供体膜150的周边方向形成。一般来说，受体基板140具有比供体膜150更小的面积，因此，第一锚定凹槽121的形成尺寸比第二锚定凹槽123的尺寸小。
同时，为了进行层压，而在该受体基板140和该供体膜150之间没有外来物质或空隙，其中产生激光热转移的室110内处于环境压力，并且管161、163分别连接到第一锚定凹槽121和第二锚定凹槽123的下部，并且吸入真空泵P，以将受体基板140和供体膜150彼此结合。
然而，虽然其它制造有机发光二极管的方法都保持在真空状态下，但是，通过真空泵粘附该受体基板和该供体膜的方法不在真空状态下在该室内使用，因此，该方法具有产品的寿命和可靠性受到不利影响的缺点。

发明内容
本发明的方面被设计以解决传统技术这样的缺陷和/或其它问题，因此本发明的方面是提供能够采用磁力层压供体膜和受体基板的激光诱导热成像方法，和采用该方法的有机发光二极管的制造方法，其中，激光热转移在真空状态下进行，以使在该供体膜和该受体基板之间外来物质不会停留并且不会产生空隙。
本发明前述和/或其它方面通过提供激光诱导热成像方法得以实现，所述方法包括在处理室的基板台上设置受体基板，其中，第一磁体形成在该受体基板的一个表面中；在该受体基板上设置包括第二磁体的供体膜；采用该第一和第二磁体之间作用的磁力，层压该供体膜和该受体基板；和通过在该供体膜上扫描激光来将成像层的至少一个区域转移到该受体基板上。
尽管不是在所有方面所需，优选地，该供体膜包括基底基板；形成在该基底基板上的光热转换层；形成在该光热转换层上的成像层；形成在光热转换层的至少一个表面上的磁体。同样，该激光诱导热成像方法还包括该光热转换层和该成像层之间的层间绝缘层。该磁体为电磁体或永磁体，并且至少形成为一个杆或圆柱形。该电磁体或永磁体同心设置，但是设置为平行于多个纵向和多个横向。尽管不是在所有方面所需，该永磁体由永磁体纳米颗粒制造，并且该永磁体纳米颗粒采用旋转涂布、电子束沉积或喷墨方法形成，并且在该电磁体中包括有用于施与电压的电缆。该处理室也是真空室。
本发明前述和/或其它方面通过提供有机发光二极管的制造方法予以实现，该有机发光二极管采用根据本发明的方面的激光诱导热成像方法形成在第一电极和第二电极之间，该方法包括受体基板传输操作，在基板台上设置具有像素区和包括第一磁体的受体基板；供体膜传输操作，在该受体基板上传输包括第二磁体和具有发光层的供体膜；层压操作，采用在该受体基板中形成的该第一磁体和包括在该供体膜中的第二磁体之间的磁力彼此连接该受体基板和该供体膜；和转移操作，其通过扫描激光到该供体膜上而将该发光层转移到该受体基板的像素区。
本发明另外的方面和/或优点将部分地在下面的说明书中陈述，部分将从说明书中显见，或可以通过本发明的实践习之。


结合附图，通过实施例的以下描述，本发明的这些和/或其它方面和优点将会更加明显易懂，在附图中图1是展示根据传统技术的热转移成像装置的局部截面图；图2A至2H是根据工艺操作的截面图，其用于描述根据本发明方面的激光诱导热成像方法；
图3是展示根据本发明的用于激光转移的供体膜的第一实施例的截面图；图4是展示根据本发明的用于激光转移的供体膜的第二实施例的截面图；图5是展示根据本发明方面的受体基板的第一实施例的截面图；图6是展示根据本发明方面的受体基板的第二实施例的截面图；以及图7A至7E是展示根据本发明另一方面的描述有机发光二极管的制造方法的截面图。
具体实施例方式
下面将详细参考本发明的实施例，其示例图解在附图中，其中，全文中同样的参考标号代表同样的元件。该实施例在下面描述以参考附图解释本发明。
参照图2A至2H，将在这里描述根据本发明的方面的激光诱导热成像方法的一个实施例。根据本发明的方面，实施该激光诱导热成像方法的热转移成像装置包括处理室200a、传输室200b、基板台220和激光振荡器210。
如用在传统的热转移成像装置中的处理室可以用作处理室200a，并且处理室200a之外提供有包括机械手260和末端执行器(end-effector)261等的传输室200b，其用于将供体膜280或受体基板270传输至处理室200a中，其中，供体膜280包括第一磁体(未示出)，受体基板270包括第二磁体271。闸阀250设置在处理室200a和传输室200b之间。闸阀250起绝缘传输室200b和处理室200a的作用。
同时，基板台220还包括用于移动的驱动单元(未示出)。例如，基板台220还可以包括驱动单元，以便当激光在垂直方向扫描时，在水平方向平移基板台220。
同样，基板台220可以包括安装单元以容放和安装受体基板270该供体膜280。安装单元能够将受体基板270安装在基板台220上的某个位置，其中，受体基板270通过该传输单元，如传输室200b中的机械手260和末端执行器261，传输到处理室200a中。
根据这个实施例的方面，该安装单元可以包括通孔(未示出)，导向杆231、241、移动板230、240、支座(未示出)和锚定凹槽221、222。同时，导向杆231、241沿着移动板230、240和该支座上下移动，即，导向杆231、241向上移动通过该通孔时容放受体基板270，然后向下移动时在锚定凹槽221、222中锚定受体基板270。这时，锚定凹槽221、222优选地形成为与壁面倾斜以在精确的位置锚定受体基板270和供体膜280.
尽管本发明的实施例的描述中涉及垂直设置取向的一些元件的位置，但是应该理解的是，本发明不限于此，即，这些元件可以水平取向。例如，导向杆231、241可以设置在处理室200a的一侧并且沿着移动板230、240和该支座左右移动，即，导向杆231、241向左移动通过该通孔时容放受体基板270，然后向右移动时在锚定凹槽221、222中锚定受体基板270。类似地，尽管本发明的实施例的描述中涉及水平设置取向的一些元件的位置，但是应该理解的是，本发明不限于此，即，这些元件可以垂直取向。
该通孔为形成在基板台220中的孔，以便用于支撑供体膜280和受体基板270的导向杆231、241可以上下移动。该支座用于在支撑导向杆231、241和移动板230、240的同时上下移动，并且与独立的电机(未示出)连接。
激光振荡器210可以安装在处理室200a内或外，并且优选地安装成激光可以向该基板台扫描。
在应用于制造有机发光二极管的本发明的实施例中，该激光诱导热成像方法包括受体基板270的传输操作、供体膜280的传输操作、层压步骤和转移操作。
受体基板270的传输操是将受体基板270设置在热转移成像装置的处理室200a中的操作，其中，包括第一磁体271的受体基板270设置在末端执行器261上，末端执行器261为传输室200b的传输单元(图2A)。末端执行器261通过机械手260引入处理室200a中，以将受体基板270设置在基板台220的上部(图2B)。传输至处理室200a中的受体基板270由向上移动通过第一通孔的第一导向杆231支撑。然后，末端执行器261滑出处理室200a并且回到传输室200b中(图2C)。支撑受体基板270的第一导向杆231向下移动时精确将受体基板270设置在基板台220的第一锚定凹槽22上(图2D)。
供体膜280的传输操作类似于受体基板270的传输操作，其中，供体膜280通过传输单元，如末端执行器261等，传输至处理室200a中，并且连接到设置在传输室200b中的机械手260上(图2E)。同时，供体膜280优选地通过膜托盘290传输。传输至处理室200a中的供体膜280由向上移动通过第二通孔的第二导向杆241支撑。当供体膜280由第二导向杆240支撑时，机械手260将末端执行器261滑出该处理室200a之外并且将末端执行器261返回至传输室200b中(图2F)。支撑供体膜280的第二导向杆241向下移动时精确将供体膜280设置在基板台220的第二锚定凹槽22上(图2G)。
该层压操作是采用磁力使受体基板270和供体膜280彼此连接的操作，通过给包括在形成于受体基板270中的第一磁体271中的电缆施与电源和在供体膜280中设置第二磁体(未示出)，从而在受体基板270和供体膜280之间产生该磁力。同时，处理室200a内保持为真空状态，因此，在供体膜280和受体基板270之间产生的外来物质或空隙减少，从而可以改进转移效率。
该转移操作是采用激光辐射装置210通过在层压到受体基板270上的供体膜280上扫描激光，来将形成在供体膜280中的发光层转移至受体基板270的像素栅(pixel barrier)的一个区域和该像素栅的开口中的操作。当扫描激光时，供体膜280的光热转换层膨胀，因此邻近的发光层也在受体基板270的方向上膨胀，并且最后通过接触该发光层至受体基板270上而进行转移(图2H)。
在下文中，将描述根据本发明实施例的包括磁体的激光热转移供体膜。该供体膜是提供有将被转移至受体基板的成像层的膜，并且包括顺序层压的基底基板、光热转换层和成像层。而且，在该光热转换层和该成像层之间可以还提供有缓冲层和层间层，以便改进该激光诱导热成像转移方法的性能。
根据本发明的该实施例的激光热转移供体膜包括磁体。在这种情况下，在该供体膜的多层之间至少形成有一个磁体。
图3是展示根据本发明的用于激光转移的供体膜的第一实施例的截面图。参照图3，该供体膜由基底基板310、光热转换层320、磁体330、层间层340和成像层350组成。
该基底基板310是起支撑该供体膜作用的基板，其中该基板优选地由透明聚合物制成，并且具有10至500μm的厚度。尽管不是在所有方面所需，聚酯、聚丙稀酸、聚环氧、聚乙烯、聚苯乙烯等可以被用作该透明聚合物，但是该基底基板310不限于此。
光热转换层320为由吸收激光以转换成热的光吸收材料组成的层，其中，光热转换层320的厚度会根据采用的该光吸收材料和制造方法而变化，采用真空沉积方法、激光束沉积方法或溅射，由金属或金属氧化物组成的层优选地形成为100至5000，且采用压涂法(extrusion coating)、凹版涂布方法、旋转涂布方法或刀片涂布方法，由有机膜形成的层优选地形成为0.1至2μm。
如果形成光热转换层320的厚度小于上述范围，那么由于能量吸收率低，一般来说能量水平会太低，因此只有少量的能量转换成热并且膨胀压力减小，而如果光热转换层320的厚度超过上述范围，那么由于在该供体膜和该受体基板之间产生的高度差，通常可能产生不良的边缘开口。
由金属或金属氧化物等组成的光吸收材料具有0.1至0.4的光学密度，并且包括金属或氧化物，如铝、银、铬、钨、锡、镍、钛、钴、锌、金、铜、钼、铅及其氧化物。
而且，由有机膜组成的光合成材料包括聚合物，其中添加有碳黑、石墨或红外染料。而且，形成聚合接合树脂的材料例如包括(甲基)丙烯酸酯寡聚物，如丙稀酸(甲基)丙烯酸酯寡聚物、酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物、环氧(甲基)丙烯酸酯寡聚物、氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物等，或所述寡聚物和(甲基)丙烯酸酯单体的混合物，但不限于此。
尽管不是在所有方面所需，插入该供体膜中的磁体330为插入层以与插入稍后描述的受体基板中的另一个磁体产生磁力。
尽管在附图中未示出，但是该缓冲层为在磁体330和成像层350之间引入的层，以便改善成像层350的转移性能。并且增加了转移后的装置的寿命。尽管不是在所有方面所需，金属氧化物、金属硫化物、非金属无机化合物、或高或低分子有机材料可以用于该缓冲层。
层间层340起保护光热转换层320的作用，并且优选地具有高耐热度，并且也由有机或无机膜组成。
当成像层350转移到受体基板上时，其为与该供体膜分开的层。当成像层350被用于制造有机发光二极管时，其可以由高或低分子量有机发光材料组成以形成发光层。同样，成像层350可以由合适的材料组成以分别形成电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)。而且，每个成像层的材料不限于此，并且可以用任何易于获得的材料并采用比如压涂法、凹版涂布方法、旋转涂布方法、刀片涂布方法、真空沉积方法、化学气相沉积(CVD)方法、物理气相沉积(PVD)方法等成形。
如上所述，当磁体330插入该供体膜时，该供体膜被磁化，因此当其设置在具有另一个磁体的该受体基板的上部时，就形成了磁吸引。因此，该供体膜和该受体基板通过磁力彼此紧密粘附在一起。
图4是展示根据本发明的方面的第二个实施例的用于激光转移的供体膜的截面图。参照图4，与图3中磁体330形成在光热转换层320和层间层340之间不同的是，磁体420形成在基板410和光热转换层430之间。根据本发明实施例的供体膜包括层间层440和成像层450。每层具有与图3中相同的功能，因此在此略去对它们的描述。
图5是展示根据本发明的方面的第一实施例的受体基板的截面图。参照图5，下面简要描述该受体基板上的结构。缓冲层502形成在基板500的表面上，并且磁体501形成在基板500的与形成有缓冲层502的表面相对的另一表面上。
形成在基板500上的磁体501为电磁体或永磁体，并且至少形成为一个杆或圆柱的形状。该电磁体或永磁体同心设置，或设置为平行于多个纵向和多个横向。尽管不是在所有方面所需，该永磁体由永磁体纳米颗粒制造，并且该永磁体纳米颗粒采用旋转涂布、电子束沉积或喷墨方法形成，并且在该电磁体中包括用于施与电压的电缆。
在缓冲层502的一个区域上形成有半导体层，其在有源沟道层503a和欧姆接触层503b之间包括低掺杂漏区(LDD)层(未示出)。栅极绝缘膜504和栅极505顺序在该半导体层上被构图。源和漏电极507a、507b形成在层间层506的一个区域上，其中，层间层506形成在栅电极505上，这样形成以便该半导体层的欧姆接触层503b可以被暴露，并且源和漏电极507a、507b连接到该暴露的欧姆接触层503b上。
保护层508形成在层间层506上。漏电极507b和第一电极层509通过形成在保护层508中的通孔(未示出)彼此电连接，以便漏电极507b可以通过蚀刻保护层508的一个区域来暴露。第一电极层509形成在保护层508的一个区域上，并且在保护层508上形成有像素栅510，其中形成有开口以便至少部分暴露第一电极层509。
图6和7A-7E是展示根据本发明的方面的受体基板的其它实施例的截面图，因此，在此略去对与图5中相同的结构的描述。
图6是展示根据本发明的方面的受体基板的第二实施例的截面图。在图6中，电磁体或永磁体形成在基板600和缓冲层602之间，并且至少形成为一个杆或圆柱形。该电磁体或永磁体也同心设置，但是设置为平行于多个纵向和多个横向。尽管不是在所有方面所需，该永磁体由永磁体纳米颗粒制造，并且该永磁体纳米颗粒采用旋转涂布、电子束沉积或喷墨方法形成，并且在该电磁体中包括用于施与电压的电缆。
图7A-7E是用于描述根据本发明实施例的有机发光二极管制造方法的截面图。
如图7A所示，根据本发明的方面，当发光层采用激光诱导热成像方法形成时，首先制备包括磁体701的受体基板。如上所述，该受体基板具有形成在基板700表面上的薄膜晶体管和形成在该基板700上的相对于设置有该薄膜晶体管的表面的另一表面的磁体701。磁体701为永磁体时可以由纳米颗粒组成，并且该纳米颗粒采用旋转涂布、电子束沉积、或喷墨方法形成。在该薄膜晶体管上形成有具有开口710的像素栅711，其中，第一电极层709的至少一个区域通过该开口暴露。
然后，如上所述和图7B所示，将供体膜720层压在该受体基板上。即，通过供体膜720中的磁体722和受体基板中的磁体701之间的磁力作用，增强了紧密粘附特性。由于供体膜720和该基板之间的紧密粘附特性显著增强，因此在随后的转移工艺中显著改善了转移效率。根据本发明的一个实施例的供体膜720可以包括基底基板721、磁体722、光热转换层723、层间层724和成像层725(如发光层)，但是在此当然可以应用包括磁体的另一个结构。
接下来，如图7C所示，激光局部扫描到将转移成像层如发光层725的一个区域上，该区域设置在供体膜720上，同时受体基板和供体膜720保持层压。在激光扫描之处，因为光热转换层723在该受体基板的方向上膨胀，所以该成像层725延伸，并且成像层725中激光扫描的区域与供体膜720分开，并同时转移到该受体基板上。
如图7D所示，当成像层725b转移到该受体基板上时，该受体基板与供体膜720分开。成像层725b至少形成在像素栅711的一个区域上，并且像素栅710的开口形成在分开的受体基板上，且只转移成像层725b被激光扫描的区域，剩下的未被激光扫描的区域725a在供体膜720上仍然完整。
如图7E所示，一旦成像层725b转移到该受体基板上，第二电极层732就形成在成像层/发光层725b上，并且形成封装膜730以保护有机发光二极管。吸收构件731形成在密封膜730内，并且吸收构件731起吸收渗入至有机发光二极管中的湿气等的作用。因此，该有机发光二极管的发光层725b可以免受湿气等的损伤。
如上所述，根据本发明的方面的激光诱导热成像方法，由于激光热转移在真空状态下实施，并且由于该供体膜和该受体基板通过在该供体膜中的磁体和形成在该受体基板中的另一个磁体之间产生的磁力来层压，所以当该供体膜和该受体基板采用激光诱导热成像方法层压时在该供体膜和该受体基板之间不会产生外来物质和空隙，因此具有改善的紧密粘附力，并且可以改善有机发光二极管的寿命、产量和可靠性。
尽管已经展示并描述了本发明的一些实施例，但是本领域的技术人员应该理解的是，可以在这些实施例中进行变化，而不脱离本发明的原理和精神，本发明的范围限定在权利要求书和它们的等同物中。
本申请要求于2005年11月16日在韩国知识产权局提交的韩国申请No.2005-109824的权益，其全部内容引入于此作为参考。
权利要求
1.一种激光诱导热成像方法，包括在处理室的基板台上设置受体基板，其中，第一磁体形成在该受体基板的至少一个表面中；在该受体基板上设置包括第二磁体的供体膜；利用作用在该第一和第二磁体之间的磁力，层压该供体膜和该受体基板；和通过在该供体膜上扫描激光，将成像层的至少一个区域转移到该受体基板上。
2.根据权利要求1所述的激光诱导热成像方法，其中，该供体膜包括基底基板；形成在该基底基板上的光热转换层；形成在该光热转换层上的成像层；和形成在该光热转换层中的至少一个表面上的第二磁体。
3.根据权利要求2所述的激光诱导热成像方法，其中，该供体膜还包括在该光热转换层和该成像层之间的层间层。
4.根据权利要求1所述的激光诱导热成像方法，其中，该第一和第二磁体形成为杆或圆柱的至少一个形状。
5.根据权利要求1所述的激光诱导热成像方法，其中，该第一和第二磁体为电磁体或永磁体。
6.根据权利要求5所述的激光诱导热成像方法，其中，该电磁体或永磁体同心设置。
7.根据权利要求5所述的激光诱导热成像方法，其中，该电磁体或永磁体设置为平行于多个纵向和多个横向。
8.根据权利要求5所述的激光诱导热成像方法，其中，该永磁体由永磁体纳米颗粒制造。
9.根据权利要求8所述的激光诱导热成像方法，其中，该永磁体纳米颗粒采用旋转涂布、电子束沉积或喷墨方法形成。
10.根据权利要求5所述的激光诱导热成像方法，其中，该电磁体中还包括电缆以在该电磁体中施与电压。
11.根据权利要求1所述的激光诱导热成像方法，其中，该处理室是真空室。
12.一种有机发光二极管的制造方法，该有机发光二极管采用激光诱导热成像方法形成在第一电极和第二电极之间，该方法包括在基板台上设置具有形成在其中的像素区和包括第一磁体的受体基板；将包括第二磁体和具有发光层的供体膜转移到该受体基板上；利用在该第一和第二磁体之间的磁力使该受体基板和该供体膜彼此连接；并且通过对该供体膜扫描激光来将该发光层转移到该受体基板的像素区。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管的制造方法，还包括在该发光层上形成第二电极层；和在该有机发光二极管上形成封装膜以保护该有机发光二极管。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管的制造方法，其中，形成该封装薄膜包括在该第二电极层和该密封膜之间具有吸收构件，以吸收渗入该有机发光二极管中的湿气。
15.一种将供体膜固定到用于激光热成像的受体基板上的方法，包括在该受体基板上支撑该供体膜，其中该受体基板具有第一磁体，而该供体膜具有第二磁体；和在该第一和第二磁体之间施加磁力以将该供体膜层压到该受体基板上。
16.根据权利要求15所述的将供体膜固定到受体基板上的方法，还包括抽空真空室；和在该受体基板上支撑该供体膜，并且在该真空室中在该受体基板和该供体膜之间施加层压磁力。
17.一种激光诱导热成像设备，包括受体基板上的供体膜，其中该受体基板具有第一磁体，并且该供体膜具有第二磁体以在该供体膜和该受体基板之间施加均匀的层压力；和辐射该供体膜的至少一个区域的激光。
18.根据权利要求17所述的激光诱导热成像设备，还包括真空室。
19.一种生产有机发光二极管的方法，在该有机发光二极管中利用激光诱导热成像在第一电极层和第二电极层之间形成发光层，该方法包括在该受体基板上支撑具有发光层的供体膜，其中该受体基板具有第一磁体，而该供体膜具有第二磁体，以在该供体膜和该受体基板之间施加均匀的层压力；和通过将激光辐射到该供体膜上来将该发光层转移到该受体基板的像素区中。
全文摘要
本发明公开了一种激光诱导热成像方法以及采用该方法的有机发光二极管的制造方法，其中可以利用磁力有效地层压供体膜和受体基板。该激光诱导热成像方法包括在处理室的基板台上设置受体基板，其中第一磁体形成在该受体基板的一个表面中；在该受体基板上设置包括第二磁体的供体膜；利用作用在该第一和第二磁体之间磁力来层压该供体膜和该受体基板；和通过在该供体膜上扫描激光将成像层的至少一个区域转移到该受体基板上。该激光诱导热成像方法改善了供体膜和受体基板之间的粘附力，从而改善了有机发光二极管的寿命、产量和可靠性。
文档编号H01L51/00GK1982076SQ200610148550
公开日2007年6月20日 申请日期2006年11月16日 优先权日2005年11月16日
发明者鲁硕原, 杨南喆, 李在濠, 宋明原, 郭鲁敏 申请人:三星Sdi株式会社