专利名称：一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽的制作方法
一种单晶^t阳能电〗败:l面腐蚀槽
狱领敏
本发明涉及晶^i:阳能电池，尤 及单晶硅太阳能电,面腐蚀槽。
背景駄
单晶硅太阳能电M^面陷光效果与太阳能电池的"金字塔"绒面均匀性有直接关系。
目前，单晶硅太阳能电鹏面都^iil腐蚀 球获得"金字塔"绒面的，现在常用的方 法超維片竖直鹏爐在硅片承織中，然后離片承織方爐在駭腐蚀液的腐蚀槽 中，腐蚀液由氢氧化钠驢氧化钾、水、消泡剂混合而成。目前，单晶硅太阳能电鹏 面腐蚀槽由槽体、加热管、支撑平板、硅片織器《賊，力口热管设置在槽体的底部，支 撑平板架设在加热管的上面，在支撑平fel均匀地设有^f渗液孔，硅片承，方爐在 雄平社，加热后的腐蚀狐穷掌平社的渗液孔中冒出，流动的腐蚀液与硅片撤虫， 使单晶硅太阳能电池形成绒面。这种结构的腐蚀槽，腐蚀液的流向是从硅片底部i^i赔 片的上部，再沿lf壁流下，不断循环。由于在支撑平fei:有^F个均匀分布的渗液孔， 在设有渗液孔的^gj^蚀液流动快，没有渗液孔的^S腐蚀液流动慢，这離片底部腐 蚀液的流动不均匀，造成了硅片表面腐蚀不均，所获得的绒面表面不均匀，难以达到人 们的f^要求。
发明内容
为了克SgJ^缺陷，提高单晶硅太阳能电池绒面均匀性，本发明鄉了一种新型单 晶硅太阳能电^^面腐蚀槽。
本发明所細的技术方案是
戶;M单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽，包括槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器， 支撑平板架设在槽体内，并与槽体底面形成一个空腔，硅片承織放置在支撑平t肚，
硅片插^&硅片承，上，，征是在穷掌平板的左右两端分别开有左缺口和右缺口，
戶;M加热管安驗槽体内ILt:，且位于左缺口航缺口的上方。
戶;f^缺口和右缺口的皿为"d"字形，旨支撑平板的皿为"工"字形。 当腐蚀槽加热时，腐蚀^/人设有加热管的一女雕央口流出，沿垂直于承織的方向流 向另一端的缺口， 、^it支撑平板下面的空腔中，再髓誕加热管的缺口上升继续加热，
如此不断循环。这样，不i5^h硅片表面的受热均匀，而皿蚀液流动皿均匀，腐蚀
液与硅片的撤虫机率更均匀，从而使得腐t^ffl均匀，所形成的绒面结构均匀一致。
图1~2为本发明的结构示意图； 其中，图2为图1的俯视图中，1-槽休2-加热管；3-支撑平板；4^圭片承織；5-左缺口； 6-右缺口； 7-槽体底面; 8画槽体内壁；9-空腔；10勒。
下面结合附图1、图2详细说明本发明的具体实施方式
，所述单晶硅太阳能电 自 面腐蚀槽，由槽体l、力口热管2、支撑平板3、硅片承織4会贼，在支撑平板3的左右 两端开有"d"字形的左缺口 5和右缺口 6，旨穷掌平板3的开娥为"工"字形，支撑 平板3架设在槽体1内，并与槽体底面7形成一个空腔9，所述加热管2安M槽体内 壁8上，且位于支撑平板3的右缺口6的上方，硅片承織4方爐支撑平板3上，硅片 10插^^硅片承i^4上。
权利要求
1、一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽，包括槽体(1)、加热管(2)、支撑平板(3)、硅片承载器(4)，支撑平板(3)架设在槽体(1)内，并与槽体底面(7)形成一个空腔(9)，硅片承载器(4)放置在支撑平板(3)上，硅片(10)插装在硅片承载器(4)上，其特征是在支撑平板(3)的两端开有左缺口(5)和右缺口(6)，所述加热管(2)安装在槽体内壁(8)上，且位于左缺口(5)或右缺口(6)的上方。
2、 根据权利要求l所述单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽，其特征是所述左 缺口 (5)和右缺口 (6)的形状为"D"字形，支撑平板(3)的形状为"工" 字形。
全文摘要
一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽，包括槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器，在支撑平板的左右两端分别开有左缺口和右缺口，支撑平板架设在槽体内，并与槽体底面形成一个空腔，所述加热管安装在槽体内壁上，且位于左缺口或右缺口的上方，硅片承载器放置在支撑平板上。当腐蚀槽加热时，腐蚀液从加热管的缺口垂直于承载器的方向流动，沿着支撑平板的缺口流到支撑平板下面的空腔中，再沿着靠近加热管的缺口上升继续加热，如此不断循环。这样，整个硅片表面的受热均匀，腐蚀液流动均匀，腐蚀速度均匀，绒面结构一致。
文档编号H01L21/306GK101097971SQ20071002396
公开日2008年1月2日 申请日期2007年6月30日 优先权日2007年6月30日
发明者刘志刚, 荀建华 申请人:荀建华;刘志刚