专利名称：抗失真触摸感应显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具有触摸感应显示屏的显示面板，更具体地讲，涉及一 种抵抗被触摸时的图像失真的显示面板。
背景技术：
当用外部笔触摸具有触摸感应显示屏的平板显示设备(例如液晶显示器(LCD))时，其接收输入信号。通常，LCD设备利用液晶的光学和电学特性显 示图像，并利用入射光和/或来自背光组件的光显示图《象。LCD面板包括阵列 基底、滤色器基底及置于阵列基底和滤色器基底之间的液晶层。阵列基底具 有薄膜晶体管。当通过外部笔向LCD设备施加压力时，在LCD设备的液晶 层中的液晶分子的取向改变，并且会使由LCD设备显示的图像局部失真。发明内容根据本发明的一方面， 一种阵列基底包括多条栅极线、多条数据线、多 个薄膜晶体管、多个像素电极、多条共电压线和多个共电极。栅极线在第一 方向上延伸，数据线在与第一方向基本垂直的第二方向上延伸。薄膜晶体管 电连接到栅极线和数据线。像素电极形成在由栅极线和数据线的交叉方向限 定的各像素内，并电连接到薄膜晶体管。共电压线在与数据线基本平行的第 二方向上延伸。共电极形成在各像素中，与像素电极电绝缘，并电连接到共 电压线。例如，像素电极和共电极可包含透明导电材料。像素电极可包括第 一主像素电极、第二主像素电极和多个子像素电极。 第一主像素电极在第一方向上延伸并与栅极线中的一条相邻。第二主像素电 极也在第一方向上延伸，并与第一主像素电极隔开预定的距离，且与栅极线 中连续的一条相邻。子像素电极设置在第一主像素电极和第二主像素电极之 间，以连接第一主像素电极和第二主像素电极，子像素电极布置在第一方向 上。共电才及可设置在像素电极的下方，绝缘层可形成在共电极和像素电极之 间。
可选择地，像素电极可包括主像素电极和多个子像素电极。主像素电极 在第一方向上延伸，并与栅极线中的一条相邻。子像素电极从主像素电极朝 着栅极线中连续的一条突出，并布置在第一方向上。共电极可包括主共电极 和多个子共电极。主共电极在第一方向上延伸，并与4册极线中连续的一条相 邻。子共电极从主共电极朝着主像素电极突出，并布置在第一方向上。在本发明的另一方面中， 一种显示面板包括阵列基底；对向基底，面 对阵列基底；液晶层，置于阵列基底和对向基底之间，并具有液晶分子。阵列基底包括多条擴极线、多条数据线、多个薄膜晶体管、多个像素电 极、多条共电压线和多个共电极。栅极线在第一方向上延伸。数据线在与第 一方向基本垂直的第二方向上延伸。薄膜晶体管电连接到栅极线和数据线。 像素电极形成在由栅极线和数据线限定的各个像素中，并电连接到各个薄膜 晶体管。共电压线在与数据线基本平行的第二方向上延伸。共电极形成在各 像素中，与像素电极电绝缘，并电连接到共电压线。例如，液晶层的液晶分子可基本平行于阵列基底的表面取向，并可通过 由像素电极和共电极形成的电场旋转预定的角度，且基本平行于阵列基底的 表面。根据上文，液晶分子基本平行于阵列基底的表面。因而，液晶分子的取 向不会因触摸显示屏作用的外部压力而改变。因此，可提高显示品质。
通过参照以下结合附图时的详细描述，本发明的上面和其它优点将变得 更容易清楚，在附图中图1是示出了根据本发明示例性实施例的显示面板的透视图；图2是示出了图1中所示的显示面板的阵列基底的示意性俯视图；图3是示出了图2中的部分的放大的俯视图；图4是示出了图3中的区域"R1"的放大的俯视图；图5是沿着图4中的I-I'线截取的剖视图；图6是示出了图3中的区域"R2"的放大的俯视图；图7是沿着图6中的n-n'线截取的剖视图；图8是示出了图3中的区域"R3"的放大的俯视图； 图9是沿着图8中的III-in'线截取的剖视图； 图10是示出了根据本发明另一示例性实施例的显示面板的阵列基底的 部分的俯一见图；图ll是示出了图IO中的区域"R4"的放大的俯视图； 图12是示出了图IO中的区域"R5"的放大的俯视图； 图13是示出了图IO中的区域"R6"的放大的俯S见图； 图14是沿着图13中的IV-IV'线截取的剖视图。
具体实施方式
在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的大小和相对大小。应该明 白，当元件或层被称作在另一元件或层上、连接到另一元件或层、或者结合 到另一元件或层时，该元件或层可直接在其它元件或层上、直接连接到其它 元件或层、或者直接结合到其它元件或层，或者可存在中间元件或层。相反， 当元件被称作直接在另一元件或层上、直接连接到另一元件或层、或者直接 结合到另一元件或层时，不存在中间元件或层。图1是示出了根据本发明示例性实施例的显示面板的透视图。参照图1,显示面板400包括阵列基底100、对向基底200和液晶层300， 用于利用光来显示图像。阵列基底100包括多个像素电极，布置成矩阵构造；多个薄膜晶体管， 用于向像素电极施加驱动电压；多条信号线，用于驱动薄膜晶体管。阵列基 底IOO还包括施加有共电压的共电极。对向基底200面对阵列基底100。对向基底200可包括面向像素电极的 多个滤色器。滤色器的示例可包括红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器等。液晶层300置于阵列基底100和对向基底200之间。通过改变在像素电 极和共电极之间施加的电场使液晶重新取向。重新取向后的液晶控制穿过滤 色器的光的透射率，以显示图像。图2是示出了图1中所示的显示面板的阵列基底的示意性俯视图。参照图2，阵列基底100包括栅极线GL、数据线DL、薄膜晶体管TFT 和像素电才及150。多条栅极线GL布置在第一方向上。多条数据线DL布置在基本垂直于 第一方向的第二方向上。例如，如图2中所示，阵列基底100可包括9条栅 极线GL1、 GL2、 ...、 GL9和7条数据线DL1、 DL2.....DL7。栅极线GL1、 GL2、…、GL9中的每条电连接到栅极驱动器(未示出)，并被提供有栅极信号。数据线DL1、 DL2.....DL7中的每条电连接到数据驱动器(未示出)，并被提供有数据信号。栅极驱动器包括第一栅极驱动器，电连接到各条奇数栅极线GL1、GL3.....GL9的第一端；第二栅极驱动器，电连接到各条偶数栅极线GL2、GL4..... GL8的第二端，第二端与第一端相对。可选择地，4册极驱动器可电连接到栅极线GL1、 GL2..... GL9中的每条的端部。栅极线GL1、 GL2..... GL9与数据线DL1、 DL2.....DL7以基本垂直的方向交叉，从而在阵列基底100上限定多个像素。像素电极150形成在 各个像素中。因此，多个像素电极150按矩阵构造布置在阵列基底100上。各个像素可具有矩形形状。因此，形成在各像素中的像素电极150可具 有与各像素的形状基本相同的形状。薄膜晶体管TFT形成在各像素中，以与各像素电极150对应。薄膜晶体 管TFT电连接到栅极线GL、数据线DL和像素电极150。通过栅极线GL上 的栅极信号使薄膜晶体管TFT导通或截止，以将数据线DL上的数据信号施 加到像素电极150。当从俯视图看时，电连接到数据线DL中的一条的薄膜晶 体管TFT可以可选择地与数据线DL的第一側和数据线DL的第二侧相邻设 置，第二侧与第一侧相对。具体地讲，栅极线GL1、 GL2、 ...、 GL9中的每 条电连接到按行布置的相邻的薄膜晶体管TFT。连接到第一数据线DL1的薄膜晶体管TFT连接到奇数栅极线GL1、GL3..... GL9。连接到第七数据线DL7的薄膜晶体管TFT连接到偶数栅极线GL2、 GL4..... GL8。与其余的数据线DL2、 DL3、 DL4、 DL5和DL6的第一侧相邻的薄膜晶体管TFT连接到奇数栅极线GL1、 GL3.....GL9。与其余的数据线DL2、 DL3、 DL4、 DL5和DL6的第二侧相邻的薄膜晶体管 TFT连接到偶数斥册才及线GL2、 GL4..... GL8。例如，数据线DL1、 DL2.....DL7中的每条可被提供有用于垂直反转的数据信号。例如，当第一数据线DL1在一帧内^皮提供有具有正电压的数据 信号时，相邻的数据线即第二数据线DL2在该帧内被提供有具有负电压的数 据信号。相反，第一数据线DL1在下一帧内被提供有具有负电压的数据信号， 而第二数据线DL2在下一帧内被提供有具有正电压的数据信号。因此，可以 按点反转方法来驱动像素电极150。图3是示出了图2中的部分的放大的俯视图。图4是示出了图3中的区 域"R1"的放大的俯视图。图5是沿着图4中的I-I'线截取的剖视图。图6 是示出了图3中的区域"R2"的放大的俯视图。图7是沿着图6中的II-II'线 截取的剖视图。图8是示出了图3中的区域"R3"的放大的俯视图。图9是沿着图8中的nwn，线截取的剖视图。参照图1、图3、图4、图5、图6、图7、图8和图9，显示面板400包 括阵列基底100、对向基底200和液晶层300。阵列基底100包括第一透明基底110、栅极线GL、共电极CE、水平连 接电极HE、第一绝缘层120、数据线DL、薄膜晶体管TFT、共电压线130、 第二绝缘层140、像素电极150和垂直连接电极135。第一透明基底IIO呈板形，并包含诸如玻璃、石荚、透明合成树脂等的 透明材料。参照图3,栅极线GL在第一透明基底IIO上沿第一方向延伸，多条栅极 线GL布置在与第一方向基本垂直的第二方向上。第一绝缘层120形成在第一透明基底110上，以覆盖栅极线GL。可用于 第一绝缘层120的材料的示例可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO》等。参照图3，数据线DL形成在第一绝缘层120上，并在第二方向上延伸， 从而与栅极线GL交叉。多条数据线DL布置在第一方向上。数据线DL可在 第二方向上具有线性形状。可选择地，数据线DL可具有弯曲部分，例如锯 齿形形状。数据线DL与栅极线GL交叉，从而限定多个像素。共电极CE在第一透明基底IIO上形成在各像素中，并被第一绝缘层120 覆盖。共电极CE可具有矩形形状，并可包含透明导电材料。水平连接电极HE设置在相邻的共电极CE之间，以使共电极CE相互电 连接。水平连接电极HE由与共电极CE基本相同的层形成。具体地讲，水平 连接电极HE形成在第一透明基底110上，并被第一绝缘层120覆盖。水平 连接电极HE可包含透明导电材料。参照图3、图4和图5，薄膜晶体管TFT形成在各像素中，并电连接到 栅极线GL、数据线DL和像素电极150。具体地讲，薄膜晶体管TFT包括4册电极G、有源层A、源电极S、漏电 极D和欧姆4妻触层O。栅电极G/人栅极线GL突出预定的长度。例如，栅电极G可在与数据线
DL基本平行的方向上从栅极线GL突出。有源层A形成在第一绝缘层120上，并与栅电极G叠置。例如，有源层 A可具有矩形形状，并可包含非晶硅(a-Si)。源电极S从数据线DL突出预定的长度，并与有源层A的部分叠置。例 如，源电极S可在与栅极线GL基本平行的方向上从数据线DL突出。漏电极D与源电极S隔开预定的距离，并由与源电极S基本相同的层形 成。漏电极D与有源层A的部分叠置。此外，漏电极D与像素电极150的部 分叠置，以电连接到像素电极150。欧姆接触层O形成在源电极S和有源层A之间及漏电极D和有源层A 之间。欧姆接触层0可包含在其内以高浓度注入n+杂质的非晶砝(a-Si)。第二绝缘层140形成在第一绝缘层120上，以覆盖薄膜晶体管TFT和数 据线DL。可用于第二绝缘层140的材料的示例可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅 (SiOx)等。参照图3、图6和图7，共电压线130在第二方向上延伸以与像素交叉。 多条共电压线130布置在第一方向上。具体地讲，共电压线130可与像素的 中心部分交叉。共电压线130由与数据线DL基本相同的层形成。具体地讲， 共电压线130形成在第一绝缘层120上，并被第二绝缘层140覆盖。共电压 线130具有共电压连接部分132，以电连接共电压线130和共电极CE。例如， 可穿过共电压连接部分132的中心部分形成开口，共电压连接部分132可关 于像素的中心线基本对称，像素的中心线基本平行于第二方向。垂直连接电极135形成在第二绝缘层140上，以电连接共电压线130和 共电极CE。具体地讲，去除第一绝缘层120和第二绝缘层140中的各层的部分，以 形成第一共接触孔CH1。第一共接触孔CH1可形成在共电压连接部分132的 开口内。此外，去除第二绝缘层140的与共电压连接部分132叠置的部分， 以形成第二共接触孔CH2。垂直连接电极135形成在第二绝缘层140上，并通过第一共接触孔CH1 电连接到共电极CE，通过第二共接触孔CH2电连接到共电压连接部分132。 因此，垂直连接电极135将共电压线130电连接到共电极CE。参照图3和图4，像素电极150在各j象素中形成在第二绝缘层140上。 像素电极150通过穿过第二绝缘层140形成的像素接触孔142电连接到薄膜 晶体管TFT的漏电极D。像素电极150包含透明导电材料。当从俯视图看时， 设置在像素电极150下方的共电极CE可比像素电极150大，以覆盖像素电 极150。像素电极150包括第一主像素电极152、第二主^f象素电极154和子像素电极156。像素电极150可关于像素的中心线基本对称。第一主像素电极152与栅极线GL中的一条相邻，并在第一方向上延伸。 第二主像素电极154与第一主像素电极152隔开预定的距离，并在第一方向上延伸。具体地讲，第二主像素电极154与栅极线GL中的连续的一条相邻。子像素电极156设置在第一主像素电极152和第二主像素电极154之间， 并连接到第一主像素电极152和第二主像素电极154。多个子像素电极156 可布置在第一方向上。子像素电极156可关于像素的中心线基本对称。例如，子像素电极156 可包括关于像素的中心线基本对称的第一子像素电极156a和第二子像素电极 156b。第一子像素电极156a与像素中心线的第一侧相邻，并可关于第二方向倾 斜预定的角度。例如，第一子像素电极1563可关于第二方向倾斜大约0.5度 至大约5度。第二子像素电极156b与像素中心线的第二侧(与第一侧相对)相邻，并可 倾斜，使得第一子像素电极156a和第二子像素电极156b关于像素的中心线 基本对称。第二子像素电极156b在与第一子像素电极156a相反的方向上倾 斜大约0.5度至大约5度。阵列基底100还可包括第一取向层(未示出)，以^使液晶层300的液晶分 子在预定的方向上取向。第一取向层形成在第二绝缘140上，以覆盖像素电 极150和垂直连接电才及135。在下文中，参照图8和图9来更充分地描述对向基底200和液晶层300。对向基底200面对阵列基底100。对向基底200包括第二透明基底210 和光阻挡层(未示出)。对向基底200还可包括滤色器220。第二透明基底210可包含透明材料，并可呈板形。光阻挡层形成在第二透明基底210上，以面对阵列基底100。光阻挡层 可以足够大以覆盖栅极线GL、数据线DL和薄膜晶体管TFT。
滤色器220形成在第二透明基底210上，并与像素电极150叠置。可选 择地，滤色器220可形成在阵列基底100上。对向基底200还可包括第二取向层(未示出)，以使液晶层300的液晶分 子310在预定的方向上取向。第二取向层覆盖滤色器220。液晶层300置于阵列基底100和对向基底200之间。通过第一取向层和 第二取向层使液晶层300的液晶分子310在预定的方向上取向。具体地讲， 液晶分子310可以在第二方向上与阵列基底100的表面基本平行地取向。当向共电极CE施加第一电压，向像素电极150施加具有与第一电压不 同的电压电平的第二电压时，在共电极CE和像素电极150之间形成电场。 电场使液晶分子310旋转预定的角度，并保持液晶分子310基本平行于阵列 基底IOO的表面。设置在第一子像素电极156a上的液晶分子310在与设置在 第二子像素电极156b上的液晶分子310的旋转方向相反的方向上旋转。由于 第一子像素电极156a和第二子像素电极156b在相反的方向上倾斜，所以防 止了设置在第一子像素电极156a上的液晶分子310和设置在第二子像素电极 156b上的液晶分子310相互碰撞。在该实施例中，通过在像素电极150和共电极CE之间形成的电场使液 晶层300的水平取向的液晶分子310旋转预定的角度。因此，液晶分子310 并不是与阵列基底100的表面垂直，而是与阵列基底100的表面平行。由于 液晶分子310基本平行于阵列基底100的表面，所以通过由笔触摸显示屏产 生的外部施加的垂直方向上的压力不会改变液晶分子310的取向。因而，显 示的图像不会由于用笔触摸显示屏而失真，因此，提高了图像品质。此外，当像素具有矩形形状(像素的第一方向上的第一长度大于第二方向 上的第二长度)时，可减少数据线DL的数量。因而，可减少数据驱动器芯片 的数量，从而既降低了显示面板的制造成本，又降低了显示面板的功耗。图10是示出了根据本发明另一示例性实施例的显示面板的阵列基底的 部分的俯^见图。图ll是示出了图IO中的区域"R4"的放大的俯4见图。图12 是示出了图10中的区域"R5"的放大的俯视图。图13是示出了图IO中的区 域"R6"的放大的俯视图。图14是沿着图13中的IV-IV'线截取的剖视图。参照图1和图2，显示面板400包括阵列基底100、对向基底200和液晶 层300。参照图10、图11、图12、图13和图14，阵列基底100包括第一透明基
底110、栅极线gl、第一绝缘层120、数据线dl、薄膜晶体管tft、共电压 线130、第二绝缘层140、像素电极150、共电极160和水平连接电极he。第一透明基底110可呈板形，并可包含透明材料。栅极线gl形成在第 一透明基底110上，并在第一方向上延伸。多条栅极线gl布置在与第一方 向基本垂直的第二方向上。第一绝缘层120形成在第一透明基底iio上，以 覆盖栅极线gl。数据线dl形成在第一绝缘层120上，并在第二方向上延伸， 以与栅极线gl交叉。多条数据线dl布置在第一方向上。数据线dl与栅极 线gl交叉，从而限定多个像素。各个像素可具有矩形形状，像素的第一方 向上的第一长度长于第二方向上的第二长度。薄膜晶体管tft形成在各像素中，并电连接到栅极线gl、数据线dl 和像素电极150。例如，当从俯视图看时，电连接到数据线dl中的一条的薄 膜晶体管tft可以可选择地与数据线dl的第一側和数据线dl的第二侧相 邻，第二侧与第一侧相对。参照图10和图11，薄膜晶体管tft包括栅电极 g、有源层a、源电极s、漏电极d和欧姆接触层(未示出)。栅电极g从栅极线gl突出预定的长度。例如，栅电极g可在与数据线 dl基本平行的方向上从栅极线gl突出。有源层a形成在第一绝缘层120上，并与栅电极g叠置。例如，有源层 A可具有矩形形状，并可包含非晶硅(a-Si)。源电极s从数据线dl突出预定的长度，并与有源层a的部分叠置。例漏电极d与源电极s隔开预定的距离，并由与源电极s基本相同的层形 成。漏电极d与有源层a的部分叠置。此外，漏电极d与像素电极150的部 分叠置，以电连接到像素电极150。欧姆接触层形成在源电极s和有源层a之间及漏电极d和有源层a之 间。欧姆接触层可包含在其内以高浓度注入n+杂质的非晶硅(a-Si)。参照图10,共电压线130在第二方向上延伸以与像素交叉。多条共电压 线130布置在第一方向上。具体地讲，共电压线130可与像素的中心部分交 叉。共电压线130由与数据线dl基本相同的层形成。具体地讲，共电压线 130形成在第一绝^^层120上。第二绝缘层140形成在第一绝缘层120上，以覆盖薄膜晶体管tft、数 据线dl和共电压线130。 像素电极150在各像素中形成在第二绝缘层140上。像素电极150通过 像素接触孔142电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极D,像素接触孔142穿过 第二绝缘层140形成。像素电极150包含透明导电材料。参照图10,像素电极150包括主像素电极152和子像素电极154。像素 电极150可关于像素的中心线基本对称，像素的中心线基本平行于第二方向。主像素电极152与栅极线GL中的一条相邻，并在第一方向上延伸。子像素电极154在与栅极线GL中的那条相对的方向上从主像素电极152 突出。多个子像素电极154可布置在第一方向上。子像素电极154可关于像素的中心线基本对称。例如，子像素电极154 可包括关于像素的中心线基本对称的第一子像素电极154a和第二子像素电极 154b。第一子像素电极154a与像素中心线的第一侧相邻，并可相对于第二方向 倾斜预定的角度。例如，第一子像素电极154a可相对于第二方向倾斜大约0.5 度至大约5度。第二子像素电极154b与像素中心线的第二侧(与第一側相对)相邻，并可 倾斜，使得第一子像素电极154a和第二子像素电极154b关于像素的中心线 基本对称。具体地讲，第二子像素电极154b在与第一子像素电极154a相反 的方向上关于第二方向倾斜大约0.5度至大约5度。参照图IO和图12,共电极160由与像素电极150基本相同的层形成。 具体地讲，共电极160在各像素中形成在第二绝缘层140上，并与像素电极 150电绝缘。共电极160通过共接触孔144电连接到共电压线130，共接触孔 144穿过第二绝缘层140形成。共电极160可包含与像素电极150基W目同 的透明导电材料。具体地讲，共电极160包括主共电极162和子共电极164。共电极160 可关于像素的中心线基本对称。主共电极162在第一方向上延伸，以面对主像素电极152。具体地讲， 主共电极162与栅极线GL中的连续的一条相邻。子共电极164义人主共电极162朝着主像素电极152突出，而不与子像素 电极154叠置。多个子共电极164布置在第一方向上。子共电极164可关于像素的中心线基本对称。具体地讲，子共电极164 包括关于像素的中心线对称的第一子共电极164a和第二子共电极164b。
第一子共电极164a与像素中心线的第一侧相邻，并可在与第一子像素电 极154a基本相同的方向上倾斜。例如，第一子共电极164a可关于第二方向 倾斜大约0.5度至大约5度。第一子共电极164a的数量可以与第一子像素电 极154a的数量相同。第一子共电极164a可设置在彼此相邻的第一子像素电 极154a之间。第二子共电极164b与像素中心线的第二侧相邻，并在与第二子像素电极 154b基本相同的方向上倾斜，第二侧与第一侧相对。具体地讲，第二子共电 极164b在与第一子共电极164a相反的方向上关于第二方向倾斜大约0.5度至 大约5度。第二子共电极164b的数量可以与第二子像素电极154b的数量相 同。第二子共电极164b可设置在彼此相邻的第二子像素电极154b之间。参照图12,共电极160还可包括电连接到共电压线130的垂直连接电极 162a。此外，共电压线130具有电连接到共电极160的共电压连接部分132。 共接触孔144穿过第二绝缘层140形成，以暴露共电压连接部分132的一部 分。具体地讲，垂直连接电极162a从主共电极162沿着共电压线130突出预 定的长度。因而，垂直连接电极162a与共电压连接部分132叠置，并通过共 接触孔144电连接到共电压连接部分132。水平连接电极HE设置在彼此相邻的共电极160之间，以使共电极160 相互电连接。水平连接电极HE由与共电极160基本相同的层形成。具体地 讲，水平连接电极HE形成在第二绝缘层140上，并可包含透明导电材料。阵列基底100还包括第一取向层(未示出)，以使液晶层300的液晶分子 310在预定的方向上取向。第一取向层形成在第二绝缘层140上，以覆盖像 素电极150和共电极160。在该实施例中，当从俯视图看时，像素电极150设置在共电极160上。 可选择地，当从俯视图看时，共电极160可设置在像素电极150上。在下文中，将参照图1、图2、图10、图13和图14来更充分地描述对 向基底200和液晶层300。对向基底200面对阵列基底100。对向基底200包括第二透明基底210 和光阻挡层(未示出)。对向基底200还可包括滤色器220。第二透明基底210可包含与第一透明基底140基本相同的透明材料，并 可呈板形。光阻挡层形成在第二透明基底210上，以面对阵列基底100。光阻挡层 可以足够大以覆盖栅极线GL、数据线DL和薄膜晶体管TFT。滤色器220形成在第二透明基底210上，并与像素电极150叠置。可选 择地，滤色器220可形成在阵列基底100上。对向基底200还可包括第二取向层(未示出)，以使液晶层300的液晶分 子310在预定的方向上取向。第二取向层覆盖滤色器220。液晶层300置于阵列基底100和对向基底200之间。通过第一取向层和 第二取向层使液晶层300的液晶分子310在预定的方向上取向。具体地讲， 液晶分子310可以在第二方向上与阵列基底100的表面基本平行地取向。当向共电极160施加第一电压，向像素电极150施加具有与第一电压不 同的电压电平的第二电压时，在共电极160和像素电极150之间形成电场。 电场在保持液晶分子310基本平行于阵列基底100的表面的同时，使液晶分 子310旋转预定的角度。设置在第一子像素电极154a上的液晶分子310在与 设置在第二子像素电极154b上的液晶分子310的旋转方向相反的方向上旋 转。由于第一子像素电极154a和第二子像素电极156b在相反的方向上倾斜， 所以防止了设置在第一子像素电极154a上的液晶分子310和设置在第二子像 素电才及154b上的液晶分子310相互碰撞。根据上文，阵列基底包括像素电极和共电极，从而通过像素电极和共电 极之间形成的电场使液晶层的水平取向的液晶分子旋转预定的角度。因而， 液晶分子并不是与阵列基底的表面垂直，而是与阵列基底的表面平行。因此， 液晶分子的取向不因由笔触摸显示屏施加的外部压力而改变，从而提高了显 示品质。此外，^^素具有矩形形状，其中，^像素在行方向上的第一长度长于在列 方向上的第二长度。因而，可减少数据线DL的数量。因此，可减少数据驱 动器芯片的数量，从而降低了显示面板的制造成本和功耗。虽然已经描述了本发明的示例性实施例，但是要明白，本发明不应局限 于这些示例性实施例，而是可由本领域普通技术人员在权利要求所保护的本 发明的精神和范围内进行各种改变和修改。
权利要求
1、一种阵列基底，包括多条栅极线，在第一方向上延伸；多条数据线，在与所述第一方向基本垂直的第二方向上延伸，所述数据线和所述栅极线的交叉方向限定多个像素；多个薄膜晶体管，电连接到所述栅极线和所述数据线；像素电极，电连接到所述薄膜晶体管中的每个；共电压线，在与所述数据线基本平行的所述第二方向上延伸；共电极，形成在各像素中，与所述像素电极电绝缘，并电连接到所述共电压线。
2、 如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述像素电极和所述共电极包 含透明导电材料。
3、 如权利要求2所述的阵列基底，其中，所述〗象素电极包括第 一主像素电极，在所述第 一方向上延伸并与所述栅极线中的 一条相邻； 第二主像素电极，在所述第一方向上延伸，并与所述第一主像素电极隔开且与所述栅极线中连续的一条相邻；多个子像素电极，设置在所述第一主像素电极和所述第二主像素电极之间，以连接所述第一主像素电极和所述第二主像素电极，所述子像素电极布置在所述第一方向上。
4、 如权利要求3所述的阵列基底，还包括形成在所述共电极和所述像素 电极之间的绝缘层，其中，所述共电极设置在所述像素电极的下方。
5、 如权利要求4所述的阵列基底，其中，当从俯视图看时，所述共电极 比所述像素电极大，以覆盖所述像素电极。
6、 如权利要求3所述的阵列基底，其中，所述子像素电极关于所述像素 的中心线对称，所述像素的中心线基本平行于所述第二方向。
7、 如权利要求6所述的阵列基底，其中，所述子像素电极包括 第一子像素电极，与所述中心线的第一侧相邻，并向所述第二方向倾斜预定的角度；第二子像素电极，与所述中心线的第二侧相邻，并向所述第二方向倾斜 预定的角度，从而所述第一子像素电极和所述第二子像素电极关于所迷中心 线对称，所述第二侧与所述第一侧相对。
8、 如权利要求3所述的阵列基底，还包括 第一绝缘层，形成在所述共电极和所述共电压线之间； 第二绝缘层，形成在所述共电压线和所述像素电极之间； 垂直连接电极，形成在所述第二绝缘层上，并与所述像素电极电绝缘； 接触孔，穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成，其中，所述共电压线设置在所述共电极上，所述像素电极设置在所述共 电压线上，所述共电压线具有电连接到所述共电极的共电压连接部分，所述 垂直连接电极通过所述接触孔将所述共电压连接部分电连接到所述共电极。
9、 如权利要求8所述的阵列基底，其中，所述共电压连接部分关于所述 像素的中心线对称，所述像素的中心线基本平行于所述第二方向。
10、 如权利要求2所述的阵列基底，其中，所述像素电极包括 主像素电极，在所述第一方向上延伸，并与所述栅极线中的一条相邻； 多个子像素电极，从所述主像素电极朝着所述栅极线中连续的一条突出，所述子像素电极布置在所述第一方向上。
11、 如权利要求IO所述的阵列基底，其中，所述共电极包括 主共电极，在所述第一方向上延伸，并与所述栅极线中连续的一条相邻； 多个子共电极，从所述主共电极朝着所述主像素电极突出，所述子共电极布置在所述第一方向上。
12、 如权利要求11所述的阵列基底，其中，所述共电极由与所述像素电 极基本相同的层形成。
13、 如权利要求11所述的阵列基底，其中，所述子像素电极关于所述像 素的中心线对称，所述像素的中心线基本平行于所述第二方向，所述子共电 极关于所述中心线对称。
14、 如权利要求13所述的阵列基底，其中，所述子像素电极包括 第一子像素电极，与所述中心线的第一侧相邻，并向所述第二方向倾斜预定的角度；第二子像素电极，与所述中心线的第二側相邻，并向所述第二方向倾在牛 预定的角度，从而所述第一子像素电极和所述第二子像素电极关于所述中心 线对称，所述第二侧与所述第一侧相对，所述子共电极包括第一子共电极，与所述中心线的第一侧相邻，并基本平行于所述第一子像素电极；第二子共电极，与所述中心线的第二侧相邻，并基本平行于所述第二子 像素电极，所述第二侧与所述第一侧相对。
15、 如权利要求11所述的阵列基底，还包括绝缘层，所述绝缘层形成在 所述共电极和所述像素电极之间，并具有接触孔，其中，所述共电极设置在 所述像素电极的下方，并通过所述接触孔电连接到所述共电压线。
16、 如权利要求2所述的阵列基底，还包括使相邻的共电极相互电连接 的水平连接电极。
17、 如权利要求2所述的阵列基底，其中，所述像素中的每个具有矩形 形状，所述像素在所述第一方向上的第一长度长于在所述第二方向上的第二 长度。
18、 如权利要求17所述的阵列基底，其中，电连接到凄t据线中的一条的 薄膜晶体管可选择地与所述数据线的第一侧或所述数据线的第二侧相邻，所 述第二侧与所述第一侧相对。
19、 一种显示面板，包括 阵列基底；对向基底，面对所述阵列基底；液晶层，置于所述阵列基底和所述对向基底之间，并具有液晶分子， 所述阵列基底包括多条^^极线，在第一方向上延伸；多条数据线，在与所述第一方向基本垂直的第二方向上延伸； 多个薄膜晶体管，电连接到所述栅极线和所述数据线； 像素电极，形成在由所述栅极线和所述数据线限定的各个像素中，并电连接到所述薄膜晶体管中的每个；共电压线，在与所述数据线基本平行的所述第二方向上延伸； 共电极，形成在各像素中，与所述像素电极电绝缘，并电连接到所述共电压线。
20、 如权利要求19所述的显示面板，其中，所述液晶层的液晶分子基本 平行于所述阵列基底的表面取向，并通过由所述像素电极和所述共电极形成 的电场旋转预定的角度，且基本平行于所述阵列基底的表面。
全文摘要
本发明提供了一种阵列基底。该阵列基底包括多条栅极线、多条数据线、多个薄膜晶体管、多个像素电极、多条共电压线和多个共电极。栅极线在第一方向上延伸。数据线在与第一方向基本垂直的第二方向上延伸。薄膜晶体管电连接到栅极线和数据线。像素电极形成在由栅极线和数据线限定的各像素内。共电极电连接到共电压线。液晶分子的水平取向不因外部施加的垂直触摸压力而改变，从而提高了显示品质。
文档编号H01L23/522GK101114656SQ200710091519
公开日2008年1月30日 申请日期2007年3月27日 优先权日2006年7月25日
发明者金东奎 申请人:三星电子株式会社