专利名称：膜图案的形成方法、有源矩阵基板的制造方法
技术领域：
本发明涉及膜图案的形成方法、有源矩阵基板的制造方法、器件、电光学装置及电子设备。
背景技术：
一直以来公知有在基板上层叠配置了由导体构成的薄膜(膜图案)的电路布线、覆盖电路布线的绝缘膜等薄膜和由半导体构成的薄膜而成的半导体装置。作为这种半导体装置中的薄膜的有效形成方法，公知液滴喷出法(喷墨法)，该方法是从液滴喷出头中喷出将薄膜材料等作为分散质而包含的功能液的液滴，使弹落的功能液干燥，除去分散剂，形成薄膜(例如参照专利文献1)。
在以液滴喷出法形成作为膜图案的薄膜时，通常形成划分膜图案的形成区域的围堰(bank)，向由该围堰划分而成为凹部的膜图案的形成区域喷出功能液。而且，通过使弹落在凹部内的形成区域上的功能液干燥，形成薄膜，从而形成膜图案。
利用这种方法，可以形成例如与底栅型的薄膜晶体管中的半导体层连接的源极布线、或漏极布线(膜图案)等。此时，在栅极绝缘膜上形成围堰，向由该围堰划分的作为凹部的区域喷出功能液，通过使该功能液干燥，从而成为与半导体层连接的源极布线或漏极布线。
然而，虽然希望以弹落的方式喷出到所述凹部内的功能液的液滴全部进入凹部内，但有时一部分会附着在围堰的上面。该情况下，为了使该液滴不会附着在围堰的上面而流入凹部内，需要预先使围堰的上面相对功能液呈现疏液性。在此，围堰上面的疏液化处理通常在将由抗蚀剂材料构成的围堰材料图案化为最终的围堰形状后，对其进行使用CF4气体的等离子体处理(参照专利文献2)。
专利文献1特开平11-274671号公报专利文献2特开2005-19955号公报然而，在上述的现有技术中存在以下问题。
有时考虑提高耐热性而使用无机材料来形成围堰，但由于无机材料价格高，故膜图案形成所涉及的制造成本上升，再有，即使在使用无机材料形成膜图案的半导体装置中也存在导致成本增加的问题。
发明内容
本发明正是为了解决上述问题的发明，其目的在于提供一种可以有助于降低制造成本的膜图案的形成方法、有源矩阵基板的制造方法、器件、电光学装置及电子设备。
为了达到上述目的，本发明采用以下构成。
本发明的膜图案的形成方法，是在由设于基板上的围堰划分的图案形成区域内配置功能液，以形成膜图案的方法，其特征在于，具有在基板上配置第一围堰形成材料，形成第一围堰层的工序；和在所述第一围堰层上形成第二围堰层的工序，所述第一围堰形成材料为有机材料，所述第二围堰层由被覆所述第一围堰层的氟系树脂材料构成。
因此，在本发明的膜图案的形成方法中，由于使用具有疏液性的氟系树脂材料来形成配置于上层侧的第二围堰层，故对于第二围堰层来说可以得到优越的疏液性。由此，可以将配置于图案形成区域内的功能液良好地限制在该区域内。再有，在本发明中，由于使用与无机材料相比价格低的有机材料来形成第一围堰层，故可以有助于降低制造成本。
再有，本发明也可以优选采用以下构成，即具有在所述图案形成区域内配置第一功能液的工序；使所述图案形成区域内的第一功能液干燥，形成第一干燥膜的工序；和在所述第一干燥膜上配置第二功能液的工序，使所述第一功能液干燥而形成的第一干燥膜的膜厚形成得比所述第一围堰层的厚度薄。
由此，在本发明中，可以良好地适用于形成层叠结构的膜图案。
在形成层叠结构的膜图案时，为了在形成第一干燥膜后针对配置于其上面的第二功能液也能获得良好的润湿扩展性，优选使第一干燥膜的厚度比第一围堰层的厚度薄，对于第二功能液来说也可以利用助长第一围堰层的侧壁的润湿扩展的作用。
还有，在本发明中，优选采用具有以下工序的顺序在所述图案形成区域内配置功能液的工序；使所述图案形成区域内的功能液干燥，形成干燥膜的工序；和对所述围堰与所述干燥膜一并进行烧成的工序。
由此，在本发明中可以省略仅烧成围堰的工序，可以实现膜图案形成工序中的处理时间的缩短，可以提高器件的制造效率。
进而，在本发明中优选采用以下顺序在所述图案形成区域内层叠形成了多层干燥膜后，对该干燥膜与所述围堰一并进行烧成。
因此，在本发明中，即使在所形成的膜图案具有层叠结构的情况下也可以一并进行围堰的烧成与膜图案的烧成，可以提高膜图案形成工序的效率。
再有，在本发明中，也优选采用所述第二围堰层形成得比所述第一围堰层薄的构成。
由此，在本发明中，能够在图案形成区域内配置更多的功能液，即使为比较厚的膜图案，也可以容易且均匀地形成。
另一方面，本发明的器件，其特征在于具有利用之前所述的形成方法在基板上形成的围堰、被该围堰包围的图案形成区域、形成于该图案形成区域的膜图案。
由此，在本发明的器件中能够进行低成本的器件制造。
再有，在本发明的器件中，其特征在于，其作为栅电极具备形成于所述图案形成区域的膜图案。这样，通过采用上述膜图案的形成方法，从而能够以低成本制造形成了具有栅电极的开关元件的器件。
进而，在本发明的器件中，其特征在于，其作为源电极具备形成于所述图案形成区域的膜图案。这样，通过采用上述膜图案的形成方法，从而能够以低成本制造形成了具有源电极的开关元件的器件。
还有，在本发明的器件中，其特征在于，其作为漏电极具备形成于所述图案形成区域的膜图案。这样，通过采用上述膜图案的形成方法，从而能够以低成本制造形成了具有漏电极的开关元件的器件。
而且，本发明的电光学装置，其特征在于具备之前所述的器件。
再有，本发明的电子设备，其特征在于具备之前所述的电光学装置。
因此，在本发明中，通过具备抑制了制造成本的器件，从而可以得到低成本的电光学装置与电子设备。
而且，本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于具有在基板上形成栅极布线的第一工序；在所述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第二工序；隔着所述栅极绝缘膜，层叠半导体层的第三工序；在所述栅极绝缘膜之上形成源电极与漏电极的第四工序；在所述源电极与所述漏电极上配置绝缘材料的第五工序；和在配置了所述绝缘材料的基础上形成像素电极的第六工序，在所述第一工序、所述第四工序及所述第六工序的至少一个工序中采用之前所述的膜图案的形成方法。
再有，本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于具有在基板上形成源电极与漏电极的第一工序；在所述源电极与所述漏电极上形成半导体层的第二工序；在所述半导体层上隔着栅极绝缘膜形成栅电极的第三工序；和形成与所述漏电极连接的像素电极的第四工序，在所述第一工序、所述第三工序及所述第四工序的至少一个工序中采用之前所述的膜图案的形成方法。
进而，本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于具有在基板上形成半导体层的第一工序；在所述半导体层上隔着栅极绝缘膜形成栅电极的第二工序；形成经由形成于所述栅极绝缘膜的接触孔而与所述半导体层的源极区域连接的源电极、和与所述半导体层的漏极区域连接的漏电极的第三工序；和形成与所述漏电极连接的像素电极的第四工序，在所述第二工序、所述第三工序及所述第四工序的至少一个工序中采用之前所述的膜图案的形成方法。
因此，在本发明的有源矩阵基板的制造方法中，由于采用上述膜图案的形成方法来形成电极，故能够抑制制造成本。
图1是表示本发明的液滴喷出装置的概略构成的立体图。
图2是用于说明基于压电方式的液状体的喷出原理的图。
图3(a)是围堰结构的俯视图，(b)是(a)的侧剖视图。
图4(a)～(d)是表示形成围堰结构的工序的侧剖视图。
图5(a)～(c)是用于说明布线图案的形成工序的侧剖视图。
图6(a)～(d)是用于说明布线图案的形成工序的侧剖视图。
图7是示意性表示作为显示区域的1个像素的俯视图。
图8(a)～(e)是表示1个像素的形成工序的剖视图。
图9是从对置基板一侧观察液晶显示装置的俯视图。
图10是沿图9的H-H’线的液晶显示装置的剖视图。
图11是液晶显示装置的等效电路图。
图12是有机EL装置的部分放大剖视图。
图13是表示本发明的电子设备的具体例子的图。
图14是示意性表示有源矩阵基板的一例的剖视图。
图15是示意性表示有源矩阵基板的不同例子的剖视图。
图中F1-锰层(干燥膜、第一干燥膜)，F2-银层(干燥膜、第二干燥膜)，IJ-液滴喷出装置(喷墨装置)，L1-功能液(第一功能液)，L2-功能液(第二功能液)，13-图案形成区域，18-基板，34-围堰，35、35a、34d、34e-第一围堰层，36、36a、36b、36c-第二围堰层，40-栅极布线(膜图案)，41-栅电极(膜图案)，43-源电极，44-漏电极，45-像素电极，100-液晶显示装置(电光学装置)，600-移动电话主体。
具体实施例方式
以下参照图1～图15，对本发明的膜图案的形成方法、有源矩阵基板的制造方法、器件、电光学装置及电子设备的实施方式进行说明。
另外，以下说明的实施方式表示本发明的一部分的形态，并不限定本发明。再有，在以下的说明中所用的各附图中，将各层或各构件设为能在附图上辨识的程度的大小，故按各层或各构件适当变更缩放比例。
(液滴喷出装置)首先，在本实施方式中，参照图1说明用于形成膜图案的液滴喷出装置。
图1是作为用于本发明的膜图案形成方法的装置的一例，表示采用液滴喷出法在基板上配置液体材料的液滴喷出装置(喷墨装置)IJ的概略构成的立体图。
液滴喷出装置IJ包括液滴喷出头301、X轴方向驱动轴304、Y轴方向导向轴305、控制装置CONT、载物台307、清洗机构308、基台309与加热器315。
载物台307具备支承由该液滴喷出装置IJ设置墨(液体材料)的基板P并固定在基准位置上的未图示的固定机构。本实施方式中，为支承后述的基板18的机构。
液滴喷出头301为具备多个喷出喷嘴的多喷嘴型的液滴喷出头，纵长方向与Y轴方向一致。多个喷出喷嘴沿Y轴方向排列并以一定间隔设置在液滴喷出头301的下面。从液滴喷出头301的喷出喷嘴向由载物台307支承的基板P喷出上述包含导电性微粒的墨(功能液)。
X轴方向驱动轴304上连接着X轴方向驱动电动机302。X轴方向驱动电动机302为步进电动机等，若从控制装置CONT供给X轴方向的驱动信号，则使X轴方向驱动轴304旋转。若X轴方向驱动轴304旋转，则液滴喷出头301沿X轴方向移动。
Y轴方向导向轴305固定为相对基台309不动。载物台307具备Y轴方向驱动电动机303。Y轴方向驱动电动机303为步进电动机等，若从控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号，则使载物台307沿Y轴方向移动。
控制装置CONT向液滴喷出头301供给液滴的喷出控制用的电压。再有，向X轴方向驱动电动机302供给控制液滴喷出头301的X轴方向的移动的驱动脉冲信号，向Y轴方向驱动电动机303供给控制载物台307的Y轴方向的移动的驱动脉冲信号。
清洗机构308为清洗液滴喷出头301的机构。清洗机构308中备有未图示的Y轴方向的驱动电动机。通过该Y轴方向的驱动电动机的驱动，清洗机构308沿Y轴方向导向轴305移动。清洗机构308的移动也由控制装置CONT来控制。
加热器315在这里是利用灯退火(lamp anneal)对基板P进行热处理的机构，进行涂敷在基板P上的液体材料所包含的溶剂的蒸发及干燥。该加热器315的电源的接通及切断也由控制装置CONT来控制。
液滴喷出装置IJ一边使液滴喷出头301和支承基板P的载物台307相对地扫描，一边向基板P喷出液滴。在此，在以下的说明中，将X轴方向设为扫描方向，将与X轴方向正交的Y轴方向设为非扫描方向。因此，液滴喷出头301的喷出喷嘴以一定间隔排列设置在作为非扫描方向的Y轴方向上。另外，在图1中，液滴喷出头301相对于基板P的前进方向配置为直角，但也可以调整液滴喷出头301的角度，使之与基板P的前进方向交叉。如果这样，则可以通过调整液滴喷出头301的角度，调节喷嘴间的间距。再有，也可以任意调节基板P与喷嘴面的距离。
图2是用于说明基于压电方式的液体材料的喷出原理的图。
在图2中，与收纳液体材料(布线图案用墨、功能液)的液体室312相邻设置有压电元件322。经由包括收纳液体材料的材料罐的液体材料供给系统323向液体室312供给液体材料。
压电元件322与驱动电路324连接，经由该驱动电路324向压电元件322施加电压，通过使压电元件322变形，从而液体室312变形，从喷嘴325喷出液体材料。此时，通过使施加电压的值变化，从而控制压电元件322的应变量。再有，通过使施加电压的频率变化，从而控制压电元件322的应变速度。
另外，作为液体材料的喷出原理，除了使用上述作为压电体元件的压电元件喷出墨的压电方式以外，还可以应用利用加热液体材料而产生的泡(bubble)使液体材料喷出的气泡方式等公知的各种技术。其中在上述压电方式中，由于不对液体材料进行加热，故具有对材料的组成等没有影响的优点。
在此，功能液L(参照图5)由使导电性微粒分散在分散剂中的分散液或者将有机银化合物或氧化银纳米粒子分散在溶剂(分散剂)中的溶液组成。
作为导电性微粒，除了例如含有Au、Ag、Cu、Pd、Mn、Cr、Co、In、Sn、ZnBi、Ni中的任一种的金属微粒以外，还可以采用它们的氧化物、合金、金属间化合物、有机盐、有机金属化合物以及导电性聚合物或超导体的微粒等。
这些导电性微粒也可以为了提高分散性而在表面上涂覆有机物等而使用。
导电性微粒的粒径优选为1nm以上0.1μm以下。若大于0.1μm，则后述的液滴喷出头的喷嘴有可能产生堵塞。再有，若小于1nm，则涂覆剂相对于导电性微粒的体积比变大，所得到的膜中的有机物的比例过多。
作为分散剂，只要能分散上述导电性微粒而不会引起凝聚即可，就不作特别限定。例如除了水以外，还可以例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等碳氢化合物，另外还可以例示乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、p-二噁烷等醚系化合物，进而还可以例示碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二价亚砜、环己酮等极性化合物。其中，从微粒的分散性和分散液的稳定性、以及对液滴喷出法(喷墨法)的适用容易度等方面考虑，优选使用水、醇类、碳氢化合物、醚系化合物，作为更优选的分散剂，可举出水、碳氢化合物。
优选上述导电性微粒的分散液的表面张力处于0.02N/m以上0.07N/m以下的范围内。在利用液滴喷出法喷出液体之际，如果表面张力小于0.02N/m，则由于墨组成物相对于喷嘴面的润湿性增大，所以容易产生飞行曲线，如果超过0.07N/m，则由于喷嘴前端处的弯月面(meniscus)的形状不稳定，所以难以控制喷出量和喷出时序。为了调整表面张力，只要在不使与基板的接触角大幅降低的范围内，在上述分散液中微量添加氟系、硅酮系、非离子系等的表面张力调节剂即可。非离子系表面张力调节剂可起到下述作用，即会提高液体对基板的润湿性，改良膜的水准测量性(leveling)，防止膜产生微细的凹凸等。根据需要，上述表面张力调节剂也可以含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
优选上述分散液的粘度为1mPa·s以上50mPa·s以下。在使用液滴喷出法将液体材料作为液滴喷出时，在粘度小于1mPa·s的情况下，喷嘴周边部容易因墨的流出而污染，另外，在粘度大于50mPa·s的情况下，喷嘴孔处的阻塞频率变高，导致难以顺畅地喷出液滴。
(围堰结构体)
接着，参照图3(a)、(b)，对本实施方式中对基板上的功能液(墨)进行位置限制的围堰结构体进行说明。
图3(a)是表示围堰结构体的概略构成的俯视图。再有，图3(b)是图3(a)所示的F-F’线向视中的所述围堰结构体的侧剖视图。
如图3(a)、(b)所示，本实施方式的围堰结构体具备在基板18上形成了围堰34的构成。由该围堰34划分的区域是成为用于配置功能液的区域的图案形成区域13。本实施方式的图案形成区域13为用于形成构成后述TFT的栅极布线及栅电极的设置在基板18上的区域。
上述图案形成区域13由与栅极布线(膜图案)对应的槽状的第一图案形成区域55、与该第一图案形成区域55连接并与栅电极(膜图案)对应的第二图案形成区域56构成。在此，所谓对应是指通过对配置在上述第一图案形成区域55或上述第二图案形成区域56内的功能液实施固化处理等，分别形成栅极布线或栅电极。
具体是，如图3(a)所示，第一图案形成区域55沿图3(a)中的Y轴方向延伸形成。而且，第二图案形成区域56形成于与第一图案形成区域55大致垂直的方向(图3(a)中为X轴方向)上，且与上述第一图案形成区域55连续(连接)设置。
再有，上述第一图案形成区域55的宽度形成得比上述第二图案形成区域56的宽度宽。在本实施方式中，第一图案形成区域55的宽度形成为与从上述液滴喷出装置IJ喷出的功能液的飞翔直径基本相等，或者稍大。通过采用这种围堰结构，可以利用毛细管现象，使喷到上述第一图案形成区域55的功能液流入作为微细图案的第二图案形成区域56。
另外，所谓各图案形成区域55、56的宽度是指，与各图案形成区域55、56延伸的方向(X，Y)正交的方向的各图案形成区域55、56的端部间的长度。如图3(a)所示，上述第一图案形成区域55的宽度为长度H1，上述第二图案形成区域56的宽度为长度H2。
另一方面，围堰结构体的截面形状(F-F’截面)具有图3(b)所示的构成。具体是，基板18上具备多层结构的围堰34，在本实施方式中从基板18侧开始为第一围堰层35、和被覆该第一围堰层35的第二围堰层36的两层结构。而且，围堰34中的上层侧的第二围堰层36与第一围堰层35相比具有疏液性，而下层侧的第一围堰层35与第二围堰层36相比，相对地具有亲液性。由此，在本实施方式中，即使在功能液弹落在围堰34的上面的情况下，也由于该上面具有疏液性，故该功能液流入各图案形成区域55、56(主要是第一图案形成区域55)，功能液在图案形成区域55、56内良好地流动。
(膜图案的形成方法)接着，对本实施方式中的围堰结构体的形成方法、及作为膜图案在由该围堰结构体划分的图案形成区域13内形成栅极布线的方法进行说明。
图4是按照顺序表示上述围堰结构体的形成工序的侧部剖视图。图4(a)～(d)是沿图3(a)的F-F’向视中的侧剖面表示形成由第一图案形成区域55及第二图案形成区域56构成的图案形成区域13的工序的图。再有，图5是说明在图4(a)～(d)所示的制造工序中形成的围堰结构中配置功能液并形成膜图案(栅极布线)的工序的剖视图。
(围堰材料涂敷工序)首先，在涂敷围堰材料前，作为基板表面改性处理，对基板18实施HMDS处理。HMDS处理是使六甲基二硅氮烷((CH3)3SiNHSi(CH3)3)呈蒸汽状(例如120sec)后在物体表面上进行涂敷·干燥(例如95℃下60sec)的方法。由此，可以在基板18上形成作为提高围堰与基板18的密接性的密接层的HMDS层(未图示)。
作为基板18，可以使用玻璃、石英玻璃、硅晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料。也可以在基板18的表面上形成半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等衬底层。
接着，如图4(a)、(b)所示，利用旋涂法在这样形成的HMDS层上，在基板18的整个面上涂敷第一围堰形成材料并进行预焙，形成第一围堰层35a(干燥条件95℃/60sec)，进而在第一围堰层35a上涂敷第二围堰形成材料并进行预焙，形成第二围堰层36a(干燥条件95℃/60sec)。此时，作为所述围堰形成材料的涂敷方法，可以采用喷涂(spray coat)、辊涂(roll coat)、模涂(die coat)、浸涂(dip coat)、喷墨法等各种方法。
作为第一围堰形成材料，可以使用容易进行基于光刻法的图案化的绝缘有机材料(感光性有机材料)，例如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、苯酚树脂、三聚氰酰胺树脂等高分子材料。
再有，作为第二围堰形成材料，可以采用例如住友3M公司制的EGC-1700、EGC-1720(2∶1稀释品)等的氟系树脂材料(PVDF、PTFE)。
但是，若第二围堰层36a的膜厚超过1μm，则有时容易产生显影工序的图案形成不良。作为第二围堰层36a的膜厚，优选500nm以下，例如可以设为50nm～100nm左右。作为第二围堰层36a的溶剂，例如可以使用难以溶解第一围堰层的氟代烃(hydrofluoric-ether)。
通过使用这些材料，从而可以赋予第二围堰层36a的表面良好的疏液性，可以将配置在图案形成区域13中的功能液限制在该区域内。再有，弹落在自图案形成区域13偏离的位置上的功能液的液滴也由于第二围堰层36a的疏液性而可在图案形成区域13内流动，可以形成具有正确平面形状与膜厚的膜图案。
(曝光工序)接着，如图4(c)所示，经由掩模M向设置在基板18上的第一、第二围堰层35a、36a照射来自曝光装置(未图示)的光，从而形成第一图案形成区域55、第二图案形成区域56。在此，通过照射光而被曝光的第一、第二围堰层35a、36a可以通过后述的显影工序溶解除去。而且，形成具有上述图案形成区域13的围堰结构。
(显影工序)接着，在上述曝光工序之后，如图4(d)所示，例如用TMAH(四甲基氢氧化铵)对曝光后的围堰层35a、35b进行显影处理(TMAH2.38％、26℃/40sec)，通过选择性地除去被曝光部，从而如图4(d)所示，可以在基板18上形成仿照包含第二图案形成区域56与第一图案形成区域55的图案形成区域13的围堰34。
(功能液配置工序)接下来，对使用上述液滴喷出装置IJ向由上述工序得到的围堰结构所形成的图案形成区域13喷出配置功能液，形成栅极布线(膜图案)的工序进行说明。在此，难以向作为微细布线图案的第二图案形成区域56中直接配置功能液。由此，通过以下方法进行功能液向第二图案形成区域56的配置，即如上所述，根据毛细管现象，使配置在第一图案形成区域55中的功能液流入第二图案形成区域56。
再有，在本实施方式中，如图6(d)所示，以三层结构形成上述栅极布线的布线图案。
具体是，在本实施方式中，栅极布线是从下层开始，由锰层(衬底层)F1、银层(导电层)F2、镍层(保护层)F3三层构成。
在这样成膜的布线中，锰层F1作为衬底层在提高银层F2的密接性方面起作用，镍层F3作为保护膜起作用。该保护膜作为由银或铜等构成的导电性膜的防扩散层起作用。
作为形成衬底层F1的材料，除了锰以外，上述衬底层形成材料可以使用Ti、Cu、Ni、In、Cr的氧化物。
再有，作为形成保护层F3的材料，除了镍以外，可以使用从Ti、W、Mn等中选出的一种或两种以上的金属材料。
首先，由液滴喷出装置IJ向第一图案形成区域55喷出作为导电性微粒使锰(Mn)分散在构成锰层F1的有机系的分散剂中的功能液(第一功能液)L1。由液滴喷出装置IJ使配置在第一图案形成区域55内的功能液L1润湿整个第一图案形成区域55内。另外，即使在围堰34的上面配置功能液L1，也由于该上面具有疏液性，故被弹开而流入第一图案形成区域55。
再有，围堰34的内侧面(第一围堰层35的内侧面)与上面相比，呈现亲液性，因此被喷出设置的功能液L在图案形成区域13的整个区域内良好地流动，如图5(a)～(c)所示，功能液L1在第一图案形成区域55与第二图案形成区域56之间均匀地扩散。
向基板18喷出功能液L1后，为了除去分散剂(有机部分)及固化围堰34，进行这些功能液L1(锰层F1)及围堰34的统一干燥处理、烧成处理。通过这种干燥·烧成处理，可以确保导电性微粒间的电接触，可以变换为导电性膜。
作为干燥处理，例如可以通过加热基板P的通常的加热板、电炉等的加热处理来进行。该干燥处理主要是为了降低膜厚的不均而进行的，在此在120℃下加热2分钟。
作为烧成处理的处理温度，可以考虑分散剂的沸点(蒸汽压力)、微粒的分散性或氧化性等热性能、涂覆剂的有无或量、基材的耐热温度等适当决定。例如，为了除去由有机物构成的涂覆剂，在此在220℃下加热30分钟。
由此，如图5(c)所示，经过干燥处理的锰的干燥膜(第一干燥膜)作为锰层F1成膜于第一、第二图案形成区域55、56内。
另外，此时锰层(干燥膜)F1的厚度形成得比第一围堰层35薄。
接着，为了形成银层F2，如图6(a)所示，将作为导电性微粒使银(Ag)的纳米粒子分散在有机系的分散剂中的功能液(第二功能液)L2的液滴配置在已形成锰层F1的第一、第二图案形成区域55、56内。该功能液L2中除了银的纳米粒子以外，还添加分散有例如氨基化合物的分散稳定剂。
此时，锰层F1由于形成得比第一围堰层35薄，故涂敷在锰层F1上的功能液L2与具有比第二围堰层36更高的亲液性的第一围堰层35接触，因此可以得到良好的润湿扩展。
而且，针对涂敷配置在锰层F1上的功能液，为了除去分散剂及分散稳定剂，进行干燥处理、烧成处理。
作为针对包含银微粒及分散稳定剂的功能液的烧成处理，在氮气气氛下以大约20℃的温度烧成(加热处理)30分钟，以除去分散剂(及分散稳定剂)。银具有若在有氧的环境下进行加热则粒子生长的性质，但在本实施方式中由于在氮气气氛下进行本烧成，故可以抑制粒子生长。
通过该烧成处理，可以确保银微粒间的电接触，如图6(b)所示，功能液L2变换为导电性膜的银层F2。
接着，为了形成镍层F3，如图6(c)所示，在银层F2上配置作为导电性微粒使镍分散在有机系的分散剂中的功能液L3。而且，为了除去分散剂，对所配置的功能液进行干燥处理、烧成处理。作为该处理，首先为了防止干燥不均而在大气气氛下以大约70℃的温度进行10分钟的干燥处理后，在氮气气氛下以大约300℃的温度进行30分钟本烧成。
通过该干燥·烧成处理，如图6(d)所示，以层叠状态配置在银层F2上的镍层F3作为保护层而成膜，形成有这些锰层F1、银层F2、镍层F3构成的栅极布线(膜图案)40及栅电极(膜图案)41。
这样，在本实施方式的膜图案的形成方法中，一边由具有疏液性的第二围堰层36将功能液L1-L3良好地限制在图案形成区域13内，一边由与无机材料相比价格低的有机材料形成第一围堰层35，从而可以实现制造成本的降低。再有，在本实施方式中，由于可以以相同工序(旋涂)形成这些第一围堰层35及第二围堰层36，故还能提高生产率。
进而，在本实施方式中，通过将锰层F1的厚度形成得比第一围堰层35的厚度薄，从而能够使形成银层F2之际涂敷的功能液L2也与具有比第二围堰层36更高的亲液性的第一围堰层35接触，可以助长第一围堰层35的侧壁的润湿扩展。特别是，在本实施方式中，由于将第二围堰层36形成得比上述第一围堰层35薄，故能在图案形成区域内配置更多的功能液，即使为比较厚的膜图案，也可以容易且均匀地形成。
还有，在本实施方式中，由于对锰层F1与围堰34一并进行烧成，故可以省略加热到高温而耗费时间的工序，可以提高制造效率。
(器件)接着，对具备根据本发明的膜图案形成方法而形成的膜图案的器件进行说明。在本实施方式中，参照图7及图8对具备栅极布线的像素(器件)及其像素的形成方法进行说明。
在本实施方式中，利用上述围堰结构体及膜图案的形成方法，形成具有底栅型的TFT30的栅电极、源电极、漏电极等的像素。另外，在以下的说明中，省略关于与上述图5及图6所示的膜图案形成工序相同的工序的说明。再有，对于与上述实施方式所示的构成要素共用的构成要素标注相同的标记。
(像素的结构)首先，对具有通过上述膜图案的形成方法而形成的膜图案的像素(器件)的结构进行说明。
图7是表示本实施方式的像素结构250的图。
如图7所示，像素结构250在基板上具备栅极布线40、从该栅极布线40延伸出来而形成的栅电极41、源极布线42、从该源极布线42延伸出来而形成的源电极43、漏电极44、与漏电极44电连接的像素电极45。栅极布线40沿X轴方向延伸形成，源极布线42与栅极布线40交叉并沿Y轴方向延伸形成。而且，栅极布线40与源极布线42的交叉点附近形成有作为开关元件的TFT30。通过使该TFT30为导通状态，从而可以向与TFT30连接的像素电极45供给驱动电流。
在此，如图7所示，栅电极41的宽度H2形成得比栅极布线40的宽度H1窄。例如，栅电极41的宽度H2为10μm，栅极布线40的宽度H1为20μm。该栅极布线40及栅电极41由上述实施方式形成。
再有，源电极43的宽度H5形成得比源极布线42的宽度H6窄。例如，源电极43的宽度H5为10μm，源极布线42的宽度H6为20μm。在本实施方式中，通过采用上述膜图案形成方法，从而可以利用毛细管现象使功能液流入作为微细图案的源电极43而形成。
还有，如图7所示，栅极布线40的一部分上设置有布线宽度与其他区域相比狭窄的颈缩部57。而且，在该颈缩部57上，与栅极布线40交叉的源极布线42侧也同样设置有颈缩部。这样，在栅极布线40与源极布线42的交叉部分，通过狭窄地形成各自的布线宽度，从而可以防止在该交叉部分蓄积电容。
(像素的形成方法)图8(a)～(e)是表示沿图7所示的C-C’线的像素结构250的形成工序的剖视图。另外，像素电极的形成时也可以采用上述本发明涉及的膜图案的形成方法。
如图8(a)所示，在包含通过上述方法而形成的栅电极41的围堰34面上，利用等离子体CVD法等形成栅极绝缘膜39。在此，栅极绝缘膜39由氮化硅构成。接着在栅极绝缘膜39上成膜活性层。接着通过光刻处理及蚀刻处理，如图8(a)所示图案化为规定形状后形成非晶硅膜46。
接下来，在非晶硅膜46上成膜接触层47。然后通过光刻处理及蚀刻处理，如图8(a)所示图案化为规定形状。另外，接触层47通过使原料气体或等离子体条件变化而形成n+型硅膜。
接着，如图8(b)所示，通过旋涂法等在包含接触层47上的整个面上涂敷围堰材料，形成第一围堰层34d。此时，作为上述围堰形成材料的涂敷方法，可以采用喷涂、辊涂、模涂、浸涂、喷墨法等各种方法。在此作为构成围堰材料的材料，需要在形成后具备光透过性与疏液性，故与上述同样采用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、苯酚树脂、三聚氰酰胺树脂等高分子材料。再有，与上述同样由具有疏液性的氟系树脂材料在该围堰材料34d上形成第二围堰层36b。
接下来，形成作为1个像素间距的1/20-1/10的源/漏电极用围堰34d。具体是，首先通过光刻处理在与栅极绝缘膜39的上面涂敷了围堰形成材料的源电极43对应的位置上形成源电极用形成区域43a，同样在与漏电极44对应的位置上形成漏电极用形成区域44a。关于形成利用了该第一围堰层34d及第二围堰层36b的源/漏电极的工序，可以采用本发明涉及的膜图案的形成方法。通过采用层叠了具有针对功能液的疏液性的第二围堰层36b、具有比第二围堰层36b更高的亲液性的第一围堰层34d的结构，从而可以良好地涂敷扩展功能液，可以形成均匀且均质的源电极、漏电极。
接着，在形成于源/漏电极用围堰34d的源电极用形成区域43a及漏电极用形成区域44a内配置功能液L，形成源电极43及漏电极44。具体是，首先利用液滴喷出装置IJ在源极布线用形成区域内配置功能液L(省略图示)。如图7所示，源电极用形成区域43a的宽度H5形成得比源极布线用槽部的宽度H6窄。因此，配置于源极布线用槽部的功能液L被设置于源极布线的颈缩部一次性阻拦，利用毛细管现象流入源电极用形成区域43a。由此，如图8(c)所示，形成源电极43。再有，向漏电极用形成区域喷出功能液，形成漏电极44。
然后，如图8(c)所示，形成了源电极43及漏电极44后，除去源/漏电极用围堰34d(及第二围堰层36b)。然后，将残留于接触层47上的源电极43及漏电极44分别作为掩模，对形成于源电极43及漏电极44之间的接触层47的n+型硅膜进行蚀刻。
通过该蚀刻处理，形成于源电极43及漏电极44之间的接触层47的n+型硅膜被除去，形成于n+硅膜下层的非晶硅膜46的一部分露出。这样，源电极43的下层形成由n+硅构成的源极区域32，漏电极44的下层形成由n+硅构成的漏极区域33。而且，在这些源极区域32及漏极区域33的下层形成由非晶硅构成的沟道区域(非晶硅膜46)。
通过以上所说明的工序形成底栅型的TFT30。
接着，如图8(d)所示，在源电极43、漏电极44、源极区域32、漏极区域33及露出的硅层上，通过蒸镀法、溅射法等形成钝化膜38(保护膜)。接下来通过光刻处理及蚀刻处理，除去形成后述像素电极45的栅极绝缘膜39上的钝化膜38。同时为了电连接像素电极45与源电极43，在漏电极44上的钝化膜38上形成接触孔49。
接着，如图8(e)所示，在包含形成像素电极45的栅极绝缘膜39的区域上涂敷围堰材料，形成第一围堰层34e。在此，围堰材料如上所述，含有丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚硅氨烷等材料。然后由具有疏液性的氟系树脂材料在该第一围堰层(像素电极用围堰)34e上面形成第二围堰层36b。接着，通过光刻处理对划分形成像素电极45的区域的像素电极用围堰34e及第二围堰层36c进行图案化。
另外，对于该像素电极用围堰34e及第二围堰层36c来说，更希望形成本发明涉及的膜图案的形成方法中采用的层叠结构的围堰。
接下来，通过喷墨法、蒸镀法等，在被上述像素电极用围堰34e(及第二围堰层36c)划分的区域内形成由ITO(Indium Tin Oxide)构成的像素电极45。再有，通过将像素电极45填充到上述接触孔49，从而可以确保像素电极45与漏电极44的电连接。此外，在本实施方式中，在像素电极用围堰34e的上面形成疏液性的第二围堰层36c，且对上述像素电极用槽部实施亲液处理。因此，可以不会从像素电极用槽部漏出地形成像素电极45。
通过以上说明的工序可以形成图7所示的本实施方式的像素。
(电光学装置)接着，对具备通过采用上述围堰结构的膜图案形成方法而形成的像素(器件)的本发明的电光学装置的一例的液晶显示装置进行说明。
图9是针对本发明的液晶显示装置，从与各构成要素一起表示的对置基板侧观察的俯视图。图10是沿图9的H-H’线的剖视图。图11是在液晶显示装置的图像显示区域内形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图，另外在以下的说明中使用的各图中，为了将各层或各构件设为能在附图上辨识的程度的大小，使得按各层或各构件不同地缩小比例。
在图9及图10中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100利用作为光固化性密封材料的密封材料52贴合成对的TFT阵列基板10与对置基板20，在由该密封材料52划分的区域内封入并保持液晶50。
在密封材料52的形成区域内侧的区域内，形成有由遮光性材料构成的周边闭塞部53。在密封材料52外侧的区域内，沿TFT阵列基板10的一边形成有数据线驱动电路201及安装端子202，沿与该边相邻的两边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的剩下一边上设置有用于连接设于图像显示区域两侧的扫描线驱动电路204之间的多条布线205。再有，在对置基板20的角落部的至少一处配设有用于在TFT阵列基板10与对置基板20之间取得电导通的基板间导通材料206。
另外，也可以不在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路201及扫描线驱动电路204，而例如经由各向异性导电膜来电气及机械连接安装了驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和形成于TFT阵列基板10周边部分的端子群。此外，在液晶显示装置100中，根据所使用的液晶50的种类，即TN(Twisted Nematic)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式等动作模式、或常白模式(normally white mode)/常黑模式的分类，沿规定的方向配置相位差板、偏振片等，但在此省略图示。
还有，在将液晶显示装置100作为色彩显示用而构成的情况下，在对置基板20中，在与TFT矩阵基板10的后述各像素电极相对的区域内，例如使红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的滤色器与其保护膜一起形成。
在具有这种结构的液晶显示装置100的图像显示区域中，如图11所示，多个像素100a构成为矩阵状，这些像素100a上分别形成有像素切换用的TFT(开关元件)30，供给像素信号S1、S2、…、Sn的数据线6a与TFT30的源极电连接。写入数据线6a的像素信号S1、S2、…、Sn可以按照该顺序依次供给，也可以按照每组供给相邻的多条数据线6a彼此。再有，扫描线3a与TFT30的栅极电连接，构成为以规定的时序按照扫描信号G1、G2、…、Gm的顺序依次脉冲地施加给扫描线3a。
像素电极19与TFT30的漏极电连接，通过仅在一定期间使作为开关元件的TFT30为导通状态，从而将由数据线6a供给的像素信号S1、S2、…、Sn以规定的时序写入各像素。这样，经由像素电极19而被写入液晶中的规定电平的像素信号S1、S2、…、Sn在与图10所示的对置基板20的对置电极121之间被保持一定期间。另外，为了防止所保持的像素信号S1、S2、…、Sn漏泄，与形成于像素电极19与对置电极121之间的液晶电容并列地附加有存储电容60。例如，像素电极19的电压由存储电容60保持比施加源极电压的时间还长三个数量级的时间。由此，可以改善电荷的保持特性，可以实现对比度高的液晶显示装置100。
图12是具备上述围堰结构及通过图案形成方法形成的像素的有机EL装置的侧剖视图。以下，参照图12说明有机EL装置的概略构成。
在图12中，有机EL装置401是有机EL元件402上连接了挠性基板(省略图示)的布线及驱动IC(省略图示)的装置，有机EL元件402由基板411、电路元件部421、像素电极431、围堰部441、发光元件451、阴极461(对置电极)及密封基板471构成。电路元件部421是在基板411上形成作为有源元件的TFT30，多个像素电极431在电路元件部421上整列而构成的部件。而且，构成TFT30的栅极布线61可以根据上述实施方式的布线图案的形成方法来形成。
围堰部441在各像素电极431之间形成为栅格状，由围堰部441产生的凹部开口444中形成有发光元件451。另外，发光元件451由发红色光的元件、发绿色光的元件和发蓝色光的元件构成，由此有机EL装置401可以实现全彩色显示。阴极461形成于围堰部441及发光元件451上部的整个面上，阴极461之上层叠有密封用基板471。
包含有机EL元件的有机EL装置401的制造工艺包括形成围堰部441的围堰部形成工序；用于适当形成发光元件451的等离子体处理工序；形成发光元件451的发光元件形成工序；形成阴极461的对置电极形成工序；和在阴极461上层叠密封用基板471并进行密封的密封工序。
发光元件形成工序是通过在凹部开口444、即像素电极431上形成空穴注入层452与发光层453而形成发光元件451的，具备空穴注入层形成工序与发光层形成工序。而且，空穴注入层形成工序具有向各像素电极431上喷出用于形成空穴注入层452的液状体材料的第一喷出工序；使所喷出的液状体材料干燥，形成空穴注入层452的第一干燥工序。再有，发光层形成工序具有向空穴注入层452上喷出用于形成发光层453的液状体材料的第二喷出工序；使所喷出的液状体材料干燥，形成发光层453的第二干燥工序。另外，发光层453如上所述，由与红色、绿色、蓝色三种颜色对应的材料形成三种，因此，上述第二喷出工序为了分别喷出三种材料而由三个工序构成。
在该发光元件形成工序中，在空穴注入层形成工序中的第一喷出工序与发光层形成工序中的第二喷出工序中可以利用上述液滴喷出装置IJ。由此，即使在具有微细的膜图案的情况下也可以得到均匀的膜图案。
根据本发明的电光学装置，由于包括具有高精度的电特性等的器件，故可以实现提高了品质或性能的电光学装置。
再有，作为本发明涉及的电光学装置，除了上述装置以外，还可以适用于PDP(等离子显示面板)、或利用通过在基板上形成的小面积的薄膜上与膜面平行地流过电流而产生电子发射的现象的表面传导型电子发射元件等。
(电子设备)接着，对本发明的电子设备的具体例子进行说明。
图13是表示移动电话的一例的立体图。在图13中，600表示移动电话主体，601表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图13所示的电子设备具备具有上述实施方式的围堰结构的通过图案形成方法而形成的液晶显示装置，可以得到高品质或性能。
另外，虽然将本实施方式的电子设备设为具备液晶装置，但也可以设为具备有机场致发光显示装置、等离子体显示装置等其他电光学装置的电子设备。
此外，也可以适用于除了上述的电子设备以外的各种电子设备。例如也能适用于液晶投影仪、多媒体对应的个人计算机(PC)及机械制造站(EWS)、寻呼机、文字处理机、电视机、取景型或监视器直视型的磁带录像机、电子记事本、电子台式计算机、导航装置、POS终端、具备触摸面板的装置等电子设备。
以上参照附图对本发明涉及的优选实施方式进行了说明，但不能说本发明限于这些例子。上述例子中所示的各构成构件的形状或组合等只是一例，在不脱离本发明的主旨的范围内可以根据设计要求进行各种变更。
例如，在上述实施方式中，作为对锰层F1及围堰34一并进行烧成处理的构成进行了说明，但不限于此，也可以是分割各层进行烧成处理的顺序。再有，在上述实施方式中，通过光刻处理及蚀刻处理形成所希望的图案的围堰结构。相对于此，取代上述形成方法，可以通过利用激光进行图案化而形成所希望的图案。
还有，上述实施方式的膜图案的形成方法在制造图14或图15所示的有源矩阵基板时也可以适用。具体是，图14是表示具备共面结构的晶体管的有源矩阵基板的一例的剖面示意图，在基板48上形成半导体层46，隔着栅极绝缘膜39在半导体层46上形成栅电极41。栅电极41被围堰34包围而形成图案，该围堰34还作为层间绝缘层而起作用。该围堰34是在第一围堰层35上层叠了由氟系树脂材料构成的第二围堰层36，通过上述膜图案形成方法来成膜栅电极41。
而且，在围堰34及栅极绝缘膜39上形成接触孔，形成有经由该接触孔而与半导体层46的源极区域连接的源电极43、与半导体层46的漏极区域连接的漏电极44。另外，漏电极44连接像素电极。
另一方面，图15是表示具备交错结构的晶体管的有源矩阵基板的一例的剖面示意图，基板48上形成源电极43与漏电极44，在该源电极43与漏电极44上形成有半导体层46。再有，在半导体层46上隔着栅极绝缘膜39形成有栅电极41。栅电极41被围堰34包围而形成图案，该围堰34还作为层间绝缘层而起作用。该围堰34也是在第一围堰层35上层叠了由氟系树脂材料构成的第二围堰层36，通过上述膜图案形成方法来成膜栅电极41。
另外，漏电极44与像素电极连接。
在以上的有源矩阵基板的制造时，可以适用上述膜图案的形成方法。也就是说，例如在由围堰34包围的区域内形成栅电极41之际，若采用本发明涉及的上述膜图案的形成方法，则可以形成实现了成本降低的栅电极。此外，该膜图案的形成方法不限于栅电极的形成工序，例如在源电极或漏电极还有像素电极的形成工序中也可以采用。
权利要求
1.一种膜图案的形成方法，是在由设于基板上的围堰划分的图案形成区域内配置功能液，以形成膜图案的方法，其特征在于，具有在基板上配置第一围堰形成材料，形成第一围堰层的工序；和在所述第一围堰层上形成第二围堰层的工序，所述第一围堰形成材料为有机材料，所述第二围堰层由被覆所述第一围堰层的氟系树脂材料构成。
2.根据权利要求1所述的膜图案的形成方法，其特征在于，还具有在所述图案形成区域内配置第一功能液的工序；使所述图案形成区域内的第一功能液干燥，形成第一干燥膜的工序；和在所述第一干燥膜上配置第二功能液的工序，使所述第一功能液干燥而形成的第一干燥膜的膜厚形成得比所述第一围堰层的厚度薄。
3.根据权利要求1或2所述的膜图案的形成方法，其特征在于，还具有在所述图案形成区域内配置功能液的工序；使所述图案形成区域内的功能液干燥，形成干燥膜的工序；和对所述围堰与所述干燥膜一并进行烧成的工序。
4.根据权利要求3所述的膜图案的形成方法，其特征在于，在所述图案形成区域内层叠形成了多层干燥膜后，对该干燥膜与所述围堰一并进行烧成。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的膜图案的形成方法，其特征在于，所述第二围堰层形成得比所述第一围堰层薄。
6.一种器件，其特征在于，具有利用权利要求1～5中任一项所述的形成方法在基板上形成的围堰、被该围堰包围的图案形成区域、形成于该图案形成区域的膜图案。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，其作为栅电极具备形成于所述图案形成区域的膜图案。
8.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，其作为源电极具备形成于所述图案形成区域的膜图案。
9.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，其作为漏电极具备形成于所述图案形成区域的膜图案。
10.一种电光学装置，其特征在于，其具备权利要求6～9中任一项所述的器件。
11.一种电子设备，其特征在于，其具备权利要求10所述的电光学装置。
12.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具有在基板上形成栅极布线的第一工序；在所述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第二工序；隔着所述栅极绝缘膜，层叠半导体层的第三工序；在所述栅极绝缘膜之上形成源电极与漏电极的第四工序；在所述源电极与所述漏电极上配置绝缘材料的第五工序；和在配置了所述绝缘材料的基础上形成像素电极的第六工序，在所述第一工序、所述第四工序及所述第六工序的至少一个工序中采用权利要求1～5中任一项所述的膜图案的形成方法。
13.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具有在基板上形成源电极与漏电极的第一工序；在所述源电极与漏电极上形成半导体层的第二工序；在所述半导体层上隔着栅极绝缘膜形成栅电极的第三工序；和形成与所述漏电极连接的像素电极的第四工序，在所述第一工序、所述第三工序及所述第四工序的至少一个工序中采用权利要求1～5中任一项所述的膜图案的形成方法。
14.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具有在基板上形成半导体层的第一工序；在所述半导体层上隔着栅极绝缘膜形成栅电极的第二工序；形成经由形成于所述栅极绝缘膜的接触孔而与所述半导体层的源极区域连接的源电极、和与所述半导体层的漏极区域连接的漏电极的第三工序；和形成与所述漏电极连接的像素电极的第四工序，在所述第二工序、所述第三工序及所述第四工序的至少一个工序中采用权利要求1～5中任一项所述的膜图案的形成方法。
全文摘要
本发明提供一种有助于降低制造成本的制造方法。其中在由设于基板(18)上的围堰(34)划分的图案形成区域内配置功能液，形成膜图案。具有在基板(18)上配置第一围堰形成材料，形成第一围堰层(35)的工序；和在第一围堰层(35)上形成第二围堰层(36)的工序。第一围堰形成材料为有机材料，第二围堰层(36)由被覆第一围堰层(35)的氟系树脂材料构成。
文档编号H01L29/786GK101060071SQ20071009619
公开日2007年10月24日 申请日期2007年4月18日 优先权日2006年4月19日
发明者守屋克之, 平井利充 申请人:精工爱普生株式会社