专利名称：一种单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线的制作方法
技术领域：
本实用新型属于微波技术领域，涉及一种基于基片集成波导技术构成 的单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线，可作为射频收发前端的天线，广
泛应用在移动通信、卫星通信、雷达等无线通信系统，用于解决Faraday 电磁旋转效应等造成的极化失配问题，同时还可以起到抑制雨雾干扰和抗 多径反射的作用。
背景技术：
做为通信系统的关键部件，天线被广泛地应用于无线通信场合。由于 空间中电波传播的Faraday旋转效应，以及移动通信中的接收天线位置的 不确定性，如果采用传统的单极化天线做为收发单元，需要收发天线极化 匹配对准才能实现较好的接收效果。而圆极化天线辐射出来的等幅旋转场 可以分解为幅度相等相位相差90度的两个正交线极化波，普遍应用于无 线通信中解决极化失配的问题。同时由于圆极化波入射到对称目标时的旋 向逆转特性，圆极化天线应用于移动通信、卫星通信领域还起到抑制雨雾 干扰和抗多径反射的作用。因此设计高性能的圆极化天线不但可以避免极 化失配而获取良好的接收效果，同时可以极大地缓解后续射频电路的指标 压力，显著提高系统的性能、降低系统的成本。特别在卫星通信、射频识 别等体积重量具有严格限制的无线通信应用场合，设计具有低轮廓的高性 能圆极化天线尤其重要。
圆极化天线的实现方式多种多样，包括微带贴片天线、微带缝隙开槽 天线、波导缝隙开槽天线、背腔圆极化天线以及螺旋天线等几种形式。微 带形式的圆极化天线具有低轮廓易共形的优点，应用最为广泛。它的馈电 方式主要有缝隙耦合馈电和同轴波导馈电两种方式，其中缝隙耦合馈电主 要采用多层PCB工艺实现，对于国内的工艺来说价格高昂而且工艺不是 很稳定。而同轴馈电方式虽然简单，但它不能和平面电路无缝集成，导致体积较大。波导缝隙开槽圆极化天线适用于阵列天线应用，单个辐射单元 体积小，组成阵列体积紧凑，阵列天线具有主瓣宽度窄，方向图可以赋 形，交叉极化电平低等优良特性，广泛应用于微波毫米波雷达通信系统中 等。但是基于传统金属波导技术的天线体积大，加工工艺复杂，成本高 昂，限制了它的广泛使用；背腔圆极化天线一般是由平面基片上实现的馈 电、辐射单元和背面附加的金属腔体构成，这种天线的增益高，定向性
好，但同样加工复杂成本高，体积大。为了解决这些问题Sievenpiper等 人提出在基片上压嵌金属条的方式构成腔体结构，同时采用同轴在合适的 位置对其进行馈电从而形成背腔圆极化天线。这种实现方式和以前的背腔 圆极化天线相比体积大大减小，但是其加工过程仍然比较复杂。本实用新 型是在Sievenpiper的工作基础上，通过采用基片集成波导技术取代压嵌 金属条的方式来实现成本更低制作更简单的单点同轴馈电背腔圆极化天 线。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种基于基片集成波导技术构成的单点同轴 馈电低轮廓背腔圆极化天线，这种新型圆极化天线辐射性能好，增益高， 体积小，结构简单，易于设计，易于加工，成本低。该圆极化天线与现有 背腔圆极化天线相比体积大大减小，制造成本显著降低。
本实用新型的单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线包括介质基片，介 质基片的两面镀有金属层，分别是上金属层和下金属层，其中下金属层作 为地层。贯穿上金属层、介质基片和下金属层开有通孔，通孔内壁镀有金 属，形成金属化通孔；多个金属化通孔顺序排列为圆形，形成圆形基片集 成波导腔体，构成基片集成波导腔体的金属化通孔的孔间距相同。上金属 层在基片集成波导腔体的区域内蚀刻有两条垂直相交的长条形的辐射缝 隙，两条辐射缝隙宽度相同，均以交叉点作为中心点，且交叉点与基片集 成波导腔体的圆心重合；下金属层在基片集成波导腔体的区域内设置有同 轴线，同轴线设置在对应两条相互垂直的辐射缝隙的角平分线的位置，同轴线的探针贯穿下金属层和介质基片，并与上金属层相连，同轴线的外金 属壳与下金属层相连。其中同轴线采用50欧姆标准件。
本实用新型的单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线是在普通的介质基 片上通过采用基片集成波导技术制造等效于传统的闭合金属腔的腔体结 构，从而极大的减小了背腔圆极化天线的体积。与传统背腔天线需要精密 的机械加工不同的是这种新型天线可以采用普通的PCB工艺制作，天线 的轮廓和制作成本都显著降低。在结构上，基片为具有双面金属层的介质 基片，在介质基片上以均匀的间隔设有一系列金属化通孔，形成等效于传 统金属腔体的圆形基片集成波导腔体。在双面金属层的下金属层对应基片 集成波导腔体区域内连接馈电同轴线，同轴探针贯穿下金属层和介质基片 连接上金属层给腔体馈电。在双面金属层的上金属层蚀刻两条宽度相同长 度不同垂直相交的长条形缝隙，用于辐射电磁能量。
具体工作原理同轴线将电磁波引入到由基片集成波导技术构成的圆 形基片集成波导腔体中，从而激励起腔体中多个模式的谐振。由于腔体是 二维对称结构，因此其二阶谐振是两个相互正交的简并谐振模式。此时通 过调节两条相互垂直缝隙的长度可以将两个相互正交的简并谐振模式分 离，并通过缝隙将能量辐射出去从而形成的天线。调节馈电点的位置、腔 体的尺寸和两条缝隙的长度差可以在需要的频率将由相互正交谐振模式辐 射出去的电磁波的相位差调整为90度，从而使得辐射出去的电磁波形成 圆极化。
有益效果基于基片集成波导技术构成的单点同轴馈电低轮廓背腔圆 极化天线具有以下优点
a. 这种新型的背腔圆极化天线保留了传统的金属背腔圆极化天线高增 益等的优良辐射特性，而腔体结构通过基片集成波导技术在介质基片上实 现，使得天线的体积大大的减小。
b. 这种新型的背腔圆极化天线结构简单，在设计过程中只需要调节同 轴馈电点位置，辐射缝隙长度，以及由金属通孔构成的圆形基片集成波导腔体的半径就可以得到所需要的性能。结构参数少，大大縮短了设计并优 化的时间。
C.这种新型的背腔圆极化天线制造简单方便，用普通的PCB工艺就 可以实现。与传统的需要精密机械加工的背腔天线相比，制造速度快，成 本低廉。
图1是本实用新型的结构示意图； 图2是本实用新型的立体结构示意图； 图3是本实用新型的上金属层结构示意图； 图4是本实用新型的下金属层结构示意图5是本实用新型一实施例的回波损耗仿真和测试结果的比较图； 图6是本实用新型实施例的轴比和增益的仿真测试结果的对比图； 图7是本实用新型实施例在10GHz时X-Y平面辐射方向图测试结果
图8是本实用新型实施例在10GHz时X-Z平面辐射方向图测试结果图。
具体实施方式
如图1和2所示，单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线包括厚度为 0.5毫米Rogers5880介质基片5，介质基片5的两面镀有金属层，分别是 上金属层4和下金属层6，其中下金属层6作为地层。贯穿上金属层4、 介质基片5和下金属层6开有直径为l毫米，通孔内壁镀有金属，形成金 属化通孔2;多个金属化通孔2顺序排列为圆形，形成圆形基片集成波导 腔体，构成基片集成波导腔体的金属化通孔2的孔间距相同，均为1.35 毫米。如图3，上金属层4在基片集成波导腔体的区域内蚀刻有宽度同为 l毫米长度分别为11.5毫米和10.9毫米的两条垂直相交的辐射缝隙3，交 叉点与基片集成波导腔体的圆心重合，且均以交叉点作为中心点；如图 4，馈电同轴线的探针1贯穿上金属层、介质基片和下金属层，其位置处在两条相互垂直的辐射缝隙的角平分线上，距离腔体的圆心6.36毫米。
该单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线的具体制造过程为首先选取 对应参数的基片，在基片的上金属层蚀刻两条用于辐射能量的相互垂直的 缝隙，以辐射缝隙的中心为圆心围绕辐射缝隙在整个基片上以均匀的间隔 设一系列金属化通孔形成等效于传统金属腔体的圆形基片集成波导腔体。 选择合适的孔径和孔间距，避免腔体内能量向外泄露。这种新型背腔圆极 化天线保留了传统金属背腔圆极化天线高增益的辐射特性。选择合适的馈 电点位置、辐射缝隙的大小和圆形基片集成波导腔体的半径，可方便地调 节这种天线的工作频率。整个天线完全由普通的PCB工艺实现，腔体结 构由金属化通孔阵列所实现，制作简单，成本低廉。
图5到图8为该圆极化天线性能的测试结果。图5仿真测试结果表明 该天线在中心频率为10GHz的工作频带内能够有效地辐射能量。图6仿 真测试结果均表明该天线在工作频带内3dB轴比带宽80MHz，增益高达 5.8dBi。图7 8的方向图测试结果表面在工作频率lOGHz时该天线无论 在X-Y平面还是X-Z平面内都呈现良好的右旋圆极化辐射特性，增益 高，定向性好，交叉极化电平和后瓣电平低。
权利要求1、一种单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线，包括介质基片，其特征在于介质基片的两面镀有金属层，分别是上金属层和下金属层；贯穿上金属层、介质基片和下金属层开有金属化通孔；多个金属化通孔顺序排列为圆形，形成圆形基片集成波导腔体，构成基片集成波导腔体的金属化通孔的孔间距相同；上金属层在基片集成波导腔体的区域内蚀刻有两条垂直相交的长条形的辐射缝隙，两条辐射缝隙宽度相同，均以交叉点作为中心点，且交叉点与基片集成波导腔体的圆心重合；下金属层在基片集成波导腔体的区域内设置有同轴线，同轴线设置在对应两条相互垂直的辐射缝隙的角平分线的位置，同轴线的探针贯穿下金属层和介质基片，并与上金属层相连，同轴线的外金属壳与下金属层相连。
专利摘要本实用新型涉及一种单点同轴馈电低轮廓背腔圆极化天线。普通背腔圆极化天线结构复杂、体积大、制造成本高。本实用新型在介质基片的两面镀有金属层，上金属层蚀刻有用于辐射能量的两条相互垂直的长方形缝隙。贯穿上金属层、介质基片和下金属层开有排列为圆形的多个金属化通孔，形成圆形腔体。在腔体区域内两条相互垂直的长条形辐射缝隙的角平分线的合适位置，贯穿下金属层和介质基片接入同轴探针作为馈电结构。与已有金属腔体构成的背腔圆极化天线相比，本实用新型的腔体采用普通的PCB工艺制作使得天线轮廓小，制作成本低。
文档编号H01Q13/00GK201160116SQ20072019163
公开日2008年12月3日 申请日期2007年11月12日 优先权日2007年11月12日
发明者孙玲玲, 罗国清 申请人:杭州电子科技大学