遮蔽膜的形成方法

专利名称：遮蔽膜的形成方法
技术领域：
本发明涉及遮蔽膜的形成方法。
背景技术：
近年来，随着半导体集成电路的图形细微化，有人建议采用将Cu及Al等 配线材料埋入纵横尺寸比高的细微的导通孔及沟槽等处的所谓埋入配线结构。
当采用上述埋入配线结构的情况下，例如当用铜作为主配线材料时，会产生 铜容易扩散到绝缘膜中的麻烦。为此，通过在绝缘膜和配线材料之间设置一层导 电性的遮蔽膜来抑制或防止铜的扩散。关于该遮蔽膜的形成有多种方法，例如使 用PVD法、MOCVD法及ALD法沉积出Ta、 TiN、 TaN等材料层形成遮蔽膜的 方法，这些方法早已众所周知(参照专利文献l)。
上述ALD法是使某种前驱体吸附到基板表面(吸附工序)，在该前驱体已被 吸附的状态下，通过提供另一种前驱体，使两种前驱体在基板表面上彼此接触， 并发生反应(改性工序)，通过反复进行该工序即可形成所需的金属膜。 一般说 来，该ALD法具有比CVD法温度低、且具有成膜敷层良好的优点。
然而，众所周知，ZrB2膜是一种比Ta、 TiN遮蔽性更好的膜。该ZrB2膜若 用Zr (BH4) 4则可根据下述反应式(1)成膜。
Zr (BH4) 4—ZrB2+B2H6+5H2..... (1)
上述式(1)情况下采用的是利用Si基板本身的热量直接热分解原料在基板 上形成ZrB2膜的方法，但要想得到良好的ZrB2膜，需将基板加热到550°C以上 的高温，因而并不理想。
与之相对应，在原料中添加氢原子团，利用该氢原子团以及Si基板上的热 使原料在低温下G00 350。C)发生反应，在基板上形成ZrB2膜的CVD法早已 众所周知(参照非专利文献l)。
要想添加此种氢原子团，需激活氢气。作为此种气体激活装置，使用波导管 导入微波的微波激活等离子处理装置早已众所周知(参照专利文献2)。
专利文献L.特开2004—6856号公报(权利要求3、图4等)
专利文献2;特开平10—255998号公报(权利要求1、图1等)非专利文献1: J.Appl.Phys.,Vol.91,No.6,15 March 2002，pp.3904國3907(p.3904)

发明内容
(发明准备解决的课题) 然而，若为了形成ZrB2的遮蔽膜而利用上述式(1)的反应直接热分解原料， 由于成膜温度过高，因而存在作为半导体装置的配线材料无法使用Cu及AI的 问题。
此外，由于上述微波激活等离子处理装置是用波导管传播微波的，从产生微 波到生成等离子需要一定时间，因而存在无法用于多次反复进行吸附工序和改性 工序的不适于ALD法的问题。
为此，本发明的课题在于解决上述现有技术的问题，提供一种成膜方法，其 利用使用了生成等离子不需要多少时间的微波激活等离子处理装置的ALD法， 在低温工艺条件下，不会在细微的通孔、沟槽等的上部桥架出遮蔽膜，可在这些 通孔、沟槽的内表面上敷层良好地并高效地形成ZrB2遮蔽膜。 (解决课题的手段)
本发明的遮蔽膜的形成方法，其特征在于具有等离子生成手段，其由同轴 型空腔谐振器和微波供给电路构成，该空腔谐振器配置有分隔设置在导入反应气 体的非金属导管外周上部及下部的导体；前述同轴型空腔谐振器内部的高度为激 励波长的1/2的整数倍；其使用具有由非金属导管的一端注入的气体在非金属导 管未设置前述导体的区域内被微波激活、从另一端呈等离子化释放的等离子生成 手段的成膜装置，将已形成通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物放置在该成膜装 置的真空容器内，利用ALD法使由Zr (BH4) 4构成的原料气体与由H2气体构 成的反应气体经前述等离子生成手段等离子化后得到的气体发生反应，在该成膜 对象物的表面包括通孔、沟槽内表面在内的绝缘膜上形成由ZrB2膜构成的遮蔽 膜。若使用此种装置进行成膜，可在低温工艺条件下，在细微通孔、沟槽的内表 面上敷层良好地且高效地形成ZrB2遮蔽膜。
在本发明的遮蔽膜形成方法中，最好通过反复进行下述工序，在包括通孔、 沟槽内表面在内的绝缘膜上形成由ZrB2膜构成的遮蔽膜吸附工序，其通过提 供前述原料气体和前述反应气体，使之吸附到已形成通孔、沟橹的带绝缘膜的成 膜对象物上；改性工序，其停止供给原料气体，仅连续供给反应气体，使该反应 气体山被前述等离子生成手段等离子化，使该等离子化的反应气体与吸附在成膜对象物上的原料气体发生反应进行改性。
此外，在本发明的遮蔽膜形成方法之中，最好通过反复进行下述工序，在包 括通孔、沟槽内表面在内的绝缘膜上形成由ZrB2膜构成的遮蔽膜吸附工序， 其通过提供前述原料气体以及被前述等离子生成手段等离子化的前述反应气体， 使之吸附到已形成通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物上；改性工序，其停止供 给原料气体，仅连续供给被前述等离子生成手段等离子化的反应气体的同时，使 之与吸附到成膜对象物上的原料气体发生反应进行改性。
本发明的遮蔽膜的形成方法，其特征在于具有等离子生成手段，其由同轴 型空腔谐振器和微波供给电路构成，该空腔谐振器配置有分隔设置在导入反应气 体的非金属导管外周上部及下部的导体；前述同轴型空腔谐振器内部的高度为激 励波长的1/2的整数倍；其使用具有由非金属导管的一端注入的气体在非金属导 管未设置前述导体的区域内被微波激活、从另一端呈等离子化释放的等离子生成 手段的成膜装置，将已形成通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物放置在该成膜装 置的真空容器内，利用ALD法使由Zr (BH4) 4构成的原料气体与氢气中混合了 从N2及NH3中选择出的至少一种的反应气体被前述等离子生成手段等离子化的 气体发生反应，在该成膜对象物的表面包括通孔、沟槽内表面在内的绝缘膜上形 成由ZrBN膜构成的遮蔽膜。通过使用在氢气中混合了从N2及NH3中选择出的 至少一种，可更加长时间地保持等离子化反应气体的状态。若使用所述反应气体， 通过所述装置进行成膜，可在低温工艺条件下，在细微通孔、沟槽的内表面上敷 层良好地且高效地形成ZrBN遮蔽膜。
在此情况下，最好通过反复进行下述工序，在包括通孔、沟槽内表面在内的 绝缘膜上形成由ZrBN膜构成的遮蔽膜吸附工序，其通过提供前述原料气体和 前述反应气体，使之吸附到已形成通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物上；改性 工序，其停止供给原料气体，仅连续供给反应气体，使该反应气体被前述等离子 生成手段等离子化，使该等离子化的反应气体与吸附在成膜对象物上的原料气体 发生反应进行改性。此外，最好通过反复进行下述工序，在包括通孔、沟槽内表 面在内的绝缘膜上形成由ZrBN膜构成的遮蔽膜吸附工序，其通过提供前述原 料气体以及被前述等离子生成手段等离子化的前述反应气体，使之吸附到已形成 通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物上；改性工序，其停止供给原料气体，仅连 续供给被前述等离子生成手段等离子化的反应气体的同时，使之与吸附到成膜对象物上的原料气体发生反应进行改性。
最好前述反应气体在吸附工序和改性工序中以不同流量形成遮蔽膜。最好一 边把作为前述成膜对象物加热到50~300°C， 一边形成遮蔽膜。
此外，最好将冷却气体导入前述同轴型空腔谐振器内，边冷却非金属导管内 未设置导体的区域边形成遮蔽膜。此外，最好将前述非金属导管的侧壁设定为两 层，通过使冷却用流体在该侧壁间循环，边冷却非金属导管边形成遮蔽膜。若采 用这些方法进行冷却，即可抑制非金属导管内壁上的腐蚀，提高原子团的生成效 率。
(发明效果)
若采用本发明，具有下述效果使用具有微波激活的等离子生成手段的成膜 装置，通过用ALD法在低温下实施吸附工序及改性工序，即不会在纵横尺寸比
高的细微的通孔、沟槽等的上部形成桥架遮蔽膜地在这些通孔、沟槽等处敷层良 好地形成遮蔽膜。
具体实施例方式
下面首先说明本发明的成膜方法中使用的第1成膜装置。第1成膜装置由下
述各部分构成底部配置有放置成膜对象物的承载台的真空容器，以及在该真空 容器的顶部以与成膜对象物相向的形态设置的喷头结构。下面参照图1详细说明 该喷头结构。
喷头结构1由上部的同轴型空腔谐振器11、连接在同轴型谐振腔11底部上
的反应气体导入室12、以及与反应气体导入室12连接的喷头部13构成。
同轴型空腔谐振器11例如用铜或铝制成，在该同轴型空腔谐振器11内设有 贯穿空腔谐振器顶板和底板的非金属导管111。在该非金属导管111的上部经流 量控制手段与未图示的反应气体的气源连接。作为该非金属导管lll，可使用石 英管、蓝宝石管或氧化铝管，但为了进一步减少微粒，最好使用蓝宝石管或氧化 铝管。
在该非金属导管111的上部，以覆盖其周围的形态设有同心圆形的可灵活移
动的上部导体i12，此外，在该上部导体ii2的下方，同轴型空腔谐振器rn的
底板具有作为下部导体113的功能。在该两个导体闾非金属导管111外露，该外 露部llla可受微波照射。而在图1中，同轴型空腔谐振器11的底板具有下部导 体113的功能，但也可用别的部件作为下部导体U3设置在同轴型空腔谐振器11的底部。
为了在非金属导管111的外露部llla区域内生成等离子，在同轴型空腔谐 振器11的侧壁面与外露部llla对应的位置上设置了微波供给手段14。该微波供 给手段14由下述各部分构成振荡出微波的磁控管141、使该磁控管141动作 的微波电源142、与磁控管141连接，将磁控管141振荡出的谐振频率(例如 2.45GHz)的微波提供给同轴型空腔谐振器11的天线143、连接天线143和磁控 管141的同轴电缆144。 一个使微波电源142动作，磁控管141即振荡出微波， 该微波经同轴电缆144到达设置在壁面上的天线143。并且微波一从天线143提 供到同轴型空腔谐振器11内，从非金属导管111上部导入的反应气体即可在外 露部llla的区域内变为等离子状态，从作为气体流路的非金属导管111的下部 作为等离子化的气体提供给反应气体导入室12。如上所述，由于在本装置中未 设置用来传播微波的波导管， 一振荡出微波即可立刻生成等离子，因而适合实施 ALD法时使用。图1中是以仅设置了一个天线143为例加以说明的，但也可设 置两个以上。此外，如上所述，由于上部导体112是可动的，改变其位置即可改 变上部导体112和下部导体113间的电场发生状态，因而可改变等离子的生成状 态。
然而， 一般而言， 一旦在等离子生成空间内生成等离子，谐振频率即会随着 等离子生成空间内的电场分布的改变而改变，导致等离子的生成效率下降。在此 情况下，若调整微波供给手段，又会在微波振荡和等离子生成之间产生延时，无 法适用于ALD法。
为此，在第l成膜装置中，为使等离子生成前后谐振频率不发生变化，采用 了同轴型空腔谐振器11内的高度L为激励波长的1/2的整数倍的结构。这是鉴 于同轴型空腔谐振器11的电场分布在等离子生成前为TM方式，而在等离子生 成后变为TEM方式，根据各种方式下的等效电路求出等离子生成前后的各谐振 频率，通过使这些谐振频率相等的计算获得的。通过采用上述构成即可抑制等离 子生成前后谐振频率的变化。
由于即便采用此法设定同轴型空腔谐振器11内的高度L，等离子生成后空 腔谐振器内的频率仍然会有少许变动，因而最好在第1成膜装置的微波供给手段 14内设置激磁电流控制电路。该控制电路可采用下述构成监控同轴型空腔谐 振器11内等离子生成前后的频率，当该频率发生变化的情况下，接收与该变化量对应的信号，把相当于该信号的电流作为激磁电流提供给磁控管141内的未图 示的激磁线圈，即可使所提供的微波波长稳定。
此外，若在同轴型空腔谐振器ll内的频率发生变化的状态下振荡出微波， 等离子生成室内部产生反射波的情况下，也可设置阳极电压控制电路，其通过检 出该反射波，给磁控管内的阳极电极重叠性外加相当于该检出的反射波和振荡出 的微波的行进波的相位差的电压，使之向谐振频率靠拢。在此情况下，由于反射 波可在微波供给手段中变换为热，因而在设置了阳极电压控制电路的情况下，需 要注意电路不会因源于反射波的热而受损。还可采用在下部导体113中设置相当 于振荡波长1/4长度的扼流结构，抑制从外露部llla外泄的微波的构成。
如上所述，第1成膜装置采用下述构成其同轴型空腔谐振器11内的高度
L等于激励波长的1/2的整数倍的构成，可振荡出稳定的谐振频率的同时，通过 设置激磁电流控制电路以及阳极电压控制电路，即便谐振频率在等离子生成前后 发生了偏差，也能使频率自动协调。还有，由于第1成膜装置在微波振荡和等离 子生成间不发生延时，因而可将等离子的生成控制在极短的间隔内，例如0.5秒 左右，因而非常适用于通过多次反复进行吸附工序及改性工序进行成膜的ALD 法。
在该同轴型空腔谐振器11的非金属导管111内被等离子激活的反应气体经 反应气体导入室12被导入喷头部13。反应气体导入室12例如用铝制成，为了 防止发生微粒，最好在其内壁上设置用石英制作的衬里。在此情况下，虽然也可 如图1中所示，在气体导入室12内壁的下方区域(喷头部13 —侧)设置石英制 作的衬里，但最好在整个内壁上设置石英制作的衬里。此外，为使原子团状态的 气体不易失活，最好将反应气体导入室12的内壁表面进行氧化铝加工。
反应气体导入室12还可通过未图示的冷却手段冷却。在反应气体导入室12 和喷头部13之间设有陶瓷法兰盘122 (例如厚度为10mm)，其由固定件123及 124固定。该陶瓷法兰盘122是为了阻热而设置的，以免反应气体导入室12被 喷头部13的热量加热，出于真空密封性、耐热性、阻热性的考虑，最好使用氧 化铝陶瓷。
喷头部13由圆盘形构件13a、环形构件13b、第1喷流板13c、第2喷流板 13d构成，其由相应的固定件123固定。圆盘形构件13a上最好设置未图示的热 丝及热电偶，利用热丝可将喷头部13加热到规定温度(例如i50'C左右)，用热电偶测定该加热后的温度即可进行监控。此外，圆盘形构件13a上形成与反应气 体导入室12连通的开口部，从而构成反应气体可从该开口部和环形构件13b的 开口部导入并扩散的反应气体扩散室131。反应气体扩散室131的整个内壁上设 有石英制成的衬里，在其底面上形成多个反应气体喷出孔132。该反应气体喷出 孔132贯穿第1喷流板13c及第2喷流板13d直达喷头部13的底面。
圆盘形构件13a上还设有与原料气体导入装置连接的原料气体导入管133, 该原料气体导入管133经气体通道134，即设置在环形构件13b外周部上的气体 通道134a及设置在第1喷流板13c外周部上的气体通道134b与第2喷流板13d 上形成的原料气体扩散室135连接。该气体通道134由1个以上的多段构成，各 段具有可用2""(n为段数)表示的气体通道134a及134b。并且，气体通道134采 用从前述原料气体导入管133和第1段气体通道134a的连接位置起与到达最后 一段气体通道134b和原料气体扩散室135的各连接位置的距离完全相等的构成。 下面用图2及图3详细说明该气体通道134。图2中(a)是环形构件13b、 (b) 是第1喷流板13c、 (c)是第2喷流板13d的横剖面图。图3是用来说明原料气 体导入管133、气体通道134以及原料气体扩散室135的配置关系的说明图。
气体通道134由设置在环形构件13b上的圆弧形的一个气体通道134a、以 及设置在形成第1喷流板13c的反应气体喷出孔132的区域周边部上的圆弧形的 两个气体通道134b构成。在气体通道134a的中央上部连接着原料气体导入管 133。并在气体通道134a两端的底部上分别形成连接孔134c，该各连接孔134c 与设置在第1喷流板13c上的气体通道134b各自的中央上部连接，使气体通道 134a和气体通道134b彼此连通。
此外，在气体通道134b各自的两端底部上形成连接孔134d，该连接孔134d 与设置在第2喷流板13d上的原料气体扩散室135的四个拐角上部连接，采用原 料气体经连接孔134d可均匀喷射到原料气体扩散室135内的构成。
如上所述，连接前述原料气体扩散室135和原料气体导入管133的气体通道 134由两段构成，第1段的气体通道134a，在其中央与前述原料气体导入管133 连接，第2段的气体通道134b通过在其中央与设置在前段的气体通道134a两端 底部上的连接孔134c连接，与前段的气体通道134a连通，并通过各气体通道 134b两端底部上形成的连接孔134d与原料气体扩散室135连接，从而构成1个 气体流路。并且由于在该气体通道134中采用从原料气体导入管133到各连接孔134d的距离均相等的构成，因而原料气体可同时同量地到达原料气体扩散室， 可在原料气体扩散室135内均匀扩散。图中是将气体通道设定为两段构成，设定 了 4个连接孔134d的用例,但也可用3段以上构成气体通道，并增加连接孔134d 的数量。例如，在第1喷流板的底部上形成与第1喷流板相同的反应气体喷出孔， 并设置具有4条气体通道的第3喷流板，在该第3喷流板的4条气体通道的各自 的中央上部与第1喷流板的连接孔连接。在该第3喷流板的各气体通道的两端部 上分别形成通向第2喷流板的原料气体扩散室的连接孔，也就是说，也可采用以 下构成设置8个连接孔，并结合此点设计原料气体扩散室的形状，从而使气体 更加均匀地在原料气体扩散室内扩散。此外，图中的原料气体扩散室是四角形的， 但也可以是圆形或其它多边形的。
在该原料气体扩散室135内设有原料气体喷出孔136，该原料气体喷出孔136 同样贯穿到喷头部13的底面上。在此情况下，为使原料气体均匀地喷射到真空 容器内，最好縮小喷出孔的电导。例如，图l及图2所示的装置采用以下构成 将原料气体喷出孔 136设定为孔径d)0.7 lmm左右、孔深设定为10mm左右。 以便能使原料气体均匀地提供给真空容器内。
由于反应气体喷出孔132 —直贯穿到喷头部13的底面上，因此在该喷头部 13的底面上，反应气体喷出孔132和原料气体喷出孔136分别隔一定距离呈矩 阵形排列，这样一来，原料气体及反应气体即可无偏差地喷射到基板上。各原料 气体喷出孔136的中心间距和各反应气体喷出孔132的中心间距均设定为相同距 离(例如14mm)。在此情况下，与原料气体喷出孔136的直径相比，反应气体 喷出孔132的直径更大，例如若将原料气体喷出孔136的直径设为lmm，则反 应气体喷出孔132的直径为5mm。这是因为在改性工序中反应气体的流量比原 料气体的流量大。
在采用了此种构成的喷头部13内，由非金属导管111经反应气体导入室12 被导入喷头部13的反应气体，向整个反应气体扩散室131扩散即可经各反应气 体喷出孔132提供给真空容器。此外，由原料气体导入管133导入的原料气体在 气体通道134内从气体通道134a的中央部导入，被均匀地分配到气体通道134a 的左右两侧后经连接孔134c向下段上形成的各气体通道134b扩散。并在气体通 道134b内被均匀地分配到左右两侧向前推进，从连接孔134b向原料气体扩散室 135均匀扩散，然后即可从原料气体扩散室135的底面上的各原料气体喷出孔136均匀地提供给真空容器。
然而，由于原料气体中的原料一超过60'C即产生热分解，因而需使之在60 'C以下的温度内气化及传送。因此，原料气体导入装置最好采用图4及图5所示 的构成。下面参照图4及图5加以说明。
图4 (a)及(b)是表示原料气体导入装置15构成的模式图。原料Zr (BH4) 4保持在比其熔点(28.7°C)低的温度一1(TC 25。C内，最好能保持在一5'C 5。C 内。由于Zr (BH4) 4的热稳定性极差，因而一旦温度高于25。C，即由于自我分 解在原料罐中分解为Zr B2及B2 H6等，另外，当低于一1(TC情况下作为ALD 的原料使用时，蒸气压过低，不足2mmHg。例如，在保持(TC (蒸气压3.7mmHg) 的罐151内，设置细网眼的网152，将颗粒形的原料153放置于该网之上，将作 为发泡气体的Ar、 He等非活性气体经流量控制器154提供到罐151内的下方， 使非活性气体从网152的下方到上方在原料153内流动，利用该发泡使原料153 升华，使原料气体与发泡气体一道经原料气体导入管133导入原料气体扩散室 135内(图4(a)),或者使颗粒形的原料153夹在保持0。C左右的罐151内设置 的两片网152a及152b之间，使作为发泡气体的Ar、 He等非活性气体经流量控 制器154从罐151内的网152a穿过原料内流向网152b，利用该发泡使原料153 升华，将原料气体与发泡气体一道经原料气体导入管133及气体通道134导入原 料气体扩散室135内(图4(b))。
原料气体的导入还可通过使用低差压流量器的图5所示的原料气体导入装 置15，按照下述方式进行。也就是说，把原料装入保持在例如0'C (蒸气压 3.7mmHg)左右的罐151内，使用低差压流量控制器之类的流量控制器154，边 直接控制原料153的气化气体的流量边经原料气体导入管133及气体通道134将 此导入原料气体扩散室135内。在此情况下，把原料气体导入真空容器中时，须 使真空容器内的压力低于原料气体的蒸气压。例如，当把原料罐冷却保温在0°C 上时，由于原料气体的蒸气压为3.7mmHg，因而可使容器压力低于3.7mmHg。
作为放置在与上述喷头结构1相向设置的真空容器内的基板承载台上，形成 ZrB2遮蔽膜的成膜对象基板，可有下述各种。可列举的就有在Si基板等半导体 装置中经常使用的基板上，利用溅镀法、CVD法或涂布法等形成例如P—SiO膜、 BPSG膜，HDP—PSG膜等绝缘膜以及P—SiOC膜、低渗透一 k膜等低电容率膜， 通过用通常的蚀刻条件蚀刻该绝缘膜及低电容率膜，形成纵横尺寸比高的细微通孔、沟槽等的基板。若采用本发明，即可用ALD法，不会在该通孔等的上部形
成桥架遮蔽膜地在通孔等的内表面上敷层良好地形成优质遮蔽膜。
使用具有上述喷头结构1的第1成膜装置的本发明的遮蔽膜的形成方法是一 种将基板上已形成通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物放置到真空容器内，用
ALD法使用Zr (BH4) 4构成的原料气体与由H2气构成的反应气体被等离子激 活后得到的气体在该成膜对象的表面上产生反应，从而在包括通孔、沟槽内表面 的绝缘膜上形成由ZrB2膜构成的遮蔽膜的方法。在此情况下，通过将成膜对象 物的基板温度设定在50'C以上、30(TC以下，最好在150。C以上、200'C以下形成 遮蔽膜。这是因为在5(TC以下的低温时，由于温度过于低，无法得到膜，此外， 在30(TC以上的高温条件下，无法得到敷层良好的膜。
作为本发明的成膜方法的ALD法的工艺流程，适合使用图6所示的时间过 程图。
作为实施发明时使用的成膜装置的排气系统，例如可使用爱发科制作的干泵 PDR—90—CH (排气能力1500L/min)(未图示)，以及荏原制作所制作的涡轮分 子泵TMP-1003LM (排气能力1080L/sec)的二阶真空泵(未图示)。在此情况 下，最好在反应室和涡轮分子泵之间设置MKS社制作的蝶式压力控制阀，这样即 可通过改变蝶式阀的打开程度控制反应室内的压力。
首先把成膜对象物放置到真空容器内之后，使真空容器内保持一定压力(例 如1Torr以上，最好在3Torr以上)，把成膜对象物加热到规定温度(50 300 °C)。然后开始ALD成膜工序。首先在加大排气能力的状态下(蝶式阀打开程度 100%)仅将1 100sccm的反应气体H2提供给非金属导管111。通过提供1 100sccm左右的反应气体H2，可防止原料气体倒流到反应气体的配管线中。
接着进入吸附工序。喷头部13按照图7所示动作。即，使反应气体G1经非 金属导管111以及反应气体导入室12，传送到喷头部13的反应气体扩散室131 中，经反应气体喷出孔132，将反应气体G1导入真空容器内。由于在吸附工序 中并未振荡出微波，因而反应气体G1并非等离子状态。在继续提供l 100sccm 作为该反应气体G1的H2气体的状态下，将作为原料气体G2的Zr (BH4) 4从原 料气体导入管133导入，经原料气体扩散室135后从原料气体喷出孔136导入真
空容器内并使之吸附到成膜对象物上。
在吸附工序中导入原料气体时，当使用原料气体导入装置15，用图4(a)及(b)所示的作为发泡气体的非活性气体(Ar、 He等)间接控制Zr (BH4) 4气体流 量的情况下，通过导入10 500sccm范围内流量的发泡气体间接控制Zr (BHj) 4气体的流量。如果少于10sccm,由于含有的原料过少，无法成膜，此外，如果 多于500sccm，由于含有的原料过多因而无法有效成膜。在此情况下，真空容器 的压力最好保持10Torr以下。这是因为如果大于10Torr，控制真空容器内部压 力的时间过长，不适用于ALD法。
另外，当导入原料气体时用图5所示的具有低差压流量计的装置直接控制原 料气体流量的情况下，原料气体的流量为1 100sccm。这时因为如果原料气体 小于lsccm，由于原料气体过少，因而无法得到具有实用性的成膜率，如果大于 100sccm，由于原料的消耗量过大，作为实用性工艺不划算。在此情况下，由于 考虑到Zr (BH4) 4气体的热稳定性问题，可把原料Zr (BH4) 4的温度控制在 -1(TC 25。C范围内，最好控制在-5'C 5"范围内，因而真空容器压力设定为比 控制温度下的Zr (BH4) 4气体蒸气压的值低10Torr以下。真空容器内的压力最 好保持在2Torr以下，如能保持在0.1Torr以下则更理想。
吸咐工序中的压力控制是在提供防止倒流的反应气体H2的状态下，边将 Zr(BH4)4气体(导入发泡气体情况下为原料气体和发泡气体)导入真空容器，边调 整控制压力控制阀的打开程度。
在规定时间内给真空容器提供作为原料气体的Zr (BH4) 4气体(导入发泡气 体的情况下的原料气体及发泡气体)之后，停止提供原料气体。结束吸附工序。
防止倒流的H2气体(反应气体)则不停地继续导入。在停止原料气体的同时，把
压力控制阀的打开程度设定为100%，处于开启状态。当真空容器内的压力与导 入原料气体时(吸附工序)的压力相比下降到规定值以下时迸入改性工序。
在进行改性工序的同时，通过改变从吸附工序起即一直连续导入的反应气体 H2气体的流量，使之处于10 500sccm范围内，并通过调整压力控制阀的打开 程度把真空容器压力控制在规定压力上的同时，振荡出微波。在此情况下，如果 微波的振荡频率(谐振频率)是例如2.45GHz，则接通的功率为0. i 5kW。这是因 为如果接通功率小于0. lkW，由于等离子体功率小效果也少，如果大于5kW，对 放电管的损害往往增大。
图8示出该改性工序中的装置的动作状态。在此情况下，原料气体G2已停 止提供但反应气体Gl仍然在提供。通过将磁控管141利用微波电源142振荡出的微波从微波天线143提供到同轴型空腔谐振器11内，使非金属导管111中的 反应气体Gl在外露部llla的区域内等离子化。在等离子状态下被激活的反应气 体G3被导入反应气体导入室12以及喷头部13的反应气体扩散室131。并经反 应气体扩散室131，从反应气体喷出孔132导入真空容器内，与吸附在成膜对象 物上的原料气体发生反应，使膜改性。
改性工序时的真空容器压力最好在lOTorr以下。这是因为如果超过10Torr, 控制容器内部压力的时间过长，不适用于ALD法。
经过规定时间后，停止微波振荡，结束改性工序。在结束改性工序的同时， 将作为反应气体的H2气体的流量变更为防止倒流的1 100sccra，并将压力控制 阀的打开程度设为100%使之处于开启状态。当真空容器内的压力与改性工序的 压力相比达到规定值以下时，再次进入吸附工序。
通过反复进行几次 几百次此种吸附工序及改性工序即可形成具有所需膜 厚的遮蔽膜。
作为本发明的成膜方法的ALD法的工艺流程，此外还适合使用图9中所示的 时间过程图。下面说明图9所示的时间过程图。
先把成膜对象物放置到真空容器内之后，使真空容器内保持一定压力(例如 lTorr以上，最好是3Torr以上)，把成膜对象物加热到规定温度(50 30CTC)。 然后开始ALD成膜工序。
首先，给非金属导管lll内导入l 100sccm左右的反应气体H2，调整压力 控制阀的打开程度，使之达到规定压力的同时，利用微波供给手段14振荡出微 波，形成等离子。在形成等离子，反应气体成为氢原子团状态下开始吸附工序。 在吸附工序期间也导入l 100sccm的反应气体H2并通过振荡出微波使之产生氢 原子团，导入反应气体是为了防止原料气体倒流进反应气体的配管线中，此外， 在吸附工序内使氢原子团和Zr (BH4) 4气体在基板上发生反应，可进一步提高 膜质。还可通过尽可能縮短吸附工序及改性工序间的真空开启时间提高生产效 率。在此情况下，氢原子团和原料气体Zr (BH4) 4气体在气相中混合，产生 CVD现象有可能造成细微通孔内的敷层等级下降。为此可通过控制使成膜对象物 的温度保持更低温度(50 30(TC)以便使气相中的CVD现象不太明显。
用于振荡微波的接通功率在微波的振荡频率(谐振频率)为2.45GHz时为 0, 1 5kW。在此情况下，如果小于O. 1kW，由于等离子功率小效果也小，如果大于5kW，存在对放电管的损害增大的问题。
从原料气体导入管133导入作为原料气体的Zr (BH4) 4，开始吸咐工序后， 将原料气体经原料气体扩散室135，从原料气体喷出孔136导入真空容器内并使 之吸附到成膜对象物上。也就是说，在吸附过程中，正如图10所示，通过使喷 头结构1动作，边使反应气体Gl通过非金属导管111，边利用微波振荡形成等 离子状态，使等离子化的反应气体G3通过反应气体导入室12及反应气体喷出孔 132后导入真空容器。
在吸附工序中导入原料气体时，当使用原料气体导入装置15,用图4(a)及 (b)所示的作为发泡气体的非活性气体(Ar、 He等)间接控制Zr (BH4) 4气体流 量的情况下，通过在10 500sccra间改变发泡气体的流量间接控制Zr (BKU) 4 气体的流量。在此情况下，容器压力最好保持10Torr以下。这是因为如果大于 10Torr，控制容器内部的压力所用的时间过长不适用于ALD法。
另外，当导入原料气体时使用具有图5所示的低差压流量计的原料气体导入 装置15直接控制原料气体的流量进行导入的情况下，原料气体的流量为l 100sccm。如果原料气体小于lsccm，无法得到具有实用性的成膜率，如果大于 100sccm，原料的消耗量非常大，作为实用性工艺不划算。在此情况下，由于考 虑到Zr (BH4) 4气体热稳定性问题，可把原料Zr (BH4) 4的温度控制在-10 25。C范围内，最好控制在-5。C 5。C范围内，因而容器压力设定为比控制温度下 的Zr (BH4) 4气体的蒸气压的值低10Torr以下，最好保持在2Torr以下，如能 保持0.1Torr以下则更理想。
吸附工序中的压力控制在注入防止倒流的反应气体H2的状态下，边把 Zr(BH4)4气体(导入发泡气体情况下为原料气体和发泡气体)导入容器，边调整控 制压力控制阀的打开程度。
在规定时间内给真空容器提供作为原料气体的Zr (BH4) 4气体(也导入发泡 气体的情况下为原料气体及发泡气体)之后，停止提供原料气体，结束吸附工序。 此时作为反应气体的H2气体及微波振荡不停止。
在停止供给原料气体的同时进入改性工序，与图6时相同也可在停止供给原 料气体的同时，把压力控制阀的打开程度设为100%使之处于开启状态，真空容 器内的压力与导入原料气体(吸附工序)时相比达到规定值以下时进入改性工序。
在改性工序中，首先在10 500sccm范围内改变从吸附工序起一直连续导入的作为反应气体的H2气体的流量，调整压力控制阔的打开程度，把容器压力控 制在规定压力上。图8示出该改性工序中的装置的动作状态。在此情况下，虽然 已停止提供原料气体G2，但反应气体G1的提供仍在继续。微波继续振荡，将磁 控管141利用微波电源142振荡出的微波从天线143提供到同轴型空腔谐振器 11内。使非金属导管lll中的反应气体Gl在外露部lll a的区域内等离子化。 在该等离子状态下被激活的反应气体G3被导入反应气体导入室12及喷头部13 的反应气体扩散室131中。并经反应气体扩散室131,从反应气体喷出孔132导 入真空容器内，与吸附在成膜对象物上的原料气体发生反应，从而改变膜的特性。 改性工序期间的真空容器压力与图6时相同。
规定时间后，在继续振荡微波的状态下，把作为反应气体的H2气体的流量 变更为1 100sccm的同时，导入作为原料气体的Zr (BH4) 4气体，通过调整压 力控制阀的打开程度把容器压力调整到吸附工序的规定压力，结束改性工序的同 时开始下一个吸附工序。
通反复实施几次 几百次此种吸附工序及改性工序即可形成具有所需膜厚的 遮蔽膜。
在上述任一工艺的改性工序中，为了使反应气体的原子团状态维持更长时 间，还可使用在H2气体中混合了从N2及NH3中选择出的至少一种之中，或在 H2气体中混合了 H2和/或NH3之中，再混合非活性气体(Ar、 He等)的气体。当 混合了 N2和/或NH3的情况下，作为最终生成物的遮蔽膜是ZrBN膜。混合在
H2气体中的气体改性工序中的流量与H2气体相同，各种气体均可使之在
10 500sccm间变化，但由于存在装置的排气能力以及真空泵的负担问题，因而 改性工序时导入的气体总流量可根据装置适当控制。反应气体的总流量最好在 10 1000sccm的范围内。
如上所述，之所以形成ZrBN膜是因为与Zr-B结合相比，Zr-N结合较为稳 定，如果在反应气体中除被等离子激活的氢原子团以外，还存在氮原子团及氨原 子团，即可形成Zr-N结合。因此，通过增加在H2气体中NH3气体及N2气体的 比例，即可增加ZrBN膜中的Zr-N结合的比例，可根据与H2气体对应的NH3 及N2气体的流量比改变ZrBN的膜质。
此外，还可从设置在反应气体扩散室131上的气体导入口 137混合 10~1 OOOsccm的B2H6。通过将大量Zr (BH4 ) 4热分解后生成的生成物B2H6导入容器，可抑制Zr (BH4) 4的分解，使Zr (BH4) 4稳定。下面说明实施本发明的成膜方法所用的第2成膜装置。图11是第2成膜装置中使用的第2喷头结构2的模式图，关于与图1相同 的构成要素，标注了相同的参照符号。如果用图1所示的第1成膜装置处理极多 的基板进行成膜，正如图12的SEM照片中所示，非金属导管111的内侧往往被 腐蚀。因此，为了抑制非金属导管内的腐蚀，该第2成膜装置的喷头结构2至少 具有一种第1成膜装置中使用的喷头结构1所没有的冷却手段。也就是说，第2 喷头结构2与第1喷头结构1的不同之处在于，前者具有冷却同轴型空腔谐振器 内的冷却气体导入手段21，以及将非金属导管111变更为形成使冷却用流体流 动的流路的用非金属(例如氧化铝及石英)制作的双层导管22，至少具有这些冷却 手段中的一种。下面说明变更点。冷却气体导入手段21具有气源211、与气源211连接的气体管道212、设置 在气体管道212中间的阀门213，附设在同轴型空腔谐振器11上。利用该冷却 气体导入手段21将冷却气体导入同轴型空腔谐振器11内部，可使内部充满冷却 气体，边用未图示的排气手段排出冷却气体，边使之循环。通过采用此种构成可 使同轴型空腔谐振器11内部的温度保持稳定，冷却双层导管22的外露部llla 附近。作为从气源211导入同轴型空腔谐振器11内的冷却气体，可使用对人体无 影响，可排放到净化室内的冷却气体，例如、干N2气，干Ar气、干He气、干 02气等。下面用图13说明双层导管22。图13(a)是双层导管22的纵剖面图，图13(b) 是图13(a)中的A-A'线上的剖面图，图13(C)是图13(b)中的B-B'线上的剖面 图。正如图13(a)所示，双层导管22其侧壁为双层，侧壁221的内侧形成冷却用 流体通道222。在该冷却用流体通道222的上壁上设有流入口 223以及流出口 224。并且如图13(b)所示，在冷却用流体通道222内插入了两块隔板225，正如 图13(c)所示，在该隔板225的下部设有开口部226。这样一来，冷却用流体通道 222的流入口 223 —侧的上游部222a和流出口 224 —侧的下游部222b彼此连通， 从流入口 223流入的液体从冷却用流体通道222的上游部自上而下流动，穿过开 口部226后进入下游部222b，自下而上充满此处，从流出口 224流向侧壁221 外部。如上所述，由于冷却用流体通道222几乎全部覆盖了双层导管内部的气体通道227的外周，因而可自上而下冷却气体通道。图中的流入口 223以及流出口 224均设在双层导管22的上面，但也可分别设置在侧面上。在此情况下，冷却用流体必须是不会与微波的振荡频率发生共振的流体媒介， 例如，振荡频率为2.45GHz情况下，可使用3M社制作的商品名称为Fluorinert (7口U于一卜)的FC-87、 FC-72、 FC-84、 FC-77、 FC-75、 FC-3283、 FC-40、 FC-43、 FC-70、 FC-5312及阿尔吉蒙特(7々^乇:/卜 乂、乂工夕 ^/1^ 7于 才二)公司制作的商品名称为Galden (力VPf'y)(注册商标)。此外，也可使 用乙二醇或以乙二醇为主要成分的液体媒介。还可使用干N2气、干Ar气、千He 气、干02气等气体。如上所述，由于设置了冷却气体导入手段21和/或双层导管22，可抑制双 层导管22内部的气体通道227的内表面的腐蚀的同时，还可防止在外露部llla 的区域内形成的等离子中的氢原子团等原子团因热而失活，可提高原子团的生成 效率，高效实施ALD法。使用上述第2成膜装置，可用与第1成膜装置相同的顺序实施本发明的ALD 法。在此情况下，实施ALD法期间，利用冷却气体导入手段21持续导入冷却气 体，和/或利用双层导管22持续冷却气体通道227。如上所述，如果边冷却边实 施ALD法，在抑制图12所示的气体通道227内表面上的腐蚀的同时，氢原子团 的生成效率上升，尽管氢原子团等原子团的生成效率上升但气体通道227内表面 并未被腐蚀是因为内壁被充分冷却之故。下面用实施例详细说明本发明的成膜方法。实施例1在本实施例中，用图6所示的工艺流程，使用第l成膜装置成膜。在吸附工 序中，以时间5秒、反应气体(H2气)100sccm、原料气体(Zr (BH4) 4气)用 的发泡气体(Ar): 100sccm、排气1000L/sec为条件，在改性工序中，以时间 25秒、反应气体100sccm、微波接通功率0, 5kW、排气1000L/sec为条件进 行成膜，分别重复24次，在基板S上成膜。所得到的膜为厚度10um的ZrB2 膜。实施例2用图9所示的工艺流程，使用第1成膜装置进行了成膜。在吸附工序内，以 时间5秒、反应气体(H2气)lOOscou、原料气体(Zr (BH4) 4气)用发泡气体(Ar): 100sccm、微波接通功率0.5kW、排气1000L/sec为条件，在改性工序 中，以时间25秒、反应气体100sccm、微波接通功率0. 5kW、排气1000L/sec 为条件进行成膜，分别重复24次在基板S上成膜。所得到的膜为厚度10u m的 Zr B2膜。实施例3用图6所示的工艺流程，使用第2成膜装置进行了成膜。以时间5秒、反 应气体(H2气)100sccm、原料气体(Zr(BH4)4气体)用的发泡气体(Ar): 100sccra、 排气1000L/sec为条件，在改性工序中，以时间25秒、反应气体100sccra、微 波接通功率0.5kW、排气1000L/sec为条件进行成膜，分别重复24次，在基 板S上成膜。此外，在该成膜期间冷却了同轴型空腔谐振器ll的内部及双层导 管22。所得到的膜为厚度lOum的ZrB2膜，抑制了图12所示的气体通道227 内表面的腐蚀。实施例4在本实施例中，用图6所示的工艺流程，使用第1成膜装置进行了成膜。在 吸附工序中，以时间5秒、反应气体(H2气中混合了 N2气)100sccm、原料 气体(Zr(BH4)4气)用的发泡气体(Ar):100sccra、排气1000L/sec为条件，在 改性工序中，以时间25秒、反应气体1000sccm、微波接通功率0.5kW、排 气1000L/sec为条件进行成膜，分别重复24次，在基板S上成膜。所得到的 膜为厚度10ixm的ZrBN膜。(产业化前景)若采用本发明可通过使用适用于ALD法的装置在低温下实施吸附工序及反 应工序，不会在纵横尺寸比高的细微通孔、沟槽等的上部形成桥架的ZrB2膜或 ZrBN膜，可在这些通孔、沟槽等处敷层良好地形成由ZrB2膜或ZrBN膜构成的 遮蔽膜。因此，本发明可在半导体技术中使用。


图1是用来说明实施本发明时使用的成膜装置的啧头结构1的剖面模式图。 图2是环形构件13b(a)、第1喷流板13c(b)以及第2喷流板13d(c)的横剖面图。图3是用来说明原料气体导入管133、气体通道134以及原料气体扩散室135的配置关系的说明图。图4涉及本发明中的原料气体的生成方法，(a)是用来说明其一例的模式性 构成图，(b)是用来说明另一用例的模式性构成图。图5是用来说明本发明中的原料气体的生成方法的另一用例的模式性构成图。图6是表示与本发明的实施方式有关的工艺流程的曲线图。图7是表示吸附工序中的喷头结构1的动作的模式性构成图。图8是表示改性工序中的喷头结构1的动作的模式性构成图。图9是表示本发明的另一种实施方式涉及的工艺流程的曲线图。图10是表示本发明的另一种实施方式涉及的吸附工序中的喷头结构1的动作的模式性构成图。图11是用来说明第2成膜装置的喷头结构2的剖面模式图。图12是表示非金属导管内表面被腐蚀状态的SEM照片。图13是说明双层导管22的剖面模式图(a)是双层导管22的纵剖面图，(b)是图13(a)中的A-A'线上的剖面图，(C)是图13(b)中的B-B'线上的剖面图。 (图中标号说明)1、喷头结构，2、喷头结构，11、同轴型空腔谐振器，12、气体导入室，13、 喷头部，13a、圆盘形构件，13b、环形构件，13c 、第1喷流板，13d、第2喷 流板，14、微波供给手段，15、原料气体导入装置，111、非金属导管，llla、 外露部，112、上部导体，113、下部导体，122、陶瓷法兰盘，123、 124、固定 件，]31、反应气体扩散室，132、反应气体喷出孔，133、原料气体导入管，134、 气体通道，134a、气体通道，134b、气体通道，134c、连接孔，134d、连接孔， 135、原料气体扩散室，136、原料气体喷出孔，137、气体导入口， 141、磁控管， 142、微波电源，143、天线，144、同轴电缆，151、罐152、网，152a、 152b网， 153、原料，154、流量控制器，211、气源，212、气体导管，213、阀门，221、 侧壁，222、冷却用流体通道，222a、上游部，222b、下游部，223、流入口， 224、 流出口， 225、板，226、开口部，227、气体通道，Gl、反应气体，G2、原料气 体；G3、反应气体。
权利要求
1、一种遮蔽膜的形成方法，具有等离子生成手段，其由同轴型空腔谐振器和微波供给电路构成，该空腔谐振器配置有分隔设置在导入反应气体的非金属导管外周上部及下部的导体；前述同轴型空腔谐振器内部的高度为激励波长的1/2的整数倍；其使用具有由非金属导管的一端注入的气体在非金属导管未设置前述导体的区域内被微波激活、从另一端呈等离子化释放的等离子生成手段的成膜装置，将已形成通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物放置在该成膜装置的真空容器内，利用ALD法使由Zr(BH4)4构成的原料气体与由H2气体构成的反应气体经前述等离子生成手段等离子化后得到的气体发生反应，在该成膜对象物的表面包括通孔、沟槽内表面在内的绝缘膜上形成由ZrB2膜构成的遮蔽膜。
2、 根据权利要求1所述的遮蔽膜的形成方法，其特征在于通过反复进行下述工序， 在包括通孔、沟槽内表面在内的绝缘膜上形成由ZrB2膜构成的遮蔽膜吸附工序， 其通过提供前述原料气体和前述反应气体，使之吸附到已形成通孔、沟槽的带绝缘膜 的成膜对象物上；改性工序，其停止供给原料气体，仅连续供给反应气体，使该反应 气体由被前述等离子生成手段等离子化，使该等离子化的反应气体与吸附在成膜对象 物上的原料气体发生反应进行改性。
3、 根据权利要求1所述的遮蔽膜的形成方法，其特征在于通过反复进行下述工序， 在包括通孔、沟槽内表面在内的绝缘膜上形成由ZrB2膜构成的遮蔽膜吸附工序， 其通过提供前述原料气体以及被前述等离子生成手段等离子化的前述反应气体，使之 吸附到已形成通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物上；改性工序，其停止供给原料气 体，仅连续供给被前述等离子生成手段等离子化的反应气体的同时，使之与吸附到成 膜对象物上的原料气体发生反应进行改性。
4、 一种遮蔽膜的形成方法，其特征在于具有等离子生成手段，其由同轴型空腔谐 振器和微波供给电路构成，该空腔谐振器配置有分隔设置在导入反应气体的非金属导 管外周上部及下部的导体；前述同轴型空腔谐振器内部的高度为激励波长的1/2的整 数倍；其使用具有由非金属导管的一端注入的气体在非金属导管未设置前述导体的区 域内被微波激活、从另一端呈等离子化释放的等离子生成手段的成膜装置，-将已形成 通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物放置在该成膜装置的真空容器内，利用ALD法 使由Zr (BH4) 4构成的原料气体与氢气中混合了从N2及NH3中选择出的至少一种 的反应气体被前述等离子生成手段等离子化的气体发生反应，在该成膜对象物的表面包括通孔、沟槽内表面在内的绝缘膜上形成由ZrBN膜构成的遮蔽膜。
5、 根据权利4所述的遮蔽膜的形成方法，其特征在于通过反复进行下述工序，在 包括通孔、沟槽内表面在内的绝缘膜上形成由ZrBN膜构成的遮蔽膜吸附工序，其 通过提供前述原料气体和前述反应气体，使之吸附到已形成通孔、沟槽的带绝缘膜的 成膜对象物上；改性工序，其停止供给原料气体，仅连续供给反应气体，使该反应气 体被前述等离子生成手段等离子化，使该等离子化的反应气体与吸附在成膜对象物上 的原料气体发生反应进行改性。
6、 根据权利要求4所述的遮蔽膜的形成方法，其特征在于通过反复进行下述工序， 在包括通孔、沟槽内表面在内的绝缘膜上形成由ZrBN膜构成的遮蔽膜吸附工序， 其通过提供前述原料气体以及被前述等离子生成手段等离子化的前述反应气体，使之 吸附到己形成通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物上；改性工序，其停止供给原料气 体，仅连续供给被前述等离子生成手段等离子化的反应气体的同时，使之与吸附到成 膜对象物上的原料气体发生反应进行改性。
7、 根据权利要求2、 3、 5及6任一项所述的遮蔽膜的形成方法，其特征在于前述 反应气体的流量在吸附工序和改性工序中以不同流量形成遮蔽膜。
8、 根据权利要求1 7任一项所述的遮蔽膜的形成方法，其特征在于边把作为前述 成膜对象物的基板加热到50 30(TC边形成遮蔽膜。
9、 根据权利要求1 8任一项所述的遮蔽膜的形成方法，其特征在于将冷却气体导 入前述同轴型空腔谐振器内，边冷却非金属导管内未设置导体的区域边形成遮蔽膜。
10、 根据权利要求1~9任一项所述的遮蔽膜的形成方法，其特征在于将前述非金属 导管的侧壁设定为两层，通过使冷却用流体在该侧壁间循环，边冷却非金属导管边形 成遮蔽膜。
全文摘要
一种使用成膜装置形成由ZrB₂膜构成的遮蔽膜的形成方法，该成膜装置具有等离子生成手段，由同轴型空腔谐振器，其配置有在用来导入反应气体的非金属导管的周围分隔设置的导体，以及用来激励前述同轴型空腔谐振器的微波供给电路构成；前述同轴型空腔谐振器内部的高度为激励波长的1/2的整数倍，从非金属导管的一端注入的气体在非金属导管未被前述导体覆盖的位置上被微波激活，等离子化后从另一端释放出。
文档编号H01L21/285GK101536154SQ20078004139
公开日2009年9月16日 申请日期2007年11月8日 优先权日2006年11月9日
发明者津曲加奈子, 畠中正信, 石川道夫 申请人:株式会社爱发科