专利名称：外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种交流接触器，尤其是涉及一种具有外部可调抗晃电延 时释放功能的永磁式交流接触器，属于交直流接触器、继电器、高低压断路器 类电路开关控制器件技术领域。
技术背景永磁式交流接触器由于具有故障源少、噪音小、操作能耗低等显著优点， 近年来受到普遍关注。其典型结构为在磁轭构成的壳架中安装永磁体和电磁 线圈，线圈中安置可在两个稳定位置间运动的衔铁，通过脉冲励磁电路对可控 硅控制电容的充放电，使在电磁线圈上产生正、反电脉冲，进而分别产生与永 久磁铁同向或反向的磁场时，衔铁将分别运动到两稳定位置，从而带动执行构 件实现所需的电路分、合控制。图1是现有技术的永磁式交流接触器脉冲励磁电路原理图，如图1所示，' 现有的永磁式交流双稳态接触器的脉冲励磁电路，主要包括整流电路、第一压 敏电阻触发电路、第二压敏电阻取样电路、三极管放大电路、线圈电容串联成 的充放电电路、以及可控硅正反向脉冲励磁回路；整流电路的输出接触发电路， 触发电路跨接在正向励磁可控硅DG1的正极和触发极之间；正向励磁可控硅DG1 的输出通过充放电电路的线圈L和电容C4、 C5构成正向励磁回路；第二压敏电 阻YR2的标定电压要小于第一压敏电阻YR1，整流电路的输出接取样电路，取样 电路的输出接放大电路三极管Q1的基极，放大电路跨接在反向励磁可控硅DG2 的负极和触发极之间，反向励磁可控硅DG2的输出通过充放电电路的电容C4、 C5和线圈L构成反向励磁回路。，上述脉冲励磁电路借助取样电路控制的三极管Ql钳位反向励磁可控硅DG2， 并利用第一压敏电阻YR1和第二压敏电阻YR2的差值，确保了在执行构件分、 合操作中正、反电脉冲的可控硅不会同时导通，保证了脉冲励磁电路的可靠性 及抗干扰能力；其次，通过衔铁、磁轭结构以及运动位置关系的改变，简化了结构，保证了操动机构合闸控制位置状态的稳定可靠。电路中电容C3容量较小，只能起到滤波作用，与电容C31、 C32并联后，在电路突然瞬间断电的情况下， 其向外释放的电量，维持三极管Q1基级的电压，使得接触器延时释放，具有一 定的抗晃电(电路瞬时断电)功能。虽然上述的永磁式交流接触器脉冲励磁电路具有诸多优点，但是由于取样 电路中的电阻R14是固定阻值电阻，这样使得三极管Q1的基级的电压无法改变， 接触器延时释放时间固定，无法根据需要进行调节。 实用新型内容为解决上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种具有外部可 调断电延时释放功能的永磁式交流接触器，可以控制接触器延时释放的时间。为实现上述目的，本实用新型是通过以下的技术方案来实现的 一种外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，包括永磁体、磁轭、线 圈、衔铁和脉冲励磁电路，所述的脉冲励磁电路包括整流电路、第一压敏电阻 触发电路、第二压敏电阻取样电路、三极管放大电路、线圈电容串联成的充放 电电路、以及可控硅正反向脉冲励磁回路；整流电路的输出接触发电路，触发 电路跨接在正向励磁可控硅的正极和触发极之间；正向励磁可控硅的输出通过 充放电电路的线圈和电容构成正向励磁回路；第二压敏电阻的标定电压要小于 第一压敏电阻，整流电路的输出接取样电路，取样电路的输出接放大电路三极 管的基极，放大电路跨接在反向励磁可控硅的负极和触发极之间，反向励磁可 控硅的输出通过充放电电路的电容和线圈构成反向励磁回路；其特征在于在所 述的脉冲励磁电路的取样电路的电阻两端并联一个由可调电阻和电阻串联成的 电路，所述的可调电阻上装有调节手柄，所述的调节手柄的尾端伸到接触器的 外部。前述的外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，其特征在于所述取样 电路输入端与地之间接电阻构成的吸收电网干扰杂波电路。前述的外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，其特征在于所述正向 励磁可控硅的负极和触发极之间接反向偏压二极管。前述的外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，其特征在于所述正向励磁可控硅与线圈旁并联用以保持放电电压的电阻。前述的外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，其特征在于所述线圈 两端并联第三压敏电阻。前述的外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，其特征在于所述充放 电电路的电容旁分别并联一只电阻。工作中，当电源电压超过触发电路第一压敏电阻的标定电压时，正向励磁 可控硅导通，线圈充电励磁，接触器的衔铁工作到吸合位置，实现所需的电路 合闸控制，电容充满后，触发电路失压，正向励磁可控硅截止，停止充电励磁， 此时取样电路必然使放大电路导通，从而确保反向励磁可控硅截止，此后即使 电源电压在一定范围波动，封闭磁回路也能保持衔铁的稳态合闸；当电源电压 低于预定值或断电时，取样电路可使放大电路截止，从而使反向励磁可控硅导 通，电容放电，使线圈反向励磁，衔铁运动到另一稳态位置，实现所需的电路 分闸控制，此时正向励磁可控硅必然截止。当电路突然断电吋，增设的电容C31、 C32 (容量较大)向外放电，维持三极管Ql的基级电压，反向励磁可控硅DG2 不能导通，接触器保持吸合状态。当电容的电量放完后，三极管Q1基级失电， 反向励磁可控硅DG2导通，接触器释放。如果在电容C31、 C32没有放电完毕的 情况下，电路恢复供电，由于三极管Q1基级始终有取样电压，接触器始终处于 吸合状态，对电路的瞬时断电(晃电)有很好的抗拒作用，保证电路的工作正 常。可调电阻RP和电阻R014串联后并联在电阻R14的两端，可调电阻RP上的 调节手柄的尾端伸到接触器的外面，可以通过变动调节手柄的位置来改变取样 电路的电阻值，进而使三极管Q1的基级的电压变化。三极管Q1基级电压调高， 放电加快，延时时间縮短；三极管Q1基级电压调低，放电减慢，延时时间加长。 可以根据需要来进行调节，方便实用。本实用新型的有益效果是本实用新型通过在取样电路中的电阻的两端并 联由可调电阻和电阻串联成的电路，通过调节可调电阻的阻值来改变取样电路 的阻值，调节电容放电时间，使接触器的延时释放可调。
图1是现有技术的永磁式交流接触器脉冲励磁电路原理图；图2为本实用新型的永磁式交流接触器脉冲励磁电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步的说明。图2为本实用新型的永磁式交流接触器脉冲励磁电路原理图。如图2所示， 本实用新型的外部可调型断电延时释放接触器，包括磁轭、线圈、衔铁和脉冲 励磁电路。脉冲励磁电路中，四只二极管Dl-D4组成桥式整流电路，整流电路 的输出接限流电阻R13与第一压敏电阻YR1串联构成的触发电路，该触发电路 跨接在正向励磁可控硅DG1的正极和触发极之间，该正向励磁可控硅DG1的输 出与串联的线圈L和充放电电容C4、 C5构成正向励磁回路。此外，整流电路的 输出还接按序串联的第二压敏电阻YR2、 二极管D9、电阻R14构成的取样电路 (YR2的标定值小于YR1)，该取样电路的输出接放大电路三极管Q1的基极，该 三极管QI的集电极和发射极跨接在反向励磁可控硅DG2的触发极和负极之间， 串联的充放电电容C4、 C5和线圈L通过二极管D7、电阻R4、 二极管D8以及电 阻R5、 R6与反向励磁可控硅DG2构成反向励磁回路。在取样电路中，设两个容 量较大的电容C31、 C32,与原来的电容C3并联。此外，在取样电路的电阻R14 的两端并联由可调电阻RP和电阻R014串联成的电路，在可调电阻RP上装有调 节手柄，调节手柄的尾端伸到接触器的外部。工作中，当控制电压高于预定值(例如为150V)时，第一压敏电阻YR1被 击穿，触发电流从图2中A—D5—R13—YR1—DG1触发极，使正向励磁可控硅DG1 导通，正向励磁电流通过A点一D6—L—C4—C5—B点，结果脉冲励磁电路向接 触器的线圈加正向励磁电流，衔铁吸合；此后正向励磁可控硅DG1因充放电电 容C4、 C5充满电而快速截止，从而保持稳定的吸合状态。以上过程中，由于第 二压敏电阻YR2先击穿，因此通过三极管Ql保证反向励磁可控硅DG2可靠截止。当控制电压低于标定值(例如为100V )或为零时，第二压敏电阻YR2不击 穿，三极管Q1因无基极电流而迅速进入截止状态，充放电电容C4、 C5两端电 压加到反向励磁可控硅DG2上，使反向励磁可控硅DG2导通，反向励磁电流从 图2中C4—L—D7—D8—R5—R6—DG2—C5—C4，向接触器的线圈加反向脉冲电 流，使衔铁分断，并且保持分断时的稳定状态。以上过程中，正向励磁可控硅DG1始终保持截止状态。当电路突然断电时，电容C3i、 C32向外放电，维持二极管Ql的基级电压， 反向励磁可控硅DG2不能导通，接触器保持系和状态。当电容的电量放完后， 三极管Q1基级失电，反向励磁可控硅DG2导通，接触器释放。如果在电容C31、 C32没有放电完毕的情况下，电路恢复供电，由于三极管Q1基级始终有取样电 压，接触器始终处于吸合状态，对电路的瞬时断电(晃电)有很好的抗拒作用， 保证电路的工作正常。同时可以通过调节可调电阻RP上的调节手柄的位置来改变取样电路的电阻 值，进而调节三极管Ql基级的电压，改变电容C31、 C32的放电时间，调节接 触器的延时释放时间。三极管Q1基级电压调高，放电加快，延时时间縮短；三 极管Q1基级电压调低，放电减慢，延时时间加长。电容C31、 C32的容量大小可以根据延时释放时间的长短需要来进行选择， 满足各种不同的需要，适用面广。此外，以上电路还具有如下特点1、 取样电路输入端与地之间接串联电阻Rl、 R2构成的吸收电网干扰杂波 电路，用于吸收电网干扰杂波，从而增强整个电路的抗干扰能力；2、 在正向励磁可控硅DG1的负极和触发极之间接二极管D6、 D7，因此在电 容放电反向励磁时，可以在正向励磁可控硅DG1因其负极和触发极之间有一反 偏电压而进一步保证截止；3、 线圈L两端并联第三压敏电阻YR3，可以防止因正向励磁可控硅DG1快 速截止而产生在线圈两端的过电压损坏电子元件；4、 在充放电电容C4、 C5旁各并联一只电阻Rll、 R12，以避免电容均压不 等而导致其中之一过电压；5、 正向励磁可控硅DG1与线圈L旁并联阻值较大的电阻R3，可以弥补损耗， 保持充放电电容C4、 C5具有足够的放电电压。除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或 等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型的保护范围内。
权利要求1、外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，包括永磁体、磁轭、线圈、衔铁和脉冲励磁电路，所述的脉冲励磁电路包括整流电路、第一压敏电阻触发电路、第二压敏电阻取样电路、三极管放大电路、线圈电容串联成的充放电电路、以及可控硅正反向脉冲励磁回路；整流电路的输出接触发电路，触发电路跨接在正向励磁可控硅的正极和触发极之间；正向励磁可控硅的输出通过充放电电路的线圈和电容构成正向励磁回路；第二压敏电阻的标定电压要小于第一压敏电阻，整流电路的输出接取样电路，取样电路的输出接放大电路三极管的基极，放大电路跨接在反向励磁可控硅的负极和触发极之间，反向励磁可控硅的输出通过充放电电路的电容和线圈构成反向励磁回路；取样电路的电容旁并联两个容量较大的电容；其特征在于在所述的脉冲励磁电路的取样电路的电阻两端并联一个由可调电阻和电阻串联成的电路，所述的可调电阻上装有调节手柄，所述的调节手柄的尾端伸到接触器的外部。
2、 根据权利要求l所述的外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，其 特征在于所述取样电路输入端与地之间接电阻构成的吸收电网干扰杂波电路。
3、 根据权利要求l所述的外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，其 特征在于所述正向励磁可控硅的负极和触发极之间接反向偏压二极管。 '
4、 根据权利要求l所述的外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，其 特征在于所述正向励磁可控硅与线圈旁并联用以保持放电电压的电阻。
5、 根据权利要求l所述的外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，其 特征在于所述线圈两端并联第三压敏电阻。
6、 根据权利要求l所述的外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，其 特征在于所述充放电电路的电容旁分别并联一只电阻。
专利摘要本实用新型涉及一种外部可调型断电延时释放永磁式交流接触器，包括永磁体、磁轭、线圈、衔铁和脉冲励磁电路，所述的脉冲励磁电路包括整流电路、第一压敏电阻触发电路、第二压敏电阻取样电路等；其特征在于在所述的脉冲励磁电路的取样电路的电阻两端并联一个由可调电阻和电阻串联成的电路，所述的可调电阻上装有调节手柄，所述的调节手柄的尾端伸到接触器的外部。本实用新型通过在取样电路中的电阻的两端并联由可调电阻和电阻串联成的电路，通过调节可调电阻的阻值来改变取样电路的阻值，调节电容放电时间，使接触器的延时释放可调。
文档编号H01H47/22GK201171022SQ20082003114
公开日2008年12月24日 申请日期2008年1月29日 优先权日2008年1月29日
发明者吴纪福, 张春荣, 力 蒋 申请人:江苏中金电器设备有限公司