专利名称：背部钝化的高效太阳电池结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳电池的生产技术领域，尤其是一种背部钝化的高效 太阳电池结构。
背景技术：
晶体硅太阳电池占据了光伏市场的90%以上的份额，如何进一步提高效 率，降低成本是国内外晶体硅太阳电池研究领域的基本目标。
实用新型内容
本实用新型的目的是要提高晶体硅太阳电池的效率,适用于产业化生产。 本实用新型采用的技术方案是 一种背部钝化的高效太阳电池结构，包 括太阳电池片、太阳电池片背部的钝化层，在钝化层的表面制作背电极。 背部钝化层为二氧化硅或者是氮化硅。
本实用新型的有益效果是，通过增加的背部钝化层，可以显著提高太阳 电池的光电转换效率。以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。 图中l.太阳电池片，2.钝化层，3.背电极。
具体实施方式
在图1中的是背部钝化的高效太阳电池结构，包括太阳电池片1、太阳
电池片1背部的钝化层2，在钝化层2的表面制作背电极3。背部钝化层2 为二氧化硅氧化层或者是氮化硅层。一种背部钝化的高效太阳电池生产工艺，工艺步骤为，首先用于制作太
阳电池的硅片经过制绒清洗、扩散工艺、刻蚀工艺，去PSG，制作减反色膜, 丝网印刷、然后烧结的工艺后成为太阳电池，在制作减反色膜后，在硅片的 背部制作背部钝化层2，在完成背部钝化层2以后再进行丝网印刷，然后再 烧结，成为太阳电池。背部钝化层2为二氧化硅或者是氮化硅。
权利要求1、一种背部钝化的高效太阳电池结构，其特征是包括太阳电池片(1)、太阳电池片(1)背部的钝化层(2)，在钝化层(2)的表面制作背电极(3)。
2、 根据权利要求l所述的背部钝化的高效太阳电池结构，其特征是背部 钝化层(2)为二氧化硅氧化层或者是氮化硅钝化层。
专利摘要本实用新型涉及太阳电池的生产技术领域，尤其是一种背部钝化的高效太阳电池结构，包括太阳电池片、太阳电池片背部的钝化层，在钝化层的表面制作背电极。通过增加的背部钝化层，可以显著提高太阳电池的光电转换效率。
文档编号H01L31/042GK201360008SQ20082021699
公开日2009年12月9日 申请日期2008年11月24日 优先权日2008年11月24日
发明者汪钉崇 申请人:常州天合光能有限公司