专利名称：加热腔室及半导体加工设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体加工设备，尤其涉及一种加热腔室及半导体加工设备。
背景技术：
在半导体加工领域，如PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、太阳能电池生产、半 导体芯片制造、TFT(薄膜晶体管液晶显示)面板制造等领域，基片需要在加热腔室中加热 到需要的温度，之后进行加工工艺。如图1所示，现有技术中，PECVD系统包括装载台、装载腔和预热模块、工艺腔、卸 载腔和冷却模块、卸载台等。在PECVD工艺过程中，基片在装载台被装载到载板上，在装载 腔中由预热模块进行预热处理，当基片达到工艺温度要求后被传送至工艺腔进行PECVD工 艺，最后由卸载腔传出，在卸载台卸载。其中，装载腔同时起到加热腔室的作用，通过内部的加热模块对基片进行加热，使 基片的温度在较短的时间内达到工艺所需的温度。为使基片的温度得到保持，需要对承载 基片的载板一并加热并达到相同的温度。如图2所示，现有技术中，一般采用红外灯管2加热的方式，因为红外加热的速度 较快。而为提高加热的速度和载板1上下温度的均勻性，通常采用上下双层红外加热的方 式。半导体加工工艺对温度的要求一般很严格，在上述的工艺过程中，由于载板1是 从装载台运动进入的装载腔，加热完毕后再运动到工艺腔，并没有一个固定的平台装置，这 就给测温的工作带来了困难。现有技术中的一种测温的方法，是将热电偶3探入到载板1附近，测量载板1周围 的温度。上述现有技术至少存在以下缺点由于测量的不是载板1本身的温度，周围的温度跟载板1的温度会有误差；另外， 热电偶3被红外灯管2直接照射到，也会对测量产生干扰。
发明内容
本发明的目的是提供一种测温准确的加热腔室及半导体加工设备。本发明的目的是通过以下技术方案实现的本发明的加热腔室，包括能在加热腔室中纵向移动的载板，所述载板的侧面设有 前后贯通的凹槽，该加热腔室的侧壁上设有热电偶，所述热电偶的前端伸入到所述凹槽中。本发明的半导体加工设备，该半导体加工设备包括上述的加热腔室。由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的加热腔室及半导体加工设 备，由于载板的侧面设有前后贯通的凹槽，热电偶的前端伸入到凹槽中，使热电偶可以紧密 的接触载板，所测量的温度就是载板的温度，误差较小；热电偶藏于凹槽之中，还可以避免 加热灯管的干扰，测温准确。
图1为现有技术中PECVD系统的侧面结构示意图；图2为现有技术中载板加热及测温示意图；图3为本发明中载板的结构示意图；图4为本发明中载板测温示意图。
具体实施例方式本发明的加热腔室，其较佳的具体实施方式
是，包括能在加热腔室中纵向移动的 载板。如图3、图4所示，在载板1前进方向的侧面挖下前后贯通的凹槽4，加热腔室的侧 壁上设有热电偶3，热电偶3的前端伸入到凹槽4中。热电偶3可以通过弹性装置5安装在 加热腔室的侧壁上。当载板1前进到热电偶3的位置时，热电偶3就探入了凹槽4的位置 并与载板1紧密接触，弹性装置5将热电偶3与凹槽4压紧。弹性装置5可以包括弹簧或气缸等，也可以采用其它的弹性元件。凹槽4可以设在载板1的单侧或双侧，凹槽4的形状可以与热电偶3的形状吻合， 在弹性装置5的弹力的作用下，二者密切贴合；同时，由于弹性装置5的弹性，载板1的前进 也不会受热电偶3的干扰。为防止摩擦对热电偶3的损害，可以在热电偶3上套一层紧密接触的金属保护层。在加热腔室中，一般设有红外线加热管，红外线加热管可以设于载板1的上方或 下方，或载板1的上方和下方均设有，热电偶3与红外线加热管之间可以设有遮光板，可以 避免红外线加热管对热电偶3的干扰。本发明的半导体加工设备，其较佳的具体实施方式
是，该半导体加工设备包括上 述的加热腔室。该半导体加工设备可以是等离子体增强化学气相沉积设备、太阳能电池生产设 备、半导体芯片制造设备或薄膜晶体管液晶显示面板制造设备等一种或多种设备，也可以 是其它的半导体加工设备。本发明中，热电偶的前端伸入到凹槽中，热电偶可以紧密的接触载板，所测量的温 度就是载板的温度，误差较小；热电偶藏于凹槽之中，可以避免被加热灯管干扰，测温准确。 在工艺过程中，因为载板1在加热腔的加热位置会停靠几分钟，足够热电偶3的反应速度， 因此不需要担心热电偶3测温的升温速度。以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
一种加热腔室，包括能在加热腔室中纵向移动的载板，其特征在于，所述载板的侧面设有前后贯通的凹槽，该加热腔室的侧壁上设有热电偶，所述热电偶的前端伸入到所述凹槽中。
2.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述凹槽的内壁形状与所述热电偶 的前端形状相吻合。
3.根据权利要求2所述的加热腔室，其特征在于，所述热电偶连接有弹性装置，所述弹 性装置将所述热电偶与所述凹槽压紧。
4.根据权利要求3所述的加热腔室，其特征在于，所述弹性装置包括弹簧或气缸。
5.根据权利要求1至4任一项所述的加热腔室，其特征在于，所述凹槽设在所述载板的 单侧或双侧。
6.根据权利要求1至4任一项所述的加热腔室，其特征在于，该加热腔室中设有红外线 加热管，所述热电偶与红外线加热管之间设有遮光板。
7.根据权利要求6所述的加热腔室，其特征在于，所述红外线加热管设于所述载板的 上方和/或下方。
8.根据权利要求1至4任一项所述的加热腔室，其特征在于，所述热电偶的前端设有金 属保护层。
9.一种半导体加工设备，其特征在于，该半导体加工设备包括权利要求1至8任一项所 述的加热腔室。
10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，其特征在于，该半导体加工设备包括以下 至少一种设备等离子体增强化学气相沉积设备、太阳能电池生产设备、半导体芯片制造设备、薄膜晶 体管液晶显示面板制造设备。
全文摘要
本发明公开了一种加热腔室及半导体加工设备，加热腔室中设有能纵向移动的载板，用于承载被加工基片，载板的侧面设有前后贯通的凹槽，加热腔室的侧壁上设有热电偶，热电偶的前端伸入到凹槽中，并通过弹性装置压紧，使热电偶可以紧密的接触载板，所测量的温度就是载板的温度，误差较小；热电偶藏于凹槽之中，还可以避免加热灯管的干扰，测温准确。可以应用在等离子体增强化学气相沉积设备、太阳能电池生产设备、半导体芯片制造设备、薄膜晶体管液晶显示面板制造设备等半导体加工设备中。
文档编号H01L21/66GK101853774SQ20091008105
公开日2010年10月6日 申请日期2009年3月31日 优先权日2009年3月31日
发明者蒲春 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司