一种半导体真空加热管的制作方法

文档序号:8164851阅读:468来源:国知局
专利名称:一种半导体真空加热管的制作方法
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体 地说是涉及一种三碲化ニ铋结晶的装置,也就是ー种半导体真空加热管。
背景技术
现有技术中,半导体真空加热管使用的是一端开孔的,将半导体原料放置其中,抽真空封闭死,这样的真空管具有封闭时费劲、浪费燃料、封闭效果欠佳的缺点。
发明内容本实用新型的目的就是针对上述缺点,提供ー种封闭简单、效果好、节省原材料的半导体真空加热管。本实用新型的技术方案是这样实现的一种半导体真空加热管,其特征是它包括一管和ニ管,一管和ニ管都是一端开ロ另一端闭ロ的盲管,在一管和ニ管的开ロ处具有相互啮合的结构。进ー步的讲,所述的一管或ニ管至少其ー在开ロ处具有啮合的双层结构。进ー步的讲,所述的一管或ニ管其一的长度是5-10厘米。本实用新型的有益效果是这样结构的半导体真空加热管具有封闭简单、效果好、节省原材料的优点。

图I是本实用新型半导体真空加热管的剖面结构示意图。其中1、一管2、ニ管。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进ー步的描述。如图I所示,一种半导体真空加热管,其特征是它包括一管I和ニ管2,一管I和ニ管2都是一端开ロ另一端闭ロ的盲管,在一管I和ニ管2的开ロ处具有相互哨合的结构。进ー步的讲,所述的一管I或ニ管2至少其ー在开ロ处具有啮合的双层结构。这样就很容易完好封闭。进ー步的讲,所述的一管I或ニ管2其一的长度是5 — 10厘米。这样这个管可以作为盖子,具有減少破损的优点。
权利要求1.一种半导体真空加热管,其特征是它包括一管和ニ管,一管和ニ管都是一端开ロ另一端闭ロ的盲管,在一管和ニ管的开ロ处具有相互哨合的结构。
2.根据权利要求I所述的半导体真空加热管,其特征是所述的一管或ニ管至少其ー在开ロ处具有啮合的双层结构。
3.根据权利要求I或2所述的半导体真空加热管,其特征是所述的一管或ニ管其一的长度是5-10厘米。
专利摘要本实用新型涉及半导体制造技术领域,是一种半导体真空加热管,其特征是它包括一管和二管,一管和二管都是一端开口另一端闭口的盲管,在一管和二管的开口处具有相互啮合的结构,所述的一管或二管至少其一在开口处具有啮合的双层结构,所述的一管或二管其一的长度是5-10厘米,这样结构的半导体真空加热管具有封闭简单、效果好、节省原材料的优点。
文档编号C30B23/00GK202643906SQ20122023738
公开日2013年1月2日 申请日期2012年5月16日 优先权日2012年5月16日
发明者刘宝成 申请人:河南恒昌电子有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1