专利名称：阵列基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示技术，特别涉及一种阵列基板及其制造方法。
背景技术：
液晶显示装置(Liquid Crystal Display ；简称LCD)是通过控制在液晶面板上阵列排列的液晶像素的光透过率来显示各种画面。一般把驱动液晶面板用的驱动芯片压接 在薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display ；简称=TFT IXD)面板上的方法有三种引线键合(Wire Bonding ；简称WB)方式、带状载体压接(Tape Automated Bonding ；简称:TAB)方式和芯片直压(Chip On Glass ；简称:C0G)的方式。在 液晶面板的制造工艺中为了在制成液晶核之前先检出不良的面板，以防止不良的面板流到 后续的工艺，进行阵列基板测试(Array Test)。在适用COG方式的制造工艺时，通常采用进 行阵列基板测试之前先将信号线通过连接线都连接起来，等阵列基板测试结束之后，再用 激光切割的方法把信号线断开的方法。但是用激光切割栅极线或数据线金属的时候，会产 生金属颗粒，形成污染，而且激光切割的这样一个过程影响了作业速度，降低了生产效率。为了减少激光切割的工序，已经提出了各种方法。例如在韩国专利 KR2005-0110745中提出一种在栅极线或数据线上附加设计薄膜晶体管(Thin Film Transistor ；以下简称TFT)开关，TFT的栅极都连在一起用一个开关信号来控制它的开关 状态。这样，阵列基板测试的时候只需加开启信号打开开关，测试之后也不需要特殊的处 理。但是栅极/数据线通过TFT并列连接，有时候即使实际信号断开了也会因为下部背光 产生漏电流而引起信号失真，而且在制造大型面板的时候因为需要设计大的TFT存在适用 困难的问题。在韩国专利KR2005-0003511中公开了另外一种方法。在面板的最外围设计连接 线，所有的栅极线或数据线都垂直连接到连接线上，最后在打磨(Grinding)工艺中消除连 接线，这样就不用增加额外的工艺。但是这种方法在将驱动芯片压接在面板的过程中，由于 压接芯片的强压，COG压接焊盘和在其下面走线的连接用走线会有短路的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其方法，能够解决现有技术中采用激光切 割工艺产生的污染问题，从而提高产率和生产效率。本发明的阵列基板，包括显示画面的有效区域和用于给有效区域提供像素信号的 焊盘区域；所述有效区域包括用第一金属制成的第一信号线、用第二金属制成的第二信 号线、与所述第一信号线和所述第二信号线电气连接的开关元件和由所述开关元件驱动的 像素电极；所述焊盘区域还包括测试信号线；测试用连接线，与有效区域的信号线电气连 接；所述测试用连接线包括一端与测试信号线电气连接的第一部分和一端与所述有效区 域的第一信号线或第二信号线电气连接的第二部分；所述第一部分和第二部分的另一端相 隔一段距离相对设置；所述测试用连接线还包括使所述第一部分的另一端和所述第二部分的另一端电气连接的连接部。本发明的阵列基板与现有技术相比通过阵列基板工艺实现阵列基板测试之后切 断信号线的工序，省去了激光切割信号线的工序，从而避免了激光切割金属线时产生的金 属颗粒污染问题，提高了产率和生产效率。这种阵列基板不用设计TFT结构，没有信号失真 的问题，驱动芯片压接的时候也不会出现走线短路的问题。本发明提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括显示画面用的有效区域 和给所述有效区域提供信号用的焊盘区域，包括在玻璃基板上沉积不透明的导电层； 利用构图工艺形成不透明导电层的图案，所述不透明导电层的图案包括给所述有 效区域提供信号的第一信号线和所述焊盘区域里的测试信号线和测试用连接线，所述测试 用连接线包括一端与测试信号线电气连接的第一部分和一端与有效区域的第一信号线电 气连接的第二部分，所述第一部分的另一端与第二部分的另一端相隔一段距离相对设置；在完成所述不透明导电层的图案的玻璃基板上沉积绝缘层；利用构图工艺形成使所述焊盘区域的测试用连接线的第一部分的另一端和第二 部分的另一端裸露的过孔；在完成所述绝缘层上的过孔的玻璃基板上沉积透明导电层；利用构图工艺刻蚀透明导电层，形成所述有效区域里的像素电极和在所述焊盘区 域的过孔上使所述测试用连接线的第一部分的另一端和第二部分的另一端连接的连接部 的图案。通过本发明阵列基板的制造方法制造的阵列基板在阵列基板测试后，通过构图工 艺刻蚀透明导电层和过孔下面裸露的测试用连接线来断开信号线。这种方法省去了激光切 割信号线的工序，从而避免了激光切割金属线时产生的金属颗粒污染问题，提高了产率和 生产效率。而且，这种方法不用设计TFT结构，没有信号失真的问题，驱动芯片压接的时候 也不会出现走线短路的问题。
图1为本发明阵列基板第一实施例焊盘区域的示意图；图2为图1中A-A，向剖面图；图3为本发明阵列基板第二实施例焊盘区域的示意图；图4为图3中B-B，向剖面图；图5为本发明阵列基板的制造方法第一实施例的流程图；图6为本发明阵列基板的制造方法第二实施例的流程图。附图标记1-第一信号线或第二信号线 2-测试信号线 3-测试用连接线4-绝缘层5-过孔6-透明导电层7-连接部31-第一部分 32-第二部分
具体实施例方式下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
阵列基板第一实施例
阵列基板包括显示画面的有效区域和用于给有效区域提供像素信号的焊盘区域。 有效区域包括用第一金属制成的第一信号线、用第二金属制成的第二信号线、与所述第一 信号线和所述第二信号线电气连接的开关元件和由所述开关元件驱动的像素电极。图1为 本发明阵列基板第一实施例焊盘区域的示意图，图2为图1中A-A’向剖面图。如图1、图2 所示，焊盘区域包括测试信号线2，用于提供测试信号；测试用连接线3，与有效区域的信 号线(第一信号线或第二信号线1)电气连接，用于判断像素电极的电气连接状态；过孔5， 设在测试用连接线上方的绝缘层4上；透明导电层6，设在过孔的上方，用于保护过孔下面 裸露的测试用连接线3。上述测试用连接线由与所述有效区域的第一信号线相同的物质或者与第二信号 线相同的物质构成。本实施例在绝缘层上设置过孔，测试用连接线通过过孔5与透明导电层6连在一 起。这样，本实施例的阵列基板在阵列基板测试后可以通过构图工艺刻蚀透明导电层6和 过孔5下面裸露的测试用连接线3的方法来断开原先通过测试信号线2连在一起的第一信 号线或第二信号线，不需要做激光切割工艺，因此，避免了激光切割引起的金属颗粒污染问 题，提高了产率和生产效率。阵列基板第二实施例阵列基板包括显示画面的有效区域和用于给有效区域提供像素信号的焊盘区域。 有效区域包括用第一金属制成的第一信号线、用第二金属制成的第二信号线、与所述第一 信号线和所述第二信号线电气连接的开关元件和由所述开关元件驱动的像素电极。图3为 本发明阵列基板第二实施例焊盘区域的示意图，图4为图3中B-B’向剖面图。如图3、图4 所示，焊盘区域包括测试信号线2，用于提供测试信号；测试用连接线3，与有效区域的信 号线(第一信号线或第二信号线1)电气连接，用于判断像素电极的电气连接状态；所述测 试用连接线3包括一端与测试信号线2电气连接的第一部分31和一端与所述有效区域的 第一信号线或第二信号线电气连接的第二部分32 ；所述第一部分31和第二部分32的另一 端相隔一段距离相对设置；所述测试用连接线3还包括使所述第一部分31的另一端和所述 第二部分32的另一端电气连接的连接部7。上述测试用连接线的第一部分和第二部分由与所述有效区域的第一信号线相同 的物质构成或者也可以与第二信号线相同的物质构成。上述测试用连接线的连接部由与有 效区域的像素电极同样的物质构成。本实施例在绝缘层上设置过孔，测试用连接线在过孔处断开，且通过连接部连在 一起。这样，本实施例的阵列基板在阵列基板测试后可以通过刻蚀透明导电层，使得原先通 过测试信号线连在一起的信号线断开，不需要做激光切割。因此，避免了激光切割引起的金 属颗粒污染问题，提高了产率和生产效率，而且与阵列基板第一实施例相比因只需刻蚀透 明导电层可以省去一道工序。阵列基板的制造方法第一实施例图5为本发明阵列基板的制造方法第一实施例的流程图。如图5所示，本实施例 阵列基板的制造方法，包括步骤501、在玻璃基板上沉积不透明的导电层。
步骤502、利用构图工艺形成不透明导电层的图案。不透明导电层的图案包括给有效区域提供信号的第一信号线和焊盘区域里的测 试信号线和测试用连接线。有效区域的第一信号线可为控制是否给像素电极提供像素信号 的栅极线或给像素电极提供像素信号的数据线。步骤503、在完成所述不透明导电层的图案的玻璃基板上沉积绝缘层。步骤504、利用构图工艺形成绝缘层上的过孔。步骤505、在完成绝缘层上的过孔的玻璃基板上沉积透明导电层。步骤506、利用构图工艺形成透明导电层的图案。本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀、剥离等工艺。通过本实施例的方法制造的阵列基板在阵列基板测试后只需用构图工艺刻蚀过 孔上面的透明导电层和过孔下面的测试用连接线就能使原先连接在一起的信号线断开，不 需要进行激光切割工艺因此能够避免激光切割金属线引起的金属颗粒污染问题。用本实施 例的方法制造的阵列基板不需要设计TFT结构，因此在大型面板上也不存在占用面积过大 不适用的问题，且驱动芯片压接的时候也不会有走线短路的问题。刻蚀透明导电层的刻蚀液跟刻蚀信号线的刻蚀液不一样，所以需要进行两次刻 蚀。为了减少工序本发明进一步提供另一种优选方案。阵列基板的制造方法第二实施例图6为本发明阵列基板的制造方法第二实施例的流程图。如图6所示，本实施例 的阵列基板的制造方法，包括步骤601、在玻璃基板上沉积不透明的导电层。步骤602、利用构图工艺形成不透明导电层的图案。不透明导电层的图案包括给有效区域提供信号的第一信号线和焊盘区域里的测 试信号线和测试用连接线，所述测试用连接线包括一端与测试信号线电气连接的第一部分 和一端与有效区域的第一信号线电气连接的第二部分，所述第一部分的另一端与第二部分 的另一端相隔一段距离相对设置。有效区域的第一信号线可为控制是否给像素电极提供像 素信号的栅极线或给像素电极提供像素信号的数据线。步骤603、在完成所述不透明导电层的图案的玻璃基板上沉积绝缘层。步骤604、利用构图工艺形成使所述焊盘区域的测试用连接线的第一部分的另一 端和第二部分的另一端裸露的过孔。步骤605、在完成所述绝缘层上的过孔的玻璃基板上沉积透明导电层。步骤606、利用构图工艺刻蚀透明导电层，形成所述有效区域里的像素电极和在所 述焊盘区域的过孔上使所述测试用连接线的第一部分的另一端和第二部分的另一端连接 的连接部的图案。通过本实施例的方法制造的阵列基板在阵列基板测试后只需用构图工艺刻蚀过孔上面的透明导电层就能使原先连接在一起的信号线断开，不需要进行激光切割工艺因此 能够避免激光切割金属线引起的金属颗粒污染问题。通过本实施例的方法制造的阵列基板 也不需要设计TFT结构，因此在大型面板上也不存在占用面积过大不适用的问题，而且驱 动芯片压接的时候也不会有走线短路的问题。与阵列基板的制造方法第一实施例的方法制 造的阵列基板相比用本实施例的方法制造的阵列基板在阵列基板测试后只需刻蚀透明导电层就能断开原先连接在一起的信号线，可以省工序，提高产率。
最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参 照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明 的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
权利要求
一种阵列基板，包括显示画面的有效区域和用于给有效区域提供像素信号的焊盘区域；所述有效区域包括用第一金属制成的第一信号线、用第二金属制成的第二信号线、与所述第一信号线和所述第二信号线电气连接的开关元件和由所述开关元件驱动的像素电极；其特征在于所述焊盘区域包括测试信号线；测试用连接线，与有效区域的信号线电气连接；所述测试用连接线包括一端与测试信号线电气连接的第一部分和一端与所述有效区域的第一信号线或第二信号线电气连接的第二部分；所述第一部分和第二部分的另一端相隔一段距离相对设置；所述测试用连接线还包括使所述第一部分的另一端和所述第二部分的另一端电气连接的连接部。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述测试用连接线的第一部分和第 二部分由与所述有效区域的第一信号线相同的物质构成。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述测试用连接线的第一部分和第 二部分由与所述有效区域的第二信号线相同的物质构成。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述测试用连接线的连接部由与有 效区域的像素电极同样的物质构成。
5.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括显示画面用的有效区域和给所述有效 区域提供信号用的焊盘区域，其特征在于，包括在玻璃基板上沉积不透明的导电层；利用构图工艺形成不透明导电层的图案，所述不透明导电层的图案包括给所述有效区 域提供信号的第一信号线和所述焊盘区域里的测试信号线和测试用连接线，所述测试用连 接线包括一端与测试信号线电气连接的第一部分和一端与有效区域的第一信号线电气连 接的第二部分，所述第一部分的另一端与第二部分的另一端相隔一段距离相对设置；在完成所述不透明导电层的图案的玻璃基板上沉积绝缘层；利用构图工艺形成使所述焊盘区域的测试用连接线的第一部分的另一端和第二部分 的另一端裸露的过孔；在完成所述绝缘层上的过孔的玻璃基板上沉积透明导电层；利用构图工艺刻蚀透明导电层，形成所述有效区域里的像素电极和在所述焊盘区域的 过孔上使所述测试用连接线的第一部分的另一端和第二部分的另一端连接的连接部的图案。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于所述有效区域的第一信 号线为控制是否给像素电极提供像素信号的栅极线。
7.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于所述有效区域的第一信 号线为给像素电极提供像素信号的数据线。
全文摘要
本发明涉及液晶显示技术，特别涉及一种阵列基板及其制造方法。本发明的阵列基板，包括显示画面的有效区域和用于给有效区域提供像素信号的焊盘区域。其中，焊盘区域包括测试信号线和测试用连接线，所述测试用连接线包括一端与测试信号线电气连接的第一部分和一端与所述有效区域的第一信号线或第二信号线电气连接的第二部分；所述第一部分和第二部分的另一端相隔一段距离分离；所述测试用连接线还包括使所述第一部分的另一端和所述第二部分的另一端电气连接的连接部。本发明还提供一种制造上述阵列基板的方法。本发明与现有技术相比没有激光切割金属线时产生的金属颗粒污染问题，从而提高了产率和生产效率。
文档编号H01L23/48GK101846858SQ20091008101
公开日2010年9月29日 申请日期2009年3月27日 优先权日2009年3月27日
发明者林允植 申请人:北京京东方光电科技有限公司