一种tft基板、显示装置以及制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板、显示装置以及制造方法。
【背景技术】
[0002]在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting D1de，0LED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中，OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
[0003]AMOLED电路架构，通常至少需要两颗TFT组成，其中开关TFT漏极会作为第二颗驱动TFT的栅极，传统布局方式通常通过转层来实现，但是通过金属桥接转层占用了布局空间，随着High PPI的竞争，传统的电路结构设计已经无法适应更高PPI的需要。
【发明内容】
[0004]本发明主要解决的技术问题是提供一种TFT基板、显示装置以及制造方法，能够使节省空间，有利于更高PPI的实现。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供一种TFT基板，包括基板以及形成在所述基板上的第一 TFT结构和第二 TFT结构，其中第一 TFT结构包括第一栅极图案和第一半导体图案，第一半导体图案划分为第一沟道区以及位于第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，第一沟道区与第一栅极图案对应设置，进而能够在第一栅极图案的作用下形成第一导电沟道，第一掺杂区延伸至第二 TFT结构内并作为第二 TFT结构的第二栅极图案。
[0006]其中，第二TFT结构进一步包括第二半导体图案，第二半导体图案划分为第二沟道区以及位于第二沟道区两侧的第三掺杂区和第四掺杂区，第二沟道区与第一掺杂区延伸至第二 TFT结构内的部分对应设置，进而能够在第一掺杂区的作用下形成第二导电沟道。
[0007]其中，第一沟道区与第一栅极图案至少部分设置，第二沟道区与第一掺杂区延伸至第二 TFT结构内的部分至少部分重叠设置。
[0008]其中，第一半导体图案和第二半导体图案在长度方向彼此垂直，以使得第三掺杂区和第四掺杂区在基板上的投影分别位于第一掺杂区在基板上的投影的两侧。
[0009]其中，第一栅极图案位于基板与第一半导体图案之间，第一TFT结构和第二TFT结构进一步包括用于间隔第一栅极图案与第一半导体图案的第一绝缘层、用于间隔第一半导体图案与第二半导体图案的第二绝缘层以及用于覆盖第二半导体图案和第二绝缘层的第三绝缘层；
[0010]第一TFT结构进一步包括形成于第三绝缘层上的第一源极/漏极图案，第一 TFT结构进一步设置有贯穿第三绝缘层和第二绝缘层的第一通孔，第一源极/漏极图案经第一通孔与第二掺杂区电性接触；
[0011]第二TFT结构进一步包括形成于第三绝缘层上的第二源极/漏极图案和第三源极/漏极图案;第二 TFT结构进一步设置有贯穿第三绝缘层的第二通孔和第三通孔，第二源极/漏极图案和第三源极/漏极图案分别经第二通孔和第三通孔与第三掺杂区和第四掺杂区电性接触。
[0012]其中，第一栅极图案位于第一半导体图案远离基板的一侧，第一TFT结构和第二TFT结构进一步包括用于间隔第一栅极图案与第一半导体图案的第一绝缘层、用于间隔第一栅极图案与第二半导体图案的第二绝缘层以及用于覆盖第二半导体图案和第二绝缘层的第三绝缘层；
[0013]第一TFT结构进一步包括形成于第三绝缘层上的第一源极/漏极图案，第一 TFT结构进一步设置有贯穿第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层的第一通孔，第一源极/漏极图案经第一通孔与第二掺杂区电性接触；
[0014]第二TFT结构进一步包括形成于第三绝缘层上的第二源极/漏极图案和第三源极/漏极图案;第二 TFT结构进一步设置有贯穿第三绝缘层的第二通孔和第三通孔，第二源极/漏极图案和第三源极/漏极图案分别经第二通孔和第三通孔与第三掺杂区和第四掺杂区电性接触。
[0015]本发明还提供了一种显示装置，包括上述任意一项的TFT基板。
[0016]本发明还提供了一种TFT基板的制造方法，制造方法包括以下步骤:
[0017]形成用于第一TFT结构的第一栅极图案和第一半导体图案，其中第一半导体图案划分为第一沟道区以及位于第一沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，第一沟道区与第一栅极图案对应设置；
[0018]形成用于第二TFT结构的第二半导体图案，其中第二半导体图案划分为第二沟道区以及位于第二沟道区两侧的第三掺杂区和第四掺杂区，第二沟道区与第一掺杂区对应设置，进而使得第一掺杂区作为用于第二 TFT结构的第二栅极图案。
[0019]其中，形成用于第一TFT结构的第一栅极图案和第一半导体图案的步骤包括:
[0020]将第一栅极图案形成于基板与第一半导体图案之间，并进一步形成用于间隔第一栅极图案与第一半导体图案的第一绝缘层以及用于间隔第一半导体图案与第二半导体图案的第二绝缘层；
[0021]形成用于第二TFT结构的第二半导体图案的步骤包括:
[0022]形成用于覆盖第二半导体图案和第二绝缘层的第三绝缘层；
[0023]形成贯穿第三绝缘层和第二绝缘层的第一通孔以及贯穿第三绝缘层的第二通孔和第三通孔；
[0024]在第三绝缘层上形成第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案和第三源极/漏极图案，以使得第一源极/漏极图案经第一通孔与第二掺杂区电性接触，第二源极/漏极图案和第三源极/漏极图案分别经第二通孔和第三通孔与第三掺杂区和第四掺杂区电性接触。
[0025]其中，形成用于第一TFT结构的第一栅极图案和第一半导体图案的步骤包括:
[0026]将第一栅极图案形成于第一半导体图案远离基板的一侧，并进一步形成用于间隔第一栅极图案与第一半导体图案的第一绝缘层以及用于间隔第一栅极图案与第二半导体图案的第二绝缘层；
[0027]形成用于第二TFT结构的第二半导体图案的步骤包括:
[0028]形成用于覆盖第二半导体图案和第二绝缘层的第三绝缘层；
[0029]形成贯穿第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层的第一通孔以及贯穿第三绝缘层的第二通孔和第三通孔；
[0030]在第三绝缘层上形成第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案和第三源极/漏极图案，以使得第一源极/漏极图案经第一通孔与第二掺杂区电性接触，第二源极/漏极图案和第三源极/漏极图案分别经第二通孔和第三通孔与第三掺杂区和第四掺杂区电性接触。
[0031]本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况，本发明TFT基板、显示器以及制造方法，通过利用开关TFT漏极掺杂作为驱动TFT栅极的布局方式，节省了布局空间，有利于更高PPI的实现。
【附图说明】
[0032]图1是本发明TFT基板第一实施例的俯视结构示意图；
[0033]图2是本发明TFT基板第一实施例的俯视结构示意图的A-A剖面以及B-B剖面结构示意图；
[0034]图3是本发明TFT基板第二实施例的俯视结构示意图；
[0035]图4是本发明TFT基板第二实施例的俯视结构示意图的C-C剖面以及D-D剖面结构示意图；
[0036]图5是本发明一种显不装置一实施例的结构不意图；
[0037]图6是本发明TFT基板的制造方法第一实施例的流程示意图；
[0038]图7是本发明TFT基板的制造方法第一实施例步骤SI具体步骤的流程示意图；
[0039]图8是本发明TFT基板的制造方法第一实施例步骤S2具体步骤的流程示意图；
[0040]图9是本发明TFT基板的制造方法第二实施例的流程示意图；
[0041]图10是本发明TFT基板的制造方法第二实施例步骤SI具体步骤的流程示意图；
[0042]图11是本发明TFT基板的制造方法第二实施例步骤S2具体步骤的流程示意图。
【具体实施方式】
[0043]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的实施例及其附图进行详细描述。
[0044]参照图1，是本发明TFT基板第一实施例的俯视结构示意图，参照图2，是本发明TFT基板第一实施例的俯视结构示意图的A-A剖面以及B-B剖面结构示意图，在本实施例中，包括基板11以及形成在基板上的第一TFT结构12和第二TFT结构13，其中第一TFT结构12包括第一栅极图案121和第一半导体图案122，第一半导体图案122划分为第一沟道区1221以及位于第一沟道区两侧的第一掺杂区1222和第二掺杂区1223，其中，第一沟道区1221与第一栅极图案121对