专利名称：一种高频高功率电阻的制成方法
技术领域：
本发明的制成方法，涉及在氮化铝陶瓷上溅射氮化钽薄膜，制成电阻，以及其它应 用氮化钽薄膜技术生产的衰减器等产品，填补国内的空白。
背景技术：
目前，国内尚未有成熟的高功率，高频氮化钽薄膜电阻及衰减器的生产工艺，所谓 大功率是100W以上，高频是指在6GHZ内驻波性能在1. 3以内的性能。公知的生产工艺只 有外国几家公司，如KDI、ATC等掌握，而国内只有厚膜技术。目前厚膜技术的流程1、陶瓷基片清洗；2、印电极及电路；3、烘干；4、厚膜材料印刷；5、烘干；6、测量，调 阻；7、加引线；8、加法兰；9、加封装盖板；10、回流焊；11、清洗，干燥，包装。整个工艺流程非 常简单，绝大部分是人力手工作业。厚膜电阻在2GHZ高频性能上与薄膜相差很大，在2GHZ以上更无法相比，在耐温 度，耐湿度上，氮化钽薄膜的稳定性远远高于厚膜电阻。所以在高频通信行业内，广泛使用 的功率负载都是国外进口产品，而且需求量特别大。因为薄膜氮化钽电阻及衰减器的生产 工艺复杂，对设备要求高，对生产人员的要求高，对环境要求高，合格率低的问题，所以许多 国内厂家试图开发，均未形成规模。本
发明内容
为了解决国内薄膜氮化钽电阻的生产问题，制定了适应的工艺流程1、陶瓷基板切割，切割的尺寸安照设计的要求；2、清洗，含市水，酒精，超音波纯水清洗，各清洗10分钟；3、烘干； 4、银浆印刷，含电极印刷，背面印刷，侧面印刷(每个印刷后面必须200度烘干，时 间5分钟)；5、溅射，主要设备是真空磁控溅射炉，溅射的稳度设定为200度，时间设定为15分 钟、6、出炉热处理；7、测量，调阻；8、介质封装；或者是加封装盖板及法兰；9、打标记。附图
是高频高功率电阻制作的具体工艺流程图，下面结合附图对本工艺流程进一 步说明。图中1和2，陶瓷基板主要是氮化铝陶瓷基板，由于激光在切割优质陶瓷基板时， 比较容易产生金属铝，而铝是导电物质，所以有时采用金刚石片切割；3，所有分片机都是为了适用于陶瓷等易碎体的分离，而自行开发的设备，效率高， 可保证分片时准确性，有防呆功能。
4，清洗含3种清洗，市水，酒精，超音波纯水，为自行开发清洗设备，保证清洗效
果 o 5，正面被银，采用半自动印刷机；每次开机印刷的5片先经过QC人员检查，通过后，才能正常开机生产，生产中间发现异常，QC人员有权要求产品线暂停，检查。6，烘干机烘干过程中，保证正常的洁净度。如果印刷异常，退回清洗，重新印刷。11，网带式烧结炉，保证烧结的温度及时间，以及排除烧结过程中产生的废物。12，检查烧结后的基片，如果正常，溅射氮化钽膜；13，再次分片，保证溅射膜的位 置；14，上溅射夹具，对应不同的功率电阻，或不同的衰减器，有不同图案的夹具。15，溅射炉内的溅射工艺要求比较高，具体要求炉内温度，真空度，偏压，钽靶 (纯度99. 95% )电流，靶温度，炉内氩气与氮气的流量和比例。17，热处理过程，对薄膜进行处理，使薄膜的金属晶格发生改变，使薄膜的性能更稳定。18，调阻时采用对称减少膜的办法，保证高频性能，调整衰减器时，对照相应的仪 表处理。19，耐高温环氧封装，保证产品性能不变。通过上述的工艺流程，保证大功率，薄膜氮化钽电阻及衰减器的生产和合格率，一 般合格率在80%以上。
权利要求
一种生产高功率，高频的氮化钽薄膜电阻及衰减器的制作方法。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征是氮化铝陶瓷上溅射氮化钽薄膜。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征是电阻或衰减器。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征是100瓦和以上的电阻。
5.根据权利要求1所述的工艺，其特征是6GHZ内驻波在1.3以内的电阻。
6.根据权利要求1所述的工艺，其特征是100瓦以上各种DB的衰减器。
全文摘要
一种制作高功率，高频，氮化钽薄膜电阻或衰减器的制作方法。它能够保证氮化钽薄膜电阻及衰减器的正常生产，合格率在80％以上，完全替代进口产品，成品价格只有进口产品的60％，填补国内的空白。
文档编号H01P11/00GK101859620SQ20091010638
公开日2010年10月13日 申请日期2009年4月8日 优先权日2009年4月8日
发明者方超 申请人:深圳市信特科技有限公司