专利名称：：具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管及其制造方法
技术领域：
：本发明系关于一种发光二极管及其制造方法，尤其系关于一种具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管及其制造方法。
背景技术：
：在日常生活中，发光二极管(LEDs，lightemittingdiodes)的重要性正与日俱增。在各种应用层面上皆可发现发光二极管踪影，例如移动式电话的通信设备以及其他电子装置等方面。近年来，对于视频显示器、光学储存器、照明、医疗器材而言，应用在光电领域的氮化物衬底二极管材料(例如氮化镓)的需求已大幅增加。传统蓝光发光二极管系通过使用氮化物半导体材料而形成，例如氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)、以及氮化铝铟镓(AlInGaN)。大部分前述类型的发光二极管装置的半导体层系以外延方式形成在非导电的蓝宝石基板上。由于蓝宝石基板为电绝缘体，所以无法直接在蓝宝石基板上形成电极以驱动电流而流贯发光二极管，而实际做法是将电极分别与一P型半导体层以及一η型半导体层作直接接触，以完成发光二极管装置的制作。然而，此种电极配置以及蓝宝石基板的非导电性质会对装置操作造成极大的限制。例如，需要在P型半导体层上形成半透明接面，以使电流由P型电极流布到η型电极。由于发光二极管内部的反射与吸收，半透明接面会减低自发光二极管装置所发射出来的光强度。另一方面，P型以及η型电极不但会对光造成阻碍，同时也会减少发光二极管装置的发光面积。此外，由于蓝宝石基板为热绝缘体，所以在装置操作过程中所产生的热量无法通过蓝宝石基板进行有效散热。因此，已知半导体结构的限制包括(1)由于电极的设置位置，从η型电极流贯至P型电极的电流并非呈均勻分布；以及(2)由于蓝宝石为热与电绝缘体，因此热量会于装置操作过程中累积。当ρ型电极以及η型电极被施加顺向电压(forwardvoltage)时，便可导通发光二极管，而电流会从P型电极流向活化层。由于传统P-GaN接触层的电阻率高，因而导致电流散布(currentspreading)效应不佳。又，由于ρ型半导体层与反射金属层之间的附着性较差，所以经常会引起剥落的问题。
发明内容为了克服上述问题，本发明的一实施样态为提供一种具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，包括下列步骤在衬底上沉积一或多层η型III族氮化物半导体层，其中此一或多层η型III族氮化物半导体层具有第一表面以及第二表面；在此一或多层η型III族氮化物半导体层的第一表面上沉积一或多层III族氮化物活化层；在一或多层III族氮化物活化层上沉积一或多层P型III族氮化物半导体；在一或多层P型III族氮化物半导体层上形成原位(in-situ)形成层；以及在原位形成层上沉积一或多层反射金属层。此制造方法更包括在一或多层反射金属层上沉积一或多层金属层；移除衬底；以及在η型III族氮化物半导体层的第二表面上形成一或多层η型电极。此外，可通过光电化学(PEC，photoelectrochemical)氧化与刻蚀处理，而使η型III族氮化物半导体层的第二表面具有无次序(non-ordered)蚀纹型态，以增加发光二极管的光取出效率。本发明的另一实施样态为提供一种具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，包括下列步骤在衬底上沉积一或多层η型III族氮化物半导体层，其中此一或多层η型III族氮化物半导体层具有第一表面以及第二表面；在此一或多层η型III族氮化物半导体层的第一表面上沉积一或多层III族氮化物活化层；在一或多层III族氮化物活化层上沉积一或多层P型III族氮化物半导体；在一或多层P型III族氮化物半导体层上形成原位形成层；形成多个沟渠，以界定出一或多个台面；在台面的原位形成层上方沉积一或多层反射金属层；沉积一或多层非导电层，以覆盖各台面；以及移除一部分的非导电层，以露出反射金属层的表面。此制造方法更包括沉积一或多层金属层，以覆盖台面并且填满沟渠；移除衬底；以及在η型III族氮化物半导体层的第二表面上形成一或多层η型电极。此外，可通过光电化学氧化与刻蚀处理，而使η型III族氮化物半导体层的第二表面具有无次序蚀纹型态，以增加发光二极管的光取出效率。本发明的又另一实施样态为提供一种具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，包括下列步骤在衬底上沉积一或多层η型III族氮化物半导体层，其中此一或多层η型III族氮化物半导体层具有第一表面以及第二表面；在此一或多层η型III族氮化物半导体层的第一表面上沉积一或多层III族氮化物活化层；在一或多层III族氮化物活化层上沉积一或多层P型III族氮化物半导体；在一或多层P型III族氮化物半导体层上形成原位形成层；在台面的原位形成层上方沉积一或多层反射金属层；形成多个沟渠，以界定出一或多个台面；沉积一或多层非导电层，以覆盖各台面；以及移除一部分的非导电层，以露出反射金属层的表面。此制造方法更包括沉积_或多层金属层，以覆盖台面并且填满沟渠；移除衬底；以及在η型III族氮化物半导体层的第二表面上形成一或多层η型电极。此外，可通过光电化学氧化与刻蚀处理，而使η型III族氮化物半导体层的第二表面具有无次序蚀纹型态，以增加发光二极管的光取出效率。本发明的又另一实施样态为提供一种III族氮化物发光二极管，包括一或多层η型III族氮化物半导体层，具有第一表面以及第二表面；一或多层III族氮化物活化层，设置在此一或多层η型III族氮化物半导体层的第一表面上；一或多层P型III族氮化物半导体层，设置在一或多层III族氮化物活化层上；原位形成层，原位(in-situ)形成在一或多层P型III族氮化物半导体层上；以及一或多层反射金属层，设置在原位形成层上。此发光二极管更包括一或多层金属层，设置在反射金属层上；以及一或多层η型电极，设置在η型III族氮化物半导体层的第二表面上。η型III族氮化物半导体层的第二表面可经过光电化学氧化与刻蚀处理，而具有无次序蚀纹型态。根据本发明的技术方案，能够提供具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管。在本发明的附图中，以相同的参考符号表示相同的元件。图IA至图IH显示用以说明依照本发明的一实施例的发光二极管制造程序的概略横剖面图；图2显示依照本发明的一实施例的光电化学氧化与刻蚀设备；及图3显示依照本发明的一实施例的已粗糙化的发光二极管晶片的部分概略横剖面图。附图标号1衬底3η型III族氮化物半导体层3a第一表面北第二表面5111族氮化物活化层7p型III族氮化物半导体层9原位形成层11沟渠12台面13反射金属层15非导电层17晶种层19金属层21η型电极50发光二极管晶片100光电化学氧化与刻蚀设备110照明系统120电偏压系统130电解质溶液系统140容器150载台160夹具具体实施例方式本发明的其他目的与优点可通过随后的详细说明及随附的权利要求而更显明白。图IA至图IH显示用以说明依照本发明的一实施例的发光二极管制造程序的概略横剖面图。图IA显示在衬底1的上方沉积具有第一表面3a以及第二表面3b的η型III族氮化物半导体层3，在η型III族氮化物半导体层3的第一表面3a上沉积一或多层III族氮化物活化层5，然后在一或多层III族氮化物活化层5上沉积ρ型III族氮化物半导体层7。上述外延结构(即η型III族氮化物半导体层3、III族氮化物活化层5、以及ρ型III族氮化物半导体层7)可通过例如金属有机化学汽相沉积(MOCVD，metal-organicchemicalvapordeposition)、分子束夕卜延(MBE,molecularbeamepitaxy)或汽相夕卜延(VPE,vaporphaseepitaxy)等等的技术来进行沉积。衬底1可为例如蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化铝或砷化镓等等的材料。η型III族氮化物半导体层3可包括下列至少其中之一n-GaN层、n-InGaN、n-AlGaN或n-AlInGaN层。ρ型III族氮化物半导体层7包括下列至少其中之一p-GaN、p-AlGaN、p-AlGalnN、p-InGaN、以及p-AIN。III族氮化物活化层5可为InGaN/GaN层、AlInGaN/AlGaN层、或AlInGaN/GaN层。虽然在附图中仅显示一层η型III族氮化物半导体层3以及一层ρ型III族氮化物半导体层7，但η型III族氮化物半导体层3以及P型III族氮化物半导体层7在实际上可具有多层结构。图IB显示在ρ型III族氮化物半导体层7上形成原位(in-situ)形成层9。原位形成层9可包括下列至少其中之一镁(Mg)、锌(Zn)、铝(Al)、铟(In)、镓(Ga)、碳(C)、硅(Si)、以及铍(Be)。原位形成层9的形成时间系介于约5秒与约300秒之间，以及形成温度系介于约700°C与约1100°C之间。原位形成层9亦可通过例如金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或汽相外延(VPE)等等的技术来进行沉积。图IC显示在图IB的结构中形成多个沟渠11，以界定出多个台面(mesa)12，藉以将图IB的结构划分成多个区域。沟渠11可通过下列其中一种方式加以形成湿式刻蚀、反应性离子刻蚀(RIE，reactiveionetching)、激光、切锯、或喷射水刀法。或者，沟渠11可通过聚合物(例如光刻胶)或硬遮罩(例如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、铝)加以形成。图ID显示在界定出台面12之后，通过蒸发、或涂布与烘焙等等的方法在台面12的原位形成层9的上方沉积反射金属层13。然后，通过蒸发或涂布技术，例如电子束(e-beam)、热蒸发(thermalcoater)、溅射、或化学汽相沉积等方式沉积非导电层15，以覆盖台面12。然后，通过光刻胶施加、曝光、以及刻蚀步骤来移除一部分的非导电层15，而露出反射金属层13的表面。反射金属层13可包括下列至少其中之一银、金、铝、或其合金。所述非导电层15包括下列其中之一二氧化硅、氮化硅、类钻石薄膜、非导电性金属氧化物材料、聚合物材料、以及陶瓷材料。所述非导电性金属氧化物材料为氧化铪、氧化钛、或氧化钽。虽然在附图中仅显示一层反射金属层13以及一层非导电层15，但实际上可沉积多层的反射金属层13以及非导电层15。此外，在本发明的另一实施例中，台面12的形成时机可在反射金属层13形成之后。再者，在沉积反射金属层13之后，可执行回火处理，以增加反射金属层13与原位形成层9之间的附着性。回火处理的温度范围为约250°C至约600°C。依照图IA至图ID所示的制造方法所制成的发光二极管可应用在薄膜型发光二极管(thinfilmLED)或覆晶型发光二极管(flipchipLED)。在应用方面，薄膜型发光二极管除了可设置在金属层(无图示)上，还可设置在非金属层(无图示)上，例如设置在Si、A1N、Ge、SiC、或GaP等等的非金属层上。在本发明的另一实施例中，可如图IE所示，接着在图ID的结构上沉积晶种层17。晶种层17可包括下列其中之一铜、钨、金、镍、铬、钯、钼或其合金。晶种层17可用以促进后续在图ID的结构上所执行的电镀工艺。然而，假使利用无电电镀工艺、溅射或磁溅射工艺来取代电镀工艺时，可不在图ID的结构上沉积晶种层17。晶种层17可通过下列其中一种方式加以沉积化学汽相沉积(CVD，chemicalvapord印osition)、金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、物理汽相沉积(PVD，physicalvapord印osition)、原子层沉积(ALD，atomiclayerd印osition)、或蒸发。接着，如图IF所示，在图IE的结构上沉积金属层19，以覆盖台面12并且填满沟渠11。虽然附图仅显示一层金属层19，但金属层19可具有单层或多层结构。金属层19可包括下列其中之一铜、镍、金、铝、铬、钼、锌、或其合金。金属层19可通过下列方式加以沉积溅射、物理汽相沉积、化学汽相沉积、等离子增强化学汽相沉积(PECVD,plasmaenhancedchemicalvapordeposition)、蒸发-电子束、蒸发-离子束沉积、电沉积、无电沉积、等离子喷涂(plasmaspray)、喷墨沉积(injetexposition)。接着，如图IG所示，移除衬底1而露出η型III族氮化物半导体层3的第二表面3b。可利用干式刻蚀技术、化学移除技术、化学机械研磨技术、或激光剥除(LLO，laserlift-off)技术来进行衬底1的移除。最后，如图IH所示，在η型III族氮化物半导体层3的第二表面3b上形成η型电极21。η型电极21具有单层或多层结构。η型电极21的单层或多层结构可包括下列其中之一镍、铬、钼、金、钛、钽、氮化钽、铜、锡、锌、钨、钼、铝、银、或其组合。可通过下列方法形成η型电极21蒸发、溅射、电镀、无电电镀、涂布、或印刷。此外，在形成η型电极21之前，于约20°C至约150°C的温度下，以例如包括硫酸以及盐酸至少其中之一的酸性液体对η型III族氮化物半导体层3的表面进行清理，藉以移除位于此表面上的残余金属，然后再使用例如丙酮及/或异丙醇等等的有机溶剂来移除此表面上的油脂或其他污染物。此外，在沉积反射金属层13之前，可对原位形成层9的表面进行清理，以降低ρ侧接触电阻，即可在温度范围为约20°C至约150°C的情况下，通过酸性或碱性液体来执行此清理步骤，以移除位于原位形成层9的表面上的氧化物，例如Ga2O3等等，藉以降低ρ侧接触电阻。此酸性液体可为盐酸、硝盐酸(aquaregia)以及过氧硫酸(piranha)至少其中之一；而此碱性液体可为氨水以及过氧氨水至少其中之一。在使用上述化学品清理原位形成层9的表面之后，以例如丙酮及/或异丙醇等等的有机溶剂来移除原位形成层9的表面上的油脂或其他污染物。此外，为了增加发光二极管的光取出，可将η型III族氮化物半导体层3的第二表面3b进行粗糙化，以使第二表面3b形成无次序(non-ordered)蚀纹型态。此种粗糙化可通过光电化学(PEC，photoelectrochemical)氧化与刻蚀处理而达成。图2显示依照本发明的一实施例的光电化学氧化与刻蚀设备100。光电化学氧化与刻蚀设备100包括照明系统110、电偏压系统120、以及电解质溶液系统130。如图2所示，发光二极管晶片50被放置在位于容器140中的载台150上，且通过夹具160加以固定，并且使发光二极管晶片50完全浸入电解质溶液系统130中，然后启动照明系统110以及电偏压系统120，以执行光电化学氧化与刻蚀处理。照明系统110可具有介于可见光与紫外光光谱之间的波长范围。在本发明的实施例中，照明系统110为具有从可见光分布至紫外光的波长范围的Xe或Hg弧光灯。电偏压系统120可用以施加电偏压，并且将电压值控制在-5V与+5V之间，以促进光电化学氧化与刻蚀处理的进行。电解质溶液系统130可包括氧化剂与酸性溶液或碱性溶液的组合，其中氧化剂可包括氏02、K2S2O8其中之一或其组合；酸性溶液可包括H2S04、HF、HC1、H3P04、HN03、以及CH3COOH其中之一或其组合；以及碱性溶液可包括Κ0Η、NaOH,以及NH4OH其中之一或其组合。图3显示依照本发明的一实施例的已粗糙化的发光二极管晶片50的部分概略横剖面图。如图3所示，在发光二极管晶片50经过光电化学氧化与刻蚀处理之后，η型III族氮化物半导体层3的第二表面3b可呈现出无次序蚀纹型态。再者，相较于与反射金属层接合的已知p-GaN，由于本发明的发光二极管系使用包括例如镁(Mg)、锌(Zn)、铝(Al)、铟(In)、镓(Ga)、碳(C)、硅(Si)、以及铍(Be)至少其中之一的原位形成层，所以可改善反射金属层与P型III族氮化物半导体层之间的附着性以及接触电阻。表1显示在不同回火条件下，已知p_GaN(结构A)以及本发明的原位形成层(结构B)的剥离测试结果，此结果可显示出已知P-GaN(结构A)以及本发明的原位形成层(结构B)分别与反射金属层之间的附着性。表1的结构A是通过以下程序而形成在于其上具有外延结构的2时晶片上，直接以电子束将Ag蒸发在此外延结构的p-GaN层上而形成反射金属层，然后进行回火，并且执行剥离测试；而表1的结构B系通过以下程序而形成在于其上具有外延结构的2时晶片上，通过金属有机化学汽相沉积法，以955°CX60秒的沉积条件，于此外延结构的P-GaN层上沉积镁(Mg)原位形成层，然后依序以过氧硫酸以及盐酸对原位形成层的表面进行清理，接着依序使用丙酮以及异丙醇对原位形成层的表面进行清理，并且通过电子束将Ag蒸发在镁原位形成层上而形成反射金属层，然后进行回火，并且执行剥离测试。剥离测试的方法为利用切割器将反射金属层的表面进行等分割，将标准粘性胶带贴附于反射金属层的表面，然后撕下胶带并且观察反射金属层表面的剥离情形。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>由表1的测试结果可知，相较于已知p-GaN，本发明的原位形成层可对反射金属层提供较佳的附着性。虽然本发明已参考其示范实施例来进行说明，但本发明并不限于这些示范实施例。本领域的技术人员可了解在不离开本发明的权利要求所界定的精神与范围的情形下，可进行各种修改、变化、以及等效替代。因此，此种修改、变化、以及等效替代皆属于在本发明的权利要求所界定的范围内。权利要求一种具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤在一衬底上沉积一或多层n型III族氮化物半导体层，其中所述一或多层n型III族氮化物半导体层具有一第一表面以及一第二表面；在所述一或多层n型III族氮化物半导体层的第一表面上沉积一或多层III族氮化物活化层；在所述一或多层III族氮化物活化层上沉积一或多层p型III族氮化物半导体层；在所述一或多层p型III族氮化物半导体层上形成一原位形成层；及在所述原位形成层上沉积一或多层反射金属层。2.如权利要求1所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法更包括在所述一或多层反射金属层上沉积一或多层金属层；移除所述衬底；及在所述n型III族氮化物半导体层的第二表面上形成一或多层n型电极。3.如权利要求1所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述n型III族氮化物半导体层包括下列至少其中之一n-GaN、n_InGaN、n_AlGaN、以及n-AlInGaN和/或所述p型III族氮化物半导体层包括下列至少其中之一p_GaN、p-AlGaN、p-AlGalnN、以及p-AIN。4.如权利要求1所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述III族氮化物活化层为InGaN/GaN层、AlInGaN/AlGaN层、或AlInGaN/GaN层。5.如权利要求1所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述反射金属层包括下列至少其中之一银、金、铝、或其合金。6.如权利要求1所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述原位形成层包括下列至少其中之一镁、锌、铝、铟、镓、碳、硅、以及铍。7.如权利要求2所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法更包括将所述n型III族氮化物半导体层的第二表面进行粗糙化，以使所述第二表面形成无次序蚀纹型态。8.如权利要求1或2所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化铝或砷化镓。9.如权利要求2所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述一或多层金属层包括铜、镍、金、铝、铬、钼、锌、或其合金。10.如权利要求1所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，在沉积所述反射金属层之前，对所述原位形成层的表面进行清理。11.如权利要求9所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，在温度范围为约20°C至约150°C的情况下，通过一酸性或碱性液体执行所述清理步骤。12.如权利要求11所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述酸性液体为盐酸、硝盐酸以及过氧硫酸至少其中之一；而所述碱性液体为氨水以及过氧氨水至少其中之一。13.如权利要求1所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，在形成所述原位形成层之后并且在沉积所述反射金属层之前，形成多个沟渠以界定出一或多个台面，然后在所述原位形成层上沉积所述反射金属层。14.如权利要求1所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，在所述原位形成层上沉积所述反射金属层之后，形成多个沟渠以界定出一或多个台面。15.如权利要求2所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，在形成所述原位形成层之后并且在沉积所述反射金属层之前，形成多个沟渠以界定出一或多个台面，然后在所述原位形成层上沉积所述反射金属层。16.如权利要求2所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，在所述原位形成层上沉积所述反射金属层之后，形成多个沟渠以界定出一或多个台面。17.如权利要求13至16中任一权利要求所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法更包括沉积一或多层非导电层，以覆盖于其上具有所述反射金属层的所述台面，并且部分移除所述非导电层，以露出所述反射金属层的表面。18.如权利要求17所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述非导电层包括下列其中之一二氧化硅、氮化硅、类钻石薄膜、非导电性金属氧化物材料、聚合物材料、以及陶瓷材料。19.如权利要求15或16所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法更包括在所述一或多层金属层与所述反射金属层以及所述非导电层之间沉积一晶种层。20.如权利要求19所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述一或多层金属层覆盖所述台面并且填满所述沟渠。21.如权利要求15或16所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述一或多层金属层覆盖所述台面并且填满所述沟渠。22.如权利要求19所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述晶种层包括下列其中之一铜、钨、金、镍、铬、钯、钼或其合金。23.如权利要求1或2所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述原位形成层系通过下列其中一种方法而形成金属有机化学汽相沉积、分子束外延或汽相外延。24.如权利要求23所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述原位形成层的形成时间系介于约5秒与约300秒之间，而所述原位形成层的形成温度系介于约700°C与约1100°C之间。25.如权利要求1所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，在沉积所述反射金属层之后，执行一回火处理，以增加所述反射金属层与所述原位形成层之间的附着性，而所述回火处理的温度范围为约250°C至约600°C。26.如权利要求2所述的具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管的制造方法，其特征在于，在形成所述n型电极之前，于约20°C至约150°C的温度下，以一酸性液体对所述n型III族氮化物半导体层的表面进行清理，藉以移除所述表面上的残余金属，然后再使用丙酮及/或异丙醇移除所述表面上的油脂或其他污染物。27.—种III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括一或多层n型III族氮化物半导体层，具有一第一表面以及一第二表面；一或多层III族氮化物活化层，设置在所述一或多层n型III族氮化物半导体层的第一表面上；一或多层P型III族氮化物半导体层，设置在所述一或多层III族氮化物活化层上；一原位形成层，原位形成在所述一或多层P型III族氮化物半导体层上；及一或多层反射金属层，设置在所述原位形成层上。28.如权利要求27所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述发光二极管更包括一或多层金属层，设置在所述反射金属层上；及一或多层n型电极，设置在所述n型III族氮化物半导体层的第二表面上。29.如权利要求27所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述n型III族氮化物半导体层包括下列至少其中之一n-GaN、n-InGaN、n-AlGaN、以及n-AlInGaN和/或所述P型III族氮化物半导体层包括下列至少其中之一p-GaN、p-AlGaN、p-AlGalnN、以及p-AIN。30.如权利要求27所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述III族氮化物活化层为InGaN/GaN层、AlInGaN/AlGaN层、或AlInGaN/GaN层。31.如权利要求27所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述反射金属层包括下列至少其中之一银、金、铝、或其合金。32.如权利要求27所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述原位形成层包括下列至少其中之一镁、锌、铝、铟、镓、碳、硅、以及铍。33.如权利要求28所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述n型III族氮化物半导体层的第二表面为无次序蚀纹型态的粗糙表面。34.如权利要求28所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述一或多层金属层包括铜、镍、金、铝、铬、钼、锌、或其合金。35.如权利要求27或28所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化铝或砷化镓。全文摘要本发明关于一种具有反射与低阻抗接触电极的发光二极管及其制造方法。所述方法包括在一衬底上沉积一或多层n型III族氮化物半导体层，其中所述一或多层n型III族氮化物半导体层具有一第一表面以及一第二表面；在所述一或多层n型III族氮化物半导体层的第一表面上沉积一或多层III族氮化物活化层；在所述一或多层III族氮化物活化层上沉积一或多层p型III族氮化物半导体层；在所述一或多层p型III族氮化物半导体层上沉积一原位(in-situ)形成层；在所述原位形成层上沉积一或多层反射金属层。本发明还关于一种III族氮化物发光二极管。文档编号H01L33/00GK101834239SQ20091013205公开日2010年9月15日申请日期2009年4月15日优先权日2009年4月15日发明者刘文煌,单立伟,朱俊宜,段忠,陈长安申请人:旭明光电股份有限公司