专利名称：碲化镉薄膜太阳电池的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种碲化镉薄膜太阳电池。
背景技术：
现有的碲化镉太阳电池是在导电玻璃基础上依次涂覆硫化镉、碲化镉、铜、碲化锌 和镍层来实现的。这种结构的电池存在一定的缺点l环境稳定性很差，长期使用会有功率 衰减2产品生产成本高。
发明内容
本发明的目的就是为了解决上述问题，提供一种具有结构简单，制作成本低，使用
寿命长等优点的碲化镉薄膜太阳电池。 为实现上述目的，本发明采用如下技术方案 —种碲化镉薄膜太阳电池，它包括导电玻璃，在导电玻璃上依次涂覆硫化镉层和
碲化镉层，所述碲化镉层上依次设有铬层、钼层和铝层。硫化镉层厚度为50-500nm。 碲化镉层厚度为1-10微米。 铬层厚度为5-500nm。 钼层厚度为5-500nm。铝层厚度为5-500nm。 本发明的有益效果是1环境稳定性好，长期使用没有功率衰减；2产品生产成本 低。
图1为本发明的结构示意图。 其中，l.导电玻璃，2.硫化镉层，3.碲化镉层，4.铬层，5.钼层，6.铝层。
具体实施例方式
下面结合附图与实施例对本发明做进一步说明。
实施例1 : 图1中碲化镉薄膜太阳电池包括导电玻璃l，在导电玻璃1上依次涂覆硫化镉层
2、碲化镉层3、铬层4、钼层5和铝层。其中， 硫化镉层厚度为50nm。 碲化镉层厚度为1微米。 铬层厚度为5nm。 钼层厚度为5nm。 铝层厚度为5nm。
实施例2 : 在本实施例中， 硫化镉层厚度为100nm。 碲化镉层厚度为3微米。 铬层厚度为100nm。 钼层厚度为100nm。 铝层厚度为100nm。 其余结构与实施例1相同，不再赘述。 实施例3 : 在本实施例中， 硫化镉层厚度为200nm。 碲化镉层厚度为4微米。 铬层厚度为200nm。 钼层厚度为200nm。 铝层厚度为200nm。 其余结构与实施例1相同，不再赘述。 实施例4 : 在本实施例中， 硫化镉层厚度为300nm。 碲化镉层厚度为5微米。 铬层厚度为300nm。 钼层厚度为300nm。 铝层厚度为300nm。 其余结构与实施例1相同，不再赘述。 实施例5 : 在本实施例中， 硫化镉层厚度为400nm。 碲化镉层厚度为8微米。 铬层厚度为400nm。 钼层厚度为400nm。 铝层厚度为400nm。 其余结构与实施例1相同，不再赘述。 实施例6 : 在本实施例中， 硫化镉层厚度为500nm。 碲化镉层厚度为10微米。 铬层厚度为500nm。 钼层厚度为500nm。 铝层厚度为500nm。
权利要求
一种碲化镉薄膜太阳电池，它包括导电玻璃，在导电玻璃上依次涂覆硫化镉层和碲化镉层，其特征是，所述碲化镉层上依次设有铬层、钼层和铝层。
2. 如权利要求l所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征是，所述硫化镉层厚度为 50-500nm。
3. 如权利要求l所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征是，所述碲化镉层厚度为1-10微米。
4. 如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征是，所述铬层厚度为5-500nm。
5. 如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征是，所述钼层厚度为5-500nm。
6. 如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征是，所述铝层厚度为5-500nm。
全文摘要
本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳电池。它具有结构简单，制作成本低，使用寿命长等优点，其结构为它包括导电玻璃，在导电玻璃上依次涂覆硫化镉层和碲化镉层，所述碲化镉层上依次设有铬层、钼层和铝层。
文档编号H01L31/0216GK101697362SQ200910209308
公开日2010年4月21日 申请日期2009年10月29日 优先权日2009年10月29日
发明者李青海, 王景义, 王步峰 申请人:润峰电力有限公司;