专利名称：分子离子的离子植入技术的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种离子植入，且特别是有关于一种分子离子的离子植入技术。
背景技术：
离子植入(ion implantation)是一种利用荷能离子直接轰击(bombardment)基板来将化学物种沉积到此基板中的过程。在半导体制造过程中，离子植入机主要是用在改变目标材料的导电类型与导电程度的掺杂制程中。集成电路(integrated circuit, IC)基板中的精确掺杂轮廓及其薄膜结构对于适当的集成电路性能而言通常是至关重要的。要得到想要的掺杂轮廓，可按不同的剂量和不同的能阶(energy level)来植入一种或多种离子物种。此外，离子植入是目前最常用来将改变导电性的杂质引进半导体晶圆 (semiconductor wafers)的技术。在这种离子植入过程中，在离子源中离子化(ionized) 想要的杂质材料，所产生的离子经加速以形成具有指定能量的离子束，且此离子束射向半导体晶圆的表面。离子束中的高能离子渗透到半导体晶圆的半导体材料中，且嵌入到半导体材料的晶格(crystalline lattice)中，以形成具有想要的导电性的区域。在离子源中，气体或固体材料通常被转化成离子束。此离子束通常经质量分析 (mass analyzed)以剔除不想要的离子物种，且被加速到想要的能量，并射向半导体晶圆表面。藉由离子束扫描、晶圆移动或者藉由离子束扫描与晶圆移动的结合，离子束可散布在半导体晶圆表面区域上。离子束可以是具有长尺寸与短尺寸的点束(spot beam)或带状束。碳可用作与另一种预非晶化植入(pre-amorphization implant, PAI)物种(诸如锗、硼等)一起使用的共同植入(co-implant)物种。此概念是要将碳放置在浅掺质 (shallow dopant)与预非晶化植入物种所造成的末端(end-of-range，E0R)损伤之间。置换型碳(substitutional carbon)可阻塞退火制程中由末端产生的空隙(interstitial)， 否则这些间隙会造成暂态加速扩散(transient enhanced diffusion, TED)以及硼空隙簇集(boron interstitial cluster,BIC)的形成。然而，碳的位置通常与预非晶化植入物种的位置重叠，所以碳植入本身可对预非晶化植入起到促进作用。因此，碳本身也可用作预非晶化植入物种。碳也可用来产生局部压缩应力(compressive strain)。因此，若电晶体元件的源极/漏极(source/drain)是利用碳化硅(SiC)来形成，则碳植入会在电晶体元件的通道 (channel)中造成拉伸应力(tensile strain)。藉由幕晶生长(epitaxial growth)将碳并入电晶体元件的硅晶格中，或者是将高剂量的碳植入到硅晶格中都会造成非晶化。而且， 在再生长(regrow)过程中，碳可能会并入硅晶格中，而造成非晶化。因此，非晶化与应力都是半导体制造商所考量的重要因子。因此，鉴于上述原因，容易理解的是，目前的离子植入技术(特别是植入分子离子的离子植入技术)仍存在重大的问题与缺点。
发明内容
本发明揭示了一种分子离子的离子植入技术。在一特定实施例中，此离子植入技术可实现为一种离子植入装置，此离子植入装置包括离子植入机，用来在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中，以加强目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中分子离子可在离子源内原位(in-situ)产生。依照本特定实施例的其他观点，分子离子可利用两种或多种物种来产生。依照本特定实施例的另一些观点，分子离子可以是CaPbH。分子离子。依照本特定实施例的额外观点，分子离子可利用含碳物种与含磷物种来产生。依照本特定实施例的其他观点，含碳物种可以是乙烷及/或分子碳、烷烃与烯烃至少其中之一。依照本特定实施例的另一些观点，其中含磷物种可以是磷化氢。依照本特定实施例的额外观点，对目标材料进行植入可产生应力，且在目标材料中形成超浅接面(ultra-shallow junction，USJ)。依照本特定实施例的其他观点，离子植入机可更控制剂量、剂量率、含碳物种中的原子数量、原子能量、压力以及预定的温度至少其中之一，以进一步加强应力与非晶化至少其中之一。在另一特定实施例中，离子植入技术可实现为一种离子植入方法，此离子植入方法包括离子植入机在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中，以加强目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中分子离子可在离子源内原位产生。在又一特定实施例中，离子植入技术可实现为一种离子植入装置，此离子植入装置包括离子植入机，用来在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中，以加强目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中分子离子是利用含碳物种与含磷物种在离子源内原位产生的。现将参考如附图所示的本发明的示范性实施例更详细描述本发明。虽然下文参考示范性实施例描述本发明，但应了解，本发明不限于此。得到本文的教示的所属领域的一般技术人员将认识到额外实施方案、修改和实施例以及其它使用领域，其在如本文描述的本发明范围内且本发明相对于其可具有显著效用。
为了促进更完全理解本发明，现参看附图，其中以相同标号参考相同元件。这些图式不应解释为限制本发明，而是希望仅为示范性的。图1显示为依照本发明的一实施例的一种等离子体掺杂系统的局部剖面图。图2显示为依照本发明的一实施例的一种束线式离子植入机。图3显示为依照本发明的一实施例，利用分子离子来进行离子植入的例示性效果曲线图。
具体实施例方式本发明的实施例提供分子离子的离子植入技术。作为这类离子植入技术的一部分，或者与这类离子植入技术有关的是，分子离子可被植入到诸如(例如)半导体晶圆的工件中。这些分子离子可以具有多种化学式。因此， 在本说明书所提出的化学式中，C代表碳、B代表硼、H代表氢、P代表磷以及Si代表硅。在一些实施例中，化学式可用CaXbY。来表示，其中a>0，b>0且c>0。在此例中，CaXbYc可代表分子离子。在其他实施例中，X与Y可用来代表至少一种元素。例如，在有些情形下， X及/或Y可代表单个元素(例如，X = P，Y = H)；以及，在其他情形下，X及/或Y可代表一个以上的元素(例如，X = NH4、NH3、CH3)。此外，值得注意的是，例如，化学式(诸如CXY) 可用包含相同元素但次序不同的其他等效化学式(诸如XCY或CYX)来表示。在有些情形下，Y可至少代表氢(例如，化学式包括CaXbH。)。在其他情形下，X可至少代表磷(例如，化学式包括CaPbY。)。值得注意的是，在其他实施例中，可使用CaXbY。的衍生物，这些衍生物在C、X及/或Y的位置处包含其他元素或元素的群组。还应注意的是， 取代物可以是任何适当的无机物种或有机物种。虽然一实施例中可使用化学式CaPbH。，但是也可提供其他各种实施例。例如，值得注意的是，分子原子/离子可不仅仅局限于化学式为CBY或XBY的分子。例如，分子原子/ 离子可以是含碳物种，诸如癸硼烷(decaborane)或十八硼烷(octadecaborane)。其他含碳物种可包括烷烃(诸如甲烷、乙烷、丙烷或丁烷)或芘(pyrene)。也可提供其他各种实施例。图1显示为依照本发明的一实施例的一种等离子体掺杂系统(plasma doping system) 100。请参照图1，此等离子体掺杂系统100可包括处理室102，其界定一封闭体积 103。处理室102中可设置一平台134，用来支撑工件138。在一实施例中，工件138可以是磁碟形的半导体晶圆。举例来说，可使用直径为300毫米(mm)的硅晶圆。在另一实施例中， 可通过静电力或机械力来将工件138夹持在平台134的平坦表面上。在又一实施例中，平台1；34可包括导电销(conductive pins)(未显示)，以连接平台1；34与工件138。也可提供其他各种实施例。等离子体掺杂系统100也可包括气体源104，通过质量流量控制器(mass flow controller, MFC) 106来提供掺质气体到封闭体积103中。处理室102中可设置一气体挡板170，使来自气体源104的气流发生偏转。压力计108是用来测量处理室102内的压力。 真空泵(vacuum pump) 112可用来通过处理室102中的排气口 110对处理室102进行排气。 排气阀114可通过排气口 110来控制排气操作。等离子体掺杂系统100可还包括气体压力控制器116，此气体压力控制器116可电性连接至质量流量控制器106、压力计108以及排气阀114。气体压力控制器116可经配置以在回应于压力计108的反馈回路中利用排气阀114来控制排气操作或利用质量流量控制器106来控制处理气流量率，藉此使处理室102中维持想要的压力。处理室102可具有处理室顶部118，其包括用介电材料来形成的第一部分120，此第一部分120是沿着大致水平方向而延伸。处理室顶部118也可包括以介电材料形成的第二部分122，此第二部分122从第一部分120沿着大致垂直方向而延伸至一定高度。处理室顶部118可还包括用导电导热材料来形成的盖子124，它沿着水平方向横跨第二部分122 而延伸。盖子1 也可接地。 等离子体掺杂系统100可还包括源配置101，其经配置以在处理室102内产生等离子体140。此源配置101可包括射频(Radio Frequency, RF)源150 (诸如电源供应器)，用来供应射频电源给平面射频天线126与螺旋射频天线146之一或两者以产生等离子体140。 射频源150可通过阻抗匹配网络(impedance matching network) 152来耦接至天线126、 146。在一实施例中，为了使射频源150提供给射频天线126、146的电力能达到最大化，阻抗匹配网络152可将射频源150的输出阻抗与射频天线126、146的阻抗进行匹配。也可提供其他各种组态。等离子体掺杂系统100也可包括偏压电源供应器(power supply, PS) 148，此偏压电源供应器148电性耦接至平台134。在一实施例中，此偏压电源供应器148可经配置以提供具有脉冲开启(ON)与关闭(OFF)时间周期的脉冲式平台信号，以对平台134施加偏压，以及进而对工件138施加偏压，如此一来，在脉冲开启时间周期期间，离子会从等离子体140加速至工件138，而在脉冲关闭时间周期期间，离子则不会加速至工件138。偏压电源供应器148可以是直流(direct current, DC)电源供应器，或者是射频电源供应器。也可使用其他变体。等离子体掺杂系统100可还包括遮蔽环(shield ring) 194，其环绕着平台1；34而配置。此遮蔽环194可被施加偏压，以提高工件138的边缘附近的离子植入分布均勻度 (uniformity)。此遮蔽环194中可设置一个或多个法拉第感测器(Faraday sensors)(诸如环形法拉第感测器199)，以感测离子束电流。等离子体掺杂系统100可还包括控制器156与使用者界面系统158。在一实施例中，控制器156可以是经程序化以执行想要的输入/输出功能的一般功能电脑或一般功能电脑的网络。在另一实施例中，控制器156可包括或也包括其他电子电路或元件(诸如特殊应用的集成电路(application-specific integrated circuits))、其他固线式或可程序化电子装置、离散元件电路等。在又一实施例中，控制器156可包括或也包括通讯元件、 资料储存元件以及软件。值得注意的是，虽然图1的控制器156是显示为提供输出信号给电源供应器148，150，以及接收来自法拉第感测器199的输入信号，但是控制器156也可提供输出信号给等离子体掺杂系统100的其他元件，以及接收来自等离子体掺杂系统100的其他元件的输入信号。也可提供其他各种实施例。使用者界面系统158可包括让使用者能够输入指令及/或资料及/或藉由控制器 156来监控等离子体掺杂系统100的各种装置。这些装置可包括触摸荧幕、键盘、使用者指向装置、显示器、打印机等。也可使用其他各种装置。操作时，气体源104可供应主要掺质气体，其含有想要植入到工件138中的掺质。 可使用的主要掺质气体有很多种。例如，在一实施例中，主要掺质气体可以是硅、碳、氮、锗、 锡、铝、镁、银、金或其组合。在另一实施例中，主要掺质气体也可以是(或也可包括)砷、硼、 磷、碳硼烷C2BltlH12或其他大分子化合物。在又一实施例中，主要掺质气体可以是烷烃或另一种原子含碳物种或分子含碳物种。也可提供其他各种主要掺质气体实施例。气体压力控制器116可调节将主要掺质气体供应到处理室102的速率。可操作源配置101，以在处理室102内产生等离子体140。可用控制器156来控制源配置101。要产生等离子体140，射频源150可使射频天线1沈、146至少其中之一的射频电流发生谐振 (resonate)，以在处理室102中产生电磁场(例如，振荡场、直流场或射频场)，进而可在处理室102中激发并离子化主要掺质气体以产生等离子体140。偏压电源供应器148可提供脉冲式平台信号，以对平台134施加偏压，并进而对工件138施加偏压，如此一来，在脉冲式平台信号的脉冲开启周期期间，来自等离子体140的离子能够加速至工件138。可选择脉冲式平台信号的频率及/或工作周期(duty cycle), 以提供想要的剂量率。可选择脉冲式平台信号的振幅，以提供想要的能量。在所有其他参数都相同的条件下，较大的能量能造成较深的植入深度。图2显示为依照本发明的一实施例的一种束线式离子植入机200。请参照图2，此束线式离子植入机200可包括离子源观0，用来产生形成离子束281的离子。离子源280可包括离子室观3与气体盒(未显示)，其中气体盒用以容纳将被离子化的气体。此气体可被供应到离子室观3以进行离子化。在一实施例中，此气体可以是或可包括砷、硼、磷、碳硼烷C2BltlH12或其他分子化合物。在另一实施例中，此气体可以是烷烃或其他的原子含碳物种或分子含碳物种。在离子室观3中产生的离子可从离子室观3中被萃取出来以形成离子束 281。离子束281会被导引至解析磁铁282的磁极之间。一电源供应器可连接至离子源观0的萃取电极(未显示)，且可提供可调电压。例如，在高电流离子植入机中可提供约 0. 2至80kV的电压。因此，来自离子源观0的单一带电离子可藉由这种可调电压而加速到约0. 2至80keV的能量。离子束281可穿过抑制电极观4与接地电极285而到达质量分析器观6。如图2 所示，质量分析器286可包括解析磁铁观2。质量分析器286可导引离子束281前往具有解析孔径观9的遮罩电极(masking electrode) 2880在另一实施例中，质量分析器286可包括解析磁铁282与具有解析孔径观9的遮罩电极观8。解析磁铁282可使离子束中的离子发生偏转，以使得想要的离子物种的离子可穿过解析孔径观9，而不想要的离子物种的离子则无法穿过解析孔径观9。相反地，不想要的离子物种会被遮罩电极288挡住。在一实施例中，解析磁铁282例如是将想要的离子物种的离子偏转约90°。想要的离子物种的离子可穿过解析孔径289而到达角度修正磁铁四4。然后， 此角度修正磁铁294可使想要的离子物种的离子发生偏转，且将离子束从发散的离子束转变成带状离子束212，此带状离子束212所包含的离子可具有实质上平行的轨迹 (trajectories)。在一实施例中，角度修正磁铁294例如是使想要的离子物种的离子偏转约 70°。在另一实施例，束线式离子植入机200也可包括加速或减速单元。也可提供其他各种实施例。终端台211可在带状离子束212的路径中支撑一个或多个工件(诸如工件238)， 使得想要的物种的离子可植入到工件138中。终端台211可包括平台四5，用来支撑工件 238。终端台211也可包括一扫描器(未显示)，此扫描器沿着垂直于带状离子束212的横剖面的长度方向来移动工件238，从而将离子散布在工件238的整个表面上。值得注意的是， 虽然图2中是以显示带状离子束212为例，但是也可提供其他各种离子束组态，诸如(例如)点束。离子植入机200可包括额外的元件。例如，在一实施例中，终端台211也可包括自动工件处理设备，用来将工件送入到束线式离子植入机200中，以及执行完离子植入之后将工件退出。在另一实施例中，终端台211也可包括剂量测量系统、电子流枪(electron flood gun)或其他类似的元件。值得注意的是，在离子布植的过程中，整个离子束212所横跨经过的路径可处在真空状态下。此外，值得注意的是，束线式离子植入机200也可提供热离子植入或冷离子植入。本发明的实施例可提供特制类型分子的形成。例如，特制分子的原位产生可在离子源中形成。这种用于植入的特制分子原子/离子(例如，CaPbH。)的产生可增进工件的非晶化。此外，在给定的离子束能量下，由于每个分子皆含有多个碳原子，因此使用这种分子物种可增加植入的碳量。在本发明的至少一部分实施例中，植入所产生的分子离子可以造成非晶化，而本发明的离子植入技术可加强此非晶化。可调整许多参数来加强非晶化。举例来说，第一，增加离子植入剂量可使工件的非晶/晶体界面变深，从而加强非晶化。然而，由于间极诱导二极管漏电(gate-induced diode leakage,GIDL)往往与碳有关，因此必须限制这种非晶化。第二，提高离子植入剂量率也可加强非晶化，这是因为提高离子植入剂量率也可使工件的非晶/晶体界面变深。然而，其效果受限于离子源产生离子束电流的能力。第三，增加分子中的原子数量可使工件的非晶化变快且变深。因此，这与改变离子植入剂量率有异曲同工之效。分子也可根据构成分子的原子的各别质量来在这些原子当中分配总能量。例如， 在深层植入中，原子可具有高能量，且这种高能量可受到离子植入机中的磁铁使离子束发生偏转的能力的限制，或可受到有效加速电压的限制。第四，降低工件的温度可加强非晶化。虽然对于较重的物种(诸如锗)而言，温度的影响可能较小，但是降低温度可最终产生较深的非晶化和较平整的非晶/晶体界面。 最终，降低温度可使再生长(诸如固相磊晶再生长(solid phase epitaxial regrowth, SPER))之后的损伤减小。值得注意的是，举例来说，可使用乙烷(C2H6)利用上述方法中的多个方法来加强非晶化。例如，可在标准离子源(例如，间接热阴极(indirectly heated cathode, IHC)) 中用简单的前体物(precursors)(例如，乙烷、丙烷等)来产生乙烷。在一些实施例中，在低温下使用乙烷可加强非晶化。在其他实施例中，使磷化氢(PH3)或其他类似的物种流入到标准离子源中有助于分子离子(诸如CaPbH。)的原位产生。CaPbH。分子离子的产生与植入可加强非晶化与应力的形成，从而提高离子植入的产量。虽然实施例是以使用乙烷与磷化氢为例，但是也可使用类似于乙烷的其他含碳物种及/或类似于磷化氢的其他含磷物种。如上文所述，在半导体制造中可使用含碳物种与含磷物种。具体地说，以在互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor, CMOS)元件的制程中形成超浅接面与Si-C应力而言，使用含碳物种(例如，乙烷)与含磷物种(例如，磷化氢)来原位产生分子原子(例如，CaPbH。分子原子)的好处显而易见。例如，iCaPbH。分子离子撞击工件的表面时，CaPbH。分子离子可提高碳原子从晶格表面置换硅原子的效率。这可进一步提高(^\氏分子离子产生置换型碳的效率及其进行自行非晶化能力，其中置换型碳可造成应力。在 η 型金属氧化物半导体(η-type metal-oxide-semiconductor, NM0S)元件的制造中，在形成Si-C之后可执行磷、砷或其他类似元素的植入。此外，η型金属氧化物半导体的源极/漏极延伸区(source/drain extensions, SDEs)可将碳与磷并入作为活性掺质 (active dopant)。在此情形下，碳可阻碍掺质扩散，而磷可以是活性掺质。如此一来，藉由
8使(例如)乙烷与磷化氢流入间接热阴极，可在离子室183383内产生CaPbHe分子离子，并进行原位离子化。图3显示为依照本发明的一实施例，利用分子离子来进行离子植入的例示性效果曲线图300，其中分子离子是以含碳物种与含磷物种原位产生的。详言的，图3显示为使用乙烷作为含碳物种以及使用磷化氢作为含磷物种在离子源内形成CaPbH。分子离子，如上所述，CaPbHc分子离子可加强非晶化，且产生最适合离子植入的大致陡峭轮廓。因此，原位产生的CaPbH。分子离子(其藉由使各个物种(例如，含碳物种与含磷物种)流入而产生)的植入可提供一种产生用于离子植入的特制分子的模板。例如，藉由原位产生这种分子，可提供一种更高效的离子植入模型。例如，原位产生分子减少了离子植入中的多个步骤。此外，结合非传统物种与结合其他技术可以加强总体离子植入，而提供额外的益处。例如，原位产生的CaPbH。分子离子(其藉由使含碳物种与含磷物种流入而产生) 的植入可同时改善超浅植入与应力工程。此外，可执行CaPbH。分子离子的植入来形成超浅接面。以植入超浅接面而言，可对工件进行非晶化，以避免掺质(例如，硼、磷等)在工件的晶格内穿隧。可植入碳来形成非晶层。例如，使含碳物种与含磷物种流入可原位产生CaPbH。 分子离子，以提供被较佳活化的硼或磷。这些物种可使掺质轮廓变得更浅，且防止在工件的晶格内穿隧。具体地说，碳可与硼或磷竞争活性位点(activation site)，从而抑制硼或磷的扩散。值得注意的是，虽然仅描述了一个例子，但是可按照相同方式藉由CaPbH。分子离子的植入来执行其他超浅植入。此外，可执行分子离子(例如，CaPbHc分子离子)的植入来产生应力。植入到工件中以产生应力的碳可从工件的晶格中击出原子。例如，硅原子或锗原子可从这种晶格中被击出。如果含碳物种是具有多个碳原子的分子化合物，那么可增加碳原子从工件的晶格中击出原子的机率。因此，引入含碳物种与含磷物种来产生CaPbH。分子离子可加强非晶化与应力。因此，在上述条件下植入CaPbH。分子离子可实质上加强非晶化与应力的效果，且优化离子植入，特别是在形成超浅接面时更是如此。还要注意的是，虽然本发明的实施例是以使用射频模式的等离子体掺杂系统来执行植入为例，但是也可提供其他实施方式、系统及/或工作模式。例如，可包括其他以等离子体为主的离子植入系统，诸如辉光放电式等离子体掺杂(glow discharge plasma doping,⑶-PLAD)系统或其他离子植入系统。还要注意的是，虽然本发明的实施例是以在离子源原位产生分子离子(例如， CaPbH。分子离子)为例，但是也可在离子源以外的其他地方产生分子离子。也可提供其他各种实施例。还要注意的是，虽然本发明的实施例是以使用含碳物种与含磷物种来产生分子离子为例，但是也可提供其他类似的植入物种。更要注意的是，所揭示的实施例不仅提供多种操作模式，而且这些操作模式也可提供通常未提供的其他自定义(customizations)植入。本发明不应由于本文描述的特定实施例而在范围上受到限制。事实上，所属领域的一般技术人员从以上描述内容和附图中将了解(除本文描述的那些外)本发明的其它各种实施例和对本发明的修改。因此，此类其它实施例和修改希望落在本发明的范围内。此外，尽管本文已出于特定目的在特定环境中的特定实施方案的上下文中描述本发明，但所属领域的一般技术人员将了解，其有用性不限于此，且本发明可有益地出于任何数目的目的在任何数目的环境中实施。因此，所附权利要求书应根据如本文描述的本发明的完全广度和精神来解释。
权利要求
1.一种离子植入方法，所述方法包括在预定的温度下，将分子离子植入到目标材料中，以加强所述目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中所述分子离子是在离子源内原位产生的。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述分子离子是利用两种或多种物种来产生的。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述分子离子是指CaPbH。分子离子。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述分子离子是利用含碳物种与含磷物种来产生的。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述含碳物种是乙烷。
6.如权利要求4所述的方法，其中所述含碳物种是分子碳、烷烃以及烯烃至少其中之ο
7.如权利要求4所述的方法，其中所述含磷物种是磷化氢。
8.如权利要求1所述的方法，其中对所述目标材料进行的植入会产生应力，且在所述目标材料中形成超浅接面。
9.如权利要求1所述的方法，还包括对剂量、剂量率、含碳物种中的原子数量、原子能量、压力以及所述预定的温度至少其中之一进行控制，以进一步加强应力与非晶化至少其中之一。
10.一种离子植入装置，所述装置包括离子植入机，在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中，以加强所述目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中所述分子离子是在离子源内原位产生的。
11.如权利要求10所述的装置，其中所述分子离子是利用两种或多种物种来产生的。
12.如权利要求10所述的装置，其中所述分子离子是指CaPbH。分子离子。
13.如权利要求1所述的装置，其中所述分子离子是利用含碳物种与含磷物种来产生的。
14.如权利要求13所述的装置，其中所述含碳物种是乙烷。
15.如权利要求13所述的装置，其中所述含碳物种是分子碳、烷烃以及烯烃至少其中之一。
16.如权利要求13所述的装置，其中所述含磷物种是磷化氢。
17.如权利要求1所述的装置，其中对所述目标材料进行的植入产生应力，且在所述目标材料中形成超浅接面。
18.如权利要求1项所述的装置，还包括对剂量、剂量率、含碳物种中的原子数量、原子能量、压力以及所述预定的温度至少其中之一进行控制，以进一步加强应力与非晶化至少其中之一。
19.一种离子植入装置，所述装置包括离子植入机，在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中，以加强所述目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中所述分子离子是利用含碳物种与含磷物种在离子源内原位产生的。全文摘要
揭示分子离子的离子植入技术。在一特定实施例中，此技术可实现为一种离子植入装置，其包括离子植入机，用来在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中，以加强此目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中分子离子是在离子源内原位产生的。
文档编号H01L21/265GK102265385SQ200980148521
公开日2011年11月30日 申请日期2009年10月6日 优先权日2008年10月8日
发明者克里斯多夫·R·汉特曼, 克里斯多福·A·罗兰德 申请人:瓦里安半导体设备公司