波长可变光源装置的制作方法

专利名称：波长可变光源装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及适用于光通信领域等的波长可变光源装置。
背景技术：
近年来的光通信网络领域中，面向不仅长距离大容量化，而且以高功能化为首的全光化通信的实现的研究开发活动正在积极进行。最近的WDM(Wavelength Division Multiplexing)系统中，信号光要求的波长间隔有从200GHz及IOOGHz向50GHz及25GHz窄 频带化的倾向，且所使用的波长数即波长不同的信号光的数也正在从数10向数100程度扩 大。因此，可动态变更输出信号光的波长和光输出强度的波长可变光源装置的作用越来越 重要。图17例示了现有的波长可变光源装置的结构。该波长可变光源装置211具备波 长可变光源212、和根据来自上位装置213的指示控制波长可变光源212的控制电路214。作为波长可变光源212的信号光振荡元件，使用通过调节元件温度来控制输出信 号光的波长的DFB (Distributed Feedback)激光器、及通过调节驱动电流来控制输出信号 光的波长的DBR(Distributed BraggReflector)激光器等半导体激光器215。波长可变光源212具备半导体激光器215、和用于控制半导体激光器215的温度的 热电冷却元件(TEC thermoelectric Coolers) 216。半导体激光器215被装载于TEC216上。 在TEC216上设置有TEC温度检测器217。在半导体激光器215的光轴上设置有将来自半导 体激光器215的输出信号光的一部分进行分支的光分支元件(BS=Beam Splitter) 218，在 BS218的分支侧光轴上设有仅透过特定波长的光的波长滤波器219和检测其透过光的受光 元件(PD =Photo Diode) 220。控制电路214具备监视半导体激光器215的驱动电流的电流监视电路221、基于 TEC温度检测器217的输出监视半导体激光器215的温度的温度监视电路222、基于PD220 的输出监视半导体激光器215的输出信号光中包含的特定波长成分的信号光的强度的输 出信号光监视电路223、基于这些监视电路221、222、223的输出，输出用于控制半导体激光 器215的驱动电流的LD驱动电流控制信号及控制半导体激光器215的温度的TEC温度控 制信号的CPU (Central Processing Unit) 224、根据LD驱动电流控制信号驱动半导体激光 器215的LD驱动电路225、根据TEC温度控制信号驱动TEC216的TEC驱动电路226。各监视电路221、222、223的输出信号分别由ADC (Analog DigitalConverter) 227、228、229转换成数字信号，并被取入CPU224。从CPU224输出的LD 驱动电流控制信号及TEC温度控制信号分别由DAC (DigitalAnalog Converter) 230,231转 换成模拟信号，并被输入LD驱动电路225及TEC驱动电路226。即，该控制电路214监视半 导体激光器215的驱动电流、温度及信号光的强度，同时以它们的值和目标值没有差值的 方式进行反馈控制，由此，控制波长可变光源212，以使输出信号光的波长为一定。但是，在 半导体激光器215为DFB激光器的情况和为DBR激光器的情况下，控制内容不同。在使用DFB激光器作为半导体激光器215的波长可变光源装置212的情况下，监视半导体激光器215的温度和信号光输出强度，且以它们的值和目标值没有差值的方式进 行决定TEC温度的指示值的反馈控制，由此，实现通过温度调节的输出信号光的波长控制。 此时，CPU224与用于温度调节的反馈控制独立，也同时进行基于电流监视电路221的输出 值将半导体激光器215的驱动电流维持在一定的反馈控制。在使用DBR激光器作为半导体激光器215的波长可变光源装置212的情况下，监视半导体激光器215的驱动电流和信号光输出强度，且以它们的值和目标值没有差值的方 式进行决定驱动电流的指示值的反馈控制，由此，实现通过电流调节的输出信号光的波长 控制。此时，CPU224与用于电流调节的反馈控制独立，也同时进行基于TEC温度检测器217 的输出值将半导体激光器215的温度维持在一定的反馈控制。下记专利文献1中记载有一种波长控制技术，将来自半导体激光器的光输入透过 特性相反的波长滤波器，检测其光信号强度，根据该检测出的光信号强度的差调节半导体 激光器的温度，由此控制输出信号光的波长。另外，下记专利文献2中记载有一种波长控制 技术，基于通过波长检测部检测的吸收波长控制外部共振部的反射面的移动量，由此控制 输出信号光的波长。专利文献1 :(日本)特开平9-219554号专利文献2 (日本)特开平11-220198号公报但是，为构建高功能的光通信网络，要求用一台波长可变光源装置可对应的波长 可变范围及波长数的增大、及输出信号光的强度可变范围的扩大。因此，需要在波长可 变光源装置的内部装载多个半导体激光器、或装载半导体光放大器(SOA Semiconductor Optical Amplifier)进行对应。另一方面，关于波长，在1550nm频带，要求0. IGHz (0. 8pm)程度的设定精度及稳定 性。另外，关于光输出强度，在IOdBm士5dB程度的范围，要求0. OldB程度的设定精度及稳定性。但是，伴随波长可变光源装置的高功能化，在波长可变光源装置内部的发热量及 散射光带给输出特性的影响变得不能忽视，产生了输出波长及光输出强度的设定精度及稳 定性劣化这样的问题。

发明内容
因此，本发明要解决的课题在于，提供一种波长可变光源装置，可变更输出信号光 的波长和强度，并且可使输出信号光的波长和强度的设定精度及稳定性提高。为解决上述课题，采用下记的技术发明。(1)一种波长可变光源装置，其具备波长可变光源，其具有波长可变半导体激光器和光放大器，所述波长可变半导体 激光器使信号光振荡，所述光放大器将所述波长可变半导体激光器的输出信号光放大；控制电路，其控制所述波长可变半导体激光器及所述光放大器，使所述波长可变 光源的输出信号光的波长及强度成为从上位装置指示的目标波长及目标强度，其特征在 于，所述控制电路具有监视用于控制所述波长可变半导体激光器及所述光放大器的动作状态的一个以上的监视电路；使所述目标波长和所述目标强度的组合与动作状态的目标值对应的参数表， 每当从上位装置指示所述目标波长及所述目标强度时，通过参照所述参数表来决 定与该指示的所述目标波长和所述目标强度的组合相对应的动作状态的目标值，且控制所 述波长可变光源，使所述监视电路的输出值收敛于所述目标值。上述那样构成的波长可变光源装置，每当从上位装置指示目标波长及目标强度 时，通过参照参数表来决定与该指示的目标波长和目标强度的组合相对应的动作状态的目 标值。而且，控制波长可变光源，使动作状态的监视值收敛于目标值。由此，可进行输出信 号光的波长和强度的变更，并且，能够确保两者的设定精度及稳定性。(2)如⑴所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述控制电路决定波长控制用的目标值及光输出强度控制用的目标值作为所述 动作状态的目标值。(3)如⑵所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述波长可变光源具有设于所述光放大器的光轴上的第一及第二光分支元件、设于第一光分支元件的分 支侧光轴上的波长滤波器、设于所述波长滤波器的射出光轴上的第一受光元件、设于第二 光分支元件的分支光轴上的第二受光元件、用于控制所述半导体激光器的温度的温度控制 器，所述波长控制用的目标值中包含所述波长可变半导体激光器的温度、所述波长可变半导体激光器的驱动电流、第 一受光元件的受光电流、第一受光元件的受光强度、第一受光元件的受光电流和第二受光 元件的受光电流之比、第一受光元件的受光强度和第二受光元件的受光强度之比中的任一 种类的监视对象的值。(4)如⑵所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述波长可变光源具有设于所述光放大器的光轴上的光分支元件、和设于所述光分支元件的分支侧光轴 上的受光元件，所述光输出强度控制用的目标值中包含所述光放大器的驱动电流、所述受光元件的受光电流、所述受光元件的受光强度 中的任一种类。(5)如⑵或(3)所述的波长可变光源装置，其特征在于，基于当时的环境温度调节波长控制用的目标值。(6)如⑵或(4)所述的波长可变光源装置，其特征在于，
基于当时的环境温度调节光输出强度控制用的目标值。(7)如(5)或(6)所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述控制电路具有监视环境温度的监视电路、使环境温度和所述动作状态的目标值的修正值对应的目标值修正表，每当从上位装置指示所述目标波长及所述目标强度时，通过参照所述参数表来决定与该指示的所述目标波长和所述目标强度的组合相对应的动作状态的目标值，同时，通 过参照所述目标值修正表来决定与当时的环境温度相对应的所述动作状态的目标值的修 正值，且控制所述波长可变光源，使基于所述监视电路的输出值的动作状态的监视值收敛 于所述修正值。(8)如⑴ (7)中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述控制电路具有用于将所述监视电路的输出值转换成数字信号的设于每个所 述监视电路的AD转换电路，与所述目标波长和所述目标强度的组合相对应，决定波长控制用的监视值转换系数和光输出强度控制用的监视值转换系数两方或任一方，且控制所述波长可变光源，使将 所述AD转换电路的输出值利用其监视值转换系数转换所得的值收敛于所述目标值。(9)如(8)所述的波长可变光源装置，其特征在于， 所述控制电路具有使所述目标波长和所述目标强度的组合与所述监视值转换系 数对应的转换系数表，每当从上位装置指示所述目标波长及所述目标强度时，通过参照所述转换系数表 来决定与该指示的所述目标波长和所述目标强度的组合相对应的监视值转换系数。(10)如⑶所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述控制电路具有使所述目标波长和所述监视值转换系数的波长依赖成分对应的波长依赖系数表、使所述目标强度和所述AD转换电路的输出值修正系数对应的修正系数表，通过参照所述波长依赖系数表来决定与所述目标波长相对应的所述监视值转换 系数的波长依赖成分，同时，通过参照所述修正系数表来决定与所述目标强度相对应的所 述输出值修正系数，将所述波长依赖成分和所述输出值修正系数相乘所得的值作为所述监视值转换 系数使用。(11)如⑶ (10)中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，基于当时的环境温度调节波长控制用的监视值转换系数和光输出强度控制用的 监视值转换系数两方或任一方。(12)如(11)所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述控制电路具有监视环境温度的监视电路、使环境温度和所述监视值转换系数对应的转换系数表，通过参照所述转换系数表来决定与当时的环境温度相对应的所述监视值转换系数。(13)如⑶ (12)中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述波长可变光源具有使信号光振荡的波长可变半导体激光器、将所述波长可变半导体激光器的输出信 号光放大的光放大器、设于所述光放大器的光轴上的第一及第二光分支元件、设于第一光 分支元件的分支侧光轴上的波长滤波器、设于所述波长滤波器的射出光轴上的第一受光元 件、设于第二光分支元件的分支光轴上的第二受光元件、用于控制所述波长可变半导体激 光器的温度的温度控制器，
所述波长控制用的监视值转换系数中包含针对所述半导体激光器的温度的转换系数、针对所述半导体激光器的驱动电流的 转换系数、针对第一受光元件的受光电流的转换系数、针对第一受光元件的受光强度的转 换系数，针对第二受光元件的受光电流的转换系数、针对第二受光元件的受光强度的转换 系数中的任一种类的值。(14)如⑶ (12)中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，
所述波长可变光源具有使信号光振荡的波长可变半导体激光器、将所述波长可变半导体激光器的输出信 号光放大的光放大器、设于所述光放大器的光轴上的光分支元件、设于所述光分支元件的 分支侧光轴上的受光元件，

所述光输出强度控制用的监视值转换系数中包含针对所述光放大器的驱动电流的转换系数、针对所述受光元件的受光电流的转换 系数、针对所述受光元件的受光强度的转换系数中的任一种类的值。(15)如(1) (14)中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述波长可变半导体激光器是通过调节其元件温度而可控制波长的半导体激光 器。
(16)如(1) (14)中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述波长可变半导体激光器是通过调节其驱动电流而可控制波长的半导体激光器。
根据本发明的波长可变光源装置，可变更输出信号光的波长和强度，并且可使输 出信号光的波长和强度的设定精度及稳定性提高。


图1是表示本发明的波长可变光源装置的结构例的框图；图2是本发明的波长可变光源装置所具备的波长可变光源的状态转移图；图3是表示本发明的波长可变光源装置的目标决定过程的一例的流程图；图4是表示本发明的波长可变光源装置在光输出OFF状态下从上位装置接收了光 输出ON命令时的处理顺序的流程图；图5是表示本发明的波长可变光源装置在光输出ON状态下从上位装置接收了波 长变更命令以及光输出强度变更命令时的处理顺序的流程图；图6是表示本发明的波长可变光源装置在光输出ON状态下从上位装置接收了光 输出强度变更命令时的处理顺序的流程图；图7是表示本发明的波长可变光源装置在光输出OFF状态下从上位装置接收了光 输出强度变更命令时的目标决定过程的处理顺序的流程图；图8是表示本发明的波长可变光源装置在光输出ON状态下从上位装置接收了光 输出OFF命令时的处理顺序的流程图；图9是表示目标决定过程的其它处理顺序的流程图；图10是表示目标决定过程的再其它处理顺序的流程图；图11是表示目标决定过程的再其它处理顺序的流程图12是表示本发明的波长可变光源装置的另一结构例的框图；图13是表示本发明的波长可变光源装置的又一结构例的框图；图14是表示本发明的波长可变光源装置的又一结构例的框图；图15是表示本发明的波长可变光源装置的又一结构例的框图；图16是表示波长可变光源的波长辨别曲线的图；图17是表示现有的波长可变光源装置的结构例的框图 。标号说明1波长可变光源装置2波长可变光源3上位装置4 控制电路5 DFB激光器(波长可变半导体激光器)6 SOA (光放大器)7 BS (光分支元件)7-1第一 BS (光分支元件)7-2第二 BS (光分支元件)8波长滤波器9 TEC (温度控制器)10 TEC温度检测器10-1 TEC温度检测器10-2 TEC温度检测器11-1 PD (受光元件)11-2 PD (受光元件)13壳体温度检测器14 LD驱动电流控制环路15 LD温度控制环路15-1第一温度控制环路15-2第二温度控制环路16 SOA驱动电流控制环路17环境温度依赖性抑制电路18电流监视电路21-1第一输出信号光监视电路21-2第二输出信号光监视电路22电流监视电路24温度监视电路26温度监视电路41波长可变光源装置51波长可变光源装置52 DFB激光器阵列(波长可变半导体激光器)
53波长可变光源55控制电路61波长可变光源装置63波长可变光源65控制电路66温度监视电路71波长可变光源装置73波长可变光源75控制电路
具体实施例方式下面，对用于实施本发明的最佳方式进行说明。第一实施方式图1表示本发明的波长可变光源装置的结构例。该波长可变光源装置1具备波长可变光源2、根据来自上位装置3的指示控制波长可变光源2的控制电路4。波长可变光源2具备DFB激光器5、将DFB激光器5的输出信号光放大的S0A6、 设于S0A6的光轴上的第一及第BS7-l、7-2、设于第一 BS7-1的分支侧光轴上的波长滤波器 8、用于控制DFB激光器5的温度的TEC9。DFB激光器5和S0A6被装载于TEC9上。在TEC9 上设置有TEC温度检测器10。在波长滤波器8的射出光轴上及第二 BS7-2的分支光轴上分 别设置有PD11-1U1-2。它们被收纳于同一壳体(虚线表示)12内。在壳体12内设有检测 壳体12的温度(环境温度Tc)的壳体温度检测器13。控制电路4具有控制DFB激光器5的驱动电流的LD驱动电流控制环路14、控制 DFB激光器5的温度的LD温度控制环路15、控制S0A6的驱动电流的SOA驱动电流控制环 路16、环境温度依赖性抑制电路17。LD驱动电流控制环路14其构成具有监视DFB激光器5的驱动电流I的电流监 视电路18、驱动DFB激光器5的LD驱动电路19、CPU20。在LD驱动电流控制环路14中，CPU20作为输出用于基于电流监视电路18的输出 控制DFB激光器5的驱动电流I的LD驱动电流控制信号的数字控制电路发挥功能。SOA驱动电流控制环路16其构成具有基于PD(PD2)11_2的输出L2监视通过S0A6 放大的DFB激光器5的输出强度的第二输出信号光监视电路21-2、监视S0A6的驱动电流的 电流监视电路22、驱动S0A6的SOA驱动电路23、CPU20。在SOA驱动电流控制环路16中，CPU20作为输出用于基于第二输出信号光监视电 路21-2和电流监视电路22的输出控制S0A6的驱动电流的SOA驱动电流控制信号的数字 控制电流发挥功能。而且，基于第二输出信号光监视电路21-2的输出值L2和目标值L2o 控制通过S0A6放大的DFB激光器5的输出强度。LD温度控制环路15其构成具有基于PD(PDl) 11-1的输出Ll监视通过S0A6放 大的DFB激光器5的特定波长的输出信号光成分的强度的第一输出信号光监视电路21-1、 基于PD (PD2) 11-2的输出L2监视通过S0A6放大的DFB激光器5的输出强度的第二输出信 号光监视电路21-2、基于TEC温度检测部10的输出监视DFB激光器5的温度(TEC温度)的温度监视电路24、驱动TEC9的TEC驱动电路25、CPU20。在LD温度控制环路15中，CPU20作为输出用于基于第一及第二输出信号光监视电路21-1、21-2的输出Li、L2和温度监视电路24的输出T控制DFB激光器5的温度的TEC 温度控制信号的数字控制电路发挥作用。而且，基于第一输出信号光监视电路21-1的输出 值和第二输出信号光监视电路21-2的输出值的比L1/L2和目标值Llo/L2o，控制DFB激光 器5的振荡波长。环境温度依赖性抑制电路17其构成具有基于壳体温度检测器13的输出监视壳 体12的温度的温度监视电路26、CPU20。在环境温度依赖性抑制电路17中，CPU20基于壳体温度检测器13的输出获取环 境温度Tc。各监视电路18、21-1、21-2、22、24、26的输出信号分别由ADC27 32转换成数字 信号，并被取入CPU20。从CPU20输出的LD驱动电流控制信号、SOA驱动电流控制信号、及 TEC温度控制信号分别由DAC33 35转换成模拟信号，并被输入LD驱动电路19、SOA驱动 电路23、及TEC驱动电路25。在CPU20上连接有可擦写的存储器36。CPU20根据存储于存 储器36的程序及数据执行各种处理。存储器36中存储有使目标波长λ (ο)和目标输出强 度Pow (ο)的组合与动作状态(I、L2、L1/L2、T)的目标值(Io、L2o、Llo/L2o、To)相对应的 参数数据。CPU20执行的处理除各种动作状态的监视处理及控制处理之外，还包含与上位装 置3的外部通信处理、与周边器件的内部通信处理等。接着，对上述那样构成的波长可变光源装置1的动作进行说明。在LD驱动电流控制环路14中，CPU20定期监视DFB激光器5的驱动电流I，以其 值和目标值Io没有差值的方式通过PID控制更新LD驱动电流控制信号的值。由此，实现 DFB 激光器 5 的自动电流控制(ACC =Automatic Current Control)。在SOA驱动电流控制环路16中，CPU20定期监视通过S0A6放大的DFB激光器6的 全部输出信号光的受光电流L2，以其值L2和目标值L2o没有差值的方式通过PID控制更 新SOA驱动电流控制信号的值。由此，实现S0A6的自动输出控制(APC Automatic Power Control)。在LD温度控制环路15中，CPU20监视DFB激光器5的温度T，以其值T和目标值 To没有差值的方式通过PID控制更新TEC温度控制信号的值。另外，CPU20定期监视DFB 激光器5的全部输出信号光和特定波长成分的信号光的强度比L1/L2，以这些值L1/L2和目 标值Llo/L2o没有差值的方式通过PID控制更新TEC温度控制信号的值。由此，同时实现 DFB激光器5的自动波长控制(AWC Automatic Wavelength Control)和TEC9的自动温度 控制(ATC =Automatic Temperature Control)。DFB 激光器 5 的振荡波长和强度比 L1/L2 之间有图16所示的周期性关系，通过控制DFB激光器5的振荡波长，可将预先决定的各波 长的信号光的强度比L1/L2收敛于目标值。该曲线通常被称作波长辨别曲线。图2表示波长可变光源装置1的状态转移图。初始化结束后可转移的稳定状态是 光输出OFF状态和光输出ON状态。光输出OFF状态是指作为波长可变光源装置可忽视向 外部的光输出的状态。若能够保证该状态，则也可以不必实施TEC9的ATC和DFB激光器5 的ACC两方，而仅实施任一方。光输出ON状态是指以从上位装置3指定的所希望的波长以 及所希望的强度进行光输出的状态。
CPU20在光输出OFF状态时，在从上位装置3接受了信号光的输出波长及输出强度 的变更命令的情况下，以图3的流程图所示的顺序决定各种控制(AWC、APC、ACC、ATC)的动 作状态(L1/L2、L2、I、T)的目标值(L lo/L2o、L2o、Io、To)。即，每当从上位装置3指示目 标波长及目标强度(目标光输出强度)时，依次执行与该指示的目标波长λ (ο)和目标输 出强度Pow(O)的组合相对应的AWC目标值Llo/L2o和APC目标值L2o的决定(步骤11、步 骤12)、以及与目标波长λ (ο)相对应的ACC目标值Io和ATC目标值To的决定(步骤13、 步骤14)。CPU20通过参照存储于存储器36中的参数表来实施这些目标值(Llo/L2o、L2o、 Io, To)的决定。在此，按々1(、4 (、40、41^的顺序决定目标值，但顺序也可以变更。 另外，图3的例子中，在接收到光输出强度的变更命令的情况下，变更四个目标 值，但也可以只更新与目标光输出强度POW(O)相关联的两个目标值。即，如图7所示，也可 以只进行与当时的目标波长λ (ο)和目标输出强度Pow(Q)的组合相对应的AWC目标值Li/ L2和APC目标值L2的决定(步骤11、步骤12)。在光输出OFF状态下接收到光输出ON命令的情况下，按图4的流程图所示的顺 序转移到光输出ON状态。此时，首先决定与当时的目标波长λ (ο)以及目标光输出强度 Pow(ο)相对应的各种控制(AWC、APC、ACC、ATC)的目标值(Llo/L2o、L2o、Ιο、Το)(步骤11 步骤14)。但是，如果已经在光输出OFF状态下决定了各种控制(AWC、APC、ACC、ATC)的目 标值(Ll0/L20、L20、l0、T0)，则也可以不必进行在此的目标值决定处理(参照图4)。在决定了各种控制(AWC、APC、ACC、ATC)的目标值(Llo/L2o、L2o、Io、To)后，使 TEC驱动电路25和LD驱动电路19工作(步骤25、步骤26)。而且，取得TEC温度监视值T 及驱动电流监视值I (步骤27)，执行ATC和ACC的处理，以使ATC目标值To和TEC温度监 视值T的差值、以及ATC目标值Io和驱动电流监视值I的差值分别收敛于容许值以下(步 骤28 —步骤27)。在该例中，由于是已经在光输出OFF状态下执行ATC和ACC的处理中，因 此，通过变更各自的目标值To、Io，继续进行自动控制。在ATC和ACC的各控制处理中能够确认各自的监视值Τ、I收敛于目标值To、Io后 (步骤28中为“是”)，开始APC和AWC的控制处理(步骤29、步骤30)。而且，取得TEC温 度监视值Τ、驱动电流监视值I、特定波长的输出信号光成分的受光电流监视值Li、及全部 输出信号光的受光电流监视值L2 (步骤31)，执行ATC和ACC和APC和AWC的控制处理，以 使ATC目标值To和TEC温度监视值T的差值、ACC目标值Io和驱动电流监视值I的差值、 APC目标值L2o和强度监视值L2的差值、及AWC目标值Llo/L2o和受光电流比监视值Li/ L2的差值分别收敛于容许值以下(步骤32 —步骤31)。若能够满足所有的收敛条件(步 骤32中为“是”)，则可以转移到光输出ON状态。在此，同时执行APC和AWC，但也可以在APC收敛之后执行AWC。另外，使ATC和 AffC同时工作，但也可以采用在执行AWC时使ATC停止的方式。另一方面，在光输出ON状态下接收了波长变更命令、及光输出功率变更命令的情 况下，按图5的流程图所示的顺序决定各种控制(AWC、APC、ACC、ATC)的目标值(Llo/L2o、 L2o、Io、To)并进行控制，由此转移至光输出ON状态。与图4的不同点在于，在执行目标 值决定过程(步骤11 步骤14)之前，按顺序停止APC和AWC的控制处理(步骤41、步骤 42)。这是抑制不能容许的指定波长以外的信号光的发出的对策。在即使这样也不能忽视 光输出强度的情况下，通过在AWC停止(步骤42)之前也将ACC的控制处理停止来对应。
在此，若光输出强度变更过程的输出波长的变动量为在运用上容许的水平，则在 从上位装置3在光输出ON状态下接收了光输出强度变更命令的情况下，也可以不使APC和 AWC的控制处理停止而执行目标值决定过程(步骤11 步骤14)。即，按图6的流程图所 示的顺序执行控制处理。在光输出ON状态下从上位装置3接收了光输出OFF命令的情况下，根据图8的流 程图所示的顺序，使APC和AWC的控制处理按该顺序停止(步骤41、步骤42)，向光输出OFF 状态转移。这是在向光输出OFF状态转移的过程中不将所希望的波长以外的信号光向外部 输出的对策。在只停止APC时不能忽视光输出电平的情况下，通过在停止AWC之前也将DFB 激光器5的ACC停止来对应。这样，由于通过目标波长和目标光输出强度的组合来决定各种控制处理的目标值，即AWC目标值Llo/L2o、APC目标值L2o、ACC目标值Io、ATC目标值To，因此，能够抑制 在波长可变光源模块内部发生的发热量及散射光的影响，能够确保波长可变光源所要求的 输出波长及光输出强度的设定精度及稳定性。上述例中所示的目标决定过程(步骤11 步骤14)与采用的控制方式相对应，即 使如下进行适宜调节，其效果也没有变化。在不采用将与第二 PD(PD2) 11-2的受光强度相对应的电流监视值L2控制为接近 目标值L2o的APC，而采用将第二 PD (PD2) 11-2的受光强度本身控制为接近目标值的APC的 情况下，如图9所示，通过更新用于将电流监视值L2转换成光输出强度监视值Pow的系数 α (λ (0)、P0W(0))，可进行对应(步骤12-2)。该转换系数如式(1)所示，通过当时的目标 波长λ (ο)和目标光输出强度Pow(Q)的组合来唯一地决定。因此，将使目标波长λ (ο)和 目标光输出强度Pow(o)的组合与转换系数α (λ (ο) ,Pow (ο))对应的转换系表存储于存储 器36，能够以通过参照转换系数修正表来决定与目标波长λ (ο)和目标光输出强度POW(O) 的组合相对应的转换系数α (λ (ο) ,Pow(ο))的方式进行对应。通过采用表参照方式，与使 用式(1)逐次计算转换系数的情况相比，可减轻CPU20的负荷。 光输出强度监视值Pow = α (λ (0)，Pow(Q)) XL2…(1)另外，与各PD(PDl) 11-1、PD(PD2) 11-2的受光强度相对应的电流监视值Li、L2及 TEC温度T有可能因动作环境温度而发生变动。该情况下，如图10所示，通过采用基于当时 的环境温度Tc来决定将ADC29的输出值L2d转换成电流监视值L2的系数A (Tc)、B (Tc)、 及修正TEC目标温度To的系数C(Tc)、D(Tc)的方式(参照步骤51 步骤53)，能够抑制 环境温度依赖性。其结果是，能够使波长可变光源2高精度且稳定地动作。如式(2)及式(3)所示，该转换系数是通过当时的环境温度Tc唯一地决定的。因 此，将使环境温度Tc和各自的转换系数A (Tc)、B (Tc) X(Tc)、D (Tc)对应的转换系表存储于 存储器36，能够以通过参照转换系数修正表来决定与当时的环境温度Tc相对应的转换系 数A (Tc)、B (Tc)、C (Tc)、D (Tc)的方式进行对应。通过采用表参照方式，与使用式(2)及式 (3)逐次计算转换系数的情况相比，可减轻CPU20的负荷。即使在ADC29、32的输出值L2d、 Td和物理值(PD2的实际的受光强度、实际的环境温度)的关系为非线性的情况下，通过将 转换方式设为表参照方式，也能够进行对应。·电流监视值:L2 = A (Tc) X L2d+B (Tc)... (2)· TEC 目标温度=To = C (Tc) X Td+D (Tc)... (3)
另外，在采用将电流监视值L2转换成受光强度Pow的式(1)的控制方式的情况 下，如图11所示，并用补偿将电流监视值L2转换为受光强度Pow的系数β (λ)的目标波 长依赖性的结构、和补偿修正受光强度Pow的系数Y (Pow)的目标光输出强度依赖性的结 构(参照步骤61及步骤62)。其结果是，可使波长可变光源2高精度且稳定地动作。这些系数如式(4)所示，通过当时的目标波长λ (ο)和目标光输出强度Pow(Q)唯 一地决定。式(4)的转换系数β (λ)和修正系数Y (Pow)是关注λ和Pow的独立性来分 割式(1)的转换系数α (λ、Pow)得到的系数。该情况下，将使目标波长λ (ο)和转换系 数β (λ)对应的波长依赖系数表、和使目标光输出强度Pow(o)和修正系数Y (Pow)对应 的修正系数表存储于存储器36，通过参照波长依赖系数表来决定与目标波长λ (ο)相对应 的转换系数β U)，同时，通过参照修正系数表来决定与目标光输出强度Pow(o)相对应的 修正系数Y (Pow)，并将转换系数β (λ)和修正系数Y (Pow)相乘所得的值作为转换系数 α (λ (ο), Pow(ο))使用，由此可进行对应。在可以以该方式对应的情况下，可以将表化的 转换系数及修正系数的容量压缩，因此，与式(1)的方式相比，效率好。
·光输出强度监视值Pow = β (λ) X y (Pow) XL2··· (4)如上，与波长可变光源2的控制方式相对应，适宜调节目标值决定过程，由此，能 够确保波长可变光源2高精度且稳定的动作。总之，只要与当时的目标波长λ (ο)和目标 光输出强度Pow(o)的组合相对应，调节各种控制(AWC、APC、ACC、ATC)的目标值(Llo/L2o、 L2o、Ιο、To)、监视值转换系数及修正系数即可。另外，在不能忽视环境温度的影响的情况下，除当时的目标波长λ (ο)和目标光 输出强度Pow(O)以外，还与环境温度Tc相对应，调节各种控制(AWC、APC、ACC、ATC)的目 标值、监视值的转换系数及修正系数(参照步骤63及步骤64)。其结果是，可使波长可变光 源2进一步高精度且可靠地动作。另外，在上述方式例中，对使用DFB激光器作为半导体激光器的情况进行了例示 说明，但本发明不限于此，也可以使用DBR激光器代替DFB激光器来实现本发明的装置(以 下相同)。但是，在使用了 DFB激光器的情况和使用了 DBR激光器的情况下，以下方面不同。 在使用了 DFB激光器的情况下，通过更新TEC驱动电路25的控制指示值来实现AWC，而在使 用了 DBR激光器的情况下，变为更新LD驱动电路19的控制指示值。因此，在使用了 DBR激 光器的情况下，DBR激光器的ACC和AWC都要更新LD驱动电路19的控制指示值，但也可以 是ACC和AWC并用的方式，还可以是选择任一方的方式。另外，在使用了 DFB激光器的情况下，使DFB激光器的ACC独立动作，但在使用了 DBR激光器的情况下，使TEC9的ATC独立动作。另外，在上述例中，在LD温度控制环路15中，进行基于DFB激光器5的全部输出 信号光中包含的特定波长成分的信号光的比例(强度比L1/L2)的控制，但也可以分别独立 地进行基于特定波长的输出信号光成分的强度的输出波长控制和基于全部输出信号光的 强度的输出强度控制，还可以并用基于TEC温度监视值T的输出波长控制。另外，在上述例中，在SOA驱动电流控制环路16中，进行基于由S0A6放大的DFB激 光器5的全部输出信号光的控制(APC)，但也可以并用基于S0A6的驱动电流的控制(ACC)， 还可以选择性地执行APC和ACC的任一方。
另外，也可以并用DFB激光器5的AWC和TEC9的ATC，还可以选择性地执行任一方。第二实施方式图12表示本发明的波长可变光源的另一结构例。该波长可变光源装置41中，在DFB激光器5的向后方的射出光轴上设有第一 BS7-1。而且，第一 BS7-1、波长滤波器8、及 第一 PD(PDl) 11-1与DFB激光器5 —同被装载于TEC9上。与图1所示的第一实施方式的波长可变光源装置1在使用DFB激光器5的后方光进行DFB激光器5的输出波长的监视这一点上有所不同，但使波长可变光源4的输出信 号光的波长及强度收敛于目标波长及目标光输出强度的方式与第一实施方式相同。即，若 使用图3 图11所示的状态转移图及流程图，且应用与目标波长λ (ο)及目标光输出强度 Pow(ο)以及环境温度Tc相对应的目标值决定过程，则可以实现高精度且稳定的波长可变 光源。另外，在图12的结构例中，将用于监视DFB激光器5的后方光的光学零件即第一 BS7-1、波长滤波器8、及第一 PD(PDl) 11-1装载于TEC9上，但这些光学零件不一定配置于 TEC9上，也能够得到与第一实施方式相同的效果。第三实施方式图13表示本发明的波长可变光源装置的又一结构例。该波长可变光源装置51具备使用DFB激光器阵列52作为信号光发信源的波长可 变光源53、和根据来自上位装置3的指示控制波长可变光源53的控制电路55。DFB激光 器阵列52的构成为，将输出频带彼此不同的多个(χ个)DBR激光器元件52-1 52_χ阵列 化，在其输出部设置光合波器56，通过将DFB激光器元件52-1 52_χ中的任一个设为可选 择性地驱动，使波长可变范围大幅度扩展。波长可变光源53具备DFB激光器阵列52、将DFB激光器阵列52的输出信号光 放大的S0A6、设于S0A6的光轴上的第一及第二 BS7-l、7-2、设于第一 BS7-1的分支侧光轴 上的温度依赖型波长滤波器8、装载有它们的TEC9。在TEC9中设置有TEC温度检测器10。 在波长滤波器8的射出光轴上及第二 BS7-2的分支光轴上分别设有PD11-1U1-2。它们被 收纳于同一壳体(虚线表示)12内。在壳体12内设有检测壳体12的温度(环境温度Tc) 的壳体温度检测器13。在波长可变光源53的结构中，与第一实施方式不同的点是，使用了 DFB激光器阵列52作为半导体激光器这一点、将用于监视输出信号光的光学零件即第一及 第二 BS7-l、7-2、波长滤波器8、及PDl 1-1、11-2装载于TEC9上这一点。控制电路55具有控制DFB激光器阵列52的驱动电流的LD驱动电流控制环路14、 控制DFB激光器阵列52及波长滤波器8的温度的温度控制环路15、控制S0A6的驱动电流 的SOA驱动电流控制环路16、环境温度依赖性抑制电路17。在控制电路55的结构中，与第 一实施方式的不同点是，LD驱动电流控制环路14具有用于选择性地驱动DFB激光器元件 52-1 52-x中的任一个的LD切换电路58，在从上位装置3指定目标波长的情况下，根据 目标波长λ (ο)选择性地切换DFB激光器元件52-1 52-x使其振荡。LD切换电路58根 据来自CPU20的切换信号而动作。DFB激光器元件52-1 52_χ的切换控制可通过预先在 存储器36中存储目标波长λ (ο)和应选择的DFB激光器元件52-1 52_χ的组合表来进 行对应。各DFB激光器元件52-1 52-x被择一驱动，不是同时驱动多个，因此，LD驱动电路19的控制可与第一实施方式同样地实施。该波长可变光源装置51中，也可适用与第一实施方式相同的控制方式。即，通过使用图3 图11所示的状态转移图及流程图，且应用与目标波长λ (ο)及目标光输出强 度Pow(O)、以及环境温度Tc相对应的目标值决定过程，可实现高精度且稳定的波长可变光 源。另外，该波长可变光源装置51中，由于将用于监视输出信号光的光学零件装载于 TEC9上，因此，可提高这些光学零件相对于环境温度变化的耐久性。另外，由于可进行波长 滤波器8的温度控制，因此，可以采用温度依赖性大的波长滤波器8。第四实施方式图14表示本发明的波长可变光源装置的又一结构例。该波长可变光源装置61具备使用DFB激光器阵列52作为信号光发信源的波长可 变光源63、和根据来自上位装置3的指示控制波长可变光源63的控制电路65。波长可变光源63具备DFB激光器阵列52、将DFB激光器阵列52的输出信号光放 大的S0A6、设于S0A6的光轴上的第一及第二 BS7-l、7-2、设于第一 BS7-1的分支侧光轴上 的温度依赖型波长滤波器8、第一及第二 TEC9-l、9-2。在波长滤波器8的射出光轴上及第 二 BS7-2的分支光轴上分别设有PD11-1U1-2。在第一 TEC(TECl) 9_1上装载有DFB激光 器阵列52及S0A6。在第二 TEC(TEC2)9-2上装载有第一及第二 BS7_1、7_2、波长滤波器8、 及PDl 1-1、11-2。而且，在第一 TEC9-1和第二 TEC9-2上分别设置有TEC温度检测器10_1、 10-2。它们被收纳于同一壳体(虚线表示)12内。在壳体12内设有检测壳体12的温度 (环境温度Tc)的壳体温度检测器13。在该波长可变光源63的结构中，与第三实施方式 的不同点是，具备用于控制DFB激光器阵列52的温度的第一 TEC9-1、用于控制波长滤波器 8的温度的第二 TEC9-2，且可独立地控制各自的TEC温度。控制电路65具有控制DFB激光器阵列52的驱动电流的LD驱动电流控制环路 14、控制DFB激光器阵列52的温度的第一温度控制环路15-1、控制波长滤波器8的温度的 第二温度控制环路15-2、控制S0A6的驱动电流的SOA驱动电流控制环路16、环境温度依赖 性抑制电路17。在控制电路55的结构中，与第三实施方式的不同点是，具备第二温度控制 环路15-2。第二温度控制环路15-2其构成具有基于TEC温度检测器10_2的输出监视波长 滤波器8的温度的温度监视电路66、驱动第二 TEC9-2的TEC驱动电路67、CPU20。温度监视 电路66的输出信号通过ADC31-2转换成数字信号，被取入CPU20内。从CPU20输出的TEC 温度控制信号由DAC35-2转换成模拟信号，被输入TEC驱动电路67内。在第二温度控制环路15-2中，CPU20作为输出用于基于温度监视电路66的输出 控制波长滤波器8的温度的TEC温度控制信号的数字控制电路发挥功能。即，CPU20将温 度监视电路66的输出作为TEC温度监视值取入，并基于TEC温度目标值To和TEC温度监 视值T的差值信息更新TEC温度控制信号。TEC驱动电路67基于TEC温度控制信号驱动第 二 TEC9-2。由此，实现第二 TEC9-2 的 ATC。第一温度控制环路15-1的动作与第一实施方式中的温度控制环路15的动作相 同。这样，与用于调节Dra激光器阵列52的温度的第一 TE9-1不同，具备用于调节波长滤波器8的温度的第二 TEC9-2，通过基于温度监视电路66的输出驱动第二 TEC9-2，即使采用可以忽视温度依赖性的波长滤波器8，也能够使输出波长稳定化。即，可以不受第一 TEC9-1的温度影响，使周期性的波长滤波器的透过特性(图16)稳定化。除上述不同点以外，与第三实施方式相同，因此，该波长可变光源装置61中，也 可适用与第三实施方式相同的控制方式。即，将TEC温度控制环路扩充为两种类之后，使 用图3 图11所示的状态转移图及流程图，并应用与目标波长λ (ο)及目标光输出强度 Pow(ο)、以及环境温度Tc相对应的目标值决定过程，可实现高精度且稳定的波长可变光 源。第五实施方式图15表示本发明的波长可变光源装置的又一结构例。该波长可变光源装置71具备使用DFB激光器阵列52作为信号光发信源的波长可 变光源73、和根据来自上位装置3的指示控制波长可变光源73的控制电路75。波长可变光源73具备DFB激光器阵列52、将DFB激光器阵列52的输出信号光放 大的S0A6、设于S0A6的光轴上的第一及第二 BS7-l、7-2、设于第一 BS7-1的分支侧光轴上 的温度依赖型波长滤波器8、第一及第二 TEC9-l、9-2。在波长滤波器8的射出光轴上及第 二 BS7-2的分支光轴上分别设有PDl 1-1、11-2。在第一 TEC (TECl) 9-1上装载有DFB激光器 阵列52及S0A6。在第二 TEC(TEC2)9-2上装载有第一 TEC9-1、第一及第二 BS7_1、7_2、波长 滤波器8、及PDl 1-1、11-2。而且，在第一 TEC9-1和第二 TEC9-2上分别设置有TEC温度检 测器10-1、10-2。它们被收纳于同一壳体(虚线表示)12内。在壳体12内设有检测壳体 12的温度(环境温度Tc)的壳体温度检测器13。在该波长可变光源71的结构中，与第四实施方式的不同点是，将第一 TEC9-1装载 于第二 TEC9-2上。通过将装载有发光系光零件(DFB激光器阵列52、S0A6)的第一 TEC9-1 装载于装载有受光系光零件(第一及第二 BS7-l、7-2、波长滤波器8、PDll-l、ll-2)的第二 TEC9-2上，可以实现总是以第二 TEC9-2的动作温度为基准的第一 TEC9-1的温度控制，因 此，可以使控制系的动作稳定化。除上述不同点之外，与第四实施方式相同，因此，在该波长可变光源装置71中，也 可以适用与第四实施方式相同的控制方式。即，使用图3 图11所示的状态转移图及流程 图，并应用与目标波长λ (ο)及目标光输出强度Pow(Q)、以及环境温度Tc对应的的目标值 决定过程，由此，可以实现高精度且稳定的波长可变光源。
权利要求
一种波长可变光源装置，其具备波长可变光源，其具有波长可变半导体激光器和光放大器，所述波长可变半导体激光器使信号光振荡，所述光放大器将所述波长可变半导体激光器的输出信号光放大；控制电路，其控制所述波长可变半导体激光器及所述光放大器，使所述波长可变光源的输出信号光的波长及强度成为从上位装置指示的目标波长及目标强度，其特征在于，所述控制电路具有用于监视用于控制所述波长可变半导体激光器及所述光放大器的动作状态的一个以上的监视电路；使所述目标波长和所述目标强度的组合与动作状态的目标值对应的参数表，每当从上位装置指示所述目标波长及所述目标强度时，通过参照所述参数表来决定与该指示的所述目标波长和所述目标强度的组合相对应的动作状态的目标值，且控制所述波长可变光源，使基于所述监视电路的输出值的动作状态的监视值收敛于所述目标值。
2.如权利要求1所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述控制电路决定波长控制用的目标值及光输出强度控制用的目标值作为所述动作 状态的目标值。
3.如权利要求2所述的波长可变光源装置，其特征在于， 所述波长可变光源具有设于所述光放大器的光轴上的第一及第二光分支元件、设于第一光分支元件的分支侧 光轴上的波长滤波器、设于所述波长滤波器的射出光轴上的第一受光元件、设于第二光分 支元件的分支光轴上的第二受光元件、用于控制所述半导体激光器的温度的温度控制器， 所述波长控制用的目标值中包含所述波长可变半导体激光器的温度、所述波长可变半导体激光器的驱动电流、第一受 光元件的受光电流、第一受光元件的受光强度、第一受光元件的受光电流和第二受光元件 的受光电流之比、第一受光元件的受光强度和第二受光元件的受光强度之比中的任一种类 的监视对象的值。
4.如权利要求2所述的波长可变光源装置，其特征在于， 所述波长可变光源具有设于所述光放大器的光轴上的光分支元件、和设于所述光分支元件的分支侧光轴上的 受光元件，所述光输出强度控制用的目标值中包含所述光放大器的驱动电流、所述受光元件的受光电流、所述受光元件的受光强度中的任一种类。
5.如权利要求2或3所述的波长可变光源装置，其特征在于， 基于环境温度调节波长控制用的目标值。
6.如权利要求2或4所述的波长可变光源装置，其特征在于， 基于环境温度调节光输出强度控制用的目标值。
7.如权利要求5或6所述的波长可变光源装置，其特征在于， 所述控制电路具有监视环境温度的监视电路、使环境温度和所述动作状态的目标值的修正值对应的目标值修正表， 每当从上位装置指示所述目标波长及所述目标强度时，通过参照所述参数表来决定与 该指示的所述目标波长和所述目标强度的组合相对应的动作状态的目标值，同时，通过参 照所述目标值修正表来决定与当时的环境温度相对应的所述动作状态的目标值的修正值， 且控制所述波长可变光源，使基于所述监视电路的输出值的动作状态的监视值收敛于所述 修正值。
8.如权利要求1 7中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述控制电路具有用于将所述监视电路的输出值转换成数字信号的设于每个所述监视电路的AD转换电路，与所述目标波长和所述目标强度的组合相对应，决定波长控制用的监视值转换系数和 光输出强度控制用的监视值转换系数两方或任一方，且控制所述波长可变光源，使将所述 AD转换电路的输出值利用其监视值转换系数转换所得的值收敛于所述目标值。
9.如权利要求8所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述控制电路具有使所述目标波长和所述目标强度的组合与所述监视值转换系数对 应的转换系数表，每当从上位装置指示所述目标波长及所述目标强度时，通过参照所述转换系数表来决 定与该指示的所述目标波长和所述目标强度的组合相对应的监视值转换系数。
10.如权利要求8所述的波长可变光源装置，其特征在于， 所述控制电路具有使所述目标波长和所述监视值转换系数的波长依赖成分对应的波长依赖系数表、 使所述目标强度和所述AD转换电路的输出值修正系数对应的修正系数表， 通过参照所述波长依赖系数表来决定与所述目标波长相对应的所述监视值转换系数 的波长依赖成分，并且，通过参照所述修正系数表来决定与所述目标强度相对应的所述输 出值修正系数，将所述波长依赖成分和所述输出值修正系数相乘所得的值作为所述监视值转换系数 使用。
11.如权利要求8 10中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，基于当时的环境温度调节波长控制用的监视值转换系数和光输出强度控制用的监视 值转换系数两方或任一方。
12.如权利要求11所述的波长可变光源装置，其特征在于， 所述控制电路具有监视环境温度的监视电路、使环境温度和所述监视值转换系数对应的转换系数表，通过参照所述转换系数表来决定与当时的环境温度相对应的所述监视值转换系数。
13.如权利要求8 12中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于， 所述波长可变光源具有使信号光振荡的波长可变半导体激光器、将所述波长可变半导体激光器的输出信号光 放大的光放大器、设于所述光放大器的光轴上的第一及第二光分支元件、设于第一光分支 元件的分支侧光轴上的波长滤波器、设于所述波长滤波器的射出光轴上的第一受光元件、 设于第二光分支元件的分支光轴上的第二受光元件、用于控制所述波长可变半导体激光器的温度的温度控制器，所述波长控制用的监视值转换系数中包含针对所述半导体激光器的温度的转换系数、针对所述半导体激光器的驱动电流的转换 系数、针对第一受光元件的受光电流的转换系数、针对第一受光元件的受光强度的转换系 数，针对第二受光元件的受光电流的转换系数、针对第二受光元件的受光强度的转换系数 中的任一种类的值。
14.如权利要求8 12中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述波长可变光源具有使信号光振荡的波长可变半导体激光器、将所述波长可变半导体激光器的输出信号光 放大的光放大器、设于所述光放大器的光轴上的光分支元件、设于所述光分支元件的分支 侧光轴上的受光元件，所述光输出强度控制用的监视值转换系数中包含针对所述光放大器的驱动电流的转换系数、针对所述受光元件的受光电流的转换系 数、针对所述受光元件的受光强度的转换系数中的任一种类的值。
15.如权利要求1 14中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述波长可变半导体激光器是可通过调节其元件温度而控制波长的半导体激光器。
16.如权利要求1 14中任一项所述的波长可变光源装置，其特征在于，所述波长可变半导体激光器是可通过调节其驱动电流而控制波长的半导体激光器。
全文摘要
本发明提供一种波长可变光源装置，可以变更输出信号光的波长和强度，并且可以使输出信号光的波长和强度的设定精度及稳定性提高。与从上位装置(3)指示的目标波长和目标光输出强度的组合相对应，决定波长可变光源(2)的输出信号光的波长控制用的目标值和强度控制用的目标值两方或任一方，且以监视波长可变光源(2)的动作状态的监视电路(18、21-1、21-2、22、24)的输出值收敛于目标值的方式进行控制。
文档编号H01S5/06GK101847825SQ20101013662
公开日2010年9月29日 申请日期2010年3月11日 优先权日2009年3月27日
发明者堀川浩二, 越浩之 申请人:古河电气工业株式会社