专利名称：一种掺杂改性的温度特性为x7r的瓷介电容器材料的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电容器材料，尤其是一种掺杂改性的温度特性为X7R的瓷介电容器材料。
背景技术：
目前广泛生产使用的超稳定型高压陶瓷电容器材料中，不能满足在振荡回路里补偿正温度系数的要求。且同时一般配方的超稳定型陶瓷电容器材料的介电常数较小，不能满足电子线路小型化的需求，且损耗值过大。
发明内容
本发明提供了一种掺杂改性的温度特性为X7R的瓷介电容器材料。技术方案如下一种掺杂改性的温度特性为X7R的瓷介电容器材料。主要原料SrTi03、MgTi03\CaZr03>MnCO3> Bi2O3 等；主要掺杂原料Lei203、SnO2,Al2O3 等；主要特征温度特性为X7R(即-55°C -+125°C )容量变化率为士 15%、介电常数为1800、介质损耗为tan δ ^ 0. 03、耐压强度为劭彡8Kv/mm。
具体实施例方式一种掺杂改性的温度特性为X7R的瓷介电容器材料。主要原料SrTi03、MgTi03\CaZr03、MnC03、Bi2O3等；主要掺杂原料Lei203、SnO2^Al2O3等；主要特征温度特性为X7R(即-55°C -+125°C )容量变化率为士 15%、介电常数为1800、介质损耗为tan δ ^ 0. 03、耐压强度为劭彡8Kv/mm。
权利要求
1. 一种掺杂改性的温度特性为X7R的瓷介电容器材料，其特征在于温度特性为X7R(即-55 V -+125 V )容量变化率为士 15 介电常数为1800、介质损耗为 tan δ彡0. 03、耐压强度为Eb彡8Kv/mm。
全文摘要
一种掺杂改性的温度特性为X7R的瓷介电容器材料。主要原料SrTiO3、MgTiO3\CaZrO3、MnCO3、Bi2O3等；主要掺杂原料La2O3、SnO2、Al2O3等；主要特征温度特性为X7R(即-55℃-+125℃)容量变化率为±15％、介电常数为1800、介质损耗为tanδ≤0.03、耐压强度为Eb≥8kv/mm。
文档编号H01G4/12GK102531590SQ201010588828
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月15日 优先权日2010年12月15日
发明者颜欢 申请人:颜欢