专利名称：一种qfn/dfn无基岛芯片封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件的封装技术领域，特别涉及一种QFN/DFN半导体芯片 封装结构[QFN/DFN(Quad Flat No lead) (Dual Flat No lead)]。
技术背景 随着电子产品向小型化方向发展，在手提电脑、CPU电路、微型移动通信电路(手 机等)、数字音视频电路、通信整机、数码相机等消费类电子领域的大规模IC和VLSI (超大 规模IC)应用电路中，要求半导体芯片的外形做得更小更薄。现有技术中，QFN(Quad Flat No lead)是一种方形扁平无引脚半导体芯片封装结 构，其俯视构造如图1所示，截面剖视构造如图2所示。从这两个视图中可以看出，封装结 构是在芯片封装空间的下部由中央的基岛和围绕基岛布置的导电焊盘构成，基岛上放置 晶粒，晶粒上的各导电部分别通过金线与各导电焊盘电连接，其余封装空间填充环氧树脂。 DFN(Dual Flat No lead)是一种矩形扁平无引脚半导体芯片封装结构，其中矩形指的是该 芯片在俯视状态下为长方形，其封装结构与QFN相同。一方面，在QFN和DFN的封装结构中 都需要基岛来放置晶粒，基岛为引线框的一部分，由金属材料制成，其作用一是在封装中作 为晶粒的安置基座，二是具有散热功能，三是可以作为接地端使用，但是由于基岛在俯视状 态下的尺寸要大于晶粒的尺寸。另一方面，现有的封装结构引脚分布只能分布在芯片四周， 引脚数量和芯片尺寸比例较小，而且受到引脚间距的约束。因此限制了芯片的封装尺寸的 缩小和芯片功能的扩展。如何解决这一问题便成为本实用新型研究的课题。
发明内容本实用新型提供一种QFN/DFN无基岛芯片封装结构，其目的是要扩增引脚数量， 提高引脚数量和芯片尺寸比例，从而有利于芯片封装结构的缩小和芯片功能的扩展。为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种QFN/DFN无基岛芯片封装 结构，包括晶粒、导电焊盘、金线以及环氧树脂，所述导电焊盘中间区域设有至少一个中间 引脚，其上部设有上部半腐蚀缺口，该中间引脚位于所述晶粒正下方，与所述晶粒之间涂有 绝缘胶层，该中间引脚与位于所述导电焊盘内并延伸到其边缘的导电连茎的一端连接，导 电连茎的另一端与晶粒通过金线连接，该导电连茎下部设有下部半腐蚀缺口 ；所述导电焊盘边缘区域设有至少一个边缘引脚，该边缘引脚与所述晶粒之间涂有 绝缘胶层，且通过金线与所述晶粒连接，其余封装空间中填充所述环氧树脂。上述技术方案中的有关内容解释如下上述方案中，所述边缘引脚上部设有上部半腐蚀缺口，该边缘引脚与位于所述导 电焊盘内并延伸到其边缘的导电连茎连接，该导电连茎下部设有下部半腐蚀缺口。由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点1、首先，引脚数量与芯片尺寸比例大大增加。2、其次，同样的芯片尺寸可以有更多的输进点、输入点，增加芯片的功能，可以用更少的芯片达到更多的功能；更有利于在终端产品的小型化，在手提电脑、CPU电路、微型 移动通信电路(手机等)、数字音视频电路、通信整机、数码相机等消费类电子领域的大规 模IC和VLSI (超大规模IC)应用电路中，大大提高安装精度，减少体积，提高了可靠性。3、再次，引脚上部设有上部半腐蚀缺口，导电连茎下部设有下部半腐蚀缺口，上部 半腐蚀缺口与下部半腐蚀缺口配合能减小芯片的封装体积；而且引脚上部设有上部半腐蚀 缺口，可相应的增加引脚底部的面积，从而有利于与PCB焊接。
附图1为现有方形扁平无引脚半导体芯片封装结构俯视图；附图2为现有方形扁平无引脚半导体芯片封装结构截面剖视图；附图3为本实用新型无晶粒的透视示意图；附图4为本实用新型芯片封装结构的透视示意图；附图5为本实用新型芯片封装结构底部示意图；附图6为附图4芯片封装结构的A-A剖面图；附图7为附图4芯片封装结构的B-B剖面图。以上附图中:1、晶粒；2、导电焊盘；3、金线；4、环氧树脂；5、中间引脚；6、绝缘胶 层；7、导电连茎；8、下部半腐蚀缺口 ；9、边缘引脚；10、上部半腐蚀缺口。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述实施例一种QFN/DFN无基岛芯片封装结构一种QFN/DFN无基岛芯片封装结构，参见附图3_7所示，包括晶粒1、导电焊盘2、 金线3以及环氧树脂4，其特征在于所述导电焊盘2中间区域设有至少一个中间引脚5，其 上部设有上部半腐蚀缺口 10，该中间引脚5位于所述晶粒1正下方，与所述晶粒1之间涂有 绝缘胶层6，该中间引脚5与位于所述导电焊盘2内并延伸到其边缘的导电连茎7的一端连 接，该导电连茎7的另一端与晶粒1通过金线3连接，该导电连茎7下部设有下部半腐蚀缺 Π 8 ；所述导电焊盘2边缘区域设有至少一个边缘引脚9，该边缘引脚9与所述晶粒1之 间涂有绝缘胶层6，且通过金线3与所述晶粒1连接，其余封装空间中填充所述环氧树脂4， 该边缘引脚9上部设有上部半腐蚀缺口 10，该边缘引脚9与位于所述导电焊盘2内并延伸 到其边缘的导电连茎7连接，该导电连茎7下部设有下部半腐蚀缺口 8上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术 的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。 凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之 内。
权利要求一种QFN/DFN无基岛芯片封装结构，包括晶粒(1)、导电焊盘(2)、金线(3)以及环氧树脂(4)，其特征在于所述导电焊盘(2)中间区域设有至少一个中间引脚(5)，该中间引脚上部设有上部半腐蚀缺口(10)，该中间引脚(5)位于所述晶粒(1)正下方，与所述晶粒(1)之间涂有绝缘胶层(6)，该中间引脚(5)与位于所述导电焊盘(2)内并延伸到其边缘的导电连茎(7)的一端连接，该导电连茎(7)的另一端与晶粒(1)通过金线(3)连接，该导电连茎(7)下部设有下部半腐蚀缺口(8)；所述导电焊盘(2)边缘区域设有至少一个边缘引脚(9)，该边缘引脚(9)与所述晶粒(1)之间涂有绝缘胶层(6)，且通过金线(3)与所述晶粒(1)连接，其余封装空间中填充所述环氧树脂(4)。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于所述边缘引脚(9)上部设有上 部半腐蚀缺口(10)，该边缘引脚(9)与位于所述导电焊盘(2)内并延伸到其边缘的导电连 茎(7)连接，该导电连茎(7)下部设有下部半腐蚀缺口(8)。
专利摘要一种QFN/DFN无基岛芯片封装结构，包括晶粒、导电焊盘、金线以及环氧树脂，所述导电焊盘中间区域设有至少一个中间引脚，该中间引脚位于所述晶粒正下方，与所述晶粒之间涂有绝缘胶层，该中间引脚与位于所述导电焊盘内并延伸到其边缘的导电连茎的一端连接，该导电连茎下部设有下部半腐蚀缺口，导电连茎的另一端与晶粒通过金线连接；所述导电焊盘边缘区域设有至少一个边缘引脚。本实用新型扩增引脚数量，提高引脚数量和芯片尺寸比例，从而有利于芯片封装结构的缩小和芯片功能的扩展。
文档编号H01L23/488GK201623156SQ201020134238
公开日2010年11月3日 申请日期2010年3月11日 优先权日2010年3月11日
发明者李国发, 翁加林, 陈俊毅 申请人:苏州固锝电子股份有限公司