专利名称：共阴极双二极管的内部封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体封装领域，具体涉及一种共阴极双二极管的内部封装 结构。
背景技术：
二极管芯片有两个电极，阴极和阳极。如果将二极管芯片封装在具有三个电极的 三极管外形中，有四种组合方式1、单二极管，集电极C为阴极，基极B为阳极，空一个电极； 2、共阳极双二极管，两个二极管的阳极公用集电极C，两个二极管的阴极分别为基极B和发 射极E ;3、串联双二极管，一个二极管的阳极为基极B，阴极为集电极C，集电极C同时又是 另一个二极管的阳极，另一个二极管的阴极为发射极E ;4、共阴极双二极管，两个二极管的 阴极公用集电极C，两个二极管的阳极分别为基极B和发射极E。第4种组合方式，即共阴 极双二极管相对于其他组合方式而言比较特殊，即两颗二极管芯片都贴在中间的集电极焊 区。传统的共阴极双二极管在进行封装时，一般都是使用两颗独立的二极管芯片，分两次贴 片在公用的集电极后封装成型的。这种结构的共阴极双二极管在封装成三极管外形时，必 需经历以下2个步骤首先在晶园片切割划片时，需要额外在其中一个方向上多划一刀，以 保证晶园片上的每个二极管芯片均能形成一个独立的个体；其次需要分两次贴片才能够将 2个相对独立的二极管芯片覆贴在公用的集电极上。这不仅使得封装过程变得复杂、降低了 生产效率；而且多次的切割和贴片也增加了二极管芯片内部结构被损坏的风险。
实用新型内容本实用新型所要解决的问题是提供一种共阴极双二极管的内部封装结构，它既能 提高贴片的生产效率，同时也能够在一定程度上避免二极管芯片的损坏。为了解决上述问题，本实用新型所设计的共阴极双二极管的内部封装结构，包括 管芯和引线框架；所述引线框架包含有3个相互绝缘的引出电极，即基极、集电极和发射 极；所述管芯由2个相互连接成一体的二极管芯片所构成；这2个二极管芯片的阴极均处 于管芯的背面，并同时覆贴在引线框架的集电极上；而2个二极管芯片的阳极则处于管芯 的正面，其中1个二极管芯片的阳极通过内部导线与引线框架的基极相连，另1个二极管芯 片的阳极则通过内部导线与引线框架的发射极相连。为了简化焊线工艺，上述连接在二极管芯片的阳极与引线框架的基极之间的内部 导线的线径与连接在二极管芯片的阳极与引线框架的发射极之间的内部导线的线径最好 相同。上述方案所述内部导线的线径最好介于17 20um之间。上述方案中，位于同一管芯内的2个二极管芯片的阳极之间最好通过二氧化硅绝 缘层相分隔。为了有效避免2个二极管芯片之间的相互干扰，本实用新型的2个二极管芯片之 间的距离不能过窄，其数值最好介于50 IOOum之间。[0009]与现有技术相比，本实用新型在前期的晶园片切割划片过程中，无需将每个二极 管芯片切割成每个独立的个体，而只需将2个二极管芯片切割划片成一体即可，这不仅能 够减少切片工序的工作量、提高生产效率，同时也能够有效避免切割过程中的二极管内部 结构的损坏；此外，本实用新型在贴片过程中，无需对贴片设备进行改进即可1次将2个二 极管芯片同时覆贴至集电极上、因而有效减少了生产中贴片的次数，进一步提高了生产效 率。
图1为本实用新型优选实施例的结构示意图。附图标记1、管芯；1-1、二极管芯片；2、引线框架；3、内部导线。
具体实施方式
本实用新型一种共阴极双二极管的内部封装结构如图1所示，其主要由管芯1、引 线框架2、以及连接管芯1和引线框架2的内部导线3所构成。上述引线框架2包含有3个 相互绝缘的引出电极，即基极、集电极和发射极。所述管芯1由2个相互连接成一体的二极 管芯片1-1所构成。上述2个二极管芯片1-1的阴极均处于管芯1的背面，并同时覆贴在 引线框架2的集电极上；而2个二极管芯片1-1的阳极则处于管芯1的正面，其中1个二极 管芯片1-1的阳极通过内部导线3与引线框架2的基极相连，另1个二极管芯片1-1的阳 极则通过内部导线3与引线框架2的发射极相连。本实用新型的前提条件是晶园片在切割 划片时就在某个方向每两刀少划一刀，保证2个二极管芯片1-1每两颗连在一起；之后，再 将2个二极管芯片1-1 一次性贴片在1个具有三个电极的三极管外形中，这样即能减少切 割划片次数、又能减少生产中贴片的次数，从而有效提高了生产效率。连接在二极管芯片1-1的阳极与引线框架2的基极之间的内部导线3的线径、以 及连接在二极管芯片1-1的阳极与引线框架2的发射极之间的内部导线3的线径需根据该 二极管芯片1-1的额定电流的大小进行设定，当2个二极管芯片1-1的额定电流不同时，可 以采用不同线径的内部导线3。但一般来说，位于同一引线框架2的集电极上的2个二极管 芯片1-1都是具有相同参数的，即额定电流相同，为了简化焊线工艺，因此在本实用新型优 选实施例中，连接在二极管芯片1-1的阳极与引线框架2的基极之间的内部导线3的线径 与连接在二极管芯片1-1的阳极与引线框架2的发射极之间的内部导线3的线径相同。当 二极管芯片1-1的额定电流较大时，采用1条内部导线3来连接二极管芯片1-1的阳极和 引线框架2的基极或集电极时，就需要1条较粗线径的内部导线3，本实用新型优选实施例 中，连接在二极管芯片1-1的阳极与引线框架2的基极之间的内部导线3、和/或连接在二 极管芯片1-1的阳极与引线框架2的发射极之间的内部导线3的条数为1条；且每条内部 导线3的线径应控制在17 20um之间，以达到满足2个二极管芯片1_1额定电流为准。为了避免2个二极管芯片1-1之间的距离过近而造成的相互干扰、甚至因电流过 大而引起的相互击穿导通，上述方案所述二极管芯片1-1为采用平面工艺生产的芯片，位 于同一管芯1内的2个二极管芯片1-1的阳极之间即阳极光刻图形之间通过二氧化硅绝缘 层相互分开，进行绝缘。上述2个二极管芯片1-1之间应间隔即二氧化硅绝缘层的宽度为 50 lOOum。
权利要求1.共阴极双二极管的内部封装结构，包括管芯(1)和引线框架O)；所述引线框架(2) 包含有3个相互绝缘的引出电极，即基极、集电极和发射极；其特征在于所述管芯(1)由2 个相互连接成一体的二极管芯片(1-1)所构成；这2个二极管芯片(1-1)的阴极均处于管 芯(1)的背面，并同时覆贴在引线框架O)的集电极上；而2个二极管芯片(1-1)的阳极则 处于管芯(1)的正面，其中1个二极管芯片(1-1)的阳极通过内部导线(3)与引线框架(2) 的基极相连，另1个二极管芯片(1-1)的阳极则通过内部导线(3)与引线框架O)的发射 极相连。
2.根据权利要求1所述的共阴极双二极管的内部封装结构，其特征在于连接在二极 管芯片(1-1)的阳极与引线框架O)的基极之间的内部导线(3)的线径与连接在二极管芯 片(1-1)的阳极与引线框架O)的发射极之间的内部导线(3)的线径相同。
3.根据权利要求1或2所述的共阴极双二极管的内部封装结构，其特征在于每条内 部导线⑶的线径介于17 20um之间。
4.根据权利要求1所述的共阴极双二极管的内部封装结构，其特征在于位于同一管 芯(1)内的2个二极管芯片(1-1)的阳极之间通过二氧化硅绝缘层相分隔。
5.根据权利要求4所述的共阴极双二极管的内部封装结构，其特征在于2个二极管芯 片(1-1)之间的距离介于50 IOOum之间。
专利摘要本实用新型公开一种共阴极双二极管的内部封装结构，包括管芯和引线框架；所述引线框架包含有3个相互绝缘的引出电极，即基极、集电极和发射极；所述管芯由2个相互连接成一体的二极管芯片所构成；这2个二极管芯片的阴极均处于管芯的背面，并同时覆贴在引线框架的集电极上；而2个二极管芯片的阳极则处于管芯的正面，其中1个二极管芯片的阳极通过内部导线与引线框架的基极相连，另1个二极管芯片的阳极则通过内部导线与引线框架的发射极相连。这既能提高贴片的生产效率，同时也能够在一定程度上避免二极管芯片的损坏。
文档编号H01L25/07GK201829495SQ20102054287
公开日2011年5月11日 申请日期2010年9月26日 优先权日2010年9月26日
发明者周潘衡, 彭志容, 彭顺刚, 李勇昌, 蒋振荣, 邹锋 申请人:桂林斯壮微电子有限责任公司