专利名称：红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片及其电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种新型结构的红外η面全电极芯片，该结构芯片可作为分压二 极管并与四元红色芯片串联使用，以起到分压保护作用。
背景技术：
现阶段的LED全彩系(RGB)各类封装产品中，由于芯片自身的材料特征，在20mA 的条件下，红光芯片的正向电压(VF)通常比蓝、绿光芯片的正向电压要低1.2V左右。而此 三款芯片通常是并联恒压使用，为保证蓝、绿光芯片的正向电压的稳定，则红光芯片的正向 电压就会偏高，以致该款芯片可靠性下降。
发明内容本实用新型为了克服上述现有技术中存在的问题，提出一种可作为分压二极管并 与四元红色芯片串联使用，以起到分压保护作用的红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片 及其电路。本实用新型提出的红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片，其由底层依次向上层 叠有P电极、P砷化镓外延层、N砷化镓外延层、N砷化镓衬底层、N电极，该N电极全部覆盖 于N砷化镓衬底层上而形成全电极结构。本实用新型还提出一种设有红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片的电路，其包 括由一红光芯片和一红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片串接而成的串联电路、与该串 联电路并联的绿光芯片或蓝光芯片。还可以是与该串联电路并联的绿光芯片和蓝光芯片。本实用新型采用红外HOMO型外延(IRC)和全电极设计，在GaAs材料N面做全电 极用于焊线，与现有类似的技术相比，其优点如下1、省去了较为复杂的半导体光刻工艺，提高了生产效率以及降低了生产成本。2、焊线时能充分与焊接导线连接(接触面积大)，提升了焊线品质。3、本实用新型的芯片在20mA条件下的正向电压(VF)非常稳定，且波动较小，基本 都在1. 2 1. 25V之间。可减少分选工序，而直接与LED芯片一起封装，大大降低成本。
以下结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明，其中
图1是现有工艺芯片的结构示意图；图2是本实用新型芯片的结构示意图；图3、图4本实用新型产品使用的原理示意图。
具体实施方式
如图1所示，为现有工艺芯片的结构示意图，该芯片由底层依次向上层叠有P电极 1、P砷化镓外延层2、N砷化镓外延层3、N砷化镓衬底层4、N电极5。该N电极5只是局部的设于N砷化镓衬底层4上。本实用新型提出的一种红外GaAs基N面全电极分压二极管 芯片，基本机构与现有的结构大体相同，主要不同在于最上层的N电极6全部覆盖于N砷 化镓衬底层4上而形成全电极结构，如图2所示。本实用新型采用红外HOMO型外延(IRC)和全电极设计，在GaAs材料N面做全电 极用于焊线，可以省去较为复杂的半导体光刻工艺，提高了生产效率以及降低了生产成本。 焊线时能充分与焊接导线连接(接触面积大)，提升了焊线品质。如图3所示，在实际使用时，可以由一红光芯片7和一红外GaAs基N面全电极分 压二极管芯片8串接而成一串联电路，然后将该串联电路与一绿光芯片9或者一蓝光芯片 10并联。当然，也可以将该串联电路与一绿光芯片9和一蓝光芯片10并联，如图4所示。本实用新型的芯片在20mA条件下的正向电压(VF)非常稳定，且波动较小，基本都 在1.2 1.25V之间。可减少分选工序，而直接与LED芯片一起封装，大大降低成本。在封 装LED全彩系产品时将芯片和红光芯片串联，可以有效地起到分压保护红光芯片的作用。
权利要求1.一种红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片，其特征在于，由底层依次向上层叠有 P电极(1)、P砷化镓外延层(2)、N砷化镓外延层(3)、N砷化镓衬底层(4)、N电极(6)，该 N电极(6)全部覆盖于N砷化镓衬层(4)上而形成全电极结构。
2.一种使用权利要求1所述分压二极管芯片的电路，其特征在于，包括由一红光芯片 (7)和一红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片(8)串接而成的串联电路、与该串联电路 并联的绿光芯片(9)或蓝光芯片(10)。
3.一种使用权利要求1所述分压二极管芯片的电路，其特征在于，包括由一红光芯片 (7)和一红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片(8)串接而成的串联电路、与该串联电路 并联的绿光芯片(9)以及蓝光芯片(10)。
专利摘要本实用新型公开了一种红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片，其由底层依次向上层叠有P电极(1)、P砷化镓外延层(2)、N砷化镓外延层(3)、N砷化镓衬底层(4)、N电极(6)，该N电极(6)全部覆盖于N砷化镓衬底层(4)上而形成全电极结构。与现有类似的技术相比，可以省去较为复杂的半导体光刻工艺，提高了生产效率以及降低了生产成本。焊线时能充分与焊接导线连接(接触面积大)，提升了焊线品质。芯片在20mA条件下的正向电压(VF)非常稳定，且波动较小，基本都在1.2～1.25V之间。可减少分选工序，而直接与LED芯片一起封装，大大降低成本。
文档编号H01L29/861GK201853711SQ20102055275
公开日2011年6月1日 申请日期2010年9月30日 优先权日2010年9月30日
发明者何畏, 吴质朴 申请人:深圳市奥伦德光电有限公司