专利名称：组合物与高分子的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种组合物与高分子，特别涉及用以形成交联高分子化合物的组合物与高分子。
背景技术：
相比于无机薄膜晶体管(transistor)，有机薄膜晶体管(OTFT)应用于大型显示器具有低制程温度及低成本的优势。因此近年来有许多研究致力于开发OTFT的相关材料及制程技术。目前的研究主要是使用氧化硅作为栅极介电层(gate dielectric layer)。 而OTFT未来的发展趋势，材料方面势必是朝向全塑胶化为目标，如此一来才能使用如印刷等可大面积化的低成本制程。因此开发有机高分子材料的栅极介电层非常重要的。
发明内容本发明的一种实施方式提出一种组合物。该组合物包括高分子与三聚氰胺衍生
物。该高分子具有以下化学式
权利要求
1.一种组合物，包括 高分子，具有以下化学式
2.如权利要求1所述的组合物，还包括交联剂，其中该交联剂包括
3.如权利要求1所述的组合物，其中该高分子具有以下化学式
4.如权利要求1所述的组合物，还包括添加剂，该添加剂包括硅氧烷、二苯甲酮、2-羟基-2-甲基苯丙酮、偶氮二异丁腈或上述的组合。
5.如权利要求1所述的组合物，还包括光起始剂。
6.如权利要求1所述的组合物，其中该组合物系用以形成交联高分子化合物，其中该交联高分子化合物为介电材料。
7.如权利要求6所述的组合物，其中该交联高分子化合物的介电常数为2至6。
8.如权利要求6所述的组合物，其中该介电材料系用于电容结构。
9.如权利要求6所述的组合物，其中该介电材料系作为有机薄膜晶体管中的栅极介电层。
10.如权利要求1所述的组合物，其中该组合物系通过照光交联。
11.如权利要求10所述的组合物，其中该组合物系通过照射紫外光交联，紫外光的照射量为 0. 5J/cm2 至 20J/cm2。
12.—种高分子，该高分子具有以下化学式
全文摘要
一种组合物与高分子。所述组合物包括高分子与三聚氰胺衍生物。所述高分子具有以下化学式其中R为氢基、卤化物、烷基、烷氧基、卤烷基或硝基。n为1～5的整数。x+y+z＝1，x＞0，y≥0，z≥0。所述三聚氰胺衍生物包括其中，R1为氢基、CqH2q+1或m、q独立地为1～10的整数，R2、R3与R4独立地为氢基、卤化物或C1～C54烷基。
文档编号H01G4/18GK102453287SQ20111013901
公开日2012年5月16日 申请日期2011年5月26日 优先权日2010年10月27日
发明者徐美玉, 杨丰瑜, 骆伯远, 黄桂武 申请人:财团法人工业技术研究院