专利名称：一种用于制作芯片的双台面硅片的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于制作芯片的硅片，具体地说是一种用于制作芯片的双台面硅片。
背景技术：
目前，一般采用双台面或单台面硅片制作芯片。无论是双台面的硅片或还是单台面的硅片，都需要在硅片上制作PN结和PN结隔离槽；其中双台面硅片上制作的PN结隔离槽间距相等且对称，使得双台面硅片的碎片多，且对芯片分割的划片设备精度要求较高，造成芯片的合格率较低；另外单台面硅片上的PN结隔离槽的对通隔离需经过高温长时间扩散，给单晶硅造成缺陷，导致芯片合格率低，成本偏高，且一致性较差。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种结构简单、制作容易、单晶缺陷低、产品合格率高且制造成本低的用于制作芯片的双台面硅片。本发明的目的是通过以下技术方案解决的
一种用于制作芯片的双台面硅片，包括硅片，所述硅片的正面和背面分别设有正面PN 结和背面PN结，其中硅片的正面间隔设置有分隔正面PN结的正面PN结隔离槽，硅片的背面间隔设置有分隔背面PN结的背面PN结隔离槽；所述相邻正面PN结隔离槽之间的间距与相邻背面PN结隔离槽之间的间距不等。所述的相邻正面PN结隔离槽之间的间距小于相邻背面PN结隔离槽之间的间距。所述的正面PN结隔离槽与背面PN结隔离槽相互错开设置。所述的正面PN结隔离槽与背面PN结隔离槽为弧形槽。所述正面PN结隔离槽的半径小于背面PN结隔离槽的半径。所述正面PN结隔离槽的底部至正面PN结上边沿的高度大于正面PN结的厚度。所述背面PN结隔离槽的底部至背面PN结下边沿的高度大于背面PN结的厚度。所述的硅片采用N型硅片或P型硅片。本发明相比现有技术有如下优点
本发明通过在硅片的正背表面上设置两层PN结，并在双层PN结上设置间距大小不同的PN结隔离槽的方式，使硅片厚度最小处的距离加大，降低了硅片在生产过程中碎裂的几率，在降低双台面硅片制造难度的同时提高了产品的合格率。本发明的产品结构简单、生产成本低，制备出来的产品合格率高且单晶缺陷低， 适宜推广使用。
附图1为本发明的结构示意图。其中1 一硅片；2—正面PN结；3—背面PN结；4一正面PN结隔离槽；5—背面PN 结隔离槽。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解该实施例仅用于说明本发明而不用于限制发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。如图1所示一种用于制作芯片的双台面硅片，包括硅片1，硅片1可根据实际需要采用N型或P型硅片，在硅片1的正面和背面分别设有正面PN结2和背面PN结3，该正面PN结2和背面PN结3均是将硅片1中掺入杂质后形成，正面PN结2和背面PN结3均勻设置在硅片1的正面和背面上。在硅片1的正面间隔设置有分隔正面PN结2的正面PN 结隔离槽4，该正面PN结隔离槽4为弧形槽，且正面PN结隔离槽4的底部至正面PN结2上边沿的高度大于正面PN结2的厚度 ’硅片1的背面间隔设置有分隔背面PN结3的背面PN 结隔离槽5，该背面PN结隔离槽5为弧形槽，背面PN结隔离槽5的底部至背面PN结3下边沿的高度大于背面PN结3的厚度。另外正面PN结隔离槽4与背面PN结隔离槽5相互错开设置，不但正面PN结隔离槽4的半径小于背面PN结隔离槽5的半径，而且相邻正面PN 结隔离槽4之间的间距小于相邻背面PN结隔离槽5之间的间距。本发明通过在硅片的正背表面上设置两层PN结，并在双层PN结上设置间距大小不同的PN结隔离槽的方式，使硅片厚度最小处的距离加大，降低了硅片在生产过程中碎裂的几率，在降低双台面硅片制造难度的同时提高了产品的合格率；产品具有结构简单、生产成本低的特点，制备出来的产品合格率高且单晶缺陷低，适宜推广使用。本发明未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。
权利要求
1.一种用于制作芯片的双台面硅片，包括硅片(1 )，其特征在于所述硅片(1)的正面和背面分别设有正面PN结(2)和背面PN结(3)，其中硅片(1)的正面间隔设置有分隔正面PN 结(2)的正面PN结隔离槽(4)，硅片(1)的背面间隔设置有分隔背面PN结(3)的背面PN结隔离槽(5);所述相邻正面PN结隔离槽(4)之间的间距与相邻背面PN结隔离槽(5)之间的间距不等。
2.根据权利要求1所述的用于制作芯片的双台面硅片，其特征在于所述的相邻正面PN 结隔离槽(4)之间的间距小于相邻背面PN结隔离槽(5)之间的间距。
3.根据权利要求1或2所述的用于制作芯片的双台面硅片，其特征在于所述的正面PN 结隔离槽(4)与背面PN结隔离槽(5)相互错开设置。
4.根据权利要求1所述的用于制作芯片的双台面硅片，其特征在于所述的正面PN结隔离槽(4)与背面PN结隔离槽(5)为弧形槽。
5.根据权利要求4所述的用于制作芯片的双台面硅片，其特征在于所述正面PN结隔离槽(4)的半径小于背面PN结隔离槽(5)的半径。
6.根据权利要求1所述的用于制作芯片的双台面硅片，其特征在于所述正面PN结隔离槽(4)的底部至正面PN结(2)上边沿的高度大于正面PN结(2)的厚度。
7.根据权利要求1所述的用于制作芯片的双台面硅片，其特征在于所述背面PN结隔离槽(5)的底部至背面PN结(3)下边沿的高度大于背面PN结(3)的厚度。
8.根据权利要求1所述的用于制作芯片的双台面硅片，其特征在于所述的硅片(1)采用N型硅片或P型硅片。
全文摘要
本发明公开了一种用于制作芯片的双台面硅片，包括硅片(1)，所述硅片(1)的正面和背面分别设有正面PN结(2)和背面PN结(3)，其中硅片(1)的正面间隔设置有分隔正面PN结(2)的正面PN结隔离槽(4)，硅片(1)的背面间隔设置有分隔背面PN结(3)的背面PN结隔离槽(5)；所述相邻正面PN结隔离槽(4)之间的间距与相邻背面PN结隔离槽(5)之间的间距不等。本发明通过设置间距大小皆不同的PN结隔离槽，使硅片厚度最小处的距离加大，降低了硅片在生产过程中的碎裂几率，在降低双台面硅片制造难度的同时提高了产品的合格率；产品的结构简单、生产成本低、合格率高且单晶缺陷低，适宜推广使用。
文档编号H01L29/06GK102332466SQ201110316549
公开日2012年1月25日 申请日期2011年10月18日 优先权日2011年10月18日
发明者伍林, 张海金, 潘建英 申请人:宜兴市环洲微电子有限公司