专利名称：一种减少污染与微尘的处理方法
技术领域：
本发明公开了一种减少污染与微尘的处理方法，属于电子技术领域。
背景技术：
半导体制程中所用到的湿制程以硅晶片洗净和湿蚀刻为主。其中，硅晶片洗净的目的是除去硅晶片上的金属杂质、有机物污染与微尘，并且要考虑到表面粗糙物，以及可能形成的自然氧化物的清除，清除过程极其复杂，造价昂贵。
发明内容
本发明的目的是提供一种减少污染与微尘的处理方法，在硅晶片进行蚀刻与清洗后，再加入一道硅晶片承载元件的清洗步骤，以减低硅晶片上的微粒与缺陷，并延长机台清洁保养的时间间隔。本发明的目的是通过以下技术方案实现的一种减少污染与微尘的处理方法，在硅晶片进行蚀刻与清洗后，再加入一道硅晶片承载元件的清洗步骤，以减低硅晶片上的微粒与缺陷，并延长机台清洁保养的时间间隔，其具体步骤是(1)将硅晶片移至蚀刻槽中；(2)将硅晶片移至清洗槽中，利用氢氧化铵进行硅晶片的清洁；(3)移走位于硅晶片承载元件上的硅晶片；(4)将硅晶片承载元件移入清洗槽中，利用过氧化轻的水溶液进行硅晶片承载元件的清洁。本发明的有益效果是可有效减低造成硅晶片伤害的微粒与缺陷，并延长机台清洁保养的时间间隔，提高产品的效率与质量。
图1是本发明的处理方法的流程图
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步说明。如图1所示，一种减少污染与微尘的处理方法具体步骤是(1)将硅晶片移至蚀刻槽中；(2)将硅晶片移至清洗槽中，利用氢氧化铵进行硅晶片的清洁；(3)移走位于硅晶片承载元件上的硅晶片；(4)将硅晶片承载元件移入清洗槽中，利用过氧化轻的水溶液进行硅晶片承载元件的清洁。
权利要求
1 . 一种减少污染与微尘的处理方法，在硅晶片进行蚀刻与清洗后，再加入一道硅晶片承载元件的清洗步骤，以减低硅晶片上的微粒与缺陷，并延长机台清洁保养的时间间隔，其特征在于所述的处理方法具体步骤是(1)将硅晶片移至蚀刻槽中；(2)将硅晶片移至清洗槽中，利用氢氧化铵进行硅晶片的清洁；(3)移走位于硅晶片承载元件上的硅晶片；(4)将硅晶片承载元件移入清洗槽中，利用过氧化轻的水溶液进行硅晶片承载元件的清洁。
全文摘要
本发明公开了一种减少污染与微尘的处理方法，属于电子技术领域，具体步骤是(1)将硅晶片移至蚀刻槽中；(2)将硅晶片移至清洗槽中，利用氢氧化铵进行硅晶片的清洁；(3)移走位于硅晶片承载元件上的硅晶片；(4)将硅晶片承载元件移入清洗槽中，利用过氧化轻的水溶液进行硅晶片承载元件的清洁；有益效果是可有效减低造成硅晶片伤害的微粒与缺陷，并延长机台清洁保养的时间间隔，提高产品的效率与质量。
文档编号H01L21/02GK102427022SQ20111035504
公开日2012年4月25日 申请日期2011年11月10日 优先权日2011年11月10日
发明者孙统利 申请人:孙统利