专利名称：避免金属尖角的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体领域中改善金属尖角的方法，特别是涉及一种避免金属尖角的方法。
背景技术：
绝缘栅双极型晶体管(InsolatedGate Bipolar Transistor, IGBT)是由 MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为M0SFET，输出极为PNP晶体管，它综合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，因而，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。在IGBT的后续金属导线制作过程中，由于前层的沟槽的存在，导致金属导线在沟槽的边缘极容易形成尖角形貌，即在局部高低差的区域会形成一种很尖的角存在，如图1中标注7所示。这种尖角的存在，对产品后续耐高压性能方面会有极大影响，在高压下极容易造成尖端放电，从而导致器件失效。所以这种尖角必须要进行避免。目前改善方法有进行关键尺寸的控制使其变大从而避过沟槽边缘区域，但是这种方法需要改变下面器件的设计，使其绕过金属导线覆盖的区域，因为在金属覆盖下会产生磁场进而对器件性能造成影响。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种避免金属尖角的方法，通过利用一次高选择比的湿法刻蚀在原来的高低差区域形成另外一个高低差，从而避开原来尖角可能出现的地方，进而去除形成尖角的可能性，从而解决了金属导线尖角导致的尖端放电问题。为解决上述技术问题，本发明的避免金属尖角的方法，包括步骤:(I)在硅基板上成长若干层氧化膜；(2)刻蚀形成沟槽形貌；(3)成长金属连线；(4)金属连线刻蚀。所述步骤(I)中，氧化膜包括:在硅基板上成长的若干层不同刻蚀速率的第一氧化膜、第二氧化膜或能实现第二氧化膜相同功能的介质膜；其中，这些不同速率可以通过氧化膜的不同的掺杂浓度(如3% 5% )、不同的成长温度(如300 700摄氏度)，以及不同的成长压力(如O-SOOTorr)等方式进行控制。第一氧化膜的厚度为10000 40000埃，包括:成长温度为300 700摄氏度的掺
杂浓度为3 % 4%的亚常压磷掺杂氧化硅膜，或者若干层浓度范围为3 % 4%的亚常压磷掺杂氧化膜或高密度等离子增强磷掺杂氧化膜叠加而成。第二氧化膜，是在第一氧化膜上成长的、具有第一氧化膜对第二氧化膜选择比为I: 2左右的一层成长温度为300 700摄氏度、掺杂浓度为4% 5%的亚常压磷掺杂氧化膜，第二氧化膜的厚度为1000 10000埃。
能实现第二氧化膜相同功能的介质膜，是在湿法刻蚀下，具有较高的选择比的介质膜，厚度为1000 10000埃,包括:氮化膜,氮氧化膜。所述步骤(2)中，采用湿法进行刻蚀；沟槽形貌要求最上面一层第二氧化膜或介质膜进行横向刻蚀，刻蚀量视金属导线设计关键尺寸，以及套刻状况而定。所述步骤(3)中，金属连线的厚度取决于制程需求，如该步骤中，成长的方法可为:通过金属溅射方式，沉积一层厚度为I 5微米的金属连线。所述步骤(4)中，采用干法或湿法，进行刻蚀，形成金属连线。本发明利用在沟槽形成之后，采用高选择比的湿法刻蚀，将第二氧化膜或介质膜向两侧横向刻蚀，形成一种高低差的形貌，这样在不改变金属层光罩的前提下，将原来的沟槽拐角的地方分别向两侧扩大，进而避免了原来金属尖角出现的区域的形成，从而实现绝缘栅双极型晶体管器件中金属导线的无尖角化，保证没有金属尖端放电导致的器件失效问题。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明:图1是由于高低差导致的金属尖角示意图；图2是本发明的绝缘栅双极型晶体管沟槽结构以及光刻图形化断面示意图；图3是本发明的绝缘栅双极型晶体管沟槽形成后用高选择比湿法使最上面的一层第二氧化膜或介质膜横向刻蚀后的示意图；图4是本发明的湿法横向刻蚀并去胶后的形貌示意图；图5是本发明的金属沉积后的形貌示意图；图6是本发明的金属层光刻图形形成后的侧面图；图7是本发明的最终形成的金属形貌示意图。图中附图标记说明如下:I为金属连线2为480°C生长的亚常压磷掺杂5%氧化硅膜3为480°C生长的亚常压磷掺杂3.5%氧化硅膜4为380°C生长的高密度等离子增强磷掺杂4%氧化硅5为480°C生长的亚常压磷掺杂3%氧化硅膜6为硅基板7为金属尖角8为沟槽的光刻图案9是光刻图形
具体实施例方式本发明的在绝缘栅双极型晶体管制备中避免金属尖角的方法，包括步骤:(I)在硅基板6上成长若干层氧化膜，具体步骤如下:如图2所示，在硅基板6上面使用不同的掺杂浓度、成膜温度以及成膜方式，成长如下的氧化膜:
①先使用亚常压化学气相沉积的方式，在200TO1T的压力下，沉积一层I微米的480°C生长的掺杂浓度为3%的亚常压磷掺杂氧化硅膜5 (第一氧化膜)；②在步骤①的基础上，使用高浓度等离子化学气相沉积的方式，在IOmTorr的压力下，成长一层0.7微米的380°C生长的掺杂浓度为4%的高密度等离子增强磷掺杂氧化硅膜4(第一氧化膜)；③在步骤②的基础上，采用亚常压化学气相沉积的方式，在200TO1T的压力下，沉积一层I微米的480°C生长的掺杂浓度为3.5%的亚常压磷掺杂氧化硅膜3 (第一氧化膜)；④最后，再使用亚常压化学气相沉积的方式在200TO1T的压力下，沉积一层
0.7 μ m的480°C生长的掺杂浓度为5%的亚常压磷掺杂氧化硅膜2 (第二氧化膜)。在成长后的氧化膜基础上，涂覆一层厚度4微米的光刻胶，然后通过曝光的方式形成沟槽的光刻图案8;(2)使用BOE药液或其他任何可以实现该功能的药液，进行湿法刻蚀，形成沟槽形貌(如图3所示)；其中，沟槽形貌要求最上面一层第二氧化膜或介质膜进行横向刻蚀，刻蚀量视金属导线设计关键尺寸，以及套刻状况而定，本实施例中第二氧化膜的横向刻蚀量较第一氧化膜的横向刻蚀量大一微米左右；在刻蚀过程中，由于480°C生长的掺杂浓度为5 %亚常压磷掺杂氧化硅膜2与480°C生长的掺杂浓度为3.5%的亚常压磷掺杂氧化硅膜3有较高的选择比(如2: I)，这样在刻蚀过程中，直接会产生如图3所示的形貌；(3)光刻胶去除后(如图4所示)，通过金属溅射的方式，成长一层厚度为4微米的金属连线I (如图5所示)，涂上厚度为4微米的光刻胶，然后曝光，并形成光刻图形9 (如图6所示)；(4)采用干法刻蚀的方式，进行金属连线刻蚀，将光刻胶曝光区域的金属刻完，形成金属连线，结果如图7所示。按照上述步骤进行操作，通过将480°C生长的掺杂浓度为5%的亚常压磷掺杂氧化硅膜2向两侧横向刻蚀，形成高低差形貌，使原来的沟槽拐角的地方分别向两侧扩大，避免了金属尖角7出现的区域的形成，实现了绝缘栅双极型晶体管器件中金属导线的无尖角化，解决了金属导线尖角导致的尖端放电问题，保证了器件的有效性。
权利要求
1.一种避免金属尖角的方法，其特征在于，包括步骤: (1)在娃基板上成长若干层氧化膜； (2)刻蚀形成沟槽形貌； (3)成长金属连线； (4)金属连线刻蚀。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤(I)中，氧化膜包括:在硅基板上成长的若干层不同刻蚀速率的第一氧化膜、第二氧化膜或能实现第二氧化膜相同功能的介质膜； 其中，不同刻蚀速率能通过氧化膜的掺杂浓度、成长温度以及成长压力进行控制； 所述第一氧化膜的厚度为10000 40000埃； 第二氧化膜，是在第一氧化膜上成长的，厚度为1000 10000埃； 能实现第二氧化膜相同功能的介质膜，厚度为1000 10000埃。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于:所述不同刻蚀速率，通过氧化膜的3% 5%的掺杂浓度、300 700摄氏度的成长温度，以及0-800Torr的成长压力进行控制。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于:所述第一氧化膜，包括:成长温度为300 700摄氏度的、掺杂浓度为3% 4%的亚常压磷掺杂氧化硅膜，或者若干层浓度范围为3% 4%的亚常压磷掺杂氧化膜或高密度等离子增强磷掺杂氧化膜叠加而成。
第二氧化膜，具有第一氧化膜对第二氧化膜选择比为1: 2的一层成长温度为300 700摄氏度、掺杂浓度为4% 5%的亚常压磷掺杂氧化膜； 能实现第二氧化膜相同功能的介质膜，包括:氮化膜、氮氧化膜。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤(2)中，采用湿法进行刻蚀； 其中，沟槽形貌要求最上面一层第二氧化膜或介质膜进行横向刻蚀。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤(3)中，成长的方法为:通过金属溅射的方式，沉积一层厚度为I 5微米的金属连线。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤(4)中，采用干法或湿法，进行刻蚀，形成金属连线。
全文摘要
本发明公开了一种避免金属尖角的方法，包括步骤1)在硅基板上成长若干层氧化膜；2)刻蚀形成沟槽形貌；3)成长金属连线；4)金属连线刻蚀。本发明通过将第二氧化膜或介质膜向两侧横向刻蚀，形成高低差形貌，将原来的沟槽拐角的地方分别向两侧扩大，进而避免了原来金属尖角出现的区域的形成，从而实现绝缘栅双极型晶体管器件中金属导线的无尖角化，保证没有金属尖端放电导致的器件失效问题。
文档编号H01L21/3213GK103177957SQ20111043144
公开日2013年6月26日 申请日期2011年12月21日 优先权日2011年12月21日
发明者郁新举 申请人:上海华虹Nec电子有限公司