专利名称：一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路，具体涉及一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路。
背景技术：
射频IC设计中，射频信号的电磁场分布随着频率提高，其空间分布特性变化也增大，管壳封装等分布参数对电路性能影响非常大；随着频率变化，这些寄生参数在电路工作中不仅影响射频芯片本身的工作特性，而且耦合的高频信号能量还会造成周围电路和系统误工作，产生严重的电磁干扰问题。
传统陶瓷管壳一般三层，第一介质层、金属基层和第二介质层，传输电信号的金属基层介于两个介质层之间，这样的布局方式所加工出来的陶瓷管壳由于传输信号的信号层之间没有能够有效隔离本振泄露的阻隔层，导致高频信号在传输过程中，通道之间存在较高的耦合效应，从而会增大信号的本振泄露，隔离度低。发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是，一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，包括管壳和芯片，管壳由壳底、壳体和盖板构成，芯片放置在壳底上，其特点是壳体包括第一介质层、第一金属基层、第二介质层、第二金属基层、第三介质层和第三金属基层；所述第一介质层、第一金属基层、第二介质层、第二金属基层、第三介质层和第三金属基层从上至下按顺序叠合，芯片通过键合线与第二金属基层连接，第一金属基层和第三金属基层通过第一通孔连接。
本发明在与芯片连接的第二金属基层外还设置有第一金属基层和第三金属基层， 并将第一金属基层和第三金属基层连接，起到对第二金属基层屏蔽的作用，能够有效地降低信号通道的耦合效应，降低本振泄露。
根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳体还包括第四介质层，第四介质层叠合在第三金属基层之下方。
根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳体还包括第四金属基层、第五介质层和第五金属基层，第四金属基层、第五介质层和第五金属基层从上至下按顺序叠合，并且，第四金属基层叠合在第四介质层之下方，第二金属基层与第四金属基层通过第二通孔相连，第一金属基层、第三金属基层和第五金属基层通过第一通孔连接。
本发明的该优选方案在与芯片连接的第二金属基层外还设置有第一金属基层，在与芯片连接的第四金属基层外还设置有第五金属基层，并在第二金属基层与第四金属基层之间设置有第三金属基层，同时将第一金属基层、第三金属基层和第五金属基层连接，起到对第二金属基层、第四金属基层屏蔽的作用，能够有效地降低信号通道的耦合效应，降低本振泄露。
根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳体还包括第六介质层，第六介质层叠合在第第五金属基层的下方。
根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳底为热沉或金属基层，第三金属基层与壳底连接。
根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳底为热沉，第三金属基层与壳底连接。
根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳底为热沉或金属基层，第五金属基层与壳底连接。
根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳底为热沉，第五金属基层与壳底连接。
本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的有益效果是: 本发明采用地层隔离技术，能够有效地降低信号通道的耦合效应，降低本振泄露，具有高的隔离度，系统结构简单，能够减少投片次数，提高了工作效率和经济效益，具有良好的应用前景。
图1是本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的结构示意图。
图2是实施例2的结构示意图。
图3是实施例3的结构示意图。
图4是实施例4的结构示意图。
图5是采用传统陶瓷管壳LCC64封装的集成电路的仿真图。
图6是采用实施例2所述的陶瓷管壳封装的集成电路且壳底8为热沉的仿真图。
具体实施方式
实施例一，参见图1，一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，包括管壳和芯片7，管壳由壳底8、壳体10和盖板1构成，芯片7放置在壳底8上，壳体10包括第一介质层9a、第一金属基层加、第二介质层％、第二金属基层2b、第三介质层9c和第三金属基层2c ；所述第一介质层9a、第一金属基层2a、第二介质层％、第二金属基层2b、第三介质层9c和第三金属基层2c从上至下按顺序叠合，芯片7通过键合线6与第二金属基层加连接，第二金属基层加通过第二通孔4与引线5连接；第一金属基层加和第三金属基层2c 通过第一通孔11连接，其中壳底8为热沉，热沉采用钨铜合金材料制成，金属基层采用铁镍钴合金材料制成，介质层采用三氧化二铝材料构成，第三金属基层2c与壳底8连接；当芯片不需要通过热沉散热时，壳底8为金属基层，采用铁镍钴合金材料制成，壳底8与第三金属基层2c连接。
实施例二 参见图2，实施例二与实施例一不同的是所述壳体10还包括第四介质层9d，第四介质层9d叠合在第三金属基层2c之下方；壳底8为热沉，热沉采用钨铜合金材料制成，金属基层采用铁镍钴合金材料制成，介质层采用三氧化二铝材料构成，第三金属基层2c与壳底8连接；当芯片不需要通过热沉散热时，壳底8也可以采用三氧化二铝制成，并将第一金属基层加与地连接。
实施例三参见图3，一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，包括管壳和芯片7，管壳由壳底8、壳体10和盖板1构成，芯片7放置在壳底8上，壳体10包括第一介质层9a、第一金属基层2a、第二介质层％、第二金属基层2b、第三介质层9c、第三金属基层2c、第四介质层9d、第四金属基层2d、第五介质层9e和第五金属基层2e以及第六介质层9f ；所述第一介质层9a、第一金属基层2a、第二介质层％、第二金属基层2b、第三介质层 9c、第三金属基层2c、第四介质层9d、第四金属基层2d、第五介质层9e和第五金属基层2e 从上至下按顺序叠合，芯片7通过键合引线6与第二金属基层2b连接，第二金属基层2b与第四金属基层2d以及引线5通过第二通孔4相连，第一金属基层2a、第三金属基层2c和第五金属基层加通过第一通孔11连接，其中壳底8为热沉，热沉采用钨铜合金材料制成， 金属基层采用铁镍钴合金材料制成，介质层采用三氧化二铝材料构成，第五金属基层2e与壳底8连接；当芯片7不需要通过热沉散热时，壳底8为金属基层，采用铁镍钴合金材料制成，壳底8与第五金属基层2e连接。
实施例四参见图4，实施例四与实施例三不同的是，所述壳体还包括第六介质层 9f，第六介质层9f叠合在第五金属基层2e的下方；壳底为热沉，热沉采用钨铜合金材料制成，金属基层采用铁镍钴合金材料制成，介质层采用三氧化二铝材料构成，第五金属基层2e 与壳底8连接；当芯片不需要通过热沉散热时，壳底8也可以采用三氧化二铝制成，并将第一金属基层加与地连接。
实施例五利用美国Ansoft公司的仿真软件HFSS和Q3D对LCC64管壳模型进行模拟分析，参见图5和图6，图5是采用传统陶瓷管壳LCC64封装的集成电路的仿真结果，图 6是采用实施例2所述的陶瓷管壳封装的集成电路且壳底8为热沉的仿真结果，根据图5、 图6的仿真结果对比可以看出，在频率为350MHz时，隔离度提高了 ISdB。
按照上述实施例进行实施，能够有效地降低信号通道的耦合效应，降低本振泄露， 具有高的隔离度。
上面对本发明的具体实施方式
进行了描述，但是，本发明保护的不仅限于具体实施方式
的范围。
权利要求
1.一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，包括管壳和芯片(7)，管壳由壳底(8)、壳体(10)和盖板(1)构成，芯片(7)放置在壳底(8)上，其特征在于壳体(10)包括第一介质层(9a)、第一金属基层(2a)、第二介质层(％)、第二金属基层(2b)、第三介质层 (9c)和第三金属基层(2c);所述第一介质层(9a)、第一金属基层(2a)、第二介质层(％)、第二金属基层(2b)、第三介质层(9c)和第三金属基层(2c)从上至下按顺序叠合，芯片(7)通过键合线(6)与第二金属基层(2a)连接，第一金属基层(2a)和第三金属基层(2c)通过第一通孔(11)连接。
2.根据权利要求1所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于所述壳体(10)还包括第四介质层(9d)，第四介质层(9d)叠合在第三金属基层(2c)之下方。
3.根据权利要求2所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于所述壳体(10)还包括第四金属基层(2d)、第五介质层(9e)和第五金属基层(2e)，第四金属基层(2d)、第五介质层(9e)和第五金属基层(2e)从上至下按顺序叠合，并且，第四金属基层(2d)叠合在第四介质层(9d)之下方，第二金属基层(2b)与第四金属基层(2d)通过第二通孔(4)相连，第一金属基层(2a)、第三金属基层(2c)和第五金属基层(2e)通过第一通孔(11)连接。
4.根据权利要求3所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于所述壳体(10)还包括第六介质层(9f)，第六介质层(9f)叠合在第五金属基层(9e)的下方。
5.根据权利要求1所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于所述壳底(8)为热沉或金属基层，第三金属基层(2c)与壳底(8)连接。
6.根据权利要求2所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于所述壳底(8)为热沉，第三金属基层(2c)与壳底(8)连接。
7..根据权利要求3所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于所述壳底(8)为热沉或金属基层，第五金属基层(2e)与壳底(8)连接。
8.根据权利要求4所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于所述壳底(8)为热沉，第五金属基层(2e)与壳底(8)连接。
全文摘要
本发明提供一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，包括管壳和芯片，管壳由壳底、壳体和盖板构成，芯片放置在壳底上，其特征在于壳体包括第一介质层、第一金属基层、第二介质层、第二金属基层、第三介质层和第三金属基层；所述第一介质层、第一金属基层、第二介质层、第二金属基层、第三介质层和第三金属基层从上至下按顺序叠合，芯片通过键合线与第二金属基层连接，第一金属基层和第三金属基层通过第一通孔连接。本发明能够有效地降低信号通道的耦合效应，降低本振泄露，具有高的隔离度，系统结构简单，能够减少投片次数，提高了工作效率和经济效益，具有良好的应用前景。
文档编号H01L23/552GK102496612SQ201110431259
公开日2012年6月13日 申请日期2011年12月21日 优先权日2011年12月21日
发明者万天才, 刘永光, 唐睿, 徐骅, 李家祎, 李明剑, 杨若飞, 范麟, 陈昆 申请人:中国电子科技集团公司第二十四研究所, 重庆西南集成电路设计有限责任公司