半导体发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种半导体发光器件，在本发明的一个实施例中，该半导体发光器件包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，其形成在n型半导体层上表面上的与第一区域不同的第二区域上，n型电极与n型半导体层电连接并且配备有n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，其形成在p型半导体层上，p型电极与p型半导体层电连接并且配备有p型电极焊盘和p型电极指。当使用本发明所述的半导体发光器件时，n型电极与p型电极之间的距离是恒定的并且可以最大程度地减小集中在电极的特定区域处的电流。
【专利说明】半导体发光器件
【技术领域】
[0001]本公开涉及半导体发光器件。
【背景技术】
[0002]半导体发光器件是能够在对其施加电流时在P型半导体层与η半导体层之间的结合处通过电子-空穴复合而产生各种颜色的光的半导体器件。因为这种半导体发光器件与基于灯丝的发光元件相比具有积极的特性，例如相对较长的寿命、相对较低的功耗、卓越的初始驱动特性、高抗震性等，所以对这种半导体发光器件的需求一直上升。最近，作为能够发出具有短波长的蓝光的半导体器件，第III族氮化物半导体一直比较突出。
[0003]可以在例如蓝宝石衬底或碳化硅(SiC)衬底之类的特定的生长衬底上形成使用这种第III族氮化物半导体构成发光器件的氮化物单晶。然而，当使用例如蓝宝石衬底等绝缘衬底时，在对齐电极方面存在明显的限制。例如，在根据现有技术的氮化物半导体发光器件的情况下，因为电极通常沿着水平方向对齐，因此可能会产生窄电流。发光器件的操作电压Vf的电平可能会由于这种窄电流而增加，从而降低了电流效率，并且器件会容易受到静电放电的损坏。在这种情况下，为了使电流均匀分布在整个发光表面上，已经开始尝试将η型电极和P型电极分别分为电极焊盘和电极指，然后交替布置。然而，即使在电极焊盘和电极指均匀分布的情况下，电流也可能会集中在电极焊盘的不同部分上。因此，需要一种能够在水平电极结构中明显减少电流集中的方案。
【发明内容】
[0004][技术问题]
[0005]本公开的示例性实施例可以提供一种半导体发光器件，这种半导体发光器件能够明显减少电流集中在电极的特定区域的现象并且通过改进电极结构降低驱动电压的电平。
[0006][技术方案]
[0007]根据本公开的示例性实施例，一种半导体发光器件可以包括:η型半导体层；有源层和P型半导体层，所述有源层和所述P型半导体层布置在与所述η型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；η型电极，所述η型电极布置在所述η型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述η型电极与所述η型半导体层电连接并且包括η型电极焊盘、第一 η型电极指和第二 η型电极指；以及P型电极，所述P型电极布置在所述P型半导体层上，所述P型电极与所述P型半导体层电连接并且包括P型电极焊盘和P型电极指。所述η型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层可以构成发光结构。所述η型电极焊盘可以布置在当从所述P型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部。所述P型电极焊盘可以布置成与所述发光表面的一个边缘相邻。所述第一 η型电极指可以具有这样的形状:所述第一 η型电极指从所述η型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述P型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一 η型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开。所述第二 η型电极指可以具有这样的形状:所述第二 η型电极指从所述η型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述P型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲。所述P型电极指可以具有这样的形状:所述P型电极指从所述P型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述η型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一 η型电极指的从所述η型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。
[0008]根据本公开的示例性实施例，一种半导体发光器件可以包括:η型半导体层；有源层和P型半导体层，所述有源层和所述P型半导体层布置在与所述η型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；η型电极，所述η型电极布置在所述η型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述η型电极与所述η型半导体层电连接并且包括η型电极焊盘和η型电极指；以及P型电极，所述P型电极布置在所述P型半导体层上，所述P型电极与所述P型半导体层电连接并且包括P型电极焊盘、第一 P型电极指和第二 P型电极指。所述η型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层可以构成发光结构。所述P型电极焊盘可以布置在当从所述P型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部。所述η型电极焊盘可以布置成与所述发光表面的一个边缘相邻。所述第一 P型电极指可以具有这样的形状:所述第一 P型电极指从所述P型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述η型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一 P型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开。所述第二 P型电极指可以具有这样的形状:所述第二 P型电极指从所述P型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述η型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲。所述η型电极指可以具有这样的形状:所述η型电极指从所述η型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述P型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一 P型电极指的从所述P型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。
[0009]所述发光表面可以具有圆形形状或多边形形状。例如，所述发光表面可以具有矩形形状。
[0010]所述η型电极焊盘和所述P型电极焊盘可以位于穿过所述发光表面中心的概念性
直线上。
[0011]所述η型电极和所述P型电极可以关于穿过所述发光表面中心的概念性直线具有对称性。
[0012]所述P型电极指的端部可以形成在这样的位置处，该位置与所述第二 η型电极指向着所述P型电极焊盘弯曲的位置相对应并且与所述第二 η型电极指分开。
[0013]所述η型电极指的端部可以形成在这样的位置处，该位置与所述第二 P型电极指向着所述η型电极焊盘弯曲的位置相对应并且与所述第二 P型电极指分开。
[0014]所述第二 η型电极指向着所述P型电极焊盘弯曲的部分可以与所述P型电极指的一部分平行。
[0015]所述第二 P型电极指向着所述η型电极焊盘弯曲的部分可以与所述η型电极指的一部分平行。
[0016]所述P型电极还可以包括从所述P型电极焊盘向所述η型电极焊盘延伸的第二 P型电极指。
[0017]所述第二 P型电极指与所述第二 η型电极指可以相互平行，并且从所述第二 P型电极指的端部到所述η型电极焊盘的距离可以等于所述第二 η型电极指与所述第二 P型电极指之间的距离。
[0018]所述第二 P型电极指和所述第一 η型电极指的从所述η型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分可以位于同一条概念性直线上。
[0019]所述η型电极还可以包括从所述η型电极焊盘向所述P型电极焊盘延伸的第二 η型电极指。
[0020]所述第二 η型电极指与所述第二 P型电极指可以相互平行，并且从所述第二 η型电极指的端部到所述P型电极焊盘的距离可以等于所述第二P型电极指与所述第二η型电极指之间的距离。
[0021]所述第二 η型电极指和所述第一 P型电极指的从所述P型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分可以位于同一条概念性直线上。
[0022]所述半导体发光器件还可以包括形成在所述P型电极与所述P型半导体层之间的透明电极。
[0023]所述η型电极和所述P型电极可以分别包括两个或更多η型电极焊盘和ρ型电极焊盘。
[0024]所述η型电极焊盘和所述ρ型电极焊盘可以以成对的方式彼此相对。
[0025][有益效果]
[0026]利用根据本公开的示例性实施例的半导体发光器件，可以通过在η型电极与ρ型之间获得均匀距离来明显减少电流集中在电极的特定区域的现象。另外，可以通过将η型电极和P型电极的电极焊盘定位成彼此相对靠近来降低驱动电压的电平。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]从下面结合附图的详细描述中，将会更清楚地理解上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中:
[0028]图1是示意性示出了根据本公开的实施例的半导体发光器件的平面图；
[0029]图2是沿着图1的线Α-Α’截取的半导体发光器件的剖视图；
[0030]图3是根据本公开的另一个实施例的半导体发光器件的示意性平面图；
[0031]图4是示意性示出了根据本公开的另一个实施例的半导体发光器件的平面图；
[0032]图5至图7示出了与发光器件中的电流密度分布有关的模拟结果，以检查具有根据本公开实施例形状的电极结构的性能；以及
[0033]图8至图10是示意性示出了根据本公开的各个实施例的半导体发光器件的平面图。
【具体实施方式】
[0034]将参考附图详细描述本公开的示例性实施例。
[0035]然而，本公开可以示例为许多不同的形式并且不应当解释为限于本文所述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开是详尽而完整的，并且将本公开的范围完全转达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，元件的形状和尺寸可能会被放大，并且在全文中将使用相同的附图标记表示相同或相似的元件。[0036]图1是示意性示出了根据本公开的实施例的半导体发光器件的平面图。图2是沿着图1的线A-A’截取的半导体发光器件的剖视图。参考图1和图2，根据本公开的实施例的半导体发光器件100可以包括形成在衬底101上的发光结构。这里，发光结构可以具有其中形成了 η型半导体层102、有源层103和ρ型半导体层104的结构。在这种情况下，虽然在图1和图2中没有示出，但是在η型半导体层102与衬底101之间可以形成有一层或多层缓冲层以提高在其上生长的半导体层的结晶特性。
[0037]在ρ型半导体层104上可以形成P型电极107。ρ型电极107可以由ρ型电极焊盘107a和ρ型电极指107b构成。在这种情况下,虽然不一定要求,但是在ρ型电极107与ρ型半导体层104之间可以形成具有欧姆接触性能和电流分布性能的透明电极105。透明电极105可以由例如铟锡氧化物(ITO)等透明导电氧化物形成。在η型半导体层102上表面的没有形成有源层103和ρ型半导体层104的区域中可以形成η型电极106，η型电极106也可以由η型电极焊盘106a和η型电极指106b、106c构成。另一方面，虽然在图1和图2中没有示出，但是发光结构可以包括在其表面上使用绝缘材料的钝化层。
[0038]衬底101可以用于使氮化物半导体单晶在其上生长。可以使用由诸如蓝宝石、S1、Zn0、GaAs、SiC、MgAl204、Mg0、LiA102、LiGa02、GaN等材料形成的衬底作为衬底101。在这种情况下，蓝宝石是具有六菱形R3C对称性的晶体，沿C轴和沿A轴的晶格常数分别为13.0OlA和4.758A，并且可以具有C (0001)平面、A (1120)平面、R (1102)平面等。在这种情况下，因为C平面比较有利于氮化物薄膜的生长并且在高温下稳定，所以主要使用蓝宝石作为氮化物半导体的生长衬底。
[0039]η型导体层102和ρ型半导体层104可以由氮化物半导体形成，该氮化物使用具有例如AlxInyGa(1_x_y)N (O≤x≤1，O≤y≤1，并且O≤x+y≤1)成分的材料。例如，可以使用诸如氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)等材料。形成在η型半导体层102与ρ型半导体层104之间的有源层103可以通过电子和空穴复合发出具有预定能量的光。有源层103可以具有交替地堆叠量子阱层和量子势垒层的多量子阱(MQW)结构，例如，InGaN/GaN结构。另一方面，可以通过半导体层生长工艺，例如公开披露的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、氢化物气相外延(HVPE)工艺等形成η型半导体层102、ρ型半导体层104和有源层103。
[0040]在示例性实施例中，η型电极106和ρ型电极107可以适当地定位成使电流均匀地分布在整个发光表面上。具体地说，η型电极106与ρ型电极107之间的距离可以保持恒定。这里，发光表面可以是如图1所示的矩形表面并且对应于在从P型半导体层104上方观看发光结构时提供的表面。然而，在本公开中不必要求几何学上的绝对矩形形状，并且由矩形形状稍微变化的形状也可以包括在根据本公开实施例的发光表面的范围之内。例如，可以应用矩形形状的角部部分弯曲的情况。另外，在下面参考图8和图9描述的实施例中，发光表面还可以呈多边形形状或圆形形状。
[0041]下面，将参考图1详细描述η型电极106和ρ型电极107的结构。在这种情况下，形成发光表面的四条边可以定义为第一边S1、第二边S2、第三边S3和第四边S4，第一边SI和第二边S2可以彼此相对，第三边S3和第四边S4可以与第一边SI和第二边S2垂直。如上文所述，η型电极106可以包括η型电极焊盘106a以及η型电极指106b和106c。η型电极焊盘106a可以具有较大的宽度，例如，比η型电极指106b和106c宽的宽度，从而与导线等连接。η型电极指106b和106c可以具有从η型电极焊盘106a延伸的线条结构，以使电流均匀注入整个发光表面。虽然不一定要求，但是η型电极指106b和106c可以具有较窄的宽度，例如，比η型电极焊盘106a窄的宽度。按照类似的方式，P型电极焊盘107a可以具有大于P型电极指107b的宽度
[0042]在示例性实施例中，η型电极焊盘106a可以定位在与发光表面的边缘不相邻的位置，更进一步地说，可以定位在与发光表面的角部和第一边SI至第四边S4不相邻的位置。这样，当η型电极焊盘106a定位在与发光表面的边缘不相邻的位置时，可以相对减小η型电极焊盘106a和ρ型电极焊盘107a之间的距离，从而可以减小电阻。因此，当驱动半导体发光器件100时，可以相对降低驱动电压的电平。η型电极指106b和106c分为第一 η型电极指106b和第二 η型电极指106c。首先,第一 η型电极指106b可以具有这样的结构:第一 η型电极指106b从η型电极焊盘106a延伸到第一边SI，然后沿着第一边SI形成。第二η型电极指106c可以具有这样的形状:第二 η型电极指106c从η型电极焊盘106a分别向第三边S3和第四边S4延伸，然后在接触第三边S3和第四边S4之前向第二边S2弯曲，更进一步地说，以便不接触P型电极指107b。在这种情况下，虽然不一定要求，但是为了使不同类型电极之间的距离保持恒定，η型电极指106c的向ρ型电极焊盘107a弯曲的部分可以与P型电极指107b的一部分平行。
[0043]可以适当地定位ρ型电极107，以使ρ型电极107与η型电极106之间的距离保持恒定。首先，P型电极焊盘107a可以与第二边S2相邻，并且还可以位于与η型电极焊盘106a所在位置相对应的位置。另外，η型电极焊盘106a和ρ型电极焊盘107a可以形成在相同水平处，例如，可以形成在通过连接第一边SI和第二边S2的中心点而形成的概念性直线上，使得可以明显减小电极焊盘之间的距离并且可以保证电极结构的对称性。P型电极指107b可以具有这样的形状:p型电极指107b从ρ型电极焊盘107a沿着第二边S2分别向第三边S3和第四边S4延伸，然后弯曲并沿着第三边S3和第四边S4形成，以便不接触第一 η型电极指106b。更进一步地说，ρ型电极指107b可以具有这样的形状:在接触第一边SI之前，P型电极指107b向第一 η型电极指106b的从η型电极焊盘106a延伸到第一边SI的部分弯曲。
[0044]在这种情况下，虽然不一定要求，但是如图1所示，ρ型电极指107b的端部，具体地说，P型电极指107b的向从η型电极焊盘106a延伸到第一边SI的部分弯曲的端部，可以定位在与第二 η型电极指106c向第二边S2弯曲的位置相对应的位置，以便再进一步提高η型电极106与ρ型电极107之间距离的均匀性。另一方面，η型电极106与ρ型电极107可以关于通过相互连接第一边SI和第二边S2的中心点而形成的概念性直线具有水平对称性。
[0045]在根据示例性实施例的η型电极106和ρ型电极107的布局结构的情况下，可以使η型电极106与ρ型电极107之间的距离保持有效恒定。在根据现有技术的电极结构(参见图5和图6)的情况下，η型电极与ρ型电极之间的距离(例如，它们之间的最大距离)是它们之间最小距离的两倍。在这种情况下，没有充分考虑电极焊盘与电极指之间的宽度差等就形成了电极。在示例性实施例中，电极指之间的距离可以保持恒定，并且电极指与电极焊盘之间的距离也可以保持恒定，从而不会在特定区域中彼此过于靠近。这样，通过使η型电极106与ρ型电极107之间的距离保持恒定，可以明显减少电流局部集中的问题，从而提高电流分布性能和发光效率。另一方面，虽然图1示出η型电极指106b和106c以及ρ型电极指107b具有以90度弯曲的部分的情况，但是它们的形状可以变化，例如，可以是弯曲成具有曲线的形状。例如，η型电极指106b和106c以及ρ型电极指107b的弯曲部分的形状可以变化。另外，η型电极焊盘106a和ρ型电极焊盘107a可以具有不同的形状，例如多边形和球形或半球形。
[0046]图3是根据本公开的另一个实施例的半导体发光器件的示意性平面图。参考图3，根据示例性实施例的半导体发光器件200具有与图1的实施例类似的基本结构。例如，形成在η型半导体层202上的η型电极206可以包括具有与图1类似结构的η型电极焊盘206a以及η型电极指206b和206c。此外，形成在透明电极205上的ρ型电极207可以包括P型电极焊盘207a以及ρ型电极指207b和207c。在示例性实施例中，与图1所示的结构相比，发光表面可以具有竖向较长的矩形形状。在这种矩形形状的情况下，P型电极指可以分为第一 P型电极指207b和第二 ρ型电极指207c，使得电流可以均匀地注入矩形形状的发光表面。
[0047]在本实施例中增加的第二 ρ型电极指207c可以从ρ型电极焊盘207a向η型电极焊盘206a延伸，并且可以使η型电极206与ρ型电极207之间的距离均匀。为此，例如如图3所示，第二 ρ型电极指207c可以与第二 η型电极指206c平行，并且从第二 ρ型电极指207c的端部到η型电极焊盘206a的直线距离可以等于第二 η型电极指206c与第二 ρ型电极指207c之间的距离。此外，第二 ρ型电极指207c可以形成在与第一 η型电极指206b的从η型电极焊盘206a延伸到第一边SI的部分相同水平处，例如，可以形成在通过连接第一边SI和第二边S2的中心部分而形成的一条概念性直线上，以便保证水平对称性。
[0048]同时，对于具有在水平方向上进一步延伸的矩形形状的发光表面，可以通过形成两个或更多η型和ρ型电极焊盘来实现均匀电流分布。图4是示意性示出了根据本公开的另一个实施例的半导体发光器件的平面图。参考图4，根据本实施例的半导体发光器件300具有与前述图3的实施例类似的基本结构。例如，形成在η型半导体层302上的η型电极306可以包括η型电极焊盘306a以及η型电极指306b和306c，形成在透明电极305上的P型电极可以包括P型电极焊盘307a以及ρ型电极指307b和307c。在示例性实施例中，与图3的结构相比，发光表面可以具有水平延伸的形状。为了使电流均匀注入具有上述延伸形状的发光表面，可以将η型电极焊盘306a和ρ型电极焊盘307a分别设置为两个。在这种情况下，可以根据需要进一步增加η型电极焊盘306a和ρ型电极焊盘307a的数量。
[0049]按照与前述实施例类似的方式，η型电极焊盘306a和ρ型电极焊盘307a可以适当地定位成保证它们之间的对称性和均匀距离。具体地说，如图4所示，两个或更多η型电极焊盘306a可以形成在与第一边或第二边平行的概念性直线上，并且按照类似的方式，两个或更多P型电极焊盘307a可以形成在与第一边或第二边平行的概念性直线上。在这种情况下，在两个或更多η型电极焊盘306a和ρ型电极焊盘307a之中，彼此相对应的电极焊盘可以定位在彼此相对应的位置，并且具体地说，可以定为在与第二边垂直的概念性直线上。这样，即使在相对增加了发光表面的面积时，也可以同时增加η型电极焊盘306a和ρ型电极焊盘307a的数量，从而使具有不同极性的电极之间的距离保持恒定。除了这点不同以外，η型电极指306b和306c以及ρ型电极指307b和307c的形状可以与前述实施例类似。
[0050]图5至图7示出了与发光器件中的电流密度分布有关的模拟结果，以检查具有根据本公开实施例形状的电极结构的性能。模拟结果表明电流密度从蓝色向红色增加。在这种情况下，图7涉及本公开的实施例(参考图1所述的结构)，图5和图6涉及比较示例。首先，在图5所示电极结构的情况下，η型电极焊盘定位在与发光表面的一条边相邻的位置，从而与本实施例的情况相比，增加了驱动电压的电平。此外，η型电极与ρ型电极之间的距离不恒定。具体地说，在这种情况下存在η型电极焊盘与ρ型电极指彼此比较接近的区域，在该区域中，电流集中(红色部分)并且发光装置的可靠性会降低。接下来，在图6所示电极结构的情况下，与图5的电极结构相比，虽然具有不同极性的电极之间的距离相对恒定，但是其布局被认为是不适当地会在η型电极指中产生电流集中的现象。
[0051]与上述情况相比，在本公开的实施例(参考具有图1电极结构的图7)的情况下，虽然在P型电极焊盘和P型电极指的几个部分中形成较高的电流密度，但是可以意识到与比较示例相比在整个发光表面上明显提高了电流分布的均匀性。如上文所述，可以通过使η型电极与P型电极之间距离保持相对有效恒定来获得电流分别的均匀性。
[0052]另一方面，虽然在上述实施例中示出了发光表面具有矩形形状的情况，但是发光表面的形状可以变化，只有具有与以上描述类似的电极结构即可。例如，发光表面可以具有多边形形状、圆形形状等。下面，将描述发光表面具有三角形形状和圆形形状的情况。图8和图9是示意性示出了根据本公开的实施例的半导体发光器件的平面图。首先，在参考图8的实施例的情况下，按照与上述实施例类似的方式，半导体发光器件400可以包括形成在η型半导体层402上的η型电极406。这里，η型电极406可以包括η型电极焊盘406a以及η型电极指406b和406c。另外，形成在透明电极405上的ρ型电极407可以包括ρ型电极焊盘407a和ρ型电极指407b。在示例性实施例中，发光表面可以具有三角形形状，并且在这种情况下，可以通过改变η型电极406和ρ型电极407的形状以适合三角形形状的结构来使具有不同极性的电极之间的距离尽可能保持恒定。
[0053]具体地说，η型电极焊盘406a可以形成在与发光表面的边缘不相邻的区域，ρ型电极焊盘407a可以形成在发光表面的边缘，例如，可以定位在与三角形发光表面的一个顶点相邻的位置。另外，第一 η型电极指406b可以具有这样的形状:第一 η型电极指406b从η型电极焊盘406a延伸到发光表面的边缘(与P型电极焊盘407a所在边缘相对的边缘)，然后在沿着发光表面的边缘的两个方向上分开延伸。分开的第二 η型电极指406c可以具有这样的形状:第二 η型电极指406c从η型电极焊盘406a沿着两个不同方向延伸，然后沿着两个方向延伸的部分分别向P型电极焊盘407a所在的边缘(例如，向上述顶点)弯曲。
[0054]ρ型电极指407b可以具有这样的形状:p型电极指407b从ρ型电极焊盘407a在沿着发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过η型电极焊盘406a所在的位置，然后向第一 η型电极指406b的从η型电极焊盘406a延伸到发光表面的边缘的部分弯曲。在这种情况下，如前面的实施例所述，η型电极焊盘406a和ρ型电极焊盘407a可以形成在相同的水平处以便位于穿过发光表面中心的概念性直线上。η型电极406和ρ型电极407的整体结构可以关于穿过发光表面中心的概念性直线具有对称性。另外，虽然在附图中没有示出，但是P型电极指还可以按照与图3的实施例类似的方式形成为从ρ型电极焊盘407a向η型电极焊盘406a延伸。
[0055]接下来，在参考图9的实施例的情况下，类似于前述实施例，半导体发光器件500可以包括形成在η型半导体层502上的η型电极506。这里，η型电极506可以包括η型电极焊盘506a以及η型电极指506b和506c。另外，形成在透明电极505上的p型电极507可以包括P型电极焊盘507a和P型电极指507b。在示例性实施例中，发光表面可以具有圆形形状，并且在这种情况下，可以通过改变η型电极506和P型电极507的形状以适合圆形形状的结构来使具有不同极性的电极之间的距离尽可能保持恒定。
[0056]具体地说，η型电极焊盘506a可以形成在与发光表面的边缘不相邻的区域，P型电极焊盘507a可以形成在发光表面的边缘，例如，可以定位在与圆形发光表面的圆周相邻的区域。另外，第一 η型电极指506b可以具有这样的形状:第一 η型电极指506b从η型电极焊盘506a延伸到发光表面的边缘(与P型电极焊盘507a所在边缘相对的边缘)，然后在沿着发光表面的边缘的两个方向上分开延伸。分开的第二 η型电极指506c可以具有这样的形状:第二 η型电极指506c从η型电极焊盘506a沿着两个不同方向延伸，然后沿着两个方向延伸的部分分别向P型电极焊盘507a所在的发光表面的边缘弯曲。
[0057]P型电极指507b可以具有这样的形状:p型电极指507b从P型电极焊盘507a在沿着发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过η型电极焊盘506a所在的位置，然后向第一 η型电极指506b的从η型电极焊盘506a延伸到发光表面的边缘的部分弯曲。在这种情况下，按照与前述实施例类似的方式，η型电极焊盘506a和p型电极焊盘507a可以形成在相同的水平处以便位于穿过发光表面中心的概念性直线上。η型电极506和P型电极507的整体结构可以关于穿过发光表面中心的概念性直线具有对称性。另外，虽然在附图中没有示出，但是P型电极指还可以按照与图3的实施例类似的方式形成为从P型电极焊盘507a向η型电极焊盘506a延伸。
[0058]另一方面，虽然前述实施例示出η型电极焊盘形成在与发光表面的边缘不相邻的区域并且P型电极焊盘形成在发光表面的边缘，但是P型电极焊盘可以形成在与发光表面的边缘不相邻的区域，而η型电极焊盘可以形成在发光表面的边缘。
[0059]图10是示意性示出了根据本公开的另一个实施例的半导体发光器件的平面图。参考图10，在设置于半导体发光器件600中的电极结构的情况下，虽然半导体发光器件600的整体形状与图1实施例类似，但是η型电极606和P型电极607可以定位在与图1的实施例相反的位置。例如，η型电极606可以形成在η型半导体层602上，η型电极606可以包括η型电极焊盘606a和η型电极指606b。另外，形成在透明电极605上的p型电极607可以包括P型电极焊盘607a以及P型电极指607b和607c。在示例性实施例中，P型电极焊盘607a可以定位在与发光表面的边缘不相邻的区域，并且η型电极焊盘606a可以定位在发光表面的边缘，例如，位于与矩形发光表面的一条边相邻的区域。第一 P型电极指607b可以具有这样的形状:第一 P型电极指607b从P型电极焊盘607a延伸到发光表面的边缘(与η型电极焊盘606a所在边缘相对的边缘)，然后在沿着发光表面的边缘的两个方向上分开延伸。分开的第二 P型电极指607c可以具有这样的形状:第二 P型电极指607c从P型电极焊盘607a沿着两个不同方向延伸，然后沿着两个方向延伸的部分分别向η型电极焊盘606a所在的发光表面的边缘弯曲。
[0060]η型电极指606b可以具有这样的形状:n型电极指606b从η型电极焊盘606a在沿着发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过P型电极焊盘607a所在的位置，然后向第一 P型电极指607b的从P型电极焊盘607a延伸到发光表面的边缘的部分弯曲。在这种情况下，与前述实施例类似，η型电极焊盘606a和p型电极焊盘607a可以形成在穿过发光表面中心的概念性直线上。η型电极606和P型电极607的整体结构可以关于穿过发光表面中心的概念性直线具有对称性。另外，虽然在附图中没有示出，但是η型电极指可以按照与图3的实施例类似的方式形成为从η型电极焊盘606a向P型电极焊盘607a延伸。
[0061]虽然结合实施例示出并描述了本公开，但是本领域技术人员将会意识到，在不脱离所附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下可以进行多种修改和变化。
【权利要求】
1.一种半导体发光器件，包括: η型半导体层； 有源层和P型半导体层，所述有源层和所述P型半导体层布置在与所述η型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中； η型电极，所述η型电极布置在所述η型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述η型电极与所述η型半导体层电连接并且包括η型电极焊盘、第一 η型电极指和第二η型电极指；以及 P型电极，所述P型电极布置在所述P型半导体层上，所述P型电极与所述P型半导体层电连接并且包括P型电极焊盘和P型电极指， 其中，所述η型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层构成发光结构，所述η型电极焊盘布置在当从所述P型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部，并且所述P型电极焊盘布置成与所述发光表面的一个边缘相邻， 所述第一 η型电极指具有这样的形状:所述第一 η型电极指从所述η型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述P型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一 η型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开，并且所述第二 η型电极指具有这样的形状:所述第二η型电极指从所述η型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述P型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲，并且 所述P型电极指具有这样的形状:所述P型电极指从所述P型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述η型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一 η型电极指的从所述η型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。
2.—种半导体发光器件，包括: η型半导体层； 有源层和P型半导体层，所述有源层和所述P型半导体层布置在与所述η型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中； η型电极，所述η型电极布置在所述η型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述η型电极与所述η型半导体层电连接并且包括η型电极焊盘和η型电极指；以及P型电极，所述P型电极布置在所述P型半导体层上，所述P型电极与所述P型半导体层电连接并且包括P型电极焊盘、第一 P型电极指和第二 P型电极指， 其中，所述η型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层构成发光结构，所述P型电极焊盘布置在当从所述P型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部，并且所述η型电极焊盘布置成与所述发光表面的一个边缘相邻， 所述第一 P型电极指具有这样的形状:所述第一 P型电极指从所述P型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述η型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一 P型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开，并且所述第二 P型电极指具有这样的形状:所述第二 P型电极指从所述P型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述η型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲，并且 所述η型电极指具有这样的 形状:所述η型电极指从所述η型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述P型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一 P型电极指的从所述P型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中，所述发光表面具有圆形形状或多边形形状。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，所述发光表面具有矩形形状。
5.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中，所述η型电极焊盘和所述P型电极焊盘位于穿过所述发光表面中心的概念性直线上。
6.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中，所述η型电极和所述P型电极关于穿过所述发光表面中心的概念性直线具有对称性。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述P型电极指的端部布置在这样的位置处，该位置与所述第二η型电极指向着所述P型电极焊盘弯曲的位置相对应并且与所述第二 η型电极指分开。
8.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述η型电极指的端部布置在这样的位置处，该位置与所述第二 P型电极指向着所述η型电极焊盘弯曲的位置相对应并且与所述第二 P型电极指分开。
9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第二η型电极指向着所述P型电极焊盘弯曲的部分与所述P型电极指的一部分平行。
10.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述第二P型电极指向着所述η型电极焊盘弯曲的部分与所述η型电极指的一部分平行。
11.根据权 利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述P型电极还包括从所述P型电极焊盘向所述η型电极焊盘延伸的第二 P型电极指。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述第二P型电极指与所述第二 η型电极指相互平行，并且从所述第二 P型电极指的端部到所述η型电极焊盘的距离等于所述第二 η型电极指与所述第二 P型电极指之间的距离。
13.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述第二P型电极指和所述第一η型电极指的从所述η型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分位于同一条概念性直线上。
14.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述η型电极还包括从所述η型电极焊盘向所述P型电极焊盘延伸的第二 η型电极指。
15.根据权利要求14所述的半导体发光器件，其中，所述第二η型电极指与所述第二 P型电极指相互平行，并且从所述第二 η型电极指的端部到所述P型电极焊盘的距离等于所述第二 P型电极指与所述第二 η型电极指之间的距离。
16.根据权利要求14所述的半导体发光器件，其中，所述第二η型电极指和所述第一P型电极指的从所述P型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分位于同一条概念性直线上。
17.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，还包括布置在所述P型电极与所述P型半导体层之间的透明电极。
18.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中，所述η型电极和所述P型电极分别包括两个或更多η型电极焊盘和P型电极焊盘。
19.根据权利要求18所述的半导体发光器件，其中，所述η型电极焊盘和所述P型电极焊盘以成对的方式彼此相对。
【文档编号】H01L33/38GK103797592SQ201180073515
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2011年8月17日 优先权日:2011年8月17日
【发明者】黄硕珉, 河海秀, 金载润, 韩在镐 申请人:三星电子株式会社