发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明涉及发光器件。根据实施方案的发光器件包括：导电支承构件；在导电支承构件上的第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电第一半导体层、在第一导电第一半导体层下方的第一有源层以及在第一有源层下方的第二导电第二半导体层；在导电支承构件上的第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电第三半导体层、在所述第一导电第三半导体层下方的第二有源层以及在第二有源层下方的第二导电第四半导体层；围绕第一发光结构的下部和第二发光结构的下部的沟道层；第一电极、第二电极、第三电极、以及第四电极；以及第一连接部、第二连接部和第三连接部。
【专利说明】发光器件
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及发光器件、发光器件封装件以及光单元。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED)已被广泛用作发光器件之一。LED通过使用化合物半导体特性将电信号转换成光形式例如红外光、紫外光以及可见光。
[0003]随着发光器件的光效率提高，LED已经用于各个领域，例如显示装置和照明电器。
【发明内容】
[0004]实施方案提供了能够防止电流集中同时提高电可靠性的发光器件、发光器件封装件以及光单兀。
[0005]根据实施方案的发光器件包括:导电支承构件；在导电支承构件上的第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电第一半导体层、在第一导电第一半导体层下方的第一有源层以及在第一有源层下方的第二导电第二半导体层；在导电支承构件上的第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电第三半导体层、在第一导电第三半导体层下方的第二有源层以及在第二有源层下方的第二导电第四半导体层；围绕第一发光结构的下部和第二发光结构的下部的周围的沟道层；第一电极，该第一电极电连接至第一导电第一半导体层；第二电极，该第二电极电连接至第二导电第二半导体层；第三电极，该第三电极电连接至第一导电第三半导体层；第四电极，该第四电极电连接至第二导电第四半导体层；第一连接部，该第一连接部电连接至第一电极和导电支承构件；第二连接部，该第二连接部电连接至第二电极和第三电极；以及第三连接部，该第三连接部电连接至第四电极，并且该第三连接部的一端设置在沟道层上。
[0006]实施方案提供了能够防止电流集中同时提高电可靠性的发光器件、发光器件封装件以及光单元。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是示出根据实施方案的发光器件的视图；
[0008]图2至图6是示出制造根据实施方案的发光器件的方法的截面图；
[0009]图7是示出根据实施方案的发光器件的另一实例的截面图；
[0010]图8和图9是示出根据实施方案的发光器件的修改方案的截面图；
[0011]图10是示出根据实施方案的发光器件封装件的视图；
[0012]图11是示出根据实施方案的显示装置的视图；
[0013]图12是示出根据实施方案的显示装置的另一实例的视图；以及
[0014]图13是示出根据实施方案的光单元的视图。
【具体实施方式】[0015]在实施方案的描述中，应当理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称作在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊垫或者另一图案“上”或“下”时，其可以“直接地”或“间接地”在另一衬底、层(或膜)、区域、焊垫或图案之上，或者还可以存在一个或者更多个中间层。已经参照附图描述了这样的层位置。
[0016]为了方便或清楚，附图中所示出的每个层的厚度和尺寸可被放大、省略或示意性地绘制。另外，元件的尺寸并不完全地反映实际尺寸。
[0017]在下文中，将参照附图详细描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、光单元以及用于制造发光器件的方法。
[0018]图1是示出根据实施方案的发光器件的视图。
[0019]如图1所不，根据实施方案的发光器件可以包括第一发光结构10、第二发光结构20、第一电极80、第二电极83、第三电极85、第四电极87以及导电支承构件70。 [0020]尽管作为一个实例在图1中示出了在导电支承构件70之上设置第一发光结构10和第二发光结构20，但是也可以在导电支承构件70上设置三个发光结构或更多个发光结构。发光结构可以彼此电连接。例如，发光结构可以彼此串联地电连接。
[0021]第一发光结构10可以包括第一导电第一半导体层11、第一有源层12以及第二导电第二半导体层13。第一有源层12可以设置在第一导电第一半导体层11与第二导电第二半导体层13之间。第一有源层12可以设置在第一导电第一半导体层11下方，并且第二导电第二半导体层13可以设置在第一有源层12下方。
[0022]第一导电第一半导体层11可以包括N型半导体层，该N型半导体层掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂，第二导电第二半导体层13可以包括P型半导体层，该P型半导体层掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂。另外，第一导电第一半导体层11可以包括P型半导体层，第二导电第二半导体层13可以包括N型半导体层。
[0023]例如，第一导电第一半导体层11可以包括N型半导体层。第一导电第一半导体层11可以通过使用化合物半导体来实现。第一导电第一半导体层11可以通过使用第I1-VI族化合物半导体或第II1-V族化合物半导体来实现。
[0024]例如，第一导电第一半导体层11可以通过使用具有组成式InxAlyGa1^yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y ( I)的半导体材料来实现。例如，第一导电第一半导体层11可以包括选自掺杂有N型掺杂剂例如S1、Ge、Sn、Se和Te的GaN、AlN、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 中的一种。
[0025]通过经由第一导电第一半导体层11注入的电子(或者空穴)与经由第二导电第二半导体层13注入的空穴(或者电子)的复合，第一有源层12发出具有与取决于构成有源层12的材料的能量带隙差相对应的波长的光。第一有源层12可以具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中的一种结构，然而，实施方案不限于此。
[0026]例如，第一有源层12可以通过使用化合物半导体来实现。第一有源层12可以通过使用具有组成式InxAlyGa^yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤I)的半导体材料来实现。当第一有源层12具有MQW结构时，第一有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如，第一有源层12可以具有InGaN阱层/ GaN势垒层的周期。
[0027]例如，第二导电第二半导体层13可以包括P型半导体层。第二导电第二半导体层13可以通过使用化合物半导体来实现。例如，第二导电第二半导体层13可以通过使用第I1-VI族化合物半导体或第I1-V族化合物半导体来实现。
[0028]例如，第二导电第二半导体层13可以通过使用具有组成式Ir^AlyGamNOKx≤1，
l，0〈x+y〈l)的半导体材料来实现。例如，第二导电第二半导体层13可以包括选自
掺杂有 P 型掺杂剂例如 Mg、Zn、Ca、Sr 和 Ba 的 GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 中的一种。
[0029]同时，第一导电第一半导体层11可以包括P型半导体层，并且第二导电第二半导体层13可以包括N型半导体层。另外，在第二导电第二半导体层13下方可以另外地设置包括N型半导体层或P型半导体层的半导体层。因此，第一发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构中的至少一种结构。另外,可以以均一或不均一的掺杂浓度将杂质掺杂到第一导电第一半导体层11和第二导电第二半导体层13中。换言之，第一发光结构10可以具有各种结构，然而，实施方案不限于此。
[0030]另外，可以在第一导电第一半导体层11与第一有源层12之间形成第一导电InGaN / GaN超晶格结构或InGaN / InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电第二半导体层13与第一有源层12之间形成第二导电AlGaN层。
[0031]第二发光结构20可以包括第一导电第三半导体层21、第二有源层22以及第二导电第四半导体层23。第二有源层22可以设置在第一导电第三半导体层21与第二导电第四半导体层23之间。第二有源层22可以设置在第一导电第三半导体层21下方，并且第二导电第四半导体层23可以设置在第二有源层22下方。[0032]第二发光结构20的构造和组成可以与第一发光结构10的构造和组成类似。
[0033]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一发光结构10和第二发光结构20的下部的外周部处的沟道层30。例如，沟道层30的顶表面可以被设置成高于第一有源层12的顶表面。沟道层30的顶表面可以被设置成高于第二有源层22的顶表面。
[0034]沟道层30可以围绕第一有源层12。沟道层30可以围绕第二导电第二半导体层13的外周部。沟道层30的一端可以设置在第二导电第二半导体层13下方。沟道层30的一端可以与第二导电第二半导体层13的底表面接触。沟道层30的一端可以设置在第二导电第二半导体层13和第二电极83之间。沟道层30的一端可以设置在第二导电第二半导体层13和第一反射层17之间。
[0035]沟道层30可以围绕第二有源层22。沟道层30可以围绕第二导电第四半导体层23的外周部。沟道层30的一端可以设置在第二导电第四半导体层23下方。沟道层30的一端可以与第二导电第四半导体层23的底表面接触。沟道层30的一端可以设置在第二导电第四半导体层23和第四电极87之间。沟道层30的一端可以设置在第二导电第四半导体层23和第二反射层27之间。
[0036]例如，沟道层30可以通过使用氧化物或者氮化物来实现。例如，沟道层30可以包括选自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al2O3JiO2 以及 AlN 中的至少一种。沟道层 30 可以被称作隔离层。沟道层30可以在后续对第一发光结构10和第二发光结构20执行隔离工艺时用作蚀刻阻挡层。另外，通过隔离工艺，可以防止发光器件的电气特性劣化。
[0037]第一电极80可以电连接至第一导电第一半导体层11。第一电极80可以设置在第一导电第一半导体层11上。第一电极80可以与第一导电第一半导体层11接触。第一反射层17可以电连接至第二导电第二半导体层13。第一反射层17可以设置在第一发光结构10下方。第一反射层17可以设置在第二导电第二半导体层13下方。
[0038]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一反射层17和第二导电第二半导体层13之间的第一欧姆接触层15。第一欧姆接触层15可以与第二导电第二半导体层13接触。
[0039]第一欧姆接触层15可以与第一发光结构10进行欧姆接触。第一欧姆接触层15可以包括与第一发光结构10进行欧姆接触的区域。第一反射层17可以电连接至第二导电第二半导体层13。另外，第一反射层17对从第一发光结构10入射至其上的光进行反射以增加提取到外部的光量。
[0040]例如，第一欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如，第一欧姆接触层15可以包括选自以下中的至少一种:氧化铟锡(IT0)、氧化铟锌(IZ0)、氧化铝锌(AZ0)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IZO 氮化物(IZON)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag以及Ti。
[0041]第一反射层17可以包括具有高反射率的材料。例如，第一反射层17可以包括包含以下中至少一种的金属及其合金:Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au以及Hf。另外，第一反射层17可以形成为金属或其合金以及透射导电材料的多层，该透射导电材料例如为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)或者氧化锑锡(ATO)。例如，根据实施方案，第一反射层17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一种。
[0042]例如，第一反射层17可以具有其中交替形成Ag层和Ni层的结构，并且可以包含Ni / Ag/Ni或Ti层以及Pt层。另外，第一欧姆接触层15可以设置在第一反射层17下方，并且第一欧姆接触层15的至少一部分可以通过第一反射层17与第一发光结构10进行欧姆接触。
[0043]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一反射层17下方的第一金属层35。第一金属层35可以包括Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
[0044]根据实施方案，第二电极83可以包括第一反射层17、第一欧姆接触层15和第一金属层35中的至少一个层。例如，第二电极83可以包括第一反射层17、第一金属层35和第一欧姆接触层15中的所有层，或者可以选择性地包括第一反射层17、第一金属层35和第一欧姆接触层15中的一个或者两个层。构成第二电极83的第一反射层17、第一金属层35和第一欧姆接触层15的层叠顺序可以改变。
[0045]第三电极85可以电连接至第一导电第三半导体层21。第三电极85可以设置在第一导电第三半导体层21上。第三电极85可以与第一导电第三半导体层21接触。第二反射层27可以电连接至第二导电第四半导体层23。第二反射层27可以设置在第二发光结构20下方。第二反射层27可以设置在第二导电第四半导体层23下方。
[0046]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第二反射层27和第二导电第四半导体层23之间的第二欧姆接触层25。第二欧姆接触层25可以与第二导电第四半导体层23接触。
[0047]第二欧姆接触层25可以与第二发光结构20进行欧姆接触。第二欧姆接触层25可以包括与第二发光结构20进行欧姆接触的区域。第二反射层27可以电连接至第二导电第四半导体层23。另外，第二反射层27对从第二发光结构20入射至其上的光进行反射以增加提取到外部的光量。
[0048]例如，第二欧姆接触层25可以包括透明导电氧化物层。例如，第二欧姆接触层25可以包括选自以下中的至少一种:氧化铟锡(IT0)、氧化铟锌(IZ0)、氧化铝锌(AZ0)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IZO 氮化物(IZON)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag以及Ti。
[0049]第二反射层27可以包括具有高反射率的材料。例如，第二反射层27可以包括包含以下中至少一种的金属及其合金:Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au以及Hf。另外，第二反射层27可以形成为金属或其合金以及透射导电材料的多层，该透射导电材料例如为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)或者氧化锑锡(ATO)。例如，根据实施方案，第二反射层27可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag—Cu合金中的至少一种。
[0050]例如，第二反射层27可以具有其中交替形成Ag层和Ni层的结构，并且可以包含Ni / Ag/Ni或Ti层以及Pt层。另外，第二欧姆接触层25可以设置在第二反射层27下方，并且第二欧姆接触层25的至少一部分可以通过第二反射层27与第二发光结构20进行欧姆接触。
[0051]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第二反射层27下方的第二金属层45。第二金属层45可以包括Au、Cu、N1、T1、Ti一W、Cr、W、Pt、V、Fe以及MO中的至少一种。
[0052]根据实施方案，第四电极87可以包括第二反射层27、第二欧姆接触层25和第二金属层45中的至少一个层。例如，第四电极87可以包括第二反射层27、第二金属层45和第二欧姆接触层25中的所有层，或者可以选择性地包括第二反射层27、第二金属层45和第二欧姆接触层25中的一个或者两个层。构成第四电极87的第二反射层27、第二欧姆接触层25和第二金属层45的层叠顺序可以改变。
[0053]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一金属层35下方的第三金属层50。第三金属层50可以设置在第二金属层45下方。
[0054]第三金属层50可以包括Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
第三金属层50可以用作扩散阻挡层。可以在第三金属层50下方设置第一接合层60和导电支承构件70。
[0055]第三金属层50可以防止在设置接合层60的过程中包含在接合层60中的材料扩散至第一反射层17和第二反射层27。第三金属层50可以防止包含在接合层60中的材料例如锌(Sn)影响第一反射层17和第二反射层27。
[0056]接合层60可以包括阻挡金属或接合金属。例如,接合层60可以包括T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一种。根据实施方案的导电支承构件70可以支承第一发光结构10和第二发光结构20,同时执行散热功能。接合层60可以以籽层的形式来实现。
[0057]例如，导电支承构件70可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底(例如，Si衬底、Ge衬底、GaN衬底、GaAs衬底、ZnO衬底、SiC衬底以及SiGe衬底)中的至少一种。
[0058]根据实施方案,可以通过第一电极80和第二电极83来将电力施加至第一发光结构10。根据实施方案，第一电极80可以包括欧姆层、中间层以及上层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自N1、Cu以及Al中的材料来实现。例如，上层可以包括Au。第一电极80可以包括选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0059]可以在第一导电第一半导体层11的顶表面上形成粗糙结构。因此，可以增加在其中形成有粗糙结构的区域处向上提取的光量。
[0060]根据实施方案，可以通过第三电极85和第四电极87来将电力施加至第二发光结构20。根据实施方案，第三电极85可以包括欧姆层、中间层以及上层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自N1、Cu以及Al中的材料来实现。例如，上层可以包括Au。第三电极85可以包括选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0061]可以在第一导电第三半导体层21的顶表面上形成粗糙结构。因此，可以增加在其中形成有粗糙结构的区域处向上提取的光量。
[0062]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一金属层35与第三金属层50之间的绝缘层40。绝缘层40可以使第一金属层35与第三金属层50绝缘。绝缘层40可以使第一金属层35与导电支承构件70绝缘。例如，绝缘层40可以通过使用氧化物或者氮化物来实现。例如，绝缘层 40 可以包括选自 Si02、Six0y、Si3N4'SixNy、SiOxNy、Al2O3'TiO2 以及 AlN 中的至少一种。
[0063]绝缘层40可以围绕第一金属层35的外周部。绝缘层40的一部分可以与第一反射层17的侧面接触。绝缘层40的顶表面可以在第一发光结构10的下部的外周部处露出。绝缘层40可以围绕沟道层30的外周部。
[0064]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第二金属层45与第三金属层50之间的绝缘层40。绝缘层40可以使第二金属层45与第三金属层50彼此绝缘。绝缘层40可以使第二金属层45与导电支承构件70彼此绝缘。绝缘层40可以设置在第一金属层35与第二金属层45之间。绝缘层40可以使第一金属层35与第二金属层45彼此绝缘。
[0065]绝缘层40可以围绕第二金属层45的外周部。绝缘层40的一部分可以与第二反射层27的侧面接触。绝缘层40的顶表面可以在第二发光结构20的下部的外周部处露出。绝缘层40可以围绕沟道层30的外周部。
[0066]根据实施方案的发光器件可以包括第一连接部90、第二连接部95和第三连接部97。第一连接部90可以电连接至第一电极80和导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至第二电极83与第三电极85。第三连接部97可以电连接至第四电极87。第三连接部97的一端可以设置在沟道层30的上方。第三连接部97可以电连接至第二反射层27。
[0067]第一连接部90可以与第一电极80接触。第一连接部90可以电连接至第三金属层50。第一连接部90可以与第三金属层50接触。第一连接部90可以穿过第三金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。第一连接部90可以与接合层60或导电支承构件70直接接触。
[0068]第一连接部90可以被设置成穿过绝缘层40。第一连接部90可以穿过绝缘层40电连接至导电支承构件70。另外，第一连接部90可以穿过沟道层30电连接至第三金属层50。第一连接部90可以穿过沟道层30和绝缘层40电连接至第三金属层50。
[0069]第一连接部90可以设置在第一发光结构10的侧面处。第一连接部90可以设置在第一导电第一半导体层11的侧面处。第一连接部90可以与第一导电第一半导体层11的侧面接触。沟道层30可以使第一连接部90与第一有源层12绝缘。沟道层30可以使第一连接部90与第二导电第二半导体层13绝缘。第一连接部90可以与第一有源层12间隔开至少3 ii m。
[0070]第二连接部95可以设置在第二发光结构20的侧面处。第二连接部95可以设置在第一导电第三半导体层21的侧面处。第二连接部95可以与第一导电第三半导体层21的侧面接触。沟道层30可以使第二连接部95与第二有源层22绝缘。沟道层30可以使第二连接部95与第二导电第四半导体层23绝缘。第二连接部95可以与第二有源层22间隔开至少3 ii m。
[0071]第三连接部97可以电连接至第二金属层45。第三连接部97可以与第二金属层45接触。第三连接部97的一端可以设置在沟道层30上。第三连接部97的一端可以与第二发光结构20的侧面间隔开。第三连接部97的一端可以在第二发光结构20的侧面露出。
[0072]第三连接部97可以穿过沟道层30电连接至第二金属层45。另外，第三连接部97穿过绝缘层40电连接至第二金属层45。第三连接部97电连接至第四电极87。第三连接部97可以与第四电极87接触。
[0073]第一连接部90、第二连接部95以及第三连接部97可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0074]根据实施方案的发光器件，第二电极83可以穿过设置在第二电极83下方的导电支承构件70电连接至设置在第二电极83上的第一导电第一半导体层11。第二电极83可以设置在第二导电第二半导体层13和导电支承构件70之间。
[0075]因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案来向第一导电第一半导体层11提供电力。另外，根据实施方案，第二连接部95可以电连接至第二电极83和第三电极85。第三连接部97可以电连接至第四电极87。因此，通过将第三连接部97以导线接合方案连接至电源垫，可以向第二导电第二半导体层13提供电力。
[0076]根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第三连接部97来向第一发光结构10和第二发光结构20提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中，并且可以提高电可靠性。
[0077]在下文中，将参照图2至图6来描述制造根据实施方案的发光器件的方法。
[0078]根据制造实施方案的发光器件的方法，如图2所示，可以在衬底5上形成第一导电半导体层11a、有源层12a和第二导电半导体层13a。可以将第一导电半导体层11a、有源层12a和第二导电半导体层13a定义为发光结构10a。
[0079]例如，衬底5可以包括蓝宝石衬底(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、S1、GaP、InP以及Ge中的至少一种,然而,实施方案不限于此。可以在第一导电半导体层Ila和衬底5之间设
置缓冲层。
[0080]第一导电半导体层Ila可以包括N型半导体层，该N型半导体层掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂，并且第二导电半导体层13a可以包括P型半导体层，该P型半导体层掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂。另外，第一导电半导体层Ila可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层13a可以包括N型半导体层。
[0081]例如,第一导电半导体层Ila可以包括N型半导体。第一导电半导体层Ila可以包括具有组成式InxAlyGa1IyN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤I)的半导体材料。例如，第一导电半导体层I Ia可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、Al InN、InGaN、AlN以及InN中的一种，并且可以掺杂有N型掺杂剂，例如S1、Ge、Sn、Se以及Te。
[0082]通过经由第一导电半导体层Ila注入的电子(或空穴)与经由第二导电半导体层13a注入的空穴(或电子)的复合，有源层12a发出具有与取决于构成有源层12a的材料的能量带隙差相对应的波长的光。有源层12a可以具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、量子线结构中的一种结构，然而，实施方案不限于此。
[0083]有源层12a可以通过使用具有组成式InxAlyGanyN(0≤x≤1，0≤y≤1，0 ^ x+y ^ I)的半导体材料来实现。当有源层12a具有MQW结构时，有源层12a可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如，有源层12a可以具有InGaN阱层/ GaN势垒层的周期。
[0084]例如，第二导电半导体层13a可以通过使用P型半导体来实现。第二导电半导体层13a可以通过使用具有组成式InxAlyGa1IyN(0 x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0≤x+y ( I)的半导体材料来实现。例如，第二导电半导体层13a可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN以及InN中的一种，并且可以掺杂有P型掺杂剂，例如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba。
[0085]同时，第一导电半导体层Ila可以包含P型半导体层，并且第二导电半导体层13a可以包含N型半导体层。另外，在第二导电半导体层13a上可以另外地设置包括N型或P型半导体层的半导体层。因此，发光结构IOa可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或者PNP结结构中的至少一种结构。另外，可以以均一或不均一的掺杂浓度将杂质掺杂入第一导电半导体层Ua和第二导电半导体层13a中。换言之，发光结构IOa可以具有各种结构，然而，实施方案不限于此。
[0086]另外,可以在第一导电半导体层Ila与有源层12a之间形成第一导电InGaN/ GaN超晶格结构或InGaN / InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电半导体层13a与有源层12a之间形成第二导电AlGaN层。
[0087]接下来，如图3所示，可以通过对发光结构IOa执行蚀刻方案来露出第一导电半导体层Ila的一部分。在此情况下，蚀刻可以包括湿法蚀刻方案或干法蚀刻方案。在此情况下，第一有源层12和第二导电第二半导体层13构成后面的第一发光结构,而第二有源层22和第二导电第四半导体层23构成后面的第二发光结构。
[0088]接下来，如图4所示，可以形成沟道层30、第一欧姆接触层15和第二欧姆接触层25以及第一反射层17和第二反射层27。
[0089]例如，沟道层30 可以包括选自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN中的至少一种。
[0090]第一欧姆接触层15可以设置在第一反射层17和第二导电第二半导体层13之间。第一欧姆接触层15可以与第二导电第二半导体层13接触。第一反射层17可以电连接至第二导电第二半导体层13。第一欧姆接触层15可以包括与第二导电第二半导体层13进行欧姆接触的区域。[0091]第二欧姆接触层25可以设置在第二反射层27和第二导电第四半导体层23之间。第二欧姆接触层25可以与第二导电第四半导体层23接触。第二反射层27可以电连接至第二导电第四半导体层23。第二欧姆接触层25可以包括与第二导电第四半导体层23进行欧姆接触的区域。
[0092]例如，第一欧姆接触层15和第二欧姆接触层25可以包括透明导电氧化物层。例如，第一欧姆接触层15和第二欧姆接触层25可以包括选自以下中的至少一种:氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝镓锌(AGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IZO氮化物(IZON)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag 以及 Ti。
[0093]第一反射层17和第二反射层27可以包括具有高反射率的材料。例如，第一反射层17和第二反射层27可以包括包含以下中的至少一种的金属及其合金:Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au以及Hf。另外，第一反射层17和第二反射层27可以形成为金属或其合金以及透射导电材料的多层，该透射导电材料例如为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(1AZ0)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)或氧化锑锡物(ATO)。例如，根据实施方案，第一反射层17和第二反射层27可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一种。例如,第一反射层17和第二反射层27可以具有其中交替形成Ag层和Ni层的结构，并且第一反射层17和第二反射层27可以包括Ni / Ag/Ni或Ti层以及Pt层。
[0094]如图5所示，在第一反射层17上形成第一金属层35，并且在第二反射层27上形成第二金属层45。然后,可以在第一金属层35和第二金属层45上形成绝缘层40、第三金属层50、接合层60以及导电支承构件70。
[0095]第一金属层35和第二金属层45可以包括选自Au、Cu、N1、T1、Ti—W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
[0096]根据实施方案，第二电极83可以包括第一反射层17、第一欧姆接触层15以及第一金属层35中的至少一个层。第四电极87可以包括第二反射层27、第二欧姆接触层25以及第二金属层45中的至少一个层。
[0097]绝缘层40可以使第一金属层35与第三金属层50绝缘。绝缘层40可以使第一金属层35与导电支承构件70绝缘。绝缘层40可以使第二金属层45与第三金属层50绝缘。绝缘层40可以使第二金属层45与导电支承构件70绝缘。绝缘层40可以使第一金属层35与第二金属层45绝缘。
[0098]例如，绝缘层40可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如，绝缘层40可以包括选自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN 中的至少一种。
[0099]绝缘层40可以围绕第一金属层35的外周部。绝缘层40的一部分可以与第一反射层17的侧面接触。绝缘层40可以围绕沟道层30的外周部。绝缘层40可以围绕第二金属层45的外周部。绝缘层40的一部分可以与第二反射层27的侧面接触。
[0100]第三金属层50可以包括&1、祖、！1、11-1、0、1、？扒￥、？6以及Mo中的至少一种。第三金属层50可以用作扩散阻挡层。
[0101]第三金属层50可以防止在设置接合层60的过程中包含在接合层60中的材料扩散至第一反射层17和第二反射层27。第三金属层50可以防止包含在接合层60中的材料例如锌(Sn)影响第一反射层17和第二反射层27。
[0102]接合层60包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包括T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一种。导电支承构件70可以支承根据实施方案的发光结构，同时执行散热功能。接合层60可以以籽层的形式来实现。
[0103]例如，导电支承构件70可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底(例如，Si衬底、Ge衬底、GaN衬底、GaAs衬底、ZnO衬底、SiC衬底以及SiGe衬底)中的至少一种。
[0104]接下来，从第一导电半导体层Ila移除衬底5。根据一个实例，可以通过激光剥离(LLO)工艺来移除衬底5。LLO工艺是一种通过辐射激光至衬底5的底表面来将衬底从第一导电半导体层Ila分离的工艺。
[0105]另外，如图6所示，通过隔离蚀刻工艺来对第一发光结构10和第二发光结构20的侧面进行蚀刻以露出沟道层30的一部分。在此情况下，可以露出绝缘层40的一部分。隔离蚀刻工艺可以通过干法蚀刻工艺如电感耦合等离子体(ICP)来执行，然而实施方案不限于此。
[0106]可以在第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面上形成粗糙结构。因此，可以在发光结构10和发光结构20的顶表面上设置光提取图案。可以在第一发光结构10和第二发光结构20上设置凹凸图案。例如，可以通过光电化学(PEC)蚀刻工艺来形成设置在第一发光结构10和第二发光结构20上的光提取图案。因此，根据实施方案，可以提高外部光提取效果。
[0107]接下来，如图6所示，可以形成第一电极80、第三电极85以及第一连接部90、第二连接部95和第三连接部97。
[0108]根据实施方案，可以通过第一电极80和第二电极83将电力施加至第一发光结构
10。根据实施方案，第一电极80可以包括欧姆层、中间层和上层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自N1、Cu以及Al中的材料来实现。例如，上层可以包括Au。第一电极80可以包括选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0109]根据实施方案，可以通过第三电极85和第四电极87将电力施加至第二发光结构
20。根据实施方案，第三电极85可以包括欧姆层、中间层和上层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自N1、Cu以及Al中的材料来实现。例如，上层可以包括Au。第三电极85可以包括选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0110]根据实施方案的发光器件可以包括第一连接部90、第二连接部95和第三连接部97。第一连接部90可以电连接至第一电极80和导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至第二电极83和第三电极85。第三连接部97可以电连接至第四电极87。第三连接部97的一端可以设置在沟道层30上。第三连接部97可以电连接至第二反射层27。
[0111]第一连接部90可以与第一电极80接触。第一连接部90可以电连接至第三金属层50。第一连接部90可以与第三金属层50接触。第一连接部90可以穿过第三金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。
[0112]第一连接部90可以被设置成穿过绝缘层40。第一连接部90可以穿过绝缘层40电连接至导电支承构件70。第一连接部90可以穿过沟道层30电连接至第三金属层50。第一连接部90可以穿过沟道层30和绝缘层40电连接至第三金属层50。
[0113]第一连接部90可以设置在第一发光结构10的侧面。第一连接部90可以设置在第一导电第一半导体层11的侧面处。第一连接部90可以与第一导电第一半导体层11的侧面接触。沟道层30可以使第一连接部90和第一有源层12绝缘。沟道层30可以使第一连接部90与第二导电第二半导体层13绝缘。第一连接部90可以与第一有源层12间隔开至少3iim的距离。
[0114]第二连接部95可以设置在第二发光结构20的侧面处。第二连接部95可以设置在第一导电第三半导体层21的侧面。第二连接部95可以与第一导电第三半导体层21的侧面接触。沟道层30可以使第二连接部95与第二有源层22绝缘。沟道层30可以使第二连接部95与第二导电第四半导体层23绝缘。第二连接部95可以与第二有源层22间隔开至少3 ii m。
[0115]第三连接部97可以电连接至第二金属层45。第三连接部97可以与第二金属层45接触。第三连接部97的一端可以设置在沟道层30上。第三连接部97的一端可以与第二发光结构20的侧面间隔开。第三连接部97的一端可以在第二发光结构20的侧面露出。
[0116]第三连接部97可以穿过沟道层30电连接至第二金属层45。另外，第三连接部97可以穿过绝缘层40电连接至第二金属层45。第三连接部97可以电连接至第四电极87。第三连接部97可以与第四电极87接触。
[0117]第一连接部90、第二连接部95以及第三连接部97可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0118]根据实施方案的发光器件，第二电极83可以通过穿过设置在第二电极83下方的导电支承构件70而电连接至设置在第二电极83上的第一导电第一半导体层11。第二电极83可以设置在第二导电第二半导体层13和导电支承构件70之间。
[0119]因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案来向第一导电第一半导体层11提供电力。另外，根据实施方案，第二连接部95可以电连接至第二电极83和第三电极85。第三连接部97可以电连接至第四电极87。因此，通过将第三连接部97以导线接合方案连接至电源垫，可以向第二导电第二半导体层13提供电力。
[0120]根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第三连接部97来向第一发光结构10和第二发光结构20提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中，并且可以提高电可靠性。
[0121]同时，为了说明目的，提供了形成上述每个层的过程，但是可以以各种方式来修改其工艺顺序。
[0122]图7是示出根据实施方案的发光器件的又一实例的截面图。在下面关于图7所示的发光器件的描述中，为了避免冗余，将不再描述与参照图1所述的那些部件和结构相同的部件和结构。
[0123]根据图7所示的实施方案，沟道层30可以设置在第一发光结构10和第二发光结构20的下部的外周部处，并且绝缘层40可以不在第一发光结构10和第二发光结构20的下部的外周部处露出。
[0124]根据实施方案的发光结构可以包括设置在第一发光结构10和第二发光结构20的下部的外周部处的沟道层30。例如，沟道层30的顶表面可以被设置成高于第一有源层12的顶表面。沟道层30的顶表面可以被设置成高于第二有源层22的顶表面。
[0125]沟道层30可以围绕第一有源层12。沟道层30可以围绕第二导电第二半导体层13的外周部。沟道层30的一端可以设置在第二导电第二半导体层13下方。沟道层30的一端可以与第二导电第二半导体层13的底表面接触。沟道层30的一端可以设置在第二导电第二半导体层13与第二电极83之间。沟道层30的一端可以设置在第二导电第二半导体层13与第一反射层17之间。
[0126]沟道层30可以围绕第二有源层22。沟道层30可以围绕第二导电第四半导体层23的外周部。沟道层30的一端可以设置在第二导电第四半导体层23下方。沟道层30的一端可以与第二导电第四半导体层23的底表面接触。沟道层30的一端可以设置在第二导电第四半导体层23与第四电极87之间。沟道层30的一端可以设置在第二导电第四半导体层23与第二反射层27之间。
[0127]例如，沟道层30可以通过使用氧化物或氮化物来实现，例如，沟道层30可以包括选自 Si02、Six0y、Si3N4'SixNy、SiOxNy、Al2O3'TiO2 以及 AlN 中的至少一种。沟道层 30 可以被称作隔离层。沟道层30可以在后续对第一发光结构10和第二发光结构20执行隔离工艺时用作蚀刻阻挡层。另外，通过隔离工艺，可以防止发光结构的电气特性劣化。
[0128]根据实施方案，可以通过第一电极80和第二电极83来将电力施加至第一发光结构10。根据实施方案，第一电极80可以包括欧姆层、中间层以及上层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自N1、Cu和Al中的材料来实现。例如，上层可以包括Au。第一电极80可以包括选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0129]根据实施方案，可以通过第三电极85和第四电极87来将电力施加至第二发光结构20。根据实施方案，第三电极85可以包括欧姆层、中间层以及上层，欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自N1、Cu和Al中的材料来实现。例如，上层可以包括Au。第三电极85可以包括选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0130]根据实施方案的发光器件可以包括第一连接部90、第二连接部95以及第三连接部97。第一连接部90可以电连接至第一电极80和导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至第二电极83和第三电极85。第三连接部97可以电连接至第四电极87。第三连接部97的一端可以设置在沟道层30上方。第三连接部97可以电连接至第二反射层27。[0131 ] 第一连接部90可以与第一电极80接触，第一连接部90可以电连接至第三金属层50。第一连接部90可以与第三金属层50接触。第一连接部90可以穿过第三金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。第一连接部90可以与接合层60或导电支承构件70直接接触。
[0132]第一连接部90可以被设置成穿过绝缘层40。第一连接部90可以穿过绝缘层40电连接至导电支承构件70。另外，第一连接部90可以穿过沟道层30电连接至第三金属层50。第一连接部90可以穿过沟道层30和绝缘层40电连接至第三金属层50。
[0133]第一连接部90可以设置在第一发光结构10的侧面处。第一连接部90可以设置在第一导电第一半导体层11的侧面处。第一连接部90可以与第一导电第一半导体层11的侧面接触。沟道层30可以使第一连接部90与第一有源层12绝缘。沟道层30可以使第一连接部90与第二导电第二半导体层13绝缘。第一连接部90可以与第一有源层12间隔开至少3 ii m。
[0134]第二连接部95可以设置在第二发光结构20的侧面处。第二连接部95可以设置在第一导电第三半导体层21的侧面处。第二连接部95可以与第一导电第三半导体层21的侧面接触。沟道层30可以使第二连接部95与第二有源层22绝缘。沟道层30可以使第二连接部95与第二导电第四半导体层23绝缘。第二连接部95可以与第二有源层22间隔开至少3 ii m。
[0135]第三连接部97可以电连接至第二金属层45。第三连接部97可以与第二金属层45接触。第三连接部97的一端可以设置在沟道层30上。第三连接部97的一端可以与第二发光结构20的侧面间隔开。第三连接部97的一端可以在第二发光结构20的侧面露出。
[0136]第三连接部97可以穿过沟道层30电连接至第二金属层45。另外，第三连接部97可以穿过绝缘层40电连接至第二金属层45。第三连接部97可以电连接至第四电极87。第三连接部97可以与第四电极87接触。
[0137]第一连接部90、第二连接部95以及第三连接部97可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0138]根据实施方案的发光器件，第二电极83可以穿过设置在第二电极83下方的导电支承构件70电连接至设置在第二电极83上的第一导电第一半导体层11。第二电极83可以设置在第二导电第二半导体层13与导电支承构件70之间。
[0139]因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案来向第一导电第一半导体层11提供电力。另外，根据实施方案，第二连接部95可以电连接至第二电极83和第三电极85。第三连接部97可以电连接至第四电极87。因此，通过将第三连接部97以导线接合方案连接至电源垫，可以向第二导电第二半导体层13提供电力。
[0140]根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第三连接部97来向第一发光结构10和第二发光结构20提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中，并且可以提高电可靠性。
[0141]图8是示出根据实施方案的发光器件的另一示例的截面图。在下面关于图8所示的发光器件的描述中，为了避免冗余，将不再描述与参照图1所述的那些部件和结构相同的部件和结构。
[0142]根据实施方案的发光器件，可以在第一发光结构10下方设置第一欧姆反射层19。第一欧姆反射层19可以被实现成使得第一欧姆反射层19用作第一反射层17和第一欧姆接触层15两者。因此，第一欧姆反射层19可以与第二导电第二半导体层13进行欧姆接触，并且可以在其上对来自第一发光结构10的光进行反射。
[0143]根据实施方案的发光器件，可以在第二发光结构20下方设置第二欧姆反射层29。第二欧姆反射层29可以被实现成使得第二欧姆反射层29用作第二反射层27和第二欧姆接触层25两者。因此，第二欧姆反射层29可以与第二导电第四半导体层23进行欧姆接触，并且可以在其上对来自第二发光结构20的光进行反射。
[0144]在此情况下，第一欧姆反射层19和第二欧姆反射层29可以包括多个层。例如，第一欧姆反射层19和第二欧姆反射层29可以具有其中交替形成Ag层和Ni层的结构，或者可以包含Ni / Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
[0145]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一发光结构10和第二发光结构20的下部的外周部处的沟道层30。例如，沟道层30的顶表面可以被设置成高于第一有源层12的顶表面。沟道层30的顶表面可以被设置成高于第二有源层22的顶表面。
[0146]根据实施方案，可以通过第一电极80和第二电极83来将电力施加至第一发光结构10。根据实施方案，第一电极80可以包括欧姆层、中间层以及上层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自N1、Cu和Al中的材料来实现。例如，上层可以包括Au。第一电极80可以包括选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0147]根据实施方案，可以通过第三电极85和第四电极87来将电力施加至第二发光结构20。根据实施方案，第三电极85可以包括欧姆层、中间层以及上层，欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自N1、Cu和Al中的材料来实现。例如，上层可以包括Au。第三电极85可以包括选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0148]根据实施方案的发光器件可以包括第一连接部90、第二连接部95以及第三连接部97。第一连接部90可以电连接至第一电极80和导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至第二电极83和第三电极85。第三连接部97可以电连接至第四电极87。第三连接部97的一端可以设置在沟道层30上方。第三连接部97可以电连接至第二反射层27。
[0149]第一连接部90可以与第一电极80接触，第一连接部90可以电连接至第三金属层50。第一连接部90可以与第三金属层50接触。第一连接部90可以穿过第三金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。第一连接部90可以与接合层60或导电支承构件70直接接触。
[0150]第一连接部90可以被设置成穿过绝缘层40。第一连接部90可以穿过绝缘层40电连接至导电支承构件70。另外，第一连接部90可以穿过沟道层30电连接至第三金属层50。第一连接部90可以穿过沟道层30和绝缘层40电连接至第三金属层50。
[0151]第一连接部90可以设置在第一发光结构10的侧面处。第一连接部90可以设置在第一导电第一半导体层11的侧面处。第一连接部90可以与第一导电第一半导体层11的侧面接触。沟道层30可以使第一连接部90与第一有源层12绝缘。沟道层30可以使第一连接部90与第二导电第二半导体层13绝缘。第一连接部90可以与第一有源层12间隔开至少3 ii m。
[0152]第二连接部95可以设置在第二发光结构20的侧面处。第二连接部95可以设置在第一导电第三半导体层21的侧面处。第二连接部95可以与第一导电第三半导体层21的侧面接触。沟道层30可以使第二连接部95与第二有源层22绝缘。沟道层30可以使第二连接部95与第二导电第四半导体层23绝缘。第二连接部95可以与第二有源层22间隔开至少3 ii m。
[0153]第三连接部97可以电连接至第二金属层45。第三连接部97可以与第二金属层45接触。第三连接部97的一端可以设置在沟道层30上。第三连接部97的一端可以与第二发光结构20的侧面间隔开。第三连接部97的一端可以在第二发光结构20的侧面露出。
[0154]第三连接部97可以穿过沟道层30电连接至第二金属层45。另外，第三连接部97可以穿过绝缘层40电连接至第二金属层45。第三连接部97可以电连接至第四电极87。第三连接部97可以与第四电极87接触。
[0155]第一连接部90、第二连接部95以及第三连接部97可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0156]根据实施方案的发光器件，第二电极83可以穿过设置在第二电极83下方的导电支承构件70电连接至设置在第二电极83上的第一导电第一半导体层11。第二电极83可以设置在第二导电第二半导体层13与导电支承构件70之间。
[0157]因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案来向第一导电第一半导体层11提供电力。另外，根据实施方案，第二连接部95可以电连接至第二电极83和第三电极85。第三连接部97可以电连接至第四电极87。因此，通过将第三连接部97以导线接合方案连接至电源垫，可以向第二导电第二半导体层13提供电力。
[0158]根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第三连接部97来向第一发光结构10和第二发光结构20提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中，并且可以提高电可靠性。
[0159]图9是示出根据实施方案的发光器件的又一实例的截面图。在下面关于图9所示的发光器件的描述中，为了避免冗余，将不再描述与参照图1所述的那些部件和结构相同的部件和结构。
[0160]根据实施方案的发光器件，可以在第一发光结构10下方设置第一欧姆反射层19。第一欧姆反射层19可以被实现成使得第一欧姆反射层19用作第一反射层17和第一欧姆接触层15两者。因此，第一欧姆反射层19可以与第二导电第二半导体层13进行欧姆接触，并且可以在其上对来自第一发光结构10的光进行反射。
[0161]根据实施方案的发光器件，可以在第二发光结构20下方设置第二欧姆反射层29。第二欧姆反射层29可以被实现成使得第二欧姆反射层29用作第二反射层27和第二欧姆接触层25两者。因此，第二欧姆反射层29可以与第二导电第四半导体层23进行欧姆接触，并且可以在其上对来自第二发光结构20的光进行反射。
[0162]在此情况下，第一欧姆反射层19和第二欧姆反射层29可以包括多个层。例如，第一欧姆反射层19和第二欧姆反射层29可以具有其中交替形成Ag层和Ni层的结构，或者可以包含Ni / Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
[0163]根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一发光结构10和第二发光结构20的下部的外周部处的沟道层30。例如，沟道层30的顶表面可以被设置成高于第一有源层12的顶表面。沟道层30的顶表面可以被设置成高于第二有源层22的顶表面。
[0164]根据实施方案，可以通过第一电极80和第二电极83来将电力施加至第一发光结构10。根据实施方案，第一电极80可以包括欧姆层、中间层以及上层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自N1、Cu和Al中的材料来实现。例如，上层可以包括Au。第一电极80可以包括选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0165]根据实施方案，可以通过第三电极85和第四电极87来将电力施加至第二发光结构20。根据实施方案，第三电极85可以包括欧姆层、中间层以及上层，欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自N1、Cu和Al中的材料来实现。例如，上层可以包括Au。第三电极85可以包括选自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0166]根据实施方案的发光器件可以包括第一连接部90、第二连接部95以及第三连接部97。第一连接部90可以电连接至第一电极80和导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至第二电极83和第三电极85。第三连接部97可以电连接至第四电极87。第三连接部97的一端可以设置在沟道层30上方。第三连接部97可以电连接至第二反射层27。
[0167]第一连接部90可以与第一电极80接触，第一连接部90可以电连接至第三金属层50。第一连接部90可以与第三金属层50接触。第一连接部90可以穿过第三金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。第一连接部90可以与接合层60或导电支承构件70直接接触。
[0168]第一连接部90可以被设置成穿过绝缘层40。第一连接部90可以穿过绝缘层40电连接至导电支承构件70。另外，第一连接部90可以穿过沟道层30电连接至第三金属层50。第一连接部90可以穿过沟道层30和绝缘层40电连接至第三金属层50。
[0169]第一连接部90可以设置在第一发光结构10的侧面处。第一连接部90可以设置在第一导电第一半导体层11的侧面处。第一连接部90可以与第一导电第一半导体层11的侧面接触。沟道层30可以使第一连接部90与第一有源层12绝缘。沟道层30可以使第一连接部90与第二导电第二半导体层13绝缘。第一连接部90可以与第一有源层12间隔开至少3 ii m。
[0170]第二连接部95可以设置在第二发光结构20的侧面处。第二连接部95可以设置在第一导电第三半导体层21的侧面处。第二连接部95可以与第一导电第三半导体层21的侧面接触。沟道层30可以使第二连接部95与第二有源层22绝缘。沟道层30可以使第二连接部95与第二导电第四半导体层23绝缘。第二连接部95可以与第二有源层22间隔开至少3 ii m。
[0171]第三连接部97可以电连接至第二金属层45。第三连接部97可以与第二金属层45接触。第三连接部97的一端可以设置在沟道层30上。第三连接部97的一端可以与第二发光结构20的侧面间隔开。第三连接部97的一端可以在第二发光结构20的侧面露出。
[0172]第三连接部97可以穿过沟道层30电连接至第二金属层45。另外，第三连接部97可以穿过绝缘层40电连接至第二金属层45。第三连接部97可以电连接至第四电极87。第三连接部97可以与第四电极87接触。
[0173]第一连接部90、第二连接部95以及第三连接部97可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
[0174]根据实施方案的发光器件，第二电极83可以穿过设置在第二电极83下方的导电支承构件70电连接至设置在第二电极83上的第一导电第一半导体层11。第二电极83可以设置在第二导电第二半导体层13与导电支承构件70之间。
[0175]因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案来向第一导电第一半导体层11提供电力。另外，根据实施方案，第二连接部95可以电连接至第二电极83和第三电极85。第三连接部97可以电连接至第四电极87。因此，通过将第三连接部97以导线接合方案连接至电源垫，可以向第二导电第二半导体层13提供电力。
[0176]根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第三连接部97向第一发光结构10和第二发光结构20提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中，并且可以提高电可靠性。
[0177]图10是示出根据实施方案的发光器件应用于其中的发光器件封装件的截面图。
[0178]参照图10，根据实施方案的发光器件封装件包括:本体120 ;形成在本体120上的第一引线电极131和第二引线电极132 ;发光器件100，该发光器件100设置在本体120上并且电连接至第一引线电极131和第二引线电极132 ;以及围绕发光器件100的模制构件140。
[0179]本体120可以包括硅树脂、合成树脂或金属材料，并且可以在发光器件100的附近
形成倾斜表面。
[0180]第一引线电极131和第二引线电极132彼此电隔离以向发光器件100提供电力。第一引线电极131和第二引线电极132可以通过对从发光器件100发出的光进行反射来提高光效率。此外，第一引线电极131和第二引线电极132将从发光器件100生成的热量耗散到外部。
[0181]发光器件100可以安装在本体120或者第一引线电极131或第二引线电极132上。
[0182]可以通过导线方案、倒装芯片方案以及管芯接合方案之一将发光器件100电连接至第一引线电极131和第二引线电极132。
[0183]模制构件140可以围绕发光器件100以保护发光器件100。另外，模制构件140可以包括磷光体以改变从发光器件100发出的光的波长。
[0184]可以将根据实施方案的多个发光器件或发光器件封装件排列在板上，并且可以将包括透镜、导光板、棱镜片或扩散片的光学构件设置在从发光器件封装件发出的光的光路上。发光器件封装件、板以及光学构件可以用作光单元。光单元实现成顶视型或侧视型，并且被以不同方式设置在便携式终端和膝上型电脑的显示装置或照明装置以及指示器装置中。另外，根据另一实施方案的照明装置可以包括根据实施方案的发光器件或发光器件封装件。例如，照明装置可以包括灯、信号灯、电子广告牌或车辆的前灯。
[0185]可以将根据实施方案的发光器件应用于光单兀。光单兀具有其中排列了多个发光器件的结构。光单元包括如图11和图12所示的显示装置以及如图13所示的照明装置。
[0186]参照图11，根据实施方案的显不装置1000包括导光板1041 ;用于向导光板1041提供光的发光模块1031 ;设置在导光板1041下方的反射构件1022 ;设置在导光板1041上方的光学片1051 ;设置在光学片1051上方的显不面板1061 ;用于容置导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022的底盖1011。然而，实施方案不限于以上结构。
[0187]底盖1011、反射片1022、导光板1041以及光学片1051可以构成光单元1050。
[0188]导光板1041对光进行扩散以提供表面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括丙烯酸基树脂例如如下树脂之一:聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂。
[0189]发光模块1031向导光板1041的至少一侧提供光。发光模块1031用作显不装置的光源。
[0190]将至少一个发光模块1031设置成从导光板1041的一侧直接或间接地提供光。发光模块1031可以包括板1033以及根据上述实施方案的发光器件100或发光器件封装件200。发光器件封装件200可以排列在板1033上同时以预定间隔彼此间隔开。
[0191]板1033可以是包括电路图案的印刷电路板(PCB)。另外，板1033还可以包括除PCB以外的金属芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)，然而，实施方案不限于此。如果发光器件封装件200安装在底盖1011的侧面上或者散热板上，则可以省略板1033。散热板可以与底盖1011的顶表面部分接触。
[0192]另外，发光器件封装件200被安装成使得发光器件封装件200的光出射面与导光板1041间隔开预定距离，然而，实施方案不限于此。发光器件封装件200可以将光直接或间接地提供给作为导光板1041的一侧的光入射部分，然而，实施方案不限于此。
[0193]反射构件1022可以设置在导光板1041下方。反射构件1022向上反射通过导光板1041的底表面向下传播的光，从而提高光单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET树脂、PC树脂或聚氯乙烯(PVC)树脂，然而，实施方案不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面，然而，实施方案不限于此。
[0194]底盖1011可以容置其中的导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022。为此，底盖1011具有容置部1012，该容置部1012为具有敞开的顶表面的盒体形状，然而，实施方案不限于此。底盖1011可以耦接有顶盖(未示出)，然而，实施方案不限于此。
[0195]可以通过使用金属材料或树脂材料的冲压工艺或挤压工艺来制造底盖1011。另夕卜，底盖1011可以包含具有优异热导率的金属材料或非金属材料，然而，实施方案不限于此。
[0196]显示面板1061例如是包括如下的液晶显示(IXD)面板:彼此相对的第一透明衬底和第二透明衬底；以及设置在第一衬底与第二衬底之间的液晶层。可以将起偏振片附接至显示面板1061的至少一个表面，然而，实施方案不限于此。显示面板1061通过使用穿过光学片1051的光来显示信息。可以将显示装置1000应用于各种便携式终端、笔记本电脑和膝上型电脑的显示器以及电视机。
[0197]光学片1051设置在显示面板1061与导光板1041之间，并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051包括扩散片、水平棱镜片、垂直棱镜片以及亮度增强片中的至少一个。扩散片对入射光进行扩散，水平棱镜片和/或垂直棱镜片将入射光集中在显示区域上，并且亮度增强片通过重新使用待损失的光来提高亮度。另外，可以在显示面板1061上设置保护片，然而，实施方案不限于此。
[0198]可以将导光板1041和光学片1051设置在发光模块1031的光路上作为光学构件，然而，实施方案不限于此。
[0199]图12是示出根据实施方案的显示装置的另一实例的截面图。
[0200]参照图12，显示装置1100可以包括底盖1152、在其上排列发光器件100的板1020、光学构件1154以及显示面板1155。
[0201]板1020和发光器件100可以构成发光模块1060。另外,底盖1152、至少一个发光模块1060以及发光构件1154可以构成光单兀。
[0202]底盖1152可以在其中设置有容置部1153，然而，实施方案不限于此。
[0203]在此情况下,光学构件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平棱镜片、垂直棱镜片以及亮度增强片中的至少一个。导光板可以包括PC或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。可以省略导光板。扩散片对入射光进行扩散，水平棱镜片和垂直棱镜片将入射光集中在显不区域上，并且亮度增强片通过重新使用待损失的光来提高亮度。
[0204]光学构件1154设置在发光模块1060上方，以将从发光模块1060发出的光转换为表面光。另外，光学构件1154可以扩散或收集光。
[0205]图13是示出根据实施方案的照明装置的透视图。
[0206]参照图13，根据实施方案的照明装置可以包括盖2100、光源模块2200、散热器2400、电源部2600、内壳体2700以及插座2800。根据实施方案的照明装置还包括构件2300和保持器2500中的至少一个。光源模块2200可以包括根据实施方案的发光器件封装件。
[0207]例如，盖2100可以具有球形状或半球形状。盖2100可以具有部分敞开的中空结构。盖2100可以光学耦接光源模块2200。例如，盖2100可以扩散、散射或激发从光源模块2200提供的光。盖2100可以是光学构件。盖2100可以耦接散热器2400。盖2100可以包括耦接散热器2400的耦接部。
[0208]盖2100可以包括涂覆有乳白色涂料的内表面。乳白色涂料可以包括扩散材料以对光进行扩散。盖2100的内表面的粗糙度可以比盖2100的外表面的粗糙度大。该表面粗糙度是为了充分地散射和扩散来自光源模块2200的光而提供的。
[0209]盖2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。聚碳酸酯(PC)在以上材料中具有优异的耐光性、耐热性以及强度。盖2100可以是透明的，使得用户可以从外部看到光源模块2200，或者可以是不透明的。盖2100可以通过吹塑方案形成。
[0210]光源模块2200可以设置在散热器2400的一个表面处。因此，将来自光源模块2200的热传递至散热器2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230以及连接器2250。
[0211]构件2300设置在散热器2400的顶表面上，并且包括将多个光源2210和连接器2250嵌入其中的导向凹槽2310。导向凹槽2310与光源2210和连接器2250的板相对应。
[0212]构件2300的表面可以涂覆有反光材料。例如，构件2300的表面可以涂覆有白色涂料。构件2300将由盖2100的内表面反射并返回至光源模块2200的方向上的光再次反射至盖2100的方向。因此，可以提高根据实施方案的照明装置的光效率。
[0213]例如，构件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，可以将散热器2400电连接至连接板2230。构件2300可以通过绝缘材料形成，从而防止连接板2230与散热器2400电短路。散热器2400接收来自光源模块2200和电源部2600的热量并进行散热。
[0214]保持器2500覆盖内壳体2700的绝缘部2710的容置凹槽2719。因此，对容置在内壳体2700的绝缘部2710中的电源部2600进行密封。保持器2500包括导向突出2510。该导向突出2510具有孔，并且通过穿过该孔电源部2600的突出进行延伸。
[0215]电源部2600对从外部接收的电信号进行处理和转换，并且将处理或转换后的电信号提供给光源模块2200。电源部2600容置在内壳体2700的容置凹槽2719中，并且通过保持器2500密封在内壳体2700内部。
[0216]电源部2600可以包括突出2610、导向部2630、基体2650以及延伸部2670。
[0217]导向部2630具有从基体2650的一侧向外部突出的形状。导向部2630可以嵌入保持器2500中。多个部件可以设置在基体2650的一个表面上。例如,部件可以包括:将从外部电源提供的AC电源转换为DC电源的DC转换器；对光源模块2200的驱动进行控制的驱动芯片；以及保护光源模块2200的静电放电(ESD)保护器件，然而，实施方案不限于此。[0218]延伸部2670具有从基体2650的相对侧向外部突出的形状。延伸部2670嵌入内壳体2700的连接部2750的内部，并且接收来自外部的电信号。例如，延伸部2670的宽度可以小于或等于内壳体2700的连接部2750的宽度。“+电线”和电线”的第一端子电连接至延伸部2670，并且“+电线”和电线”的第二端子可以电连接至插座2800。
[0219]内壳体2700可以包括与电源部2600 —起在其中的模制部。该模制部是通过硬化模制液体而制备的，并且可以通过模制部将电源部2600固定在内壳体2700内部。
[0220]本说明书中对“实施方案”、“示例性实施方案”等的引用意味着结合实施方案所描述的具体的特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方案中。在本说明书的不同地方出现的这类短语不一定都指相同的实施方案。此外，当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为其在本领域的技术人员结合实施方案中的其他实施方案来实现这样的特征、结构或特性的范围内。
[0221]虽然已经参照多个示例性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，可以由本领域的普通技术人员设想的大量其他修改方案和实施方案将属于本公开内容的精神和原理的范围内。更具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的部件部分和/或布置的各种变型和修改方案是可能的。除部件部分和/或布置的变型和修改方案之外，其他用途对于本领域的普通技术人员也将是明显的。
【权利要求】
1.一种发光器件，包括: 导电支承构件； 在所述导电支承构件上的第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电第一半导体层、在所述第一导电第一半导体层下方的第一有源层以及在所述第一有源层下方的第二导电第二半导体层； 在所述导电支承构件上的第二发光结构，所述第二发光结构包括第一导电第三半导体层、在所述第一导电第三半导体层下方的第二有源层以及在所述第二有源层下方的第二导电第四半导体层； 围绕所述第一发光结构的下部和所述第二发光结构的下部的沟道层； 第一电极，所述第一电极电连接至所述第一导电第一半导体层； 第二电极，所述第二电极电连接至所述第二导电第二半导体层； 第三电极，所述第三电极电连接至所述第一导电第三半导体层； 第四电极，所述第四电极电连接至所述第二导电第四半导体层； 第一连接部，所述第一连接部电连接至所述第一电极和所述导电支承构件； 第二连接部，所述第二连接部电连接至所述第二电极和所述第三电极；以及第三连接部，所述第三连接部电连接至所述第四电极，并且所述第三连接部的一端设置在所述沟道层上。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极设置在所述第一导电第一半导体层上。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极设置在所述第二导电第二半导体层与所述导电支承构件之间。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二电极包括欧姆接触层、反射层以及金属层中的至少之一。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第三电极设置在所述第一导电第三半导体层上。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第四电极设置在所述第二导电第四半导体层与所述导电支承构件之间。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第四电极包括欧姆接触层、反射层以及金属层中的至少之一。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第三连接部的一端相对于所述第二发光结构的侧面间隔开，并且在所述第二发光结构的侧面露出。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟道层的顶表面高于所述第一有源层的顶表面和所述第二有源层的顶表面。
10.根据权利要求1所述的发光器件，还包括设置在所述第二电极与所述导电支承构件之间以及所述第四电极与所述导电支承构件之间的绝缘层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述绝缘层的顶表面在所述第二发光结构的底部的外周处露出。
12.根据权利要求10 所述的发光器件，其中所述绝缘层围绕所述沟道层的外周。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一连接部接触所述第一导电第一半导体层的侧面。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一连接部通过穿过所述沟道层而电连接至所述导电支承构件。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二连接部接触所述第一导电第三半导体层的侧面。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟道层围绕所述第一有源层和所述第二有源层的外周。
17.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟道层围绕所述第二导电第二半导体层和所述第二导电第四半导体层的外周。
18.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第一发光结构和所述第二发光结构上的粗糙结构。
19.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第二电极下方的扩散阻挡层和接口 /Z^ o
20.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟道层包含氧化物或氮化物。
21.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述沟道层的一端设置在所述第二导电第二半导体层与所述第二电 极之间。
22.根据权力要求I所述的发光器件，其中所述沟道层的一端接触所述第二导电第二半导体层的底表面。
23.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二连接部设置在所述第二发光结构的侧面处。
24.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二连接部相对于所述第二有源层间隔开至少3 ii m。
【文档编号】H01L33/38GK103682070SQ201310404135
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月6日 优先权日:2012年9月6日
【发明者】丁焕熙 申请人:Lg伊诺特有限公司