半导体发光器件的制作方法

专利名称：半导体发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种呈现出提高的光提取效率的III族氮化物基化合物半导体发光器件。
背景技术：
III族氮化物基化合物半导体发光器件已经被广泛的应用，并且其特性也被大幅改善。通常，通过在蓝宝石衬底或其他异质衬底上外延生长III族氮化物基化合物半导体来制造III族氮化物基化合物半导体发光器件。在这样的半导体发光器件中，提高光提取效率是重要的课题。为了提高外部光提取效率，专利文件I公开了如下内容在蓝宝石衬底上以条状图案的形式形成具有低于GaN的折射率的、由SiO2等制成的电介质，并且通过气相外延从衬底的暴露的表面生长GaN以覆盖电介质的顶表面。
专利文件2公开了如下内容在a面蓝宝石衬底上，沿平行于m轴的方向以条状图案形成多个沟槽，并且GaN从沟槽的c面侧表面、沿着垂直于该侧表面的c轴方向生长，从而形成具有m面主表面的GaN。因此，在专利文件2中，获得了具有非极性面的主面的GaN。现有技术文件专利文件专利文件I :日本公开特许公报(kokai)No. 2009-54898专利文件2 :日本公开特许公报(kokai)No. 2009-20315
发明内容
本发明要解决的问题在专利文件I和2 二者中，如垂直于条状图案的条纹方向的横截面所示，沟槽形成为条状图案并且凹部或凸部在衬底上周期性地重复。因此，沿着垂直于衬底上条纹方向的方向传播的光在浮凸的表面上被散射并且容易提取到外部。然而，沿着条纹方向传播的光分量通过凸部和凹部，并且被沟槽的侧壁反射和引导。由于在传播方向不存在反射表面，所以光没有被散射和提取到外部。如果沟槽形成为格状图案，则，与沟槽形成为条状图案的情况相比较，沿着垂直于条纹的方向传播的光也被散射，从而提高了光提取效率。如专利文件2中，如果主表面是非极性面，则可以提高光提取效率。在专利文件2的生长方法中，如果沟槽在衬底上形成为格状图案，则在沟槽的侧壁中的面取向不同，导致不同的生长取向，从而不能获得具有作为主表面的非极性面的均匀的半导体层。因此，在衬底上形成的沟槽必须是条状图案。已经实现了本发明以解决上述问题，并且本发明的目的是改善其中多个沟槽在衬底上形成为平行的条状图案的半导体发光器件中的外部光提取效率。用于解决问题的手段在本发明的第一方面中，提供了一种其中每个层是由III族氮化物基化合物半导体制成的半导体发光器件，该半导体发光器件包括衬底，在衬底上平行于第一方向布置多个条状图案的沟槽；形成在蓝宝石衬底的表面上和沟槽中的多个电介质，其中，电介质至少在第一方向上是不连续的；包括III族氮化物基化合物半导体的基层，III族氮化物基化合物半导体在沟槽的侧表面上生长并且覆盖蓝宝石衬I底的表面和电介质的顶表面；以及形成于基层上的构成发光器件的器件层。例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SixNy)、钛氧化物(TiOx)以及锆氧化物(ZrOx)的氧化物或氮化物的单层膜或者这些材料的多层膜可以用做电介质。具体地，如果使用具有硅氮化物(SixNy)在硅氧化物(SiOx)上的结构的双层保护膜，优选地，防止SiOx溶解扩散到GaN中。通过使用SiOxNy以改变组成比例X和y可以设置任意折射率。因此，通过适当地设置组成比例X和y，适当地设置电介质的相对于蓝宝石衬底和基层的折射率的折射率，可以提高光提取效率。可以通过气相法如沉积、溅射和CVD等来形成电介质膜。在本发明中，在衬底的顶表面上，沿着与第一方向相交的第二方向，可以以条状图 案连续地形成多个电介质。在本发明中，在衬底的顶表面上，沿着与第一方向相交的第二方向，可以不连续地形成多个电介质。在本发明中，第二方向优选地垂直于第一方向。沿着第二方向布置多个电介质，所述第二方向是不平行于条纹延伸的第一方向的方向，即，第二方向是只要与第一方向相交的任意方向即可。最优选地，第二方向垂直于第一方向。此外，其他发明具有如下特征基层的其上形成有器件层的主表面是具有在c面的情况下生成的内电场强度的10%或更小的内电场强度的面。通常，基层的主表面是关于c面倾斜90°的非极性面或者关于c面倾斜60°的半极性面。低指数非极性面的示例是m面或a面。低指数半极性面的示例是(11-22)面。如果主表面是c面，则内电场最大。因此，可以使用具有最大值的10%或更小的内电场的任意面(下文中定义为非极性面)。具有10%或更小的内电场的原因是为了在基本不降低光发射效率的情况下消除向较长波长侧的偏移。在条状图案的沟槽的侧表面上生长晶体以允许主表面的一致的晶体取向，并且主表面可以是与上述相同的非极性面。在这种情况下，降低内电场可以提高发光效率或防止向较长波长侧的偏移。此外，在这种情况下，如果沟槽在蓝宝石衬底上形成为格子图案以提高光提取效率，则在沟槽的侧表面生长晶体时，主表面的晶体取向不一致。因此，本发明对于具有非极性面的主表面的半导体发光器件特别有效。其他发明具有如下特征对蓝宝石衬底实施氮化，并且形成氮化铝层。在这种情况下，可以在沟槽的侧表面上沿垂直于侧表面的方向来横向地生长III族氮化物基化合物半导体。在这种情况下，可以仅在沟槽的侧表面上生长晶体，而不在衬底的在与侧表面垂直的方向上的顶表面上生长晶体。氮化铝层可以具有一个单层至若干单层。优选地在沟槽的侧表面上形成缓冲层。在这种情况下，可以仅在侧表面上生长III族氮化物基化合物半导体，而不在衬底的顶表面上沿着与侧表面垂直的方向上生长III族氮化物基化合物半导体。本发明的效果在本发明中，在其上平行地形成多个条状图案沟槽的衬底上，在衬底的顶表面和沟槽上方，在沟槽延伸的方向上不连续地以及在与沟槽延伸的方向交叉的方向上连续地或不连续地形成多个电介质。由于在沟槽延伸的方向上传播的光也确定地被电介质反射，因此，可以提高外部光提取效率。本发明对以下情况特别有效，在基层的其上具有器件层的主表面是具有在C面的情况下内电场的10%或更小的内电场的非极性面。


图I用于根据本发明的具体实施方案的半导体发光器件中的蓝宝石衬底的构造的立体图。图2根据本发明的在其上形成有多个电介质的蓝宝石衬底的构造的立体图。图3上述具体实施方案的半导体发光器件的构造的横截面图。
图4A至图4D示出上述具体实施方案的半导体发光器件的制造工艺的发光器件的横截面图。图5用于根据其他实施方案的半导体发光器件中的蓝宝石衬底的构造的立体图。图6用于根据其他实施方案的半导体发光器件中的蓝宝石衬底的构造的立体图。
具体实施例方式接下来将参照具体实施方案描述本发明，不应该把这些视为是对本发明的限制。本发明可以用于为所谓的面朝下型的倒装芯片型发光器件中，其中，半导体层侧接合到引线框，同时蓝宝石衬底面朝上。然而，本发明也可以用于为面朝上型的导线接合型发光器件，其中，在蓝宝石衬底的背面上形成反射器，并且从半导体层的顶表面将光输出到外部。本文所使用的“III族氮化物半导体”包括由式AlxGayInzN(x+y+z = 1,0 ( x, y,z彡I)表示的半导体；其中Al、Ga或In的一部分由另外的3B族或13族元素(如B或Tl)替代，或者N的一部分由另外的5B族或15族元素(如P、As、Sb或Bi)替代的半导体。III族氮化物半导体的具体示例包括那些至少包含有Ga的III族氮化物半导体，如GaN、InGaN,AlGaN和AlGalnN。基层不限于此，但是，通常使用未掺杂的GaN作为基层。通常，使用Si作为η型杂质，使用Mg作为P型杂质。器件层不限于此，但是，使用由掺杂Si的η型GaN制成的η型接触层、包括AlGaN和GaN或InGaN多层的η型覆层、MQW(多量子阱)发光层、包括AlGaN和GaN或InGaN多层的ρ型覆层以及由掺杂Mg的ρ型GaN制成的ρ型覆层。这些是示例，添加In或者使用具有任意组成比例的上述化合物半导体。半导体发光器件可以具有任意层结构，并且每层可以具有任意组成比例。分子束外延(MBE)、金属有机气相外延(MOVPE)、氢化物气相外延(HVPE)、液相外延和其他外延方法有效用于III族氮化物半导体层的晶体生长。实施方案I图I示出了用于根据本实施方案I的半导体发光器件中的蓝宝石衬底10的构造。在蓝宝石衬底10上，沿第一方向(X轴方向)延伸的多个沟槽11平行地形成为条状图案。在蓝宝石衬底10上，沿垂直于第一方向的第二方向(y轴方向)，以规则的间隔形成多个沟槽11。剩余的面是衬底的顶表面10a。通过表面IOa和沟槽11的侧表面Ila来限定条状图案凸起部分12。每个沟槽11的沿着y轴方向的宽度为I. 5 μ m，以及每个条状图案凸起部分12的沿着y轴方向的宽度是I. 5 μ m，并且相邻的沟槽11之间的距离是3 μ m。每个沟槽11的深度是O. Ιμ ο每个沟槽11的深度可以在10θΛ至的范围内。如图2所示，在沟槽11的底表面Ilb和侧表面Ila上以及在蓝宝石衬底10的表面IOa上，沿第二方向(y轴方向)延伸的多个SiO2电介质15平行地形成为条状图案。每个电介质15的沿着X轴方向的宽度是I. 5 μ m，每个电介质15的厚度是O. I μ m。每个电介质I5的厚度可以在IOOA至I P m的范围内。图3是根据实施方案I的半导体发光器件I的横截面图。半导体发光器件I为发出具有在蓝光范围内的波长的光的倒装芯片型发光二极管(LED)。在正向电压为3. 2V且正向电流为350mA时，该半导体发光器件I发出具有450nm的峰值波长的光。此外，当从上面看时，半导体发光器件I形成为矩形形状。半导体发光器件I具有大约1，000 μ m的一个边长以及大约500 μ m的另一边长的平面尺寸。半导体发光器件I可以形成为具有从300 μ m至1，000 μ m的边长的正方形。在具有如图2所不的构造的监宝石衬底10上,沉积具有IOnm的膜厚度的氮化铝(AlN)缓冲层102。S卩，在沟槽11的底表面Ilb和侧表面11a、表面IOa 以及电介质15的顶表面15a和侧表面15b的上方形成缓冲层102。在缓冲层102上，形成未掺杂的GaN基层103。在基层103上形成作为由具有大约3 μ m至4 μ m的膜厚度的掺杂硅(Si)的GaN制成的高载流子浓度n+层的η型接触层104。η型接触层104的电子浓度为8X1018/cm3。优选地，该层的电子浓度是尽可能的高，并且可以增加到2X1019/cm3。在η型接触层104上形成静电放电防护层(ESD层)105。ESD层105具有在η型接触层104上依次沉积第一 ESD层、第二 ESD层和第三ESD层的三层结构。第一 ESD层由具有I X IO1Vcm3至5 X IO1Vcm3的Si浓度的η-GaN形成。第一 ESD层具有200nm至1，OOOnm的厚度。在第一 ESD层的表面上，由于线位错，形成了密度为小于或等于IXlOVcm2的少许凹坑。第二 ESD层由未掺杂的GaN形成。第二 ESD层具有50nm至200nm的厚度。同样，在第二 ESD层上，形成具有2X 108/cm2或更大的密度的少许凹坑。虽然第二ESD层是未掺杂的，但是由于具有固有载流子，因此具有I X IO1Vcm3至I X IO1Vcm3的载流子浓度。在载流子浓度为5X IO1Vcm3或更小的范围内处，第二 ESD层可以掺杂有Si。第三ESD层由掺杂Si的GaN形成。定义为Si浓度(/cm3)和膜厚度(nm)的乘积的特征值是
0.9 X IO20 (nm/cm3)到3. 6 X IO20 (nm/cm3)。例如，第三ESD层具有30nm的厚度时，Si浓度是3. OXlO1Vcm3 至 I. 2 X IO1Vcm30在ESD层105上形成具有多量子阱(MQW)结构的发光层106，其中，沉积了三个循环的具有20nm的膜厚度的未掺杂的GaN和具有3nm的膜厚度的未掺杂的Gaa8Ina2I在发光层106上形成对应于由掺杂镁(Mg)的Alai5Gaa85N制成的覆层并且具有大约60nm的膜厚度的P型层107。此外，在ρ型层107上形成由掺杂Mg的GaN制成的并且具有大约130nm的膜厚度的P型接触层108。此外，通过M0CVD，在ρ型接触层108上形成由ITO制成的透明导电膜20。在透明导电膜20上形成由SiO2制成的第一绝缘保护膜21。透明导电膜20具有0. 3 μ m的厚度。第一绝缘保护膜21具有200nm的厚度。在第一绝缘保护膜21上形成由Al或Ag制成的并且具有IOOnm的厚度的反射器50，并且，在反射器50上方，形成具有200nm厚度的第二绝缘保护膜22。因此，反射器50掩埋在绝缘保护膜中，其中，第一绝缘保护膜21和第二绝缘保护膜22结合成为绝缘保护膜。在穿过第一绝缘保护膜21、第二绝缘保护膜22和反射器50打开的窗口中形成接合到透明导电膜20的第二中间电极40。第二中间电极40具有厚度为O. Olym的钛(Ti)和厚度为O. 5μπι的金(Au)的双层结构。第二中间电极40可以由Ti和Au的合金构成。另一方面，第一中间电极30形成在通过从ρ型接触层108蚀刻而暴露的η型接触层104上。第一中间电极30具有双层结构并且通过在作为η型接触层104的部分暴露的部分的电极形成部16上连续地沉积具有大约18nm的膜厚度的钒(V)层31和具有大约1.8μπι的膜厚度的铝(Al)层32而构成。在第二绝缘保护膜22上，矩形第二电极70设置成连接多个第二中间电极40，并且矩形第一电极60设置成连接多个第一中间电极30。第二电极70和第一电极60成为连接到引线框的凸块电极。根据本实施方案的半导体发光器件I包括上述结构。下面将描述用于制造半导体发光器件I的方法。(沟槽形成工艺)首先，通过使用掩模，使具有a面主表面(与本发明的生长衬底对应)的蓝宝石衬 底10的表面IOa进行ICP蚀刻,从而形成纵向方向(第一方向，X轴方向)对应于蓝宝石衬底10的m轴方向(图4A)的多个沟槽11。假定平行于每个沟槽11的c轴(y轴方向)的a面(yz面)的横截面为矩形形状。蓝宝石衬底的c面在每个沟槽11的侧表面Ila处暴露，且蓝宝石衬底的a面在每个沟槽11的底表面Ilb处暴露。(电介质形成工艺)在如上处理的蓝宝石衬底10的表面上，通过溅射均匀地沉积SiO2,随后，沿着垂直于沟槽11延伸的方向的方向(y轴方向)，光刻胶被均匀地施加、曝光和显影为条状图案，从而在光刻胶层中形成沿着垂直于沟槽的方向(y轴方向)延伸的窗口。如图2所示，使用剩余的光刻胶作为掩模，通过蚀刻SiO2，沿着垂直于沟槽11的纵向方向(X轴方向)的方向(y轴方向)形成条状图案的多个电介质15。可以按如下方式形成电介质15 :在形成光刻胶之后，其中在蓝宝石衬底10上沿着y轴方向形成条状图案窗口，通过溅射均匀地沉积SiO2,并且剥离光刻胶。(缓冲层形成工艺)随后，将其上平行地形成有多个条状沟槽11和在与条状沟槽11相垂直的方向上的电介质15的蓝宝石衬底10放到反应磁控溅射装置中，并且在500°C处形成AlN缓冲层102。此时，不仅在蓝宝石衬底10的表面10a(凸起部分12的顶表面)上形成AlN缓冲层，而且在沟槽11的侧表面Ila和底表面Ilb以及电介质15的顶表面15a和侧表面15b上形成AlN缓冲层。然而，在沟槽11的侧表面Ila上形成的AlN缓冲层102的厚度小于在蓝宝石衬底10的表面IOa和沟槽11的底表面Ilb上形成的AlN缓冲层102的厚度。如本文中所使用的，“A1N缓冲层102的厚度”指代在蓝宝石衬底10的表面IOa上形成的AlN层的厚度。通常，在形成AlN缓冲层102之前，将蓝宝石衬底10加热到1，000°C或更高的温度，以修复由ICP蚀刻所导致的蓝宝石衬底10的损伤。相反，在实施方案I中，衬底10没有经受这样的用于修复其损伤的加热处理，并且在其上保留由ICP蚀刻所产生的损伤的沟槽11的侧表面I Ia和底表面I Ib上形成AlN层。用于MOCVD的原材料气体如下作为氮源的氨(NH3),作为Ga源的三甲基镓(Ga(CH3)3),作为In源的三甲基铟(In (CH3) 3)，作为Al源的三甲基铝(Al (CH3) 3)，作为η型掺杂气体的硅烷(SiH4),作为ρ型掺杂气体的环戊二烯基镁(Mg(C5H5)2)以及作为载气的氢气(H2)或氮气(N2) ο(加热工艺)随后，将在其上形成AlN缓冲层102的蓝宝石衬底10放置在MOCVD装置中并且在包含氢和氨的气氛中将其加热至生长温度。(晶体生长工艺)然后，将TMG (三甲基镓)引入到MOCVD装置中，并且在每个沟槽11的侧表面Ila上外延生长由GaN晶体制成的基层103 (图4C)。基层103的GaN晶体生长成使得蓝宝石衬底10的c轴方向与GaN晶体的c轴方向一致。关于GaN晶体的c轴方向的极性，GaN的_c取向对应于从沟槽11的侧表面Ila朝着沟槽11的内部(中心)的方向。即，GaN的生长沿着-C轴方向(即，垂直于侧面Ila的方向)进行，并且GaN的生长表面采用_c面。
在这种情况下，调整AlN缓冲层102的厚度和GaN13的生长温度，使得不在蓝宝石衬底10的表面IOa或沟槽11的底表面Ilb上生长基层103的GaN晶体，并且使得在沟槽11的侧表面Ila上的GaN晶体的生长优选地沿着c轴方向进行。例如，AlN缓冲层102的厚度可以调整成使得小于通常当GaN晶体沿着c轴方向(即，垂直于蓝宝石衬底的主表面的方向)外延生长时在蓝宝石衬底和平坦GaN晶体之间形成AlN缓冲层的最小厚度；并且，通常，基层103的GaN晶体的生长温度可以调整成使得低于GaN晶体沿着c轴(即，垂直于蓝宝石衬底的主表面的方向)方向外延生长的温度。通过溅射40秒形成普通AlN缓冲层，并且，这样的普通AlN缓冲层具有1501至200 I的最小厚度。通常，当GaN晶体沿着c轴方向(即，垂直于蓝宝石衬底的主表面的方向)外延生长时，生长温度高于1，100°C。因此，如果将AlN缓冲层102的厚度调整为150 或更小，并且将GaN生长温度调整为1，100°C或更小，则可以控制晶体生长使得不在蓝宝石衬底10的表面IOa或沟槽Ilb的底表面Ilb上生长基层103的GaN晶体，并且使得在沟槽11的侧表面Ila上的GaN晶体的生长主要沿着c轴方向进行。当按如上所述的方式生长基层103的GaN晶体时，基层103的GaN晶体的生长沿着c轴方向(-C取向)(即，沿着与蓝宝石衬底10水平的方向)朝着每个沟槽11的内部快速地进行，并且，也沿着垂直于蓝宝石衬底10的方向逐步地进行(图4C)。当晶体生长进一步进行时，沟槽11填充有GaN，并且，通过沿着与蓝宝石衬底10水平的方向(S卩，-C方向和+c方向二者)的晶体生长，蓝宝石衬底10的表面IOa逐渐地覆盖有GaN。最后，在蓝宝石衬底10上形成平坦的GaN晶体(图4D)。由于蓝宝石衬底10具有为主表面的a面，因此，在基层103上形成的GaN晶体具有为主表面的m面，并且沟槽11的侧表面Ila呈现为c面。这归因于，例如，GaN与蓝宝石之间的晶格常数的差异。此外，不在电介质15的顶表面15a或侧表面15b上生长GaN晶体13。在每个条状图案电介质15的第一方向(X轴方向)上的两侧处，在每个沟槽11的侧表面Ila上横向地生长的GaN晶体在每个电介质15的顶表面上横向地生长并且合并为连续的层。通过上述制造方法，获得了具有为主表面的m面并且呈现基层103的良好结晶性以及表面平坦的GaN晶体。从而，形成了由GaN晶体制成的基层103。随后，在基层103的GaN晶体上形成器件层。S卩，通过MOCVD依次沉积每一层均由III族氮化物半导体制成的η型接触层104、ESD层105、发光层106、p型层107以及ρ型接触层108，同时将每个III族氮化物半导体的生长温度调整至最佳温度。上述的器件层的外延生长是众所周知的方法。在基层103上外延地生长器件层。随后,在P型接触层108的整个顶表面上均匀地沉积厚度为O. 3μπι的ΙΤ0，从而形成透明的导电膜20。然后，在透明导电膜20的整个顶表面上施加光刻胶。对与图I所示的η型接触层104的电极形成部16相对应的光刻胶部分进行曝光和显影，从而在其上形成窗口。使用剩余的透明导电膜20和光刻胶作为掩模，实施干法蚀刻以暴露η型接触层104，从而形成电极形成部16。接下来，在除形成第一中间电极30和第二中间电极40之外的区域中，使用包括光刻胶施加、显影以及光刻的众所周知的选择性膜形成技术来依次沉积第一绝缘保护膜21、反射器50以及第二绝缘保护膜22。随后，使用光刻法沉积接合到η型接触层104的第一中间电极30以及接合到透明导电膜20的第二中间电极40。其后，沉积第一电极60使得连接多个第一中间电极30，并且沉积第二电极70使得连接多个第二中间电极40，从而完成半导体发光器件。在这样的半导体发光器件I中，沿沟槽11的纵向方向传播的光可以被电介质15散射。因此，在半导体发光器件I中实现了外部光提取效率的提高。 在实施方案I中，每个沟槽11的条纹方向(第一方向)和每个电介质15的条纹方向(第二方向)之间的角优选地为30°或更大以及150°或更小，以有效地散射沿着沟槽11的条纹方向传播的光。实施方案2实施方案2使用如图5所示的蓝宝石衬底80。蓝宝石衬底80是以与实施方案I相同的方式在其上形成多个条状图案沟槽11的图I所示的蓝宝石衬底。在蓝宝石衬底80上，由SiO2制成的多个电介质85形成为点图案。类似地，使用作为用于基层103的生长衬底的蓝宝石衬底80来形成具有图3所示构造的半导体发光器件I。每个电介质85为具有
I.5μπι的直径并且在蓝宝石衬底80的顶表面80a上具有O. Iym的厚度的圆柱体。每个电介质85沿着第二方向的整个宽度完全地填充每个沟槽11，并且沿宽度的一半覆盖每个凸起部分12的顶表面，其中，顶表面是蓝宝石衬底的顶表面80a并且每个凸起部分12存在于每个沟槽11的两侧处。沿着在第二方向(y轴方向)上的直线不连续地布置电介质85。因为发出的光被以点图案的方式分布的电介质85有效地散射了，所以，具有这样的构造的半导体发光器件呈现出提高的外部光提取效率。虽然沿着在第二方向上沿伸的直线布置电介质85，但是，也可以在蓝宝石衬底80的平坦表面上不规则地布置电介质85。每个电介质85可以覆盖每个凸起部分12的整个宽度。实施方案3实施方案3使用如图6所示的蓝宝石衬底90。蓝宝石衬底90是以与实施方案I相同的方式在其上形成多个条状图案沟槽11的图I所示的蓝宝石衬底。在蓝宝石衬底90上，由SiO2制成的多个电介质95形成为点图案。类似地，使用作为用于基层103的生长衬底的蓝宝石衬底90来形成具有如图3所示构造的半导体发光器件I。每个电介质95为具有I. 5 μ m的直径的并且在蓝宝石衬底90的顶表面90a上具有O. I μ m厚度的圆柱体。每个电介质95完全地覆盖每个凸起部分12的在蓝宝石衬底90的顶表面90a上的沿着第二方向的整个宽度，并且填充每个沟槽11的沿第二方向的一半宽度。沿着在第二方向(y轴方向)上的直线不连续地布置电介质95。因为发出的光被以点图案的方式分布的电介质95有效地散射了，所以，具有这样的构造的半导体发光器件呈现出提高的外部光提取效率。虽然沿着在第二方向上沿伸的直线布置电介质95，但是，也可以在蓝宝石衬底80的平坦表面上不规则地布置电介质95。每个电介质95可以填充沿着每个沟槽11的第二方向的整个览度。可以采用如下的方法，仅在沟槽11的侧表面IIa上并且垂直于该侧表面横向地生长III族氮化物半导体。(I) 一种用于在不加热到1，000°C或更高的温度的情况下通过溅射在蓝宝石衬底上形成缓冲层的方法，其中，加热到l，000°c或更高的温度是用于修复如实施方式I的由ICP蚀刻所引起的对蓝宝石衬底10的损害。在该方法中，缓冲层102的厚度优选地为55 Λ或更大以及150 i或更小。如果 缓冲层102形成为具有150人或更大的厚度，则在每个凸起部分12的顶表面IOa以及沟槽11的底表面IIb上生长III族氮化物半导体，这是不期望的。如果厚度为55盖或更小，则在侧表面Ila上生长的III族氮化物半导体的结晶度劣化。因此，如果缓冲层102具有55 Λ至1251的厚度，则in族氮化物半导体的结晶度和表面平坦性得到改善，这是所期望的。更加优选地，厚度为75產至123 I。具有该厚度的缓冲层优选地由AiN形成。如果III族氮化物半导体的生长温度在1，020°C到1，100°C的范围内，则可以沿着平行于蓝宝石衬底的主表面的方向，主要在沟槽11的侧表面Ila上生长III族氮化物半导体。如果生长温度高于1，100°C，则在每个凸起部分12的顶表面IOa和每个沟槽11的底表面Ilb上生长III族氮化物半导体，这是不期望的。如果生长温度低于1，020°C，则在侧表面Ila上生长的III族氮化物半导体的结晶度劣化。因此，III族氮化物半导体的生长温度优选地为1，020°C或更高以及I, 100°C或更低。如果生长温度在1，020°C至1，060°C的范围内，则III族氮化物半导体的结晶度和表面平坦性得到进一步改善，这是更优选的。更优选地，生长温度在1，030°C至1，050°C的范围内。(2) 一种不用加热到用于修复由ICP蚀刻所引起的对蓝宝石衬底10的损害的1，ooo°c或更高的温度、以及在包含有氢和氮的气氛中将其上具有多个条状沟槽的蓝宝石衬底加热至III族氮化物半导体的生长温度之后在蓝宝石衬底上的沟槽的侧表面上生长III族氮化物半导体的方法。如果III族氮化物半导体的生长温度在1，020°C到1，100°C的范围内，则可以沿着平行于蓝宝石衬底的主表面的方向，主要在沟槽11的侧表面Ila上生长III族氮化物半导体。如果生长温度高于1，100°C，则在每个凸起部分12的顶表面IOa和每个沟槽11的底表面Ilb上生长III族氮化物半导体，这是不期望的。如果生长温度低于1，020°C，则在侧表面Ila上生长的III族氮化物半导体的结晶度劣化。因此，III族氮化物半导体的生长温度优选地为1，020°C或更高以及1，100°C或更低。如果生长温度在1，020°C至1，060°C的范围内，则III族氮化物半导体的结晶度和表面平坦性进一步改善，这是更优选的。更优选地，生长温度在1，030°C至1，050°C的范围内。(3) 一种用于通过加热其上具有多个沟槽的蓝宝石衬底并且用氨气进行氮化来在蓝宝石衬底的表面上形成氮化铝层的方法。可以通过在热处理中施加铝或铝化合物来形成厚度为I I或更大以及401或更小的铝层。可以通过在300°C至420°C的范围内的温度下施加三甲基铝来形成铝层。可以通过实施热处理在蓝宝石衬底的表面上形成氮化铝层，其中，在氢气氛中温度增加到从900°C至1200°C的规定温度，并且在该规定温度下保持20分钟或更小，而没有供给代替三甲基铝的、作为III族氮化物半导体的可能氮源的氨和其它反应性氮化合物，之后通过供给氨进行氮化。在该方法中，蓝宝石衬底仅经受高温氢气处理也是有效的。可以通过积极地供给铝源来形成铝金属层。换句话说，在蓝宝石衬底上的高温氢气处理是通过蚀刻和还原反应来将铝原子从蓝宝石衬底扩散到表面。如果供给铝源，则另外形成新的铝原子。在对蓝宝石衬底的表面的反应控制方面，有机铝化合物特别优选地用作铝源。烷基铝，具体地，三甲基铝，作为有机铝化合物是优选的。如果在不供给铝源的情况下在蓝宝石衬底的表面上实施高温氢气处理，则，将衬底温度降低到300°C至420°C的范围内之后实施氮化是更加优选的。在蓝宝石衬底上进行高温氢气处理时，衬底温度可以保持一段规定的时间或者一达到目标温度就可以冷却。在这种情况下，在达到目标温度之前和之后的时刻，在蓝宝石衬底上实施高温氢气处理。 通过以上方法，可以仅在蓝宝石衬底10上沿着垂直于侧表面Ila的方向在沟槽11的侧表面Ila上形成III族氮化物半导体。在每个实施方案中，在生长衬底上采用ICP蚀刻来形成沟槽。然而，可以使用其它干法蚀刻，也可以使用除干法蚀刻之外的其它蚀刻。此外，在每个实施方案中，使用AlN作为缓冲层。然而，可以使用GaN、AlGaN、AlInN、AlGaInN等。具体地，如果使用蓝宝石作为生长衬底，则在晶格匹配方面，缓冲层的Al组成与总的III族原子的摩尔数量的比优选地是尽可能的高，并且AlN是最优选的。在实施方案中，采用反应磁控溅射来形成缓冲层。然而，可以使用任意其它溅射。在实施方案中，基层由GaN晶体形成。然而，本发明不限于GaN，并且，基层可以由III族氮化物半导体如AlN、AlGaN、InGaN, AlInN以及AlGaInN形成。此外，主表面的面取向不限于III族氮化物半导体m面取向。考虑到生长衬底的主表面的面取向、在生长衬底上形成的沟槽的侧表面的面取向以及生长衬底的晶格常数，可以形成具有除了正好的极性取向之外的、包括非极性面取向或半极性面取向的任意取向的主表面的III族氮化物半导体。例如，可以通过使用具有为主表面的c面的蓝宝石衬底来获得具有为主表面的m面的III族氮化物半导体，其中，在为主表面的c面上，形成具有a面取向的侧表面的沟槽。可以通过使用具有为主表面的c面的蓝宝石衬底来获得具有为主表面的a面的III族氮化物半导体，其中，在为主表面的c面上，形成具有m面取向的侧表面的沟槽。可以通过使用具有为主表面的m面的蓝宝石衬底来获得具有为主表面的m面的III族氮化物半导体，其中，在为主表面的m面上，形成具有a面取向的侧表面的沟槽。此外，可以通过使用具有为主表面的m面的蓝宝石衬底来获得具有作为主表面的a面的III族氮化物半导体，其中，在为主表面的m面上，形成具有c面取向的侧表面的沟槽。为了避免具有不同极性取向的晶体的生长，沟槽的某些侧表面可以覆盖有例如掩模，使得不在这样覆盖的侧表面上生长III族氮化物半导体晶体。例如，如果沟槽11形成为条状图案，并且每个沟槽11的一个或两个侧表面Ila覆盖有掩模使得仅在其它侧表面Ila上生长III族氮化物半导体，则最后生成的III族氮化物半导体仅在一个方向呈现极性，并且半导体呈现良好的质量。或者，为了避免具有不同极性取向的晶体的生长，沟槽11的侧表面Ila可以倾斜，使得侧表面Ila呈现不太可能发生晶体生长的晶体取向。例如，如果将蓝宝石衬底用作生长衬底，则形成在衬底中的沟槽11的侧表面Ila与蓝宝石的c面或a面之间的角越小，晶体越可能在侧表面Ila上生长。在这种情况下，当沟槽11的侧面Ila采取c面或a面时，晶体更可能在侧表面Ila上生长。因此，例如，当沟槽11的其上生长有III族氮化物半导体的侧表面Ila为c面，并且期望其上没有晶体生长的其它沟槽侧表面Ila关于c面倾斜时，可以避免具有不同极性取向的晶体的生长。在所有上述的实施方案中，虽然第一绝缘保护膜21和第二绝缘保护膜22由氧化硅(SiO2)形成，但是第一绝缘保护膜21和第二绝缘保护膜22也可以由如氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)和五氧化二钽(Ta2O5)的金属氧化物或者如聚酰亚胺的具有电绝缘性质的树脂材料形成。此外，除由Ag和Al形成反射器50以外，也可以由包含有作为主要成分的Al或Ag的合金来形成反射器50。此外，可以由铑(Rh)、钌(Ru)、钼(Pt)、钯(Pd)或包括这些金属中的至少一种或更多种的合金来形成反射器50。反射器50可以是由具有彼此不同的 反射率的两种材料的多个层制成的分布式布拉格反射器(DBR)。第二中间电极40可以包括Ni层、Au层和Al层的三层，其中，Ni层接合到透明导电膜10。分别经由由Ti制成的第一层、由Ni制成的第二层、由Ti制成的第三层以及由Ni制成的第四层，将作为由AuSn共晶合金制成的凸块电极的第二电极70和第一电极60接合到第二中间电极40和第一中间电极30,其中所述第一电极60和第二电极70的各自表面由Au制成。各第一层中的Ti用于增加凸块电极对第一中间电极30和第二中间电极40的接合强度。第二层至第四层是用于防止焊料Sn的扩散的层。此外，可以将选自Ti、Al、Pd、Pt、V、Ir以及Rh的至少一种金属用作第一中间电极30。可以借助于镀覆、丝网印刷、溅射、真空气相沉积等来形成第一电极60和第二电极70。也可以借助于溅射、CVD、溶胶凝胶等来形成透明的导电膜20。工业实用性本发明可用来提高半导体发光器件的光提取效率。附图标记的描述I半导体发光器件10蓝宝石衬底20透明导电膜21第一绝缘保护膜22第二绝缘保护膜30第一中间电极40第二中间电极50反射器60第一电极70第二电极102缓冲层103 基层
104η型接触层105ESD 层106发光层107ρ 型层 108ρ型接触层
权利要求
1.一种半导体发光器件，其中每个层由III族氮化物基化合物半导体制成，所述发光器件包括 蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底具有在所述衬底的表面上沿第一方向平行地布置的多个条状图案沟槽； 在所述蓝宝石衬底上和在所述沟槽中形成的电介质，所述电介质至少沿所述第一方向是不连续的； 由在所述沟槽的侧表面上生长并且覆盖所述蓝宝石衬底的表面和所述电介质的顶表面的III族氮化物基化合物半导体制成的基层；以及 在所述基层上形成的构成发光器件的器件层。
2.根据权利要求I所述的半导体发光器件，其中所述电介质在所述衬底的所述表面上沿着与所述第一方向相交的第二方向以条状图案连续地形成。
3.根据权利要求I所述的半导体发光器件，其中所述电介质在所述衬底的所述表面上沿着与所述第一方向相交的第二方向不连续地形成。
4.根据权利要求2或3所述的半导体发光器件，其中所述第二方向是垂直于所述第一方向的方向。
5.根据权利要求I至4中任一项所述的半导体发光器件，其中所述基层的其上形成有所述器件层的主表面是具有在c面的情况下生成的内电场的10%或更小的内电场的面。
6.根据权利要求I至5中任一项所述的半导体发光器件，其中通过对所述蓝宝石衬底实施氮化而形成有氮化铝层。
7.根据权利要求I至5中任一项所述的半导体发光器件，其中在所述沟槽的所述侧表面上形成有缓冲层。
全文摘要
为了提高光提取效率，公开了一种半导体发光器件，其中，每层由III族氮化物基化合物半导体形成。发光器件包括蓝宝石衬底(10)，在该蓝宝石衬底(10)的表面上平行于第一方向(x轴)布置多个条状沟槽(11)；在所述蓝宝石衬底的表面(10a)上和沟槽(11)中沿第一方向不连续地形成的电介质(15)。半导体发光器件具有包含在沟槽的侧面上生长并且覆盖所述蓝宝石衬底的表面(10a)和电介质(15)的顶表面(15a)的III族氮化物基化合物半导体的基层；以及在基层上形成的构成发光器件的器件层。
文档编号H01L33/22GK102822996SQ201180016978
公开日2012年12月12日 申请日期2011年3月15日 优先权日2010年3月30日
发明者奥野浩司 申请人:丰田合成株式会社