专利名称：封装堆栈装置及其制法的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种封装堆栈装置及其制法，尤其涉及一种得提升堆栈良率的封装堆栈装置及其制法。
背景技术：
随着半导体封装技术的演进,半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，遂堆加多个封装结构以形成封装堆栈装置(Package on Package, POP),此种封装方式能发挥系统封装(SiP)异质整合特性,可将不同功用的电子组件，例如内存、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，借由堆栈设计达到系统的整合，适合应用于轻薄型各种电子产品。请参阅图1，其为现有封装堆栈装置的剖面示意图。如图I所示，现有封装堆栈装置是将第二封装结构Ib叠设于第一封装结构Ia上。该第一封装结构Ia包含具有相对的第一及第二表面11a，Ilb的第一基板11、及设于该第一表面Ila上且电性连接该第一基板11的第一电子组件10。该第二封装结构Ib包含具有相对的第三及第四表面12a，12b的第二基板12、及设于该第三表面12a上且电性连接该第二基板12的第二电子组件15。此外,通过于该第一基板11的第一表面Ila上形成焊锡球110，以令该第二基板12的第四表面12b借由该焊锡球110叠设且电性连接于该第一基板11上。又，该第一基板11的第二表面Ilb上具有植球垫112以供结合焊球14，且该第一及第二电子组件10，15为主动组件及/或被动组件，并以覆晶方式电性连接基板，且借由底胶13充填于第一及第二电子组件10，15与第一基板11及第二基板12间，以形成覆晶接合。然而，现有装置中，是借由焊接工艺以堆栈该第一封装结构Ia与第二封装结构lb，导致于回焊过程中，该焊锡球110的焊锡材料容易污染该第一封装结构Ia与第二封装结构Ib的表面，且该焊锡球110的尺寸变异不易控制，所以容易造成该两封装结构之间呈倾斜接置，甚致于产生接点偏移的问题。此外，当堆栈的高度需增加时，该焊锡球110的直径需增加，导致该焊锡球110所占用的基板表面(第一表面Ila及第四表面12b)的面积增加，因而使基板表面上的布线与电子组件布设的空间受到压缩。又，该焊锡球110的体积增加，容易产生桥接(bridge)现象，将影响产品的良率。另外，该第一封装结构Ia与第二封装结构Ib之间仅借由该焊锡球110作支撑，将因该第一封装结构Ia与第二封装结构Ib之间的空隙过多，导致该第一与第二基板11，12容易发生翅曲(warpage)。因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的缺失，本发明的主要目的在于提供一种封装堆栈装置及其制法，以避免基板发生翘曲。本发明所提供的封装堆栈装置包括第一封装结构，其包含第一基板，其具有相对的第一表面及第二表面，且该第一基板的第一表面上具有第一金属柱；及第一电子组件，其设于该第一基板的第一表面上，且电性连接该第一基板；第二封装结构，其包含第二基板，其具有相对的第三表面及第四表面，且该第二基板的第四表面上具有第二金属柱，该第二金属柱连接该第一金属柱，使该第二封装结构叠设于该第一封装结构上，又该第二金属柱的长度大于、等于或小于该第一金属柱的长度；及第二电子组件，其设于该第二基板的第三表面上，且电性连接该第二基板；以及封装胶体，其设于该第一基板的第一表面与第二基板的第四表面之间，并包覆该第一电子组件。本发明还提供一种封装堆栈装置的制法，其包括提供具有相对的第一表面及第二表面的第一基板，该第一基板的第一表面上具有第一金属柱，且提供具有相对的第三表面及第四表面的第二基板，该第二基板的第四表面上具有第二金属柱，又该第二金属柱的长度大于、等于或小于该第一金属柱的长度；于该第一基板的第一表面上设置第一电子组 件，且该第一电子组件电性连接该第一基板，以形成第一封装结构，又于该第二基板的第三表面上设置第二电子组件，且该第二电子组件电性连接该第二基板，以形成第二封装结构；将该第二金属柱连接该第一金属柱，使该第二封装结构叠设于该第一封装结构上；以及于该第一基板的第一表面与第二基板的第四表面之间形成封装胶体，并包覆该第一电子组件。本发明又提供一种封装堆栈装置，其包括第一封装结构，其包含第一基板，其具有相对的第一表面及第二表面，且该第一基板的第一表面上具有第一金属柱；及第一电子组件，其以覆晶方式设于该第一基板的第一表面上，且电性连接该第一基板；底胶，其形成于该第一电子组件与该第一基板的第一表面之间；第二封装结构，其包含第二基板，其具有相对的第三表面及第四表面，且该第二基板的第四表面上具有第二金属柱，该第二金属柱连接该第一金属柱，使该第二封装结构叠设于该第一封装结构上，又该第二金属柱的长度大于、等于或小于该第一金属柱的长度；及第二电子组件，其设于该第二基板的第三表面上，且电性连接该第二基板；以及封装胶体，其设于该第一基板的第一表面与第二基板的第四表面之间，并包覆该第一电子组件与底胶。依前述装置，该第一基板上设有金属凸块，以接置该第一电子组件，且该金属凸块可为铜凸块。又该金属凸块上设有焊锡材料，使该底胶还包覆该焊锡材料。前述的装置及其制法中，该第一及第二金属柱可为铜柱，且以电镀形成的，而于其它实施例中，也可为其它材质或成型方式，并不限于上述。前述的装置及其制法中，该第一金属柱的端面宽度可大于、等于或小于该第二金属柱的端面宽度，并无特别限制。前述的装置及其制法中，于该第一金属柱上可形成焊锡材料，以利于结合该第二金属柱。前述的装置及其制法中，该第一基板的第二表面上可具有植球垫，以供结合焊球。前述的装置及其制法中，可依需求，使该第一电子组件为主动组件及/或被动组件，并无特别限制。另外，该第一电子组件可以打线方式或覆晶方式电性连接该第一基板。由上可知，本发明封装堆栈装置及其制法，借由该第一与第二金属柱的对接，以利于堆栈作业；且借由金属柱电性连接两封装结构，所以该金属材不仅不会污染基板表面，且借由该金属柱的尺寸变异易于控制，使其可克服堆栈结构间倾斜接置及接点偏移的问题。此外，当该金属柱的高度任意调整时，并不会增加其直径，所以相较于现有技术，本发明的金属柱所占用的基板表面的面积不会增加，因此不会压缩基板表面上的布线空间、及电子组件的布设空间。又，该金属柱是以电镀形成的，所以其高度增加时，并不会产生桥接现象，以提升广品的良率。另外，两封装结构之间不仅借由该金属柱作支撑，且借由该封装胶体填满两基板之间的空隙，所以可避免基板发生翘曲。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
图I为现有封装堆栈装置的剖视示意图；图2A至图2G为本发明封装堆栈装置的制法的第一实施例的剖视示意图；其中，图2G’及图2G”为图2G的其它实施例；图3、图3’及图3”为本发明封装堆栈装置的第一实施例的其它实施例的剖视示意图；图4为本发明封装堆栈装置的第一实施例的其它实施例的剖视示意图；以及图5A至图5C为本发明封装堆栈装置的制法的第二实施例的剖视示意图。主要组件符号说明la, 2a 第一封装结构lb, 2b第二封装结构10，20，20’ 第一电子组件11，21第一基板I la, 21a 第一表面lib,21b 第二表面110焊锡球112,212 植球垫12，22 第二基板12a, 22a 第三表面12b, 22b 第四表面13，250b，550 底胶14，24 焊球15，25a，25a’，25b 第二电子组件200,250 电极垫200a, 250a 焊锡凸块210，210’，210”，310，310’，310”，410 第一金属柱210a, 210b, 210c, 310a, 310b, 310c端面211焊锡材料
211a，221a 焊垫211b，221b电性接触垫213,223绝缘保护层213a，223a 开孔220，220’，220”，320，320’，320”，420 第二金属柱220a, 220b, 220c, 320a, 320b, 320c端面23封装胶体540 金属凸块d, d，，d”，r, r，，r” 宽度h，h，，h”，t，t，，t” 长度
具体实施例方式以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。请参阅图2A至图2G，其为本发明封装堆栈装置的制法的第一实施例的剖视示意图。如图2A所示，首先，提供一具有相对的第一表面21a及第二表面21b的第一基板21，该第一基板21的第一表面21a上具有多个焊垫21 Ia与电性接触垫211b，且该第一基板21的第二表面21b上具有多个植球垫212。于本实施例中，该第一基板21的第一及第二表面21a，21b上具有例如防焊层的绝缘保护层213，且该绝缘保护层213形成有多个开孔213a，以借由该些开孔213a外露该些焊垫211a、电性接触垫211b及植球垫212。如图2B所不,于该电性接触垫211b的外露表面上电镀形成第一金属柱210,且于该焊垫211a的外露表面上借由焊锡凸块200a设置第一电子组件20，即该第一电子组件20的电极垫200以覆晶方式电性连接该第一基板21，以形成第一封装结构2a。于本实施例中，该第一金属柱210为铜柱，该铜柱上可形成焊锡材料211，以利于后续的堆栈工艺，而该第一电子组件20为主动组件或被动组件，并可使用多个第一电子组件20，且可选自主动组件、被动组件或其组合，该主动组件为例如芯片，而该被动组件为例如电阻、电容及电感。如图2C所不,提供一具有相对的第三表面22a及第四表面22b的第二基板22,该第二基板22的第三表面22a上具有多个焊垫221a，且该第二基板22的第四表面22b上具有多个电性接触垫221b，又该第二基板22的第三及第四表面22a，22b上具有例如防焊层的绝缘保护层223，且该绝缘保护层223形成有多个开孔223a，以借由该些开孔223a外露该些焊垫221a及电性接触垫221b。
如图2D所示，于该第二基板22的电性接触垫221b的外露表面上电镀形成例如铜柱的第二金属柱220,且该第二金属柱220的长度h小于该第一金属柱210的长度t或第一金属柱210与焊锡材料211长度总和。又于该第二基板22的焊垫221a的外露表面上借由焊锡凸块250a设置多个第二电子组件25a，25b，以形成第二封装结构2b。该些第二电子组件25a，25b的电极垫250以覆晶方式电性连接该第二基板22。
于本实施例中，右侧的第二电子组件25a可为例如芯片的主动组件，因而需形成底胶250b于第二电子组件25a与第二基板22的第三表面22a之间；另外，左侧的第二电子组件25b可为例如电阻、电容及电感等的被动组件。如图2E所示，将该第二金属柱220连接该第一金属柱210 (或其上的焊锡材料211)，使该第二封装结构2b叠设于该第一封装结构2a上。于本实施例中，该第一金属柱210的端面210a(是指两金属柱相接合的表面)宽度d (也可表示最大直径)大于该第二金属柱220的端面220a宽度r，以借由端面宽度的不同而利于对位，可减少接点偏移的问题。此外，当该第一及第二金属柱210，220的高度增加时，并不会增加该第一及第二金属柱210，220的直径，不仅可达到薄化的目的，且可于预定区域内，形成更多可供形成接 点的第一及第二金属柱210,220,以利于该第一封装结构2a与该第二封装结构2b对接。如图2F所示，于该第一基板21的第一表面21a(即其上的绝缘保护层213)及第二基板22的第四表面22b (即其上的绝缘保护层223)之间形成封装胶体23，并包覆该第一电子组件20。如图2G所示，于该第一基板21的植球垫212的外露表面上结合焊球24。如图2G’所示，该第一金属柱210’的端面210b宽度d’ (如直径)可等于该第二金属柱220’的端面220b宽度r’(如直径)，虽然该第一与第二金属柱210’，220’的端面210b, 220b宽度d’，r’相同，但该金属柱的尺寸变异容易控制，所以相较于现有技术，使用金属柱作堆栈仍较利于该堆栈结构间垂直接置，且可减少接点偏移的问题。或者，如图2G”所示，该第一金属柱210”的端面210c宽度d”可小于该第二金属柱220”的端面220c宽度r”。请参阅图3、图3’及图3”，于第一实施例的其它实施例中，该第二金属柱320的长度h’大于该第一金属柱310的长度t’，且该第一金属柱310的端面310a宽度d(如直径)可大于该第二金属柱320的端面320a宽度r (如直径)，并于该第二基板22上仅设置如主动组件的第二电子组件25a。又，该第一金属柱310’的端面310b宽度d’可等于该第二金属柱320’的端面320b宽度r’ ；或者，该第一金属柱310”的端面310c宽度d”可小于该第二金属柱320”的端面320c 宽度 r”。请参阅图4，于第一实施例的其它实施例中，该第二金属柱420的长度h”等于该第一金属柱410的长度t ”，且该第一电子组件20’与第二电子组件25a’是以打线方式电性连接该第一与第二基板21，22。本发明是借由电镀方式形成该第一及第二金属柱210，220，以堆栈且电性连接该第一及第二封装结构2a，2b，所以相较于现有技术的回焊方式，本发明的金属柱材料不会污染该第一及第二封装结构2a, 2b的表面。此外，当该第一金属柱210，310，410及第二金属柱220，320，420的高度任意调整时，如图2G、图3及图4，并不会改变该第一及第二金属柱210，310，410，220，320，420的预设直径(宽度d, r),所以相较于现有技术,本发明的第一及第二金属柱210,310,410,220,320，420所占用的基板表面(第一表面21a及第四表面22b)的面积不会任意增加，因此不会压缩基板表面上的布线空间、及电子组件的布设空间，相对而言，若具有相同布线数量的需求时，本发明 的封装堆栈装置的体积可较现有技术缩小许多。又，该第一及第二金属柱210，220是以电镀形成的，所以当该第一及第二金属柱210，220的高度增加时，并不会产生桥接(bridge)现象，以提升产品的良率。另外，该第一与第二封装结构2a，2b之间不仅借由该第一及第二金属柱210，220作支撑，且借由例如封模方式(molding)使该封装胶体23填满该第一与第二基板21，22之间的空隙，所以可避免该第一与第二基板21，22发生翘曲(warpage)。本发明还提供一种封装堆栈装置，其包括第一封装结构2a、第二封装结构2b、以及设于该第一及第二封装结构2a，2b之间的封装胶体23。所述的第一封装结构2a包含具有相对的第一及第二表面21a，21b的第一基板
21、及设于该第一表面21a上且电性连接该第一基板21的第一电子组件20,20’。该第一基板21的第一表面21a上具有第一金属柱210，310，310’，310”，410，且该第一基板21的第二表面21b上具有植球垫212以供结合焊球24，而该第一金属柱210，310，310’，310”，410为电镀形成的铜柱。该第一电子组件20，20’为主动组件及/或被动组件，且该第一电子组件20，20’以打线方式或覆晶方式电性连接该第一基板21。所述的第二封装结构2b包含具有相对的第三及第四表面22a，22b的第二基板
22、及设于该第三表面22a上且电性连接该第二基板22的第二电子组件25a，25b，25a’。该第二基板22的第四表面22b上具有第二金属柱220，320，320’，320”，420，且该第二金属柱220，320，320’，320”，420 连接该第一金属柱 210，310，310’，310”，410，以令该第二封装结构2b叠设于该第一封装结构2a上，而该第二金属柱220，320，320’，320”，420为电镀形成的铜柱。又该第二金属柱220，320，320’，320”，420的长度h，h’，h”小于、大于或等于该第一金属柱 210，310，310’，310”，410 的长度 t，t，，t”。所述的封装胶体23设于该第一基板21的第一表面21a与第二基板22的第四表面22b之间，并包覆该第一电子组件20，20’。此外，该第一金属柱210，310，310’，310”，410 与该第二金属柱 220，320，320’，320”，420之间具有焊锡材料211。又，该第一金属柱210，310，310，，310” 的端面 210a, 210b, 210c, 310a, 310b, 310c宽度d，d，，d”大于、等于或小于该第二金属柱220，320，320，，320”的端面220a, 220b, 220c，320a, 320b, 320c 宽度 r, r，，r”。请参阅图5A至图5C，其为本发明封装堆栈装置的制法的第二实施例的剖视示意图。本实施例与第一实施例的差异在于第一电子组件20的覆晶方式，其它工艺均相同，所以不再赘述。如图5A所示，其于图2A的第一基板21的焊垫211a上形成金属凸块540。如图5B所不,于该电性接触垫211b的外露表面上电镀形成第一金属柱310,且于该金属凸块540的外露表面上形成焊锡凸块200a以设置第一电子组件20，再形成底胶550于第一电子组件20与第一基板21的第一表面21a之间。于本实施例中，该金属凸块540为铜凸块。如图5C所示，其为依序完成如图2C至图2G所示的堆栈、封装、植球等工艺。本发明还提供一种封装堆栈装置，其包括第一封装结构2a、第二封装结构2b、以及设于该第一及第二封装结构2a，2b之间的封装胶体23。所述的第一封装结构2a包含具有相对的第一及第二表面21a，21b的第一基板
21、以覆晶方式设于该第一表面21a上且电性连接该第一基板21的第一电子组件20、及形成于该第一电子组件20与该第一基板21的第一表面21a之间的底胶550。该第一基板21的第一表面21a上具有第一金属柱310,且该第一基板21的第二表面21b上具有植球垫212以供结合焊球24，而该第一金 属柱310为电镀形成的铜柱。该第一电子组件20为主动组件及/或被动组件。所述的第二封装结构2b包含具有相对的第三及第四表面22a，22b的第二基板
22、及设于该第三表面22a上且电性连接该第二基板22的第二电子组件25a。该第二基板22的第四表面22b上具有第二金属柱320，且该第二金属柱320连接该第一金属柱310，以令该第二封装结构2b叠设于该第一封装结构2a上，而该第二金属柱320为电镀形成的铜柱。又该第二金属柱320的长度h’可大于该第一金属柱310的长度t’ ；或者,该第二金属柱320的长度可等于或小于该第一金属柱310的长度。所述的封装胶体23设于该第一基板21的第一表面21a与第二基板22的第四表面22b之间，并包覆该第一电子组件20与底胶550。此外,该第一基板21的第一表面21a上设有金属凸块540,以接置该第一电子组件20。该金属凸块540可为铜凸块，且该金属凸块540上设有焊锡材料(如焊锡凸块200a)，该底胶550包覆该焊锡材料。又，该第一金属柱310与该第二金属柱320之间具有焊锡材料211。综上所述，本发明封装堆栈装置及其制法，借由该第一与第二金属柱的对接，以利于堆栈作业；且借由电镀方式形成该金属柱以堆栈且电性连接两封装结构，所以金属材不仅不会污染该封装结构的表面，且因尺寸变异容易控制，所以容易使该两封装结构之间呈垂直接置，并有利于固定接点。此外，当该金属柱的高度任意调整时，并不会增加其直径，所以该金属柱所占用的基板表面的面积不会增加，因此不会压缩线路及电子组件的布设空间。又，当该金属柱的高度增加时，并不会产生桥接现象，以提升产品的良率。另外，该封装结构之间不仅借由该金属柱作支撑，且借由该封装胶体填满该第一与第二封装结构之间的空隙，有效避免该基板发生翘曲。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种封装堆栈装置，其特征在于，包括 第一封装结构，其包含 第一基板，其具有相对的第一表面及第二表面，且该第一基板的第一表面上具有第一金属柱；及 第一电子组件，其设于该第一基板的第一表面上，且电性连接该第一基板； 第二封装结构，其包含 第二基板，其具有相对的第三表面及第四表面，且该第二基板的第四表面上具有第二金属柱，该第二金属柱连接该第一金属柱，使该第二封装结构叠设于该第一封装结构上，又该第二金属柱的长度大于、等于或小于该第一金属柱的长度；及 第二电子组件，其设于该第二基板的第三表面上，且电性连接该第二基板；以及 封装胶体，其设于该第一基板的第一表面与第二基板的第四表面之间，并包覆该第一电子组件。
2.根据权利要求I所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一金属柱为铜柱。
3.根据权利要求I所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第二金属柱为铜柱。
4.根据权利要求I所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一金属柱的端面宽度大于、等于或小于该第二金属柱的端面宽度。
5.根据权利要求I所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一金属柱与该第二金属柱之间具有焊锡材料。
6.根据权利要求I所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一基板的第二表面上具有植球垫，以供结合焊球。
7.根据权利要求I所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一电子组件为主动组件及/或被动组件。
8.根据权利要求I所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一电子组件以打线方式或覆晶方式电性连接该第一基板。
9.一种封装堆栈装置的制法，其特征在于，包括 提供一具有相对的第一表面及第二表面的第一基板，该第一基板的第一表面上具有第一金属柱，并于该第一基板的第一表面上设置电性连接该第一基板的第一电子组件，以形成第一封装结构，且提供一具有相对的第三表面及第四表面的第二基板，该第二基板的第四表面上具有第二金属柱，又该第二金属柱的长度大于、等于或小于该第一金属柱的长度，并于该第二基板的第三表面上设置电性连接该第二基板的第二电子组件，以形成第二封装结构； 将该第二金属柱连接该第一金属柱，使该第二封装结构叠设于该第一封装结构上；以及 于该第一基板的第一表面与第二基板的第四表面之间形成封装胶体，并包覆该第一电子组件。
10.根据权利要求9所述的封装堆栈装置的制法，其特征在于，是于该第一金属柱上形成焊锡材料，以结合该第二金属柱。
11.一种封装堆栈装置，其特征在于，包括 第一封装结构，其包含第一基板，其具有相对的第一表面及第二表面，且该第一基板的第一表面上具有第一金属柱；及 第一电子组件，其以覆晶方式设于该第一基板的第一表面上，且电性连接该第一基板； 底胶，其形成于该第一电子组件与该第一基板的第一表面之间； 第二封装结构，其包含 第二基板，其具有相对的第三表面及第四表面，且该第二基板的第四表面上具有第二金属柱，该第二金属柱连接该第一金属柱，使该第二封装结构叠设于该第一封装结构上，又该第二金属柱的长度大于、等于或小于该第一金属柱的长度；及 第二电子组件，其设于该第二基板的第三表面上，且电性连接该第二基板；以及封装胶体，其设于该第一基板的第一表面与第二基板的第四表面之间，并包覆该第一电子组件与底胶。
12.根据权利要求11所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一基板上设有金属凸块，以接置该第一电子组件。
13.根据权利要求12所述的封装堆栈装置，其特征在于，该金属凸块为铜凸块。
14.根据权利要求12所述的封装堆栈装置，其特征在于，该金属凸块上设有焊锡材料，该底胶包覆该焊锡材料。
15.根据权利要求11所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一金属柱为铜柱。
16.根据权利要求11所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第二金属柱为铜柱。
17.根据权利要求11所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一金属柱的端面宽度大于、等于或小于该第二金属柱的端面宽度。
18.根据权利要求11所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一金属柱与该第二金属柱之间具有焊锡材料。
19.根据权利要求11所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一基板的第二表面上具有植球垫，以供结合焊球。
20.根据权利要求11所述的封装堆栈装置，其特征在于，该第一电子组件为主动组件及/或被动组件。
全文摘要
一种封装堆栈装置及其制法，该封装堆栈装置包括表面具有第一金属柱与第一电子组件的第一封装结构、表面具有第二金属柱与第二电子组件的第二封装结构、及设于该第一封装结构与第二封装结构之间并包覆该第一电子组件的封装胶体；借由该第二金属柱连接该第一金属柱，使该第二封装结构叠设于该第一封装结构上，以两封装结构之间不仅借由该金属柱作支撑，且借由该封装胶体填满两封装结构之间的空隙，因而可避免该基板发生翘曲。
文档编号H01L21/60GK102637678SQ20121000830
公开日2012年8月15日 申请日期2012年1月12日 优先权日2011年2月15日
发明者胡迪群 申请人:欣兴电子股份有限公司