专利名称：一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法
技术领域：
本发明涉及一种半桥驱动集成电路的封装方法，尤其是涉及一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法。
背景技术：
在灯具照明制造行业中，经常会采用一些应用集成电路工艺制造的带有内置功率MOS管的专用半桥驱动集成电路，该半桥驱动集成电路构成灯具的主体电路。紧凑型荧光灯(CFL)作为一种新型的节能灯具，在日常生活中得到了越来越多的应用。目前常用的紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路一般包括高压驱动电路、低压逻辑控制电路以及两个半桥功率MOS管。低压控制电路是负责整个集成电路的逻辑控制、并输出对两个半桥功率MOS管的控制信号的低压控制芯片，高压驱动电路是负责对低压控制芯片的输出信号进行高压隔离驱动以实现对半桥震荡电路高压侧的功率MOS管实施栅极控制的高压驱动芯片。两个半桥功率MOS管分别为半桥震荡电路高压侧的第一功率MOS管和半桥震荡电路低压侧的第二功率MOS管。目前，紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路常用的封装类型为DIP8型，在其封装方法中，高压驱动电路和低压逻辑控制电路混合设置，在高压驱动电路和低压逻辑控制电路中均需要大量采用高压工艺，增加了其制造成本增加，从而限制了其市场竞争力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种成本较低的紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法。本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，包括以下步骤
(1)在一个引线框架上设置三个岛，三个岛分别为第一岛、第二岛和第三岛，将所述的第一岛设置在所述的引线框架的一侧，将所述的第二岛和所述的第三岛上下排列设置在所述的引线框架的另一侧；
(2)在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区，在第二岛上设置第三固晶区，在第三岛上设置第四固晶区；
(3)将高压驱动芯片贴装在第一固晶区，将低压控制芯片贴装在第二固晶区，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区，两个功率MOS管分别为第一功率MOS管和第二功率MOS管；
(4)将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管互连；
(5)将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别与引线框架连接。所述的步骤(4)中的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率 MOS管通过金线互连，所述的步骤(5)中的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别通过铜线与引线框架连接。所述的引线框架上设置有第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚，所述的第一功率MOS管与所述的第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔，所述的第二功率MOS管和所述的第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔，所述的第一引脚固定加强孔和所述的第二引脚固定加强孔均为两个独立的圆孔。与现有技术相比，本发明的优点在于通过在引线框架上设置第一岛、第二岛和第三岛，在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区，在第二岛上设置第三固晶区，在第三岛上设置第四固晶区，将高压驱动芯片贴装在第一固晶区，将低压控制芯片贴装在第二固晶区， 将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区，实现了集成电路中高压驱动电路和低压逻辑控制电路的分置，可以在低压逻辑控制电路中采用低压工艺，减少了集成电路中高压工艺的使用，降低了制造成本；
当高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管通过金线互连，高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别通过铜线与引线框架连接时，减少了集成电路中金线的使用量，降低了材料成本；
当在引线框架上分别设置有第一引脚固定加强孔和第二引脚固定加强孔，第一引脚固定加强孔和第二引脚固定加强孔均为两个独立的圆孔时，可以有效增加第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面，使得第一功率MOS管和第二功率MOS管产生的热量可以更快地通过引出脚散出封装体之外，另外，在第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面增大的同时，增加了第二岛和第三岛的面积，第二岛和第三岛进一步分摊第一功率MOS管和第二功率MOS管产生的热量并最终通过封装壳体散出去，提高了内置的第一功率MOS管和第二功率MOS管的承载能力及集成电路整体的热导出能力。
图1为本发明的封装的一种结构示意图； 图2为本发明的封装的另一种结构示意图； 图3为本发明的引线框架与岛的结构示意图4为本发明的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管互连的线路示意图5为本发明的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别与引线框架连接的线路示意图。
具体实施例方式以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。实施例一如图1所示，一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法， 包括以下步骤
(1)在一个引线框架1上设置三个岛，三个岛分别为第一岛11、第二岛12和第三岛13， 将第一岛11设置在引线框架1的一侧，将第二岛12和第三岛13上下排列设置在引线框架 1的另一侧；(2)在第一岛11上设置第一固晶区111和第二固晶区112，在第二岛12上设置第三固晶区121，在第三岛13上设置第四固晶区131 ；
(3)将高压驱动芯片2贴装在第一固晶区111，将低压控制芯片3贴装在第二固晶区 112，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区121和第四固晶区131，两个功率MOS管分别为第一功率MOS管4和第二功率MOS管5 ；
(4)将高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5互连；
(5)将高压驱动芯片2、低压芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5分别与引线框架1连接。本实施例中，高压驱动芯片2负责对低压控制芯片3的输出信号进行高压隔离驱动以实现对半桥震荡电路高压侧的第一功率MOS管4实施栅极控制，低压控制芯片3负责整个集成电路的逻辑控制，并输出对第一功率MOS管4和第二功率MOS管5的控制信号，第一功率MOS管4为半桥震荡电路的高压侧MOS管，第二功率MOS管5为半桥震荡电路的低压侧MOS管。高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5可以通过金线互连，其中高压驱动芯片2通过一根金线与第一功率MOS管4连接，低压控制芯片3通过一根金线与第二功率MOS管5连接，高压驱动芯片2和低压控制芯片3通过两根金线连接；高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5可以分别通过铜线与引线框架1连接，高压驱动芯片2通过三根铜线与引线框架1的导电区连接， 低压控制芯片3通过五根铜线与引线框架1的导电区连接，第一功率MOS管4和第二功率 MOS管5各通过一根铜线与引线框架1的导电区连接。本实施例中，引线框架1上设置有第一功率MOS管引出脚(图中未显示)和第二功率MOS管引出脚(图中未显示)，第一功率MOS管4与第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔14，第二功率MOS管5和第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔15，第一引脚固定加强孔14和第二引脚固定加强孔15均为一个长圆孔，第一引脚固定加强孔14正对放置在第一功率MOS管4与第一功率MOS管引出脚的中间，第二引脚固定加强孔15正对放置在第二功率MOS管5与第二功率MOS管引出脚的中间。实施例二 如图2 图5所示，一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，包括以下步骤
(1)在一个引线框架1上设置三个岛，三个岛分别为第一岛11、第二岛12和第三岛13， 将第一岛11设置在引线框架1的一侧，将第二岛12和第三岛13上下排列设置在引线框架 1的另一侧；
(2)在第一岛11上设置第一固晶区111和第二固晶区112，在第二岛12上设置第三固晶区121，在第三岛13上设置第四固晶区131 ；
(3)将高压驱动芯片2贴装在第一固晶区111，将低压控制芯片3贴装在第二固晶区 112，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区121和第四固晶区131，两个功率MOS管分别为第一功率MOS管4和第二功率MOS管5 ；
(4)将高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5互连；
(5)将高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5分别与引线框架1连接。本实施例中，高压驱动芯片2负责对低压控制芯片3的输出信号进行高压隔离驱动以实现对半桥震荡电路高压侧的第一功率MOS管4实施栅极控制，低压控制芯片3负责整个集成电路的逻辑控制，并输出对第一功率MOS管4和第二功率MOS管5的驱动信号，第一功率MOS管4为半桥震荡电路的高压侧MOS管，第二功率MOS管5为半桥震荡电路的低压侧MOS管。高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5可以通过金线互连，其中高压驱动芯片2通过一根金线与第一功率MOS管4连接，低压控制芯片3通过一根金线与第二功率MOS管5连接，高压驱动芯片2和低压控制芯片3通过两根金线连接；高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5可以分别通过铜线与引线框架1连接，高压驱动芯片2通过三根铜线与引线框架1的导电区连接， 低压控制芯片3通过五根铜线与引线框架1的导电区连接，第一功率MOS管4和第二功率 MOS管5各通过一根铜线与引线框架1的导电区连接。 本实施例中，引线框架1上设置有第一功率MOS管引出脚(图中未显示)和第二功率MOS管引出脚(图中未显示)，第一功率MOS管4与第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔14，第二功率MOS管5和第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔15。由于封装体内部设置有第一功率MOS管4和第二功率MOS管5，其工作时产生的功率损耗将明显加热封装体内的整体电路，为了提高引线框架1对热量的导出能力， 在保持外形尺寸符合通用标准的前提下，本实施例中第一引脚固定加强孔14和第二引脚固定加强孔15均为两个独立的小圆孔，这两个独立的小圆孔的面积明显小于实施例一中的具有较大面积的长圆孔，因此，本实施例相对于实施例一，第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面更大，另外，在第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面增加的同时，第二岛12和第三岛13的面积也增加了，第二岛12和第三岛13可以进一步分摊第一功率MOS管4和第二功率MOS管5产生的热量。
权利要求
1.一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，其特征在于包括以下步骤(1)在一个引线框架上设置三个岛，三个岛分别为第一岛、第二岛和第三岛，将所述的第一岛设置在所述的引线框架的一侧，将所述的第二岛和所述的第三岛上下排列设置在所述的引线框架的另一侧；(2)在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区，在第二岛上设置第三固晶区，在第三岛上设置第四固晶区；(3)将高压驱动芯片贴装在第一固晶区，将低压控制芯片贴装在第二固晶区，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区，两个功率MOS管分别为第一功率MOS管和第二功率MOS管；(4)将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管互连；(5)将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别与引线框架连接。
2.根据权利要求1所述的一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，其特征在于所述的步骤(4)中的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS 管通过金线互连，所述的步骤(5)中的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别通过铜线与引线框架连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法， 其特征在于所述的引线框架上设置有第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚，所述的第一功率MOS管与所述的第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔，所述的第二功率MOS管和所述的第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔，所述的第一引脚固定加强孔和所述的第二引脚固定加强孔均为两个独立的圆孔。
全文摘要
本发明公开了一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装方法，包括以下步骤在引线框架中设置第一岛、第二岛和第三岛，在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区，在第二岛上设置第三固晶区，在第三岛上设置第四固晶区；再将高压驱动芯片贴装在第一固晶区，将低压控制芯片贴装在第二固晶区，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区，将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管互连，将高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别与引线框架连接；优点是实现了高压驱动电路和低压逻辑控制电路的分置，减少了高压工艺的使用，降低了制造成本。
文档编号H01L23/31GK102543770SQ20121001594
公开日2012年7月4日 申请日期2012年1月18日 优先权日2012年1月18日
发明者李阳, 钱建平 申请人:浙江阳光照明电器集团股份有限公司