天线与其通信装置的制作方法

文档序号:7098921阅读:100来源:国知局
专利名称:天线与其通信装置的制作方法
技术领域
本揭露涉及一种天线与其通信装置,还涉及ー种在通信装置内有限的天线可置放空间中实现多天线架构的天线与其通信装置。
背景技术
由于无线通信品质与传输速度不断提升的需求,导致多天线系统例如场型分集天线系统(Pattern Diversity Antenna System)或多输入多输出天线系统(ΜΙΜ0Antenna, Multi-input Multi-output Antenna System)技术的蓬勃发展。设计多个发射与接收天线的MIMO天线系统,其相较于目前广泛应用于通信装置的单一天线系统,能提高无线数据传输速度,因此是未来通信装置重要的应用发展趋势。例如无线区域 网路(Wireless Local Area Network,简称为 WLAN)、通用移动通信系统(UniversalMobile Telecommunication System,简称为 UMTS)、全球互通微波存取(WorldwideInteroperability for Microwave Access,简称为 WiMAX)以及第四代行动通信技术(LongTerm Evolution,简称为LTE)系统均被发展成能支援与达成MMO通信技术的应用。然而设计具有良好能量隔离度的多天线架构是ー项不易实现的技术挑战。因为同频段操作的多天线组件,其所辐射出来的电磁能量容易产生严重的相互耦合,因此多天线组件之间不易达成良好的能量隔离程度。传统的做法设计相邻天线组件结构彼此正交、于天线组件间设计突出或凹槽导体结构、或者増加天线组件间距离来提高能量隔离度,可能会额外增加多天线系统的整体尺寸。因此如何在通信装置内有限的天线可置放空间中,设计实现多天线架构,仍然是近年来相当重要的技术研发方向。

发明内容
本揭露所要解决的技术问题是提供ー种在通信装置内有限的天线可置放空间中实现多天线架构的天线与其通信装置。为了实现上述目的,本揭露提供了一种天线,包括一接地面以及ー辐射部,该接地面设置于一介质基板,其中,该辐射部包括至少一信号源;以及—封闭导体回圈,其具有一第一稱合导体部以及ー第二稱合导体部,该封闭导体回圈具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一与第二耦合导体部形成一第一耦合间距,该封闭导体回圈并具有ー馈入部与一短路部形成一第二耦合间距,该馈入部电气连接于该至少一信号源,该短路部电气连接于该接地面,该辐射部使该天线产生ー操作频带,用来收发至少一通信频段的电磁信号。为了实现上述目的,本揭露还提供了ー种通信装置,其中,包括至少ー收发器模块,作为至少一信号源;以及一天线,连接至该收发器模块,包括一接地面以及ー辐射部,该接地面设置于一介质基板,其中该辐射部包括
—封闭导体回圈,其具有一第一稱合导体部以及ー第二稱合导体部,该封闭导体回圈具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一与第二耦合导体部形成一第一耦合间距,该封闭导体回圈并具有ー馈入部与一短路部形成一第二耦合间距,该馈入部电气连接于该至少一信号源,该短路部电气连接于该接地面,该辐射部使该天线产生ー操作频带,使得该收发器模块经由该天线产生的该操作频带,收发至少一通信频段的电磁信号。本揭露的技术效果在于本揭露在通信装置内有限的天线可置放空间中实现了多天线架构。以下结合附图和具体实施例对本揭露进行详细描述,但不作为对本揭露的限定。


图IA为本揭露ー实施例天线I的结构示意图;图IB为图IA的天线I的实测返回损失图;图2为本揭露ー实施例天线2的结构示意图; 图3A为本揭露ー实施例天线3的结构示意图;图3B为本揭露ー实施例天线3其相应的返回损失曲线图;图4为本揭露ー实施例天线4的结构示意图;图5为本揭露ー实施例天线5的结构示意图;图6A为本揭露ー实施例天线6的结构示意图;图6B为图6A的天线6的辐射部12、辐射部64与辐射部65的实测返回损失图;图6C为图6A的天线6的辐射部12、辐射部64与辐射部65之间的实测隔离度曲线图;图7为本揭露ー实施例天线7的结构示意图;图8为本揭露ー实施例天线8的结构示意图;图9为本揭露ー实施例天线9的结构示意图;图10为本揭露一实施例种天线10的结构示意图;图11为本揭露ー实施例天线110的结构示意图;图12为本揭露ー实施例天线120的结构示意图;图13为本揭露一实施例通信装置130的功能方块图。其中,附图标记1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、110、120天线11接地面111介质基板12、22、32、42、102、112、122 福射部13、23、33、43、103、113、123 封闭导体回圈131、231、331、431、1031、1131、1231第一I禹合导体部132、232、332、432、1032、1132、1232第二耦合导体部
dl第一耦合间距133、233、333、433、1033、1133、1233馈入部134、234、334、434、1034、1134、1234短路部135、235、335、435封闭导体回圈总路径436集总芯片组件 d2第二耦合间距121、141、151、221、321、421、422、641、651、741、751,841,851,941 信号源1211、3211、6411、6511 返回损失曲线1264、1265、6465隔离度曲线1035、1036、1037、1135、1136、1235、1236、1237 导体段
具体实施例方式下面结合附图对本揭露的结构原理和工作原理作具体的描述本揭露提出ー种天线架构。本揭露的多个实施例可应用于各种通信装置,例如行动通信装置、无线通信装置、行动运算装置、电脑系统,或者可应用于电信设备、通信设备、网路设备、电脑或网络的外围设备。本揭露ー实施例提出一种天线,包括一接地面以及ー辐射部。该接地面设置于一介质基板,该辐射部包括至少一信号源以及一封闭导体回圏。该封闭导体回圈,其具有一第一耦合导体部以及ー第二耦合导体部。该封闭导体回圈具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一与第二耦合导体部形成一第一耦合间距,该封闭导体回圈并具有ー馈入部与一短路部形成一第二耦合间距。该馈入部电气连接于该至少一信号源,该短路部电气连接于该接地面,如此使该封闭导体回圈能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部能使该天线产生ー操作频带,用来收发至少一通信频段的电磁信号。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。该封闭导体回圈具有ー长导体路径,其总路径长度介于该操作频带中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间。该馈入部与该短路部之间的导体路径长度介于该操作频带中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该第一耦合间距不超过该操作频带中心频率的O. 25波长。该第二耦合间距使得该馈入部与短路部能形成一相互耦合结构,因此能使该辐射部于信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,増加所产生该操作频带的阻抗匹配。该第二耦合间距不超过该操作频带中心频率的O. I波长。该第一耦合间距能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低该辐射部侧边的近场耦合能量強度,因此该辐射部的侧边可配置其他不同型式的天线辐射部。并且能于该天线所产生该操作频带内,与相邻其他天线的辐射部具有较小的相互耦合,因而达成良好的能量隔离程度,如此可減少多天线系统的整体尺寸。
前述其他不同型式的天线福射部可为平面倒F形(PIFA, Planar Inverted-FAntenna)天线、倒F形(Inverted-F Antenna, IFA)天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线(Quadrifilar Helix Antenna, QHA)、N线螺旋天线(N-filar Helix Antenna, NHA)、其他适合之天线型式或不同型式组合的天线福射部。图IA为本揭露ー实施例天线I的结构示意图,包括一接地面11以及ー辐射部12。该接地面11位于一介质基板111的表面上,该辐射部12包括至少一信号源121以及ー封闭导体回圈13。该封闭导体回圈13,具有一第一稱合导体部131以及ー第二稱合导体部132。该封闭导体回圈13,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部131以及该第二耦合导体部132往不同方向延伸,形成一第一耦合间距dl。该封闭导体回圈13,并具有ー馈入部133与一短路部134形成一第二耦合间距d2。该馈入部133电气连接于该至少ー信号源121,该短路部134电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈13能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部12能使该天线I产生一操作频带1211(如图IB所示)。 图IB为图IA的一种天线I的实测返回损失图,其选择下列尺寸进行实验该接地面11长度约为80mm,宽度约为50mm ;该介质基板111厚度约为O. 8mm ;该封闭导体回圈13总路径135长度约为290mm、宽度约为Imm ;该第一与第二耦合导体部131、132的长度均约IOmm ;该第一稱合间距dl约为IOmm ;该第二稱合间距d2约为Imm ;该馈入部133与短路部134的长度均约为13_。该辐射部12能使该电磁相容天线I产生ー操作频带1211,该操作频带1211中心频率约为2680MHz。该操作频带1211由单共振模态所激发形成。本揭露天线的辐射部所产生的操作频带可由单共振、双共振或多共振模态激发形成。该封闭导体回圈13总路径长度约为该操作频带1211中心频率的2. 6波长,该馈入部133与短路部134之间的导体路径长度约为该操作频带1211中心频率的I. 3波长。该第一耦合间距dl不超过该操作频带1211中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距d2不超过该操作频带1211中心频率的O. I波长;封闭导体回圈13总路径135长度介于该操作频带1211中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部133与短路部134之间的导体路径长度介于该操作频带1211中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该第二耦合间距d2,使得该馈入部133与短路部134能形成一相互耦合结构,因此能使辐射部12于信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,增加该操作频带1211的阻抗匹配。该第一耦合间距dl能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低辐射部12侧边的耦合能量強度,因此该辐射部12的侧边可配置其他不同型式的天线辐射部。并且能于该天线所产生该操作频带1211内,与相邻其他天线的辐射部具有较小的相互耦合,因而达成良好的能量隔离程度,如此可減少多天线系统的整体尺寸。前述其他不同类型的天线辐射部可为例如平面倒F形(PIFA)天线、倒F形(IFA)天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线(QHA)、N线螺旋天线(NHA)、其他适合之天线类型或不同类型组合的天线辐射部。另外,在本实施例中,该封闭导体回圈13可由不同导体材料来组成,例如金、银、铜、铁等常见导电材料。然而,本揭露的可实施方式并不限定于上述。在其他实施例中,封闭导体回圈13可为任意的封闭导体回圈,导体材料可包括金属、合金或非金属导体,例如纳米碳管(carbon nanotube),或可使用其他适合之导体材料。但本揭露可实施方式不以此为限。再者,封闭导体回圈制作时可使用単一材料或是使用不同材料的组合。图2为ー实施例天线2的结构示意图,包括一接地面11以及ー辐射部22。该接地面11位于一介质基板111的表面上,该辐射部22包括至少一信号源221以及一封闭导体回圈23。该封闭导体回圈23,具有一第一稱合导体部231以及ー第二稱合导体部232。该封闭导体回圈23,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部231以及该第二率禹合导体部232往不同方向延伸,形成一第一稱合间距dl。该封闭导体回圈23,并具有一馈入部233与一短路部234形成一第二耦合间距d2。该馈入部233透过一匹配电路222电气连接于该至少一信号源221,该短路部234电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈23能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部22能使该天线2产生ー操作频带。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。其中该匹配电路222可为电容式耦合馈入、电感式耦合馈入、 低通、高通、带通、带拒、L或π型式电路架构。该第一耦合间距dl不超过该操作频带中心频率的O. 25波长;该第ニ耦合间距dl不超过该操作频带中心频率的O. I波长;封闭导体回圈23具有ー长导体路径,其总路径235长度介于该操作频带中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部233与短路部234之间的导体路径长度介于该操作频带中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该天线2与天线I的主要差异,在于该封闭导体回圈23蜿蜒方式的不同,以及该馈入部233与该信号源221之间设计了一匹配电路222用来更加调整该天线2产生操作频带的阻抗频宽。然而该第二耦合间距d2同样能使得该馈入部233与短路部234能形成一相互耦合结构,使辐射部22于信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,増加所产生操作频带的阻抗匹配。该第一耦合间距dl也同样能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低辐射部22侧边的耦合能量強度。因此,该辐射部22的侧边可摆置其他不同型式的天线辐射部。并且,该辐射部22能于该天线2所产生该操作频带内,与相邻其他天线的辐射部具有较小的相互耦合,因而达成良好的能量隔离程度,如此可減少多天线系统的整体尺寸。前述其他不同类型的天线辐射部可为例如平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线、其他适合之天线类型或不同类型组合的天线辐射部。图3A为本揭露ー实施例天线3的结构示意图,包括一接地面11以及ー辐射部32。该接地面11位于一介质基板111的表面上,该福射部32包括至少一信号源321以及ー封闭导体回圈33。该封闭导体回圈33,具有一第一稱合导体部331以及ー第二稱合导体部332。该封闭导体回圈33,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部331以及该第二耦合导体部332往不同方向延伸,形成一第一耦合间距dl。该封闭导体回圈33,并具有ー馈入部333与一短路部334形成一第二耦合间距d2。该馈入部333电气连接于该至少ー信号源321,该短路部234电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈33能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部32能使该ー种天线3产生ー操作频带3211 (如图3B所示)。此外,在其他实施例中,在该封闭导体回圈33内的多个路径可以具有不同的导体宽度。图3B为图3A的天线3的实测返回损失图,其选择下列尺寸进行实验该接地面11长度约为90mm,宽度约为55mm ;该介质基板111厚度约为O. 8mm ;该封闭导体回圈33总路径335长度约为320mm ;该第一与第二耦合导体部331、332的长度均约为10mm、宽度均约为Imm ;该第一稱合间距dl约为13mm ;该馈入与短路部333、334的长度均约12mm、宽度均约为
I.5mm ;该第二稱合间距d2约为O. 8mm。该福射部32能使该天线3产生ー操作频带3211,该操作频带3211中心频率约为2625MHz。该操作频带3211由双共振模态所激发形成。本揭露天线的辐射部所产生的操作频带可由单共振、双共振或多共振模态激发形成。该封闭导体回圈33总路径335长度约为该操作频带3211中心频率的2. 8波长。该第一耦合间距dl不超过该操作频带3211中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距dl不超过该操作频带3211中心频率的O. I波长;封闭导体回圈33总路径335长度介于该操作频带3211中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部333与短路部334之间的导体路径长度介于该操作频带3211中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该天线3与天线I的主要差异,在于该封闭导体回圈33蜿蜒方式的不同,以及该封闭导体回圈33利用设计其回圈导体路径具有不等宽度的做法,来更加调整该操作频带3211的阻抗匹配。然而该第二耦合间距d2同样能使得该馈入部333与短路部334能形成 一相互耦合结构,使辐射部32于信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,増加该天线3所产生ー操作频带3211的阻抗匹配。该第一耦合间距dl也同样能增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低辐射部32侧边的耦合能量強度。因此该辐射部32的侧边可配置其他不同型式的天线辐射部。并且,该辐射部32能于该天线3所产生该操作频带3211内,与相邻其他天线的辐射部具有较小的相互耦合。因而达成良好的能量隔离程度,如此可減少多天线系统的整体尺寸。前述其他不同类型的天线辐射部可为例如平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线或其不同组合的天线福射部。在本实施例中,天线3所产生ー操作频带3211可用来收发长程演进系统LTE2500 (Long Term Evolution,简称为LTE)通信频段的电磁信号。然而图3B仅为说明天线3所产生ー操作频带可用来收发至少一通信频段电磁信号的例子,并非用来限定本揭露的实施方式。天线3所产生的操作频带也可以是设计用以收发全球行动通信(GlobalSystem for Mobile Communications,简称为 GSM)系统、通用移动通信(UniversalMobile Telecommunications System,简称为 UMTS)系统、全球互通微波存取(WorldwideInteroperability for Microwave Access,简称为 WiMAX)系统、数位电视广播(DigitalTelevision Broadcasting 简称为 DTV)系统、全球定位系统(Global Positioning System简称为GPS)、无线广域网路(Wireless Wide Area Network,简称为WWAN)系统、无线区域网路(Wireless Local Area Network,简称为 WLAN)系统、超宽频通信技术(Ultra-Wideband,简称为UWB)系统、无线个人网络(Wireless Personal Area Network,简称为WPAN)、全球卫星定位系统(Global Positioning System,简称为GPS)、卫星通信系统(SatelliteCommunication System)、其他适合之系统类型或者其他无线或行动通信频带应用的电磁信号。图4为本揭露一实施例一天线4的结构示意图,包括一接地面11以及ー辐射部42。该接地面11位于一介质基板111的表面上,该福射部42包括一封闭导体回圈43以及信号源421与422。该封闭导体回圈43,具有一第一稱合导体部431以及ー第二稱合导体部432。该封闭导体回圈43,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部431以及该第二耦合导体部432往不同方向延伸,形成一第一耦合间距dl。该封闭导体回圈43,并具有ー馈入部433与一短路部434形成一第二耦合间距d2。该馈入部433电气连接于该一信号源421以及一信号源422,该短路部434电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈43能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部42能使该天线4产生ー操作频带。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。该第一耦合间距dl不超过该操作频带中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距d2不超过该操作频带中心频率的O. I波长;封闭导体回圈43总路径435长度介于该操作频带中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部433与短路部434之间的导体路径长度介于该操作频带中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该天线4与天线I的差异,在于该封闭导体回圈43蜿蜒方式的不同,以及该封闭导体回圈43的导体路径上具有一集总芯片电感436来达成天线4的縮小化,此外该馈入部433同时连接了 2个信号源421与422以达成一 MIMO (Multi-input Multi-output)或场型空间分集(Pattern Space Diversity)多天线系统操作。然而该第二稱合间距d2同样能 使得该馈入部433与短路部434能形成一相互耦合结构,使辐射部42于信号源421与422的信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,如此可以増加天线4所产生操作频带的阻抗匹配。该第一耦合间距dl也同样能增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低辐射部42侧边的耦合能量強度。因此该辐射部42的侧边可配置其他不同型式的天线辐射部。并且,该辐射部42能于该天线4所产生该操作频带内,与相邻其他天线的辐射部具有较小的相互耦合,因而达成良好的能量隔离程度,如此可減少多天线系统的整体尺寸。该其他不同类型的天线辐射部可为例如平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线、其他适合之天线类型或不同类型组合的天线辐射部。该集总芯片电感436也可设计改由一集总芯片电容取代,来调整该辐射部42所产生操作频带的阻抗匹配。图5为本揭露ー实施例天线5的结构示意图,包括一接地面11以及ー辐射部12。该接地面11位于一介质基板111的表面上,该辐射部12包括一封闭导体回圈13以及至少ー信号源121。该封闭导体回圈13,具有一第一f禹合导体部131以及ー第二I禹合导体部132。该封闭导体回圈13,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部131以及该第二耦合导体部132往不同方向延伸,形成一第一耦合间距dl。该封闭导体回圈13,并具有ー馈入部133与一短路部134形成一第二耦合间距d2。该馈入部133电气连接于该至少一信号源121,该短路部134电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈13能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部12能使该天线5产生一操作频带。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。该第一耦合间距dl不超过该操作频带中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距d2不超过该操作频带中心频率的O. I波长;封闭导体回圈13总路径135长度介于该操作频带中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部133与短路部134之间的导体路径长度介于该操作频带中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。
该天线5与天线I的主要差异,在于该天线5的该辐射部12的两侧又分别设计了一辐射部14以及ー辐射部15,以达成一 MIMO或场型空间分集多天线系统。该辐射部14电气连接于一信号源141,该福射部15电气连接于一信号源151。该福射部12的该第二率禹合间距d2能使得该馈入部133与短路部134能形成一相互耦合结构,使辐射部12于该信号源121的信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,増加所产生操作频带的阻抗匹配。该第一耦合间距dl能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低辐射部12侧边的耦合能量強度。因此,该辐射部12的侧边可配置其他不同型式的天线辐射部。并且,该辐射部12能于该天线5所产生该操作频带内,与相邻其他天线的辐射部具有较小的相互耦合,因而达成良好的能量隔离程度,如此可減少多天线系统的整体尺寸。该其他不同类型的天线辐射部可为例如平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线、其他适合之天线类型或不同类型组合的天线辐射部。图6A为本揭露ー实施例天线6的结构示意图,包括一接地面11以及ー辐射部12。该接地面11位于一介质基板111的表面上,该辐射部12包括一封闭导体回圈13以及至 少ー信号源121。该封闭导体回圈13,具有一第一f禹合导体部131以及ー第二I禹合导体部132。该封闭导体回圈13,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部131以及该第二耦合导体部132往不同方向延伸,形成一第一耦合间距dl。该封闭导体回圈13,并具有ー馈入部133与一短路部134形成一第二耦合间距d2。该馈入部133电气连接于该至少一信号源121,该短路部134电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈13能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部12能使该天线6产生一操作频带1211 (如图6B所示)。该操作频带1211由双共振模态所激发形成。在其他实施例中,该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。该第一耦合间距dl不超过该操作频带1211中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距d2不超过该操作频带中心频率的O. I波长;封闭导体回圈13总路径135长度介于该操作频带中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部133与短路部134之间的导体路径长度介于该操作频带中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该天线6与天线I的主要差异,在于该辐射部12的两侧又分别设计了一辐射部64以及ー辐射部65,以达成一 MMO或场型空间分集多天线系统。该辐射部64与辐射部65分别为PIFA以及槽孔类型的天线辐射部,并分别电气连接于一信号源641以及一信号源651。该辐射部12的该第二耦合间距d2,能使得该馈入部133与短路部134能形成一相互耦合结构,使辐射部12于该信号源121的信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,増加所产生操作频带的阻抗匹配。该第一耦合间距dl能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低辐射部12侧边的耦合能量強度,使辐射部12于一所激发操作频带内,与其侧边相邻的辐射部64以及辐射部65之间具有较小的相互耦合。然而本揭露可实施方式并非限定于上述,该辐射部64与辐射部65也可为其他不同类型的天线辐射部,例如平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线、其他适合之天线类型或不同类型组合的天线辐射部。
图6B为图6A的天线6其辐射部12、辐射部64与辐射部65的实测返回损失图,该辐射部12的实验尺寸与图IA相同。该辐射部12可使该天线6可产生ー操作频带1211,该辐射部64可产生ー操作频带6411,该辐射部65可产生ー操作频带6511。图6C为图6A的天线6其辐射部12、辐射部64与辐射部65之间的实测隔离度曲线图。曲线1264代表辐射部12与福射部64的隔尚度曲线、曲线1265代表福射部12与福射部65的隔尚度曲线、曲线6465代表辐射部64与辐射部65的隔离度曲线。其可以看到由于该第一耦合间距dl能有效降低辐射部12侧边的耦合能量強度,使辐射部12于其所激发操作频带1211内,与其侧边相邻的辐射部64以及辐射部65之间具有不错的隔离度表现。举例说明,辐射部12于其所激发操作频带1211内,与其侧边相邻的辐射部64以及辐射部65之间的隔离度大于IOdB0在本实施例中,天线6的辐射部12所产生ー操作频带1211可用来收发LTE2500通信频段的电磁信号。而天线6的辐射部64与辐射部65分别产生的操作频带6411与6511,
均可用来收发WLAN2400以及LTE2500通信频段的电磁信号。然而图6B仅为说明该天线6的辐射部12所产生ー操作频带,可用来收发至少一通信频段电磁信号的例子,并非用来限定本揭露的可实施方式。该天线6的辐射部12所产生的操作频带也可以是设计用来收发全球行动通信系统、通用移动通信系统、全球互通微波存取系统、数位电视广播系统、全球定位系统、无线广域网路系统、无线区域网路系统、超宽频通信技术系统、无线个人网路系统、全球卫星定位系统、卫星通信系统、其他适合之系统类型或者其他无线或行动通信频带应用的电磁信号。图7为本揭露ー实施例天线7的结构示意图,包括一接地面11以及ー辐射部12。该接地面11位于一介质基板111的表面上,该辐射部12包括一封闭导体回圈13以及至少ー信号源121。该封闭导体回圈13,具有一第一f禹合导体部131以及ー第二I禹合导体部132。该封闭导体回圈13,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部131以及该第二耦合导体部132往不同方向延伸,形成一第一耦合间距dl。该封闭导体回圈13,并具有ー馈入部133与一短路部134形成一第二耦合间距d2。该馈入部133电气连接于该至少ー信号源121,该短路部134电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈13能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部12能使该天线7产生一操作频带。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。该第一耦合间距dl不超过该操作频带中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距d2不超过该操作频带中心频率的O. I波长;封闭导体回圈13具有ー长导体路径,其总路径135长度介于该操作频带中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部133与短路部134之间的导体路径长度介于该操作频带中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该天线7与天线I的主要差异,在于该辐射部12的两侧又分别设计了一辐射部74以及ー辐射部75,以达成一 MMO以及天线空间分集多天线系统。该辐射部74与辐射部75均为槽孔类型的天线辐射部,井分别电气连接于一信号源741与一信号源751。该辐射部12的该第二耦合间距d2,能使得该馈入部133与短路部134能形成一相互耦合结构,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,使辐射部12于该信号源121的信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,増加所产生操作频带的阻抗匹配。该第一耦合间距dl能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低辐射部12侧边的耦合能量強度,使辐射部12于一所激发操作频带内,与其侧边相邻的辐射部74以及辐射部75之间具有较小的相互耦合。然而本揭露可实施方式并非限定于上述,该辐射部74与辐射部75也可为其他不同类型的天线辐射部,例如平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线、其他适合之天线类型或不同类型组合的天线辐射部。图8为本揭露ー实施例天线8的结构示意图,包括一接地面11以及ー辐射部22。该接地面11位于一介质基板111的表面上,该辐射部22包括一封闭导体回圈23以及至少ー信号源221。该封闭导体回圈23,具有一第一f禹合导体部231以及ー第二I禹合导体部232。该封闭导体回圈23,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部231以及该第二耦合导体部232往不同方向延伸,形成一第一耦合间距dl。该封闭导体回圈23,并具有ー馈入部233与一短路部234形成一第二耦合间距d2。该馈入部233电气连接于该至少一信号源221,该短路部234电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈23能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部22能使该天线8产生一操作频带。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发 形成。该第一耦合间距dl不超过该操作频带中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距d2不超过该操作频带中心频率的O. I波长;封闭导体回圈23总路径235长度介于该操作频带中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部233与短路部234之间的导体路径长度介于该操作频带中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该天线8与天线I的主要差异,在于该封闭导体回圈43蜿蜒方式的不同,以及该辐射部12的两侧又分别设计了一辐射部84以及ー辐射部85,以达成一 MMO或场型空间分集多天线系统。该辐射部84为PIFA类型的天线辐射部,并电气连接于一信号源841。该辐射部85为回圈类型的天线辐射部,并电气连接于一信号源851。该辐射部22的该第二耦合间距d2,能使得该馈入部233与短路部234能形成一相互耦合结构,使辐射部22于信号源221的信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,増加所产生操作频带的阻抗匹配。该第一耦合间距dl能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低辐射部22侧边的耦合能量強度,使辐射部22于一所激发操作频带内,与其侧边相邻的辐射部84以及辐射部85之间具有较小的相互耦合。然而本揭露可实施方式并非限定于上述,该辐射部84与辐射部85也可为其他不同类型的天线辐射部,例如平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线、其他适合之天线类型或不同类型组合的天线辐射部。图9为本揭露ー实施例天线9的结构示意图,包括一接地面11以及ー辐射部42。该接地面11位于一介质基板111的表面上,该辐射部42包括一封闭导体回圈43以及至少ー信号源421。该封闭导体回圈43,具有一第一f禹合导体部431以及ー第二I禹合导体部432。该封闭导体回圈43,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部431以及该第二稱合导体部432形成一第一稱合间距dl。该封闭导体回圈43,并具有一馈入部433与一短路部434形成一第二耦合间距d2。该馈入部433电气连接于该至少一信号源421,该短路部434电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈43能等效地形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部42能使该天线9产生ー操作频带。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。该第一耦合间距dl不超过该操作频带中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距d2不超过该操作频带中心频率的
O.I波长;封闭导体回圈43总路径435长度介于该操作频带中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部433与短路部434之间的导体路径长度介于该操作频带中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该辐射部42的该第二耦合间距d2,能使得该馈入部433与短路部434能形成一相互耦合结构,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,使辐射部42于该信号源421的信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,増加所产生操作频带的阻抗匹配。该天线9与天线I的主要差异,在于该封闭导体回圈43蜿蜒方式的不同,以及其在辐射部42的一侧边另外设计了一辐射部94,以达成一MMO或场型空间分集多天线系统。该辐射部94为单极型式的天线辐射部,并电气连接于一信号源941。该第一耦合间距dl能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能 有效降低辐射部42侧边的耦合能量強度,使辐射部42于该所激发操作频带内,与其侧边相邻的辐射部94之间具有较小的相互耦合,以达成较佳的隔离度。然而本揭露可实施方式并非限定于上述,该辐射部94也可为其他不同类型的天线辐射部,例如平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线、其他适合之天线类型或或不同类型组合的天线辐射部。图10为本揭露ー实施例天线10的结构示意图。图10类似于图1,并提供天线I的一种其他可实施方式。该天线10包括一接地面11以及ー辐射部102。该接地面11设置于一介质基板111的表面上,该辐射部102包括至少一信号源121以及一封闭导体回圈103。该封闭导体回圈103,具有一第一稱合导体部1031以及ー第二稱合导体部1032。该封闭导体回圈103,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部1031以及该第ニ率禹合导体部1032往不同方向延伸,并在该第一f禹合导体部1031以及该第二I禹合导体部1032之间形成一第一耦合间距dl。另外,该封闭导体回圈103还具有ー馈入部1033与一短路部1034形成一第二耦合间距d2。该馈入部1033电气连接于该至少一信号源121,该短路部1034电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈103能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部102能使该天线10产生ー操作频带(类似图IB所示的操作频带1211)。此外,该封闭导体回圈103的路径组成组件中的一导体段1035与一导体段1036相邻,该导体段1035与该导体段1036之间的连接导体段1037呈现一圓弧形路径。关于天线10的接地面11长度、接地面11宽度、该介质基板111厚度、该封闭导体回圈103总路径长度、该封闭导体回圈103宽度、该第一与第二耦合导体部1031、1032的长度、该第一耦合间距dl、该第二耦合间距d2、该馈入部1033长度、该短路部1034的长度,可以參照图IB的技术内容描述,在此不重述其详细可实施方式。请參照图10,该辐射部102能使该天线10产生ー操作频带。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。该第一耦合间距dl不超过该操作频带的中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距d2不超过该操作频带的中心频率的O. I波长;封闭导体回圈103总路径的长度介于该操作频带的中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部1033与短路部1034之间的导体路径长度介于该操作频带的中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该第二耦合间距d2使得该馈入部1033与短路部1034能形成一相互耦合结构,因此能使该辐射部102于该信号源121的信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,増加所产生该操作频带的阻抗匹配。该第一耦合间距dl能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低辐射部102侧边的耦合能量強度,因此该辐射部102的侧边可配置其他不同型式的天线福射部。并且能 于该天线10所产生该操作频带内,与相邻其他天线的福射部具有较小的相互耦合,因而达成良好的能量隔离程度,如此可減少多天线系统的整体尺寸。前述其他不同型式的天线辐射部可为平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线、其他适合之天线型式或不同型式组合的天线辐射部。图11为本揭露ー实施例天线110的结构示意图。图11类似于图1、2,并提供天线
1、2的一种其他可实施方式。该天线110包括一接地面11以及ー辐射部112。该接地面11设置于一介质基板111的表面上,该福射部112包括至少一信号源121以及一封闭导体回圈113。该封闭导体回圈113,具有一第一f禹合导体部1131以及ー第二I禹合导体部1132。该封闭导体回圈113,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部1131以及该第二I禹合导体部1132往不同方向延伸,并在该第一f禹合导体部1131以及该第二I禹合导体部1132之间形成一第一耦合间距dl。另外,该封闭导体回圈113还具有一馈入部1133与一短路部1134形成一第二耦合间距d2。该馈入部1133电气连接于该至少一信号源121,该短路部1134电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈113能等效形成类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部112能使该天线110产生ー操作频带(类似图IB所示的操作频带1211)。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。此外,该封闭导体回圈113的路径组成组件中的一导体段1135与一导体段1136相邻,该导体段1135与该导体段1136之间的连接角度为非直角。在其他可实施方式中,该导体段1135与该导体段1136之间的连接角度可以包括鋭角与钝角。关于天线110的接地面11长度、接地面11宽度、该介质基板111厚度、该封闭导体回圈113总路径长度、该封闭导体回圈113宽度、该第一与第二耦合导体部1131、1132的长度、该第一耦合间距dl、该第二耦合间距d2、该馈入部1133长度、该短路部1134的长度,可以參照图IB的技术内容描述,在此不重述其详细可实施方式。请參照图11,该辐射部112能使该天线110产生ー操作频带。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。该第一耦合间距dl不超过该操作频带的中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距d2不超过该操作频带的中心频率的O. I波长;封闭导体回圈113总路径的长度介于该操作频带的中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部1133与短路部1134之间的导体路径长度介于该操作频带的中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该第二耦合间距d2使得该馈入部1133与短路部1134能形成一相互耦合结构,因此能使该辐射部112于该信号源121的信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,増加所产生该操作频带的阻抗匹配。该第一耦合间距dl能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低该辐射112部侧边的近场耦合能量強度,因此该辐射部112的侧边可配置其他不同型式的天线辐射部。并且能于该天线所产生该操作频带内,与相邻其他天线的辐射部具有较小的相互耦合,因而达成良好的能量隔离程度,如此可減少多天线系统的整体尺寸。前述其他不同型式的天线辐射部可为平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线、其他适合之天线型式或不同型式组合的天线辐射部。图12为本揭露ー实施例天线120的结构示意图。图12类似于图1,并提供天线I的一种其他可实施方式。该天线120包括一接地面11以及ー辐射部122。该接地面11设置于一介质基板111的表面上,该福射部122包括至少一信号源121以及一封闭导体回圈123。该封闭导体回圈123可由细导体片、导体细线、实心或空心细导体管实现,但本揭露可实施方式不限于此。该封闭导体回圈123,具有一第一耦合导体部1231以及ー第二耦合导体部1232。该封闭导体回圈123,具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一耦合导体部1231以及该第二I禹合导体部1232往不同方向延伸,并在该第一f禹合导体部1231以及该第ニ耦合导体部1232之间形成一第一耦合间距dl。另外,该封闭导体回圈123还具有一馈入部1233与一短路部1234形成一第二耦合间距d2。该馈入部1233电气连接于该至少一信号源121,该短路部1234电气连接于该接地面11。如此使该封闭导体回圈123能等效形成 类似阵列天线的架构,有效增加操作频带的阻抗频宽。该辐射部122能使该天线120产生 一操作频带(类似图IB所示的操作频带1211)。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。此外,该封闭导体回圈123的路径组成组件中的一导体段1235与一导体段1236相邻,该导体段1236跨过(cross-over)邻近的导体段1237。此外,该导体段1235与该导体段1236之间的连接角度可以为直角、鋭角或钝角。请參照图12,该辐射部122能使该天线120产生ー操作频带。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。该第一耦合间距dl不超过该操作频带的中心频率的O. 25波长;该第二耦合间距d2不超过该操作频带的中心频率的O. I波长;封闭导体回圈123总路径的长度介于该操作频带的中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间;该馈入部1233与短路部1234之间的导体路径长度介于该操作频带的中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。该第二耦合间距d2使得该馈入部1233与短路部1234能形成一相互耦合结构,因此能使该辐射部112于该信号源121的信号馈入端形成较均匀的激发电流分布,以减少操作频段内天线输入阻抗随频率变化的程度,増加所产生该操作频带的阻抗匹配。该第一耦合间距dl能够增加该封闭导体回圈路径上电流向量与辐射部信号馈入端电流向量的正交程度,如此能有效降低辐射部122侧边的耦合能量強度,因此该辐射部122的侧边可配置其他不同型式的天线福射部。并且能于该天线所产生该操作频带内,与相邻其他天线的福射部具有较小的相互耦合,因而达成良好的能量隔离程度,如此可減少多天线系统的整体尺寸。前述其他不同型式的天线辐射部可为平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线、其他适合之天线型式或不同型式组合的天线辐射部。图13为本揭露一实施例通信装置130的功能方块图。该通信装置130至少包括一天线1301与ー收发器模块1302。该收发器模块1302包括至少一信号源,其类似于图IA的信号源121。该天线1301类似于图IA所绘示的天线1,该天线1301连接至该收发器模块1302,其包括一接地面以及ー辐射部。该天线1301的详细技术内容可參照图1A,该接地面设置于一介质基板,该辐射部包括一封闭导体回圈,其具有一第一耦合导体部以及ー第二耦合导体部,该封闭导体回圈具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一与第二耦合导体部形成一第一耦合间距,该封闭导体回圈并具有ー馈入部与一短路部形成一第二耦合间距,该馈入部电气连接于该至少一信号源,该短路部电气连接于该接地面,该辐射部能使该天线产生ー操作频带,使得该收发器模块1302可以经由该天线1301产生的该操作频带,收发至少一通信频段的电磁信号。该操作频带可由单共振模态、双共振模态或多共振模态激发形成。在本发明的其他可实施方式中,通信装置130还可以包括其他组件(未绘示在图13中),例如滤波器、频率转换单元、放大器、类比数位转换器、数位类比转换器、调变器、解调变器与数位信号处理器。收发器模块1302可以对所收发的至少一通信频段的电磁讯号信号进行讯号信号増益、滤波、频率转换或解调变等讯号信号处理。然而,本揭露的技术重点在于天线1301以及其与收发器模组模块1302之间的连接关系,因此不详细描述通讯通信装置130的其他组成元件组件。另外,在上述所有天线实施例中,其中的封闭导体回圈13、23、33、43、103、113、123 可由不同导体材料来组成,例如金、银、铜、铁等常见导电材料。然而,本揭露的可实施方式并不限定于上述。在其他实施例中,封闭导体回圈13、23、33、43、103、113、123可为任意封闭导体回圈,导体材料可包括金属、合金或非金属导体,例如纳米碳管,或可为其他适合之导体材料或不同导体材料之组合,但不以此为限。另外,封闭导体回圈制作时可使用単一材料或是使用不同材料的组合。当然,本揭露还可有其它多种实施例,在不背离本揭露精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本揭露作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本揭露所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种天线,包括一接地面以及一辐射部,该接地面设置于一介质基板,其特征在于,该辐射部包括 至少一信号源;以及 一封闭导体回圈,其具有一第一耦合导体部以及一第二耦合导体部,该封闭导体回圈具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一与第二耦合导体部形成一第一耦合间距,该封闭导体回圈并具有一馈入部与一短路部形成一第二耦合间距,该馈入部电气连接于该至少一信号源,该短路部电气连接于该接地面,该辐射部使该天线产生一操作频带,用来收发至少一通信频段的电磁信号。
2.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该第一耦合间距不超过该操作频带中心频率的O. 25波长。
3.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该第二耦合间距不超过该操作频带中心频率的O. I波长。
4.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该封闭导体回圈总路径长度介于该操作频带中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间。
5.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该馈入部与该短路部之间的导体路径长度介于该操作频带中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。
6.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该馈入部与该至少一信号源之间具有匹配电路。
7.如权利要求6所述的天线,其特征在于,该匹配电路为电容式耦合馈入、电感性耦合馈入、低通、高通、带通、带拒、L或π型电路架构。
8.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该接地面以印刷或蚀刻技术形成于一介质基板上。
9.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该封闭导体回圈的路径具有不同的导体宽度。
10.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该封闭导体回圈具有一芯片电感。
11.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该封闭导体回圈具有一芯片电容。
12.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该辐射部的侧边可配置其他不同形式的天线辐射部。
13.如权利要求I所述的天线,其特征在于,该辐射部的侧边可配置平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线或其不同组合的天线福射部。
14.一种通信装置,其特征在于,包括 至少一收发器模块,作为至少一信号源;以及 一天线,连接至该收发器模块,包括一接地面以及一辐射部,该接地面设置于一介质基板,其中该辐射部包括 一封闭导体回圈,其具有一第一耦合导体部以及一第二耦合导体部,该封闭导体回圈具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一与第二耦合导体部形成一第一耦合间距,该封闭导体回圈并具有一馈入部与一短路部形成一第二耦合间距,该馈入部电气连接于该至少一信号源,该短路部电气连接于该接地面,该辐射部使该天线产生一操作频带,使得该收发器模块经由该天线产生的该操作频带,收发至少一通信频段的电磁信号。
15.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该第一耦合间距不超过该操作频带中心频率的O. 25波长。
16.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该第二耦合间距不超过该操作频带中心频率的O. I波长。
17.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该封闭导体回圈总路径长度介于该操作频带中心频率的I. 4波长至4. 2波长之间。
18.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该馈入部与该短路部之间的导体路径长度介于该操作频带中心频率的O. 7波长至2. I波长之间。
19.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该馈入部与该至少一信号源之间具有匹配电路。
20.如权利要求19所述的通信装置,其特征在于,该匹配电路可为电容式耦合馈入、电感性耦合馈入、低通、高通、带通、带拒、L或π型电路架构。
21.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该封闭导体回圈的路径具有不同的导体宽度。
22.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该辐射部的侧边可配置其他不同形式的天线辐射部。
23.如权利要求14所述的通信装置,其特征在于,该辐射部的侧边可配置平面倒F形天线、倒F形天线、单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺旋天线、四线螺旋天线、N线螺旋天线或其组合的天线辐射部。
全文摘要
一种天线与其通信装置,该天线包括至少一接地面以及至少一辐射部。该接地面设置于一介质基板,该辐射部包括至少一信号源以及一封闭导体回圈。该封闭导体回圈,其具有一第一耦合导体部以及一第二耦合导体部,该封闭导体回圈具有多次弯折形成一立体结构,并使该第一与第二耦合导体部形成一第一耦合间距,该封闭导体回圈并具有一馈入部与一短路部形成一第二耦合间距,该馈入部电气连接于该至少一信号源,该短路部电气连接于该接地面,该辐射部使该天线产生一操作频段,用来收发至少一通信频段之电磁信号。
文档编号H01Q23/00GK102856631SQ20121013714
公开日2013年1月2日 申请日期2012年5月4日 优先权日2011年6月28日
发明者李伟宇, 陈伟吉 申请人:财团法人工业技术研究院
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